JP2675927B2 - 光半導体素子固定方法 - Google Patents
光半導体素子固定方法Info
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- JP2675927B2 JP2675927B2 JP13103491A JP13103491A JP2675927B2 JP 2675927 B2 JP2675927 B2 JP 2675927B2 JP 13103491 A JP13103491 A JP 13103491A JP 13103491 A JP13103491 A JP 13103491A JP 2675927 B2 JP2675927 B2 JP 2675927B2
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- Japan
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- cooling unit
- solder
- optical semiconductor
- semiconductor element
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Description
導体素子部を固定する方法に関するものである。
と称す)は、温度により発光波長が変化する。これは、
光ファイバに波長分散があるため長距離伝送した場合エ
ラーの原因となる。
を搭載しLD部の温度を一定にコントロールできる機能
を負荷したLDモジュールが開発されている。
はLD、2はSiCなどで作られたヒートシンク、3は
LD1、ヒートシンク2を搭載するためのヘッダ、4は
LD1からの光を光ファイバに効率よく入射させるため
のレンズでヘッダ3上に固定されている。5はLD部の
温度を検出するサーミスタ、6は2枚の絶縁板の間にペ
ルチェ素子を直列に配線して挟み込んだ構成の冷却ユニ
ットである。この冷却ユニット6はペルチェ素子に流す
電流の方向により吸熱部、発熱部が可逆的に変化し、そ
の電流の大きさにより吸熱量、発熱量が変化するもの
で、サーミスタ5で検出した温度に基づき前記電流を制
御し、LD部の温度を一定に維持する。7はパッケー
ジ、8は光ファイバ、9は光ファイバ8を固定するため
のフェルール、10はレンズ4によりしぼられた光に対
し光ファイバ8を調整した後パッケージ7と一体化させ
るためのスリーブである。
型であるため、LD1等を搭載したヘッダ3の冷却ユニ
ット6上への固定は、従来次の様な方法により行われて
いた。すなわち、LD1、ヒートシンク2、サーミスタ
3等を搭載したヘッダ3と冷却ユニット6をパッケージ
7内の所定位置に置き、このパッケージ7を図3に示す
様にホットプレート12上に置く。そして、ホットプレ
ート12を加熱することにより、パッケージ7と冷却ユ
ニット6の間、冷却ユニット6とヘッダ3の間をそれぞ
れ半田により同時にすべて固定していた。
な固定方法では、ペルチェと絶縁板の固定も半田で行っ
ているためこの半田より低融点半田を使用しなければな
らないが、一般的にはペルチェ素子と絶縁板の固定用半
田は高融点でも240℃PbSn半田であるため、パッ
ケージ側の固定は信頼性の高い183℃共晶PbSn半
田で固定できるが、ヘッダ側はホットプレートで加熱す
る場合温度差が生じるため低融点半田を使用しなければ
ならず長期信頼性に問題があった。
頼性の高い半田を使用して固定することができる光半導
体素子固定方法を提供することを目的とする。
するため、光半導体素子モジュール内に設けた冷却ユニ
ットのペルチェ素子に電流を流して該冷却ユニットの上
面を加熱し、該上面に光半導体素子部を半田固定するも
のである。
に電流を流して該冷却ユニットの上面を直接加熱し、そ
の上面に置いた光半導体素子部を半田固定する。従っ
て、前記冷却ユニットの下面をパッケージに固定する際
に用いる融点の高い半田を使用することが可能となり、
長期信頼性の向上を図ることができる。
同図において、1はLD、2はヒートシンク、3はヘッ
ダ、6は冷却ユニット、7はパッケージであり、図2に
おいて同一符号を付したものと同様のものである。
る。まず、パッケージ7を図3の場合と同様にホットプ
レート上に置き、該ホットプレートを高温に加熱するこ
とにより183℃共晶PbSn半田11−1で上記の冷
却ユニット6をパッケージ7に固定する。
特性を利用して該冷却ユニット6のヘッダ側を加熱する
ことにより183℃共晶PbSn半田11−2でベット
3を冷却ユニット6に固定する。
に、絶縁板6−1と6−2との間に複数のペルチェ素子
6−3を直列に配線し挟み込んだものであり、ペルチェ
素子6−3に図4(a)に示す方向に電流を流すと絶縁
板6−1が吸熱部に、絶縁板6−2が発熱部になり、逆
にペルチェ素子6−3に図4(b)に示す方向に電流を
通すと絶縁板6−1が発熱部に、絶縁板6−2が吸熱部
になる。そこで、本実施例では、ヘッダ3を冷却ユニッ
ト6に固定する際、ペルチェ素子6−3に図4(b)に
示す方向に電流を流して冷却ユニット6の絶縁板6−1
を加熱し、183℃共晶PbSn半田11−2によりヘ
ッダ3を絶縁板6−1に固定するものである。 ここ
で、上記の冷却ユニット6は、ペルチェ素子に流す電流
やペルチェ素子の数にもよるが絶縁板6−1の温度を数
百度まで加熱可能であるため十分183℃共晶PbSn
半田での半田付が可能である。
れば、冷却ユニットのペルチェ素子の特性を利用して該
冷却ユニット上面の半田付を行うため下面と同様の半田
を使用することができ、ペルチェ素子の固定に使用する
半田が240℃PbSnであれば183℃共晶PbSn
半田が使用できるため長期信頼性が向上するという効果
が得られる。
Claims (1)
- 【請求項1】 光半導体素子モジュール内に設けた冷却
ユニットのペルチェ素子に電流を流して該冷却ユニット
の上面を加熱し、該上面に光半導体素子部を半田固定す
ることを特徴とする光半導体素子固定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13103491A JP2675927B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 光半導体素子固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13103491A JP2675927B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 光半導体素子固定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04356989A JPH04356989A (ja) | 1992-12-10 |
JP2675927B2 true JP2675927B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=15048477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13103491A Expired - Lifetime JP2675927B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 光半導体素子固定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2675927B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3116777B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2000-12-11 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジュール |
JP4833440B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2011-12-07 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザーモジュールの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP13103491A patent/JP2675927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04356989A (ja) | 1992-12-10 |
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