JPS5922382A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS5922382A JPS5922382A JP57131187A JP13118782A JPS5922382A JP S5922382 A JPS5922382 A JP S5922382A JP 57131187 A JP57131187 A JP 57131187A JP 13118782 A JP13118782 A JP 13118782A JP S5922382 A JPS5922382 A JP S5922382A
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- JP
- Japan
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- heating element
- semiconductor laser
- fixed
- temperature
- heat
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02453—Heating, e.g. the laser is heated for stabilisation against temperature fluctuations of the environment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザな発生するレーザ発生装置に関するもの
である。
である。
従来より、光通信等の分野で、半導体レーザ素子を光源
として用いることは広（行なわれている。
として用いることは広（行なわれている。
かかる場合において、半導体レーザの光出力を一定パワ
ーに保つ、所謂Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ ０ｏｎｔｒｏｌ
（以下ＡＰＯと呼ぶ）を採用する事が多い。
ーに保つ、所謂Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ ０ｏｎｔｒｏｌ
（以下ＡＰＯと呼ぶ）を採用する事が多い。
第１図はこの方法を説明したもので、半導体レーザ素子
ｌより出射した半導体レーザの光出力は光検出器２で受
けられ、アンプ３で増幅された後レーザドライブ回路４
ヘフイード・バックされ、常に光検出器２の出力が一定
に゛なる様に制御さ、れる。かかる方法は環境温度変化
、素子の劣化等−忙対して、半導体レーザ素子の光出力
が変化する事を補正する方法として広く用いられている
。
ｌより出射した半導体レーザの光出力は光検出器２で受
けられ、アンプ３で増幅された後レーザドライブ回路４
ヘフイード・バックされ、常に光検出器２の出力が一定
に゛なる様に制御さ、れる。かかる方法は環境温度変化
、素子の劣化等−忙対して、半導体レーザ素子の光出力
が変化する事を補正する方法として広く用いられている
。
しかしながら、半導体レーザ素子を画像記録等に用いる
場合は、装置圧使われる感光体の感度の波長依存性が大
きな問題となる。通常のＨｅ−Ｎｅレーザのような短い
波長のレーザを用いた装置では、レーザ波長近傍におけ
る感光体の分光感度はフラットのものが多く、従来のＡ
ＰＯ方式を採用することも可能である。
場合は、装置圧使われる感光体の感度の波長依存性が大
きな問題となる。通常のＨｅ−Ｎｅレーザのような短い
波長のレーザを用いた装置では、レーザ波長近傍におけ
る感光体の分光感度はフラットのものが多く、従来のＡ
ＰＯ方式を採用することも可能である。
一方半導体レーザは波長が８０００λ前後比ｅＮｅレー
ザに比べると近赤外領域にある為、通常使われる感光体
では感度が低い。この為半導体レーデをこのような画像
記録装置に用いる場合は感光体を増感して使５事が多い
。しかし増感しても画質の安定性、感光体の耐久等から
、半導体レーザ波長域でも分光感度をフラットする事が
出来ず、第２図ａの様に波長九対して依存性を有す。
ザに比べると近赤外領域にある為、通常使われる感光体
では感度が低い。この為半導体レーデをこのような画像
記録装置に用いる場合は感光体を増感して使５事が多い
。しかし増感しても画質の安定性、感光体の耐久等から
、半導体レーザ波長域でも分光感度をフラットする事が
出来ず、第２図ａの様に波長九対して依存性を有す。
それ故、使用する半導体レーザ素子の波長により光量を
コントロールする必要があり、半導体レーデな動作中波
長変動が生ずると従来のＡＰＯ方式では良い画像は得ら
れない。
コントロールする必要があり、半導体レーデな動作中波
長変動が生ずると従来のＡＰＯ方式では良い画像は得ら
れない。
一例を述べると、半導体レーザは２．５〜３．０＾の波
長の温度係数があり、３０℃の温度変化があるとＭ ａ
ｘ、９０λの波長変化が生ずる。この為感光体の感度
の波長依存性が高ければ高い程、得られる画像は悪くな
る。
長の温度係数があり、３０℃の温度変化があるとＭ ａ
ｘ、９０λの波長変化が生ずる。この為感光体の感度
の波長依存性が高ければ高い程、得られる画像は悪くな
る。
本発明は半導体レーザ素子の環境温度変化に基づくレー
ザ発振波長の移動を防止するために、半導体レーザ素子
を一定温度に加熱する発熱要素として、一定の電圧を印
加することによって自分自身で温度制御を行う自己温度
制御発熱素子を用いることＫより、上述の如き従来の欠
点を取り除いたものである。
ザ発振波長の移動を防止するために、半導体レーザ素子
を一定温度に加熱する発熱要素として、一定の電圧を印
加することによって自分自身で温度制御を行う自己温度
制御発熱素子を用いることＫより、上述の如き従来の欠
点を取り除いたものである。
以下実施例に基づいて、本発明の説明を行なう。
第３図は本発明の一実施例を示すもので、半導体レーザ
装置９から発せられたレーザは、コリメータレンズ５に
よりコリメートされ、回転多面鏡６によって反射され、
結像レンズ７により結像されて、感光ドラム８上を走査
する。このとき半導体レー°ア装置内の半導体レーザ素
子に電流変調を与えること九より、感光ドラム８上には
、画像・ぐターンが形成される。
装置９から発せられたレーザは、コリメータレンズ５に
よりコリメートされ、回転多面鏡６によって反射され、
結像レンズ７により結像されて、感光ドラム８上を走査
する。このとき半導体レー°ア装置内の半導体レーザ素
子に電流変調を与えること九より、感光ドラム８上には
、画像・ぐターンが形成される。
第４図は本発明による半導体レーザ装置の断面図を示す
ものである。４−１は円盤状の金属基板であり、この金
属基板４−１上には銅等の良熱導体の金属ブロック４−
２が固定されており、この金属ブロックの端部に半導体
レーツ″素子４−３が固定されている。かかる金属ブロ
ック４−２及び半導体レーザ素子は底板４−５及び円筒
状の筒体４−４から成る封止容器で囲み、かつ、この封
止容器と前記基板４−１とを密着固定することにより、
半導体レーザ素子４−３と外部環境とを遮断している。
ものである。４−１は円盤状の金属基板であり、この金
属基板４−１上には銅等の良熱導体の金属ブロック４−
２が固定されており、この金属ブロックの端部に半導体
レーツ″素子４−３が固定されている。かかる金属ブロ
ック４−２及び半導体レーザ素子は底板４−５及び円筒
状の筒体４−４から成る封止容器で囲み、かつ、この封
止容器と前記基板４−１とを密着固定することにより、
半導体レーザ素子４−３と外部環境とを遮断している。
なお前記底板４−５の一部にはガラス等の透光性部材よ
り成る窓４−６を底板４−５＆Ｃ気密状態で固定して設
け、前記半導体レーデ素子４−３より出射したレーザを
容器外に導出するものである。
り成る窓４−６を底板４−５＆Ｃ気密状態で固定して設
け、前記半導体レーデ素子４−３より出射したレーザを
容器外に導出するものである。
前期筒状体４−４の外側には、該筒状体と密着固定して
、電気絶縁性のある熱良導材１０が配置されていて、前
記熱良導材１０の外側に密着固定して発熱要素１１を・
設ける。発熱要素１１は例えば正温度特性サーミスタで
出来た自己温度制御発熱素子である。１２は周囲からの
熱の流入及び周囲への熱の流出を少なくするための断熱
材であり、前記発熱要素１１及び前−り基層４−１を全
て覆う如く設けて成るものである。１３は発熱要素に−
定の電圧を印加するための電源である。正温度特性ザー
ミスタは定電力領域においては、一定の電圧Ｖｏを印加
すると周囲温度Ｔ１であるとき■１の電流が流れ、消費
電力は■Ｘ Ｉ、となる。周囲温度Ｔ。
、電気絶縁性のある熱良導材１０が配置されていて、前
記熱良導材１０の外側に密着固定して発熱要素１１を・
設ける。発熱要素１１は例えば正温度特性サーミスタで
出来た自己温度制御発熱素子である。１２は周囲からの
熱の流入及び周囲への熱の流出を少なくするための断熱
材であり、前記発熱要素１１及び前−り基層４−１を全
て覆う如く設けて成るものである。１３は発熱要素に−
定の電圧を印加するための電源である。正温度特性ザー
ミスタは定電力領域においては、一定の電圧Ｖｏを印加
すると周囲温度Ｔ１であるとき■１の電流が流れ、消費
電力は■Ｘ Ｉ、となる。周囲温度Ｔ。
と高くなると、電流ムは減少して、消費電力は先×ちと
減少し、自動的に一定温度になるような動作する。
減少し、自動的に一定温度になるような動作する。
以上の如（構成するならば周囲温度が３０℃変化した場
合でも半導体レーザ素子の周囲は５°Ｃ程度の変化にす
ることが可能となる。それによって第２図で示すような
分光感度特性を有するドラムに於いても従来はイロ間の
波長移動が生じたものがイス間の波長移動となって分光
感度の変化量がわずかとなる。
合でも半導体レーザ素子の周囲は５°Ｃ程度の変化にす
ることが可能となる。それによって第２図で示すような
分光感度特性を有するドラムに於いても従来はイロ間の
波長移動が生じたものがイス間の波長移動となって分光
感度の変化量がわずかとなる。
このよ５に本発明は半導体レーザ素子の温度変化による
波長移動を防止するために、環境温度に無関係に常に高
品質なレーザな出射するζｂ４可能とした。なお上記実
施例において断熱材１２は必ずしも必要とせず必要に応
じて省いて使用することも可能である。
波長移動を防止するために、環境温度に無関係に常に高
品質なレーザな出射するζｂ４可能とした。なお上記実
施例において断熱材１２は必ずしも必要とせず必要に応
じて省いて使用することも可能である。
第１図は従来の半導体レーザ素子の光量制御回路図、第
２図は感光体の波長依存特性図、第３図は画像記録装置
の斜視図、第４図は半導体レーザ装置の断面図である。 ここで４−１は基板、４−３は半導体レーザ素子、４−
４は筒状体、４−５は底板、４−６は窓、１１は発熱要
素である。 第１図 第２図 第３図 ２６５４図
２図は感光体の波長依存特性図、第３図は画像記録装置
の斜視図、第４図は半導体レーザ装置の断面図である。 ここで４−１は基板、４−３は半導体レーザ素子、４−
４は筒状体、４−５は底板、４−６は窓、１１は発熱要
素である。 第１図 第２図 第３図 ２６５４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザ素子を保護するケースを設けて該ケー
スの外周に発熱要素を固定し、該発熱要素により前記半
導体レーザ素子を加熱することを特徴とする半導体レー
ザ装置。 ２、特許請求の範囲第１項において前記発熱要素を自己
温度制御発熱素子で構成したことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 ３ 特許請求の範囲￥ｉＳＩ項において前記発熱要素を
断熱部材で包んだことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131187A JPS5922382A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131187A JPS5922382A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922382A true JPS5922382A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15052046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131187A Pending JPS5922382A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922382A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994010728A1 (de) * | 1992-10-24 | 1994-05-11 | Ok Kyung Cho | Modifizierte halb leiterlaserdiode mit integriertem temperaturregelungsteil |
| EP2073325A1 (de) * | 2007-12-18 | 2009-06-24 | HILTI Aktiengesellschaft | Optoelektrische Baugruppe mit frequenzverdoppeltem Festkörperlaser |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368588A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5453336A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-26 | Jiyunichi Narita | Surface heating element |
| JPS55144679A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-11 | Murata Manufacturing Co | Heating unit |
| JPS5551858B2 (ja) * | 1977-04-30 | 1980-12-26 | ||
| JPS56157134A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-04 | Hitachi Ltd | One-body type microwave transmitter and receiver |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP57131187A patent/JPS5922382A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368588A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-19 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5551858B2 (ja) * | 1977-04-30 | 1980-12-26 | ||
| JPS5453336A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-26 | Jiyunichi Narita | Surface heating element |
| JPS55144679A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-11 | Murata Manufacturing Co | Heating unit |
| JPS56157134A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-04 | Hitachi Ltd | One-body type microwave transmitter and receiver |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994010728A1 (de) * | 1992-10-24 | 1994-05-11 | Ok Kyung Cho | Modifizierte halb leiterlaserdiode mit integriertem temperaturregelungsteil |
| US5680410A (en) * | 1992-10-24 | 1997-10-21 | Kim; Yoon-Ok | Modified semiconductor laser diode having an integrated temperature control element |
| EP2073325A1 (de) * | 2007-12-18 | 2009-06-24 | HILTI Aktiengesellschaft | Optoelektrische Baugruppe mit frequenzverdoppeltem Festkörperlaser |
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