JPS592043A - フオトレジストの現像方法 - Google Patents
フオトレジストの現像方法Info
- Publication number
- JPS592043A JPS592043A JP11062082A JP11062082A JPS592043A JP S592043 A JPS592043 A JP S592043A JP 11062082 A JP11062082 A JP 11062082A JP 11062082 A JP11062082 A JP 11062082A JP S592043 A JPS592043 A JP S592043A
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- Japan
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- photoresist
- butyl acetate
- heptane
- developing
- developer
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は、半導体装置製造における微細加工用フォトレ
ジスト、より詳しく述べるならば、ネガ形環化ゴム系フ
ナトレジストの現像方法に関するものである。
ジスト、より詳しく述べるならば、ネガ形環化ゴム系フ
ナトレジストの現像方法に関するものである。
（２）技術の背景
ＩＣ，Ｉ、８Ｉの高積化に伴い微細加工の加工精度の向
上およびより一層の微細化が求められている。フォトレ
ジストを利用して被加工層を微細加工する場合にも、フ
ォトレジストの高品質、マスク合せ精度の向上、露光、
現像、リンス、エツチングなどの工程における改良が試
みられている。
上およびより一層の微細化が求められている。フォトレ
ジストを利用して被加工層を微細加工する場合にも、フ
ォトレジストの高品質、マスク合せ精度の向上、露光、
現像、リンス、エツチングなどの工程における改良が試
みられている。
フォトレジストにはポジ形とネガ形とがあり用途に応じ
て使い分けられており、本発明はネガ形フォトレジスト
に関するものであって、ネガ形フォトレジストはポジ形
フォトレジストと比べて解像度は劣るがピンホールが少
ない、エツチング寸法精度が高い、耐薬品性および密着
性が良く、感度が高く安定しているなどの特徴がある。
て使い分けられており、本発明はネガ形フォトレジスト
に関するものであって、ネガ形フォトレジストはポジ形
フォトレジストと比べて解像度は劣るがピンホールが少
ない、エツチング寸法精度が高い、耐薬品性および密着
性が良く、感度が高く安定しているなどの特徴がある。
このネガ形フォトレジストにはポリケイ皮酸系のものと
環化ゴム系のものとがあり、本発明は環化ゴム系に関す
る。
環化ゴム系のものとがあり、本発明は環化ゴム系に関す
る。
（３）従来技術と問題点
微細パターンをフォトエツチング法で形成する工程は通
常次のような工程二基板の被加工層の上に７オトレジス
トを塗布する工程、フォトレジスト層のブリベーク工程
、所定パターンの露光工程、現像工程、リンス工程、ポ
ストベーク工程、被加ニー惜のエツチング工程、および
フォトレジスト層除去工程からなる。環化ゴム系フォト
レジストの場合に現像液としてキシレンや脂肪族炭化水
素又はこれらの組合せが用いられており、またリンス液
として酢酸ｎ−ブチルが広く用いられている。
常次のような工程二基板の被加工層の上に７オトレジス
トを塗布する工程、フォトレジスト層のブリベーク工程
、所定パターンの露光工程、現像工程、リンス工程、ポ
ストベーク工程、被加ニー惜のエツチング工程、および
フォトレジスト層除去工程からなる。環化ゴム系フォト
レジストの場合に現像液としてキシレンや脂肪族炭化水
素又はこれらの組合せが用いられており、またリンス液
として酢酸ｎ−ブチルが広く用いられている。
現像工程において現像中のフォトレジストが膨潤し、リ
ンス液によってとの膨潤を抑えているわけである。微細
加工のために現像後の隣シ合うフォトレジストラインの
間の距離（すなわち、レジストパターン間隙Ｗ）を小さ
くするわけであるが、露光時のマスクパターン幅Ａおよ
びマスクパターン間隙Ｗによっては現像後に残存するフ
ォトレジストラインがとなりの７オトレジストラインと
膨潤によってくっつき、リンス工程で糸を引くようにな
ったりして、クラック、ヒゲ、ブリッジなどの生じた不
良レジストパターンになる間頑がある。
ンス液によってとの膨潤を抑えているわけである。微細
加工のために現像後の隣シ合うフォトレジストラインの
間の距離（すなわち、レジストパターン間隙Ｗ）を小さ
くするわけであるが、露光時のマスクパターン幅Ａおよ
びマスクパターン間隙Ｗによっては現像後に残存するフ
ォトレジストラインがとなりの７オトレジストラインと
膨潤によってくっつき、リンス工程で糸を引くようにな
ったりして、クラック、ヒゲ、ブリッジなどの生じた不
良レジストパターンになる間頑がある。
また、フォトレジスト層の厚さを薄くすることでレジス
トパターン間隙を小さくすることも考えられるが、薄い
とピンホールの発生が多くなりフォトレジスト層として
は使用できなくなるので、フォトレジスト層の厚さは通
常０．６μｍないし１．５μｍである。
トパターン間隙を小さくすることも考えられるが、薄い
とピンホールの発生が多くなりフォトレジスト層として
は使用できなくなるので、フォトレジスト層の厚さは通
常０．６μｍないし１．５μｍである。
市販のネガ形環化ゴム系フォトレジストを使用して、従
来工程に従って現像液（ｎ−へブタン）にて現像し、次
にリンス液（酢酸ブチル）にてリンスした場合には、高
集積度のＬＳＩなどの製造における最小１１４幅２〜３
μｍｌｒ：４成するに不十分である。
来工程に従って現像液（ｎ−へブタン）にて現像し、次
にリンス液（酢酸ブチル）にてリンスした場合には、高
集積度のＬＳＩなどの製造における最小１１４幅２〜３
μｍｌｒ：４成するに不十分である。
（４）発明の目的
本発明の目的は、微細パターン形成のためにネガ形項化
ゴム系フォトレジストの解像性を高めることである。
ゴム系フォトレジストの解像性を高めることである。
本発明の別の目的は、現像工程とリンス工程とを同時に
行なうこξのできる現像方法を提案することである。
行なうこξのできる現像方法を提案することである。
（５）発明の構成
上述の目的が、環化ゴム系フォトレジストの現像におい
て、ｎ−へブタンと酢酸ｎ−ブチルとが容積比で９：１
ないし２：３である現像液によって現像してリンス工程
の必要のないことを特徴とするフォトレジストの現像方
法によって達成される。
て、ｎ−へブタンと酢酸ｎ−ブチルとが容積比で９：１
ないし２：３である現像液によって現像してリンス工程
の必要のないことを特徴とするフォトレジストの現像方
法によって達成される。
上述の現像液の混合割合で酢酸ｎ−ブチルの号が上述の
範囲より少ないと、環化ゴム系フォトレジストの膨潤を
それ磯ど抑えることができず解像性が低く、一方この範
囲より多いと、現像ができない。また、上述のｎ−へブ
タンはその２０ ｖｏ１％までをキシレンで置換するこ
とができる。キシレンはｎ−へブタンよりも現像能力が
あるが膨潤縫も大きいために、２０ｖｏ１％以下であれ
ば問題はない。
範囲より少ないと、環化ゴム系フォトレジストの膨潤を
それ磯ど抑えることができず解像性が低く、一方この範
囲より多いと、現像ができない。また、上述のｎ−へブ
タンはその２０ ｖｏ１％までをキシレンで置換するこ
とができる。キシレンはｎ−へブタンよりも現像能力が
あるが膨潤縫も大きいために、２０ｖｏ１％以下であれ
ば問題はない。
１（３） 発明の実施態様
本発明の実施態様を含んでいる下記実験によって本発明
をより詳しく説明する。
をより詳しく説明する。
実験１
熱酸化膜を有するシリコンウェハ上にネガ形環化ゴム系
フォトレジス）（ＯＭＲ，−８３：東京応化社製）をス
ピンコード法で塗布し、次に、９５℃の温度にて３０分
間プリベークして厚さ１．２μｍのフォトレジスト層を
形成した。
フォトレジス）（ＯＭＲ，−８３：東京応化社製）をス
ピンコード法で塗布し、次に、９５℃の温度にて３０分
間プリベークして厚さ１．２μｍのフォトレジスト層を
形成した。
このプリベークしたフォトレジスト層を透光ストライプ
パターン（マスクパターン幅Ａ ： ６ｐ ｍ＋マスク
パターン間隙Ｗ：６μｍ）を有するマスクを用いて遠紫
外線の密着露光（３秒ｒ￥）を行なった。ｎ−へブタン
（Ｃ７Ｈ１６）と酢酸ｎ−ブチルとの混合液を現像液と
してフォトレジスト層を現像し、ネガ形シすトレジスト
なので露光部分を残して非露光部分を除去した。現隊液
の混合割合を変えて現像を行い、得られたレジストライ
ンパターンの幅Ｘを測定した。この結果を第１図に示し
、この図から次のようなことがわかる。現像液がｎ−へ
ブタンのみであると膨潤のために約８μｍ幅のレジスト
ラインパターンと々ってしまう。現像液中の酢酸ｎ−ブ
チルの割合が増すにつれて膨潤が抑えられる。酢酸ｎ−
ブチルが６５ ｖｏ１％以上になると、現像残が生じて
全く解像できない（現像不可能域）。また、酢酸ｎ−ブ
チルが５５ないし６５ ｖｏ１％であると、現像方式（
例えば、スプレ一方式、浸漬方式など）によっては現像
残が生じてしまうことがある（現像不安定域）。
パターン（マスクパターン幅Ａ ： ６ｐ ｍ＋マスク
パターン間隙Ｗ：６μｍ）を有するマスクを用いて遠紫
外線の密着露光（３秒ｒ￥）を行なった。ｎ−へブタン
（Ｃ７Ｈ１６）と酢酸ｎ−ブチルとの混合液を現像液と
してフォトレジスト層を現像し、ネガ形シすトレジスト
なので露光部分を残して非露光部分を除去した。現隊液
の混合割合を変えて現像を行い、得られたレジストライ
ンパターンの幅Ｘを測定した。この結果を第１図に示し
、この図から次のようなことがわかる。現像液がｎ−へ
ブタンのみであると膨潤のために約８μｍ幅のレジスト
ラインパターンと々ってしまう。現像液中の酢酸ｎ−ブ
チルの割合が増すにつれて膨潤が抑えられる。酢酸ｎ−
ブチルが６５ ｖｏ１％以上になると、現像残が生じて
全く解像できない（現像不可能域）。また、酢酸ｎ−ブ
チルが５５ないし６５ ｖｏ１％であると、現像方式（
例えば、スプレ一方式、浸漬方式など）によっては現像
残が生じてしまうことがある（現像不安定域）。
実験２
実験１と同じように塗布し、プリベークして厚さ１．２
／１ ？Ｆｌのフォトレジスト層（ＯＭＲ−ｓ ３）
層を形成した。マスクパターン幅Ａが２０ ｐ Ｔｈで
Ｔ 、Ｘ、 クパターン間ＩＩＷを１．０ 、１．５
、２．０〜７．０μｍ（α５μｍずつ増す）としたスト
ライプパターンを有するフォトマスクを用意した。この
マスクを用いて遠紫外線の密着犀光（６秒間）を行なっ
た。現像液であるｎ−へブタンと酢酸ｎ−ブチルとの混
合液でもってその割合を変えてフォトレジスト層を現像
して、それぞれの現像液での解像できている最小のマス
クパターン間隙Ｗを求めた。
／１ ？Ｆｌのフォトレジスト層（ＯＭＲ−ｓ ３）
層を形成した。マスクパターン幅Ａが２０ ｐ Ｔｈで
Ｔ 、Ｘ、 クパターン間ＩＩＷを１．０ 、１．５
、２．０〜７．０μｍ（α５μｍずつ増す）としたスト
ライプパターンを有するフォトマスクを用意した。この
マスクを用いて遠紫外線の密着犀光（６秒間）を行なっ
た。現像液であるｎ−へブタンと酢酸ｎ−ブチルとの混
合液でもってその割合を変えてフォトレジスト層を現像
して、それぞれの現像液での解像できている最小のマス
クパターン間隙Ｗを求めた。
得られた結果を第２図に示す。
実験３
マスクパターン幅Ａ’Ｑ５μｍとしかつマスクパターン
間隙Ｗを１．０ 、１．５ 、２．（ＩＩ〜７．０μｍ
（０，５μｍずつ増す）としたストライプパターンのフ
ォトマスクを使用したことを除いては実験２と同じこと
を行なって、解像できる最小マスクパターン間隙Ｗを求
めた。得られた結果を第５図に示す。
間隙Ｗを１．０ 、１．５ 、２．（ＩＩ〜７．０μｍ
（０，５μｍずつ増す）としたストライプパターンのフ
ォトマスクを使用したことを除いては実験２と同じこと
を行なって、解像できる最小マスクパターン間隙Ｗを求
めた。得られた結果を第５図に示す。
実験４
現像液中のｎ−ヘプタンの一部をキシレンでもって置換
した場合のフォトレジストの膨潤変化をｉｌべるために
、実＠１のようにフォトレジスト層の形成および紫外線
密着露光を行なってから、キシレンを含有した現像液で
現像した。現像液中の酢酸ｎ−ブチルの割合を一定にと
の場合に、６０ｖｏｌｖｏＫしておいて、ｎ−ヘプタン
とキシレンとの混合割合を変える。例えば、（ｎ−ヘプ
タン８０％＋キシレン２０％）対ｉ）Ｆ酸ｎ−ブチルの
割合を２：５とするわけである。これは現像液か全体を
１００％とすると３２％ｎ−へブタン、８％キシレンお
よび６０％酢酸ｎ−ブチルからなる。
した場合のフォトレジストの膨潤変化をｉｌべるために
、実＠１のようにフォトレジスト層の形成および紫外線
密着露光を行なってから、キシレンを含有した現像液で
現像した。現像液中の酢酸ｎ−ブチルの割合を一定にと
の場合に、６０ｖｏｌｖｏＫしておいて、ｎ−ヘプタン
とキシレンとの混合割合を変える。例えば、（ｎ−ヘプ
タン８０％＋キシレン２０％）対ｉ）Ｆ酸ｎ−ブチルの
割合を２：５とするわけである。これは現像液か全体を
１００％とすると３２％ｎ−へブタン、８％キシレンお
よび６０％酢酸ｎ−ブチルからなる。
現１象後のレジストパターン・ｌ暢Ｘを測定した結果を
Ｐｇ４図に示す。
Ｐｇ４図に示す。
第２図および第３図かられかるようにｎ−へブタンと酢
酸ｎ−ブチルとの割合が２対３に近いほどフォトレジス
トの膨潤が小さく現像でき、解像性が良くなって最小線
幅２〜５μｍの微細加工が可能である。また、＠４図か
られかるようにキシレンのｎ−へブタンに対する割合が
２０％以下であればフォトレジストの膨潤がより大きく
なると）：姐ない。
酸ｎ−ブチルとの割合が２対３に近いほどフォトレジス
トの膨潤が小さく現像でき、解像性が良くなって最小線
幅２〜５μｍの微細加工が可能である。また、＠４図か
られかるようにキシレンのｎ−へブタンに対する割合が
２０％以下であればフォトレジストの膨潤がより大きく
なると）：姐ない。
第１図ハ、マスクパターン幅６ ｐ ｍフォトマスクを
使用した場合での現像後のレジストパターン幅と現像液
組成との関係を表わす図であり、第２図は、マスクパタ
ーン１；）１＾２ ｎ ＩＩ ｍのフォトマスクを使用
した場合での最小マスクパターン間隙と現像液組成との
関係を表わす図であり、第３図は、マスクパターン幅５
、ａｌｎのフォトマスクを使用した場合での最小マス
クパターン間隙と現像液組成との関係を表わす図であり
、第４図１ｒ、ｌ：、マスクパターン幅６μｍのフォト
マスクを使用した場合での現像後のフォトレジストパタ
ーン幅とキシレン含有現像液との関係を表わす図である
。 第１ 図 （ｎ−−＼ブタン） 酢酸ｒ１−ブチルの容積割合
（酢酸＋１−ブチル）第２図 （ｎ−−ブタン） 酢酸ｎ−ブチルの容積割合 （
酢酸１ドブチル）第３図 （ｎ−へブタン） 酢酸ｎ−ブチルの容積割合 （酢酸
１ドブチノ第４図 し）
使用した場合での現像後のレジストパターン幅と現像液
組成との関係を表わす図であり、第２図は、マスクパタ
ーン１；）１＾２ ｎ ＩＩ ｍのフォトマスクを使用
した場合での最小マスクパターン間隙と現像液組成との
関係を表わす図であり、第３図は、マスクパターン幅５
、ａｌｎのフォトマスクを使用した場合での最小マス
クパターン間隙と現像液組成との関係を表わす図であり
、第４図１ｒ、ｌ：、マスクパターン幅６μｍのフォト
マスクを使用した場合での現像後のフォトレジストパタ
ーン幅とキシレン含有現像液との関係を表わす図である
。 第１ 図 （ｎ−−＼ブタン） 酢酸ｒ１−ブチルの容積割合
（酢酸＋１−ブチル）第２図 （ｎ−−ブタン） 酢酸ｎ−ブチルの容積割合 （
酢酸１ドブチル）第３図 （ｎ−へブタン） 酢酸ｎ−ブチルの容積割合 （酢酸
１ドブチノ第４図 し）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ ｙｌｊヒゴム系フナトレジストの現像において、
ｎ−へブタンと酢酸ｎ−ブチルとが容積比で９＝１ない
し２：３である現像液によって現像することを特徴とす
るフォトレジストの現像方法。 ２、 前記ｎ−へブタンがその２０容積％以下をキシレ
ンで置換されていることを特徴とする特許請求の範囲＠
１項記載の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062082A JPS592043A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | フオトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062082A JPS592043A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | フオトレジストの現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592043A true JPS592043A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0319540B2 JPH0319540B2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=14540407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11062082A Granted JPS592043A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | フオトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592043A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988829A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フオトレジストの除去方法 |
| JPS6116302A (ja) * | 1984-05-25 | 1986-01-24 | ロ−ベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 自動車の機能制御装置 |
| EP0365987A2 (de) * | 1988-10-26 | 1990-05-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Entwicklungslösemittel für durch Photopolymerisation vernetzbare Schichten sowie Verfahren zur Herstellung von Reliefformen |
| US6551749B1 (en) | 1999-04-09 | 2003-04-22 | Fujitsu Limited | Developer and method for forming resist pattern and photomask produced by use thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5276924A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Developer |
| JPS55155353A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Developer composition |
| JPS5683740A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Developer for polymer photoresist |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11062082A patent/JPS592043A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5276924A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Developer |
| JPS55155353A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Developer composition |
| JPS5683740A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Developer for polymer photoresist |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988829A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フオトレジストの除去方法 |
| JPH0113217B2 (ja) * | 1982-11-12 | 1989-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6116302A (ja) * | 1984-05-25 | 1986-01-24 | ロ−ベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 自動車の機能制御装置 |
| EP0365987A2 (de) * | 1988-10-26 | 1990-05-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Entwicklungslösemittel für durch Photopolymerisation vernetzbare Schichten sowie Verfahren zur Herstellung von Reliefformen |
| US6551749B1 (en) | 1999-04-09 | 2003-04-22 | Fujitsu Limited | Developer and method for forming resist pattern and photomask produced by use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319540B2 (ja) | 1991-03-15 |
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