JPS58174941A - 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物 - Google Patents
新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物Info
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- JPS58174941A JPS58174941A JP5871882A JP5871882A JPS58174941A JP S58174941 A JPS58174941 A JP S58174941A JP 5871882 A JP5871882 A JP 5871882A JP 5871882 A JP5871882 A JP 5871882A JP S58174941 A JPS58174941 A JP S58174941A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- absorbing agent
- light
- photoresist composition
- light absorbing
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ホトレジストに添加する吸光剤及びそれを含
有して成るホトレジスト組成物に関し、さらに詳しくは
、ホトレジストの溶液やその乾燥皮膜に溶解ないし相溶
し、プレベーキングにおいて揮散もしくは変化しない安
定な吸光剤及びそれを含有せしめたホトレジスト組成物
に関する。
有して成るホトレジスト組成物に関し、さらに詳しくは
、ホトレジストの溶液やその乾燥皮膜に溶解ないし相溶
し、プレベーキングにおいて揮散もしくは変化しない安
定な吸光剤及びそれを含有せしめたホトレジスト組成物
に関する。
トランジスタ、IC,LSIなどの半導体素子は、従来
ホトエツチング法による微細加工技術によって製造され
ている。このホトエツチング法は、シリコンウェハー上
にホトレジスト層を形成し、その上に所定の形状のパタ
ーンを持つマスクを重ねて露光し、現像して画像を形成
したのち、エツチングにより、目的のパターンを形成し
、これを用いて選択拡散を行う方法である。そして、通
常このような工程を数回繰り返して選択拡散を行ったの
ち、アルミニウム電極、配線処理を施して半導体の電子
部品が作製される。
ホトエツチング法による微細加工技術によって製造され
ている。このホトエツチング法は、シリコンウェハー上
にホトレジスト層を形成し、その上に所定の形状のパタ
ーンを持つマスクを重ねて露光し、現像して画像を形成
したのち、エツチングにより、目的のパターンを形成し
、これを用いて選択拡散を行う方法である。そして、通
常このような工程を数回繰り返して選択拡散を行ったの
ち、アルミニウム電極、配線処理を施して半導体の電子
部品が作製される。
このような半導体素子の製造においては、選択拡散を数
回行えば、通常1μm以上の段差を生じ、これにパツシ
ベーンヨンを施せば段差はさらに大きくなる。このよう
な表面に、アルミニウム配線を施す場合、/リコンウエ
ハーの表面にアルミニウムを蒸着し、これ全ホトエツチ
ング法によりエツチングする必要があるが、アルミニウ
ムを表面に蒸着した基板上にホトレジスト層を形成し、
露光を行なった場合には一般にアルミニウム表面による
ハレーションが大きく、ネガ型ホトレジストを用いると
、表面の平担な部分ばかりでなく、前記の段差部分にお
いて、基板面に垂直に入射してきだ光線がその段部の傾
斜面で乱反射を起し、そのため数μmの細い線幅のパタ
ーンを正確に再現することが困難になるという欠点があ
った。
回行えば、通常1μm以上の段差を生じ、これにパツシ
ベーンヨンを施せば段差はさらに大きくなる。このよう
な表面に、アルミニウム配線を施す場合、/リコンウエ
ハーの表面にアルミニウムを蒸着し、これ全ホトエツチ
ング法によりエツチングする必要があるが、アルミニウ
ムを表面に蒸着した基板上にホトレジスト層を形成し、
露光を行なった場合には一般にアルミニウム表面による
ハレーションが大きく、ネガ型ホトレジストを用いると
、表面の平担な部分ばかりでなく、前記の段差部分にお
いて、基板面に垂直に入射してきだ光線がその段部の傾
斜面で乱反射を起し、そのため数μmの細い線幅のパタ
ーンを正確に再現することが困難になるという欠点があ
った。
この・・レーションを防止し、微細な画像を正確に再現
する目的で、従来ホトレジストの研究が種々行われ、こ
れに、吸光性材料を添加する技術が開発されている(特
公昭5 L −37562号公報)。
する目的で、従来ホトレジストの研究が種々行われ、こ
れに、吸光性材料を添加する技術が開発されている(特
公昭5 L −37562号公報)。
しかし、溶剤型のレジストの場合、塗布したホトレジス
トの、ブレベーキングを行い残留溶剤を完全に放散させ
ると同時に基板との接着性を向上させる必要がある。若
しホトレジスト膜中に溶剤が残存すると、ホトレジスト
の基板への強い接着力が得られず、光硬化表面が現像後
しわになりやすいし、感度が低下するなどの不都合があ
る。従って、ホトレジストの溶液に溶解し、充分乾燥し
た後のホトレジスト被膜に相溶してプレベーキング加熱
条件下でも被膜中に安定に保有され、溶剤を完全に除去
したときにも、露光時の・・レーション除去効果をもた
らす吸光剤の開発が強く望まれていた。
トの、ブレベーキングを行い残留溶剤を完全に放散させ
ると同時に基板との接着性を向上させる必要がある。若
しホトレジスト膜中に溶剤が残存すると、ホトレジスト
の基板への強い接着力が得られず、光硬化表面が現像後
しわになりやすいし、感度が低下するなどの不都合があ
る。従って、ホトレジストの溶液に溶解し、充分乾燥し
た後のホトレジスト被膜に相溶してプレベーキング加熱
条件下でも被膜中に安定に保有され、溶剤を完全に除去
したときにも、露光時の・・レーション除去効果をもた
らす吸光剤の開発が強く望まれていた。
従来、ホトレジスト用吸光剤としては、有機染料の一種
であるオイルイエロー(商品名)やl−アルコキシ−4
−(4’−N、N−ジアルキルアミノフェニルアゾ)ベ
ンゼン誘導体などが採用されてきた(特開昭55−36
838号公報)。しかし、オイルイエローは、通常80
〜100℃の温度で行なわれるプレベーキにおいて容易
に昇華してホトレジスト膜から揮散し、露光時のハレー
ション防止効果が著しくそこなわれる欠点があり、また
プレベーキングの処理条件に犬きく影響されてバラツキ
が生ずるという欠点があった。−万後者は、ブレベーキ
ング時の昇華揮散性に問題はないが、例、tffゴム系
ホトレジストに3重量係程度添加し、プレベーキング後
1日以上経過すると、ホトレジスト膜中に吸光剤の結晶
が析出し良好で安定な皮膜が形成されず、均一で解像力
の良いパターンが形成されないという欠点があった。
であるオイルイエロー(商品名)やl−アルコキシ−4
−(4’−N、N−ジアルキルアミノフェニルアゾ)ベ
ンゼン誘導体などが採用されてきた(特開昭55−36
838号公報)。しかし、オイルイエローは、通常80
〜100℃の温度で行なわれるプレベーキにおいて容易
に昇華してホトレジスト膜から揮散し、露光時のハレー
ション防止効果が著しくそこなわれる欠点があり、また
プレベーキングの処理条件に犬きく影響されてバラツキ
が生ずるという欠点があった。−万後者は、ブレベーキ
ング時の昇華揮散性に問題はないが、例、tffゴム系
ホトレジストに3重量係程度添加し、プレベーキング後
1日以上経過すると、ホトレジスト膜中に吸光剤の結晶
が析出し良好で安定な皮膜が形成されず、均一で解像力
の良いパターンが形成されないという欠点があった。
本発明者らは、上記した従来技術の欠点を克服すべく鋭
意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すな
わち、本発明の目的は、高温下でのブレベーキングによ
っても昇華もしくは変化せず、かつ溶剤を全く含まない
ホトレジストの皮膜中においても、長時間完全に溶解な
いし相溶し、その性能を維持する新規な吸光剤およびそ
れを含有する微細加工用のホトレジスト組成物を提供す
ることにある。
意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すな
わち、本発明の目的は、高温下でのブレベーキングによ
っても昇華もしくは変化せず、かつ溶剤を全く含まない
ホトレジストの皮膜中においても、長時間完全に溶解な
いし相溶し、その性能を維持する新規な吸光剤およびそ
れを含有する微細加工用のホトレジスト組成物を提供す
ることにある。
すなわち、本発明は、下記一般式
(式中のR1はハロゲン原子又はニトロ基、R2は水素
原子、ハロゲン原子又はニトロ基、R3は水素原子、・
・ロゲン原子又は低級アルキル基、R4及びR5は少な
くとも2個の炭素原子をもつ低級アルキル基である) で表わされる化合物を有効成分とする新規な吸光剤及び
該吸光剤を含有して成るホトレジスト組成物を提供する
ものである。
原子、ハロゲン原子又はニトロ基、R3は水素原子、・
・ロゲン原子又は低級アルキル基、R4及びR5は少な
くとも2個の炭素原子をもつ低級アルキル基である) で表わされる化合物を有効成分とする新規な吸光剤及び
該吸光剤を含有して成るホトレジスト組成物を提供する
ものである。
前記の一般式R1、R2及びR5の中のノ・ロゲン原子
は、塩素原子又は臭素原子が好適であり、それらはそれ
ぞれ同じでもあるいは異っていてもよい。また、R3の
中の低級アルキル基の例としては、メチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基などがあげられる。他方、窒素
原子に結合しているR4とR5は、それぞれ同じでも、
また異ったものでもよいが、いずれも少くとも2個の炭
素原子をもつ低級アルキル基であることが必要である。
は、塩素原子又は臭素原子が好適であり、それらはそれ
ぞれ同じでもあるいは異っていてもよい。また、R3の
中の低級アルキル基の例としては、メチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基などがあげられる。他方、窒素
原子に結合しているR4とR5は、それぞれ同じでも、
また異ったものでもよいが、いずれも少くとも2個の炭
素原子をもつ低級アルキル基であることが必要である。
このようなものの例としては、エチル基、プロピル基、
ブチル基などをあげることができる。このような本発明
に係る吸光剤としては、例えば下記の化合物類を具体的
にあげることができる。
ブチル基などをあげることができる。このような本発明
に係る吸光剤としては、例えば下記の化合物類を具体的
にあげることができる。
(イ) 4−クロロ−4′−ジエチルアミノアゾベンゼ
(口12,4.6−)ジクロロ−4′−ジエチルアミン
アゾベンゼン C/− t ()→ 4−ニトロ−4′−ジエチルアミノアゾペンゼ
に) 2−二トロー4−クロロ−4’−ジエチルアミン
アゾベンゼン (ホ) 4−プロモー4′−ジエチルアミノアゾベンゼ
ン 前記一般式で表わされる本発明の吸光剤は、プレベーキ
ングにおける高温下で昇華性を示さず、ホトレジストと
の相溶性に優れ、プレベーキング後のホトレジスト皮膜
中に高い残存率で安定に存在するので、露光の際の・・
レーション防止効果が極めて高く、従来知られた吸光剤
に比べて顕著に優れた吸光剤である。また、本発明の吸
光剤は、従来知られた各種のホトレジスト基材に配合使
用することができる。
(口12,4.6−)ジクロロ−4′−ジエチルアミン
アゾベンゼン C/− t ()→ 4−ニトロ−4′−ジエチルアミノアゾペンゼ
に) 2−二トロー4−クロロ−4’−ジエチルアミン
アゾベンゼン (ホ) 4−プロモー4′−ジエチルアミノアゾベンゼ
ン 前記一般式で表わされる本発明の吸光剤は、プレベーキ
ングにおける高温下で昇華性を示さず、ホトレジストと
の相溶性に優れ、プレベーキング後のホトレジスト皮膜
中に高い残存率で安定に存在するので、露光の際の・・
レーション防止効果が極めて高く、従来知られた吸光剤
に比べて顕著に優れた吸光剤である。また、本発明の吸
光剤は、従来知られた各種のホトレジスト基材に配合使
用することができる。
本発明のホトレジスト組成物の基剤となるホトレジスト
としては、例えば環化ゴムとビスアジド化合物を主成分
とするゴム系ホトレジスト、フェノール及び/又はクレ
ゾールノボラック樹脂と少くとも1個のO−キノンアジ
ド化合物を含むポジ型ホトレジスト、あるいはポリメチ
ルメタクリレート(PMMA)、ポリメチルイソプロペ
ニルケトン(PMIPK) 又はポリグリシジルメタ
クリレート(PGMA )等の高分子物を主成分とする
ディープ薄レジストなどをあげることができる。
としては、例えば環化ゴムとビスアジド化合物を主成分
とするゴム系ホトレジスト、フェノール及び/又はクレ
ゾールノボラック樹脂と少くとも1個のO−キノンアジ
ド化合物を含むポジ型ホトレジスト、あるいはポリメチ
ルメタクリレート(PMMA)、ポリメチルイソプロペ
ニルケトン(PMIPK) 又はポリグリシジルメタ
クリレート(PGMA )等の高分子物を主成分とする
ディープ薄レジストなどをあげることができる。
前記ゴム系ホトレジストの例としては、OMR−83〔
商品名、東京応化工業(株)社製〕、WayCOat
[商品名、)・ントケミカル社製)、KMR(商品名、
コダック社製〕などがある。ポジ型ホトレジストの例と
しては、0FPR−2,0FPR−77,0FPR−s
oo C商品名、東京応化工業(株)社製〕、AZ
−1350、AZ−1400(商品名、シラプレー社製
〕などがある。またディープUVシンストの例としては
0DUR−100,0DUR−1000,0DUR−1
013C商品名、東京応化工業(株)社製〕などを挙げ
ることができる。
商品名、東京応化工業(株)社製〕、WayCOat
[商品名、)・ントケミカル社製)、KMR(商品名、
コダック社製〕などがある。ポジ型ホトレジストの例と
しては、0FPR−2,0FPR−77,0FPR−s
oo C商品名、東京応化工業(株)社製〕、AZ
−1350、AZ−1400(商品名、シラプレー社製
〕などがある。またディープUVシンストの例としては
0DUR−100,0DUR−1000,0DUR−1
013C商品名、東京応化工業(株)社製〕などを挙げ
ることができる。
前記一般式で表わされる本発明の吸光剤はホトレジスト
に、その中に含まれる樹脂成分に基いて0.1〜20重
量係の範囲、特に0.5〜15重量係重量間で添加する
のが好ましい。添加量がこれより少ないとノ・レーショ
ン防止効果が発揮されないし、またこれよりも多くなる
と、ホトレジスト膜中に吸光剤の結晶が析出し、不均一
相を形成する傾向があるので好ましくない。
に、その中に含まれる樹脂成分に基いて0.1〜20重
量係の範囲、特に0.5〜15重量係重量間で添加する
のが好ましい。添加量がこれより少ないとノ・レーショ
ン防止効果が発揮されないし、またこれよりも多くなる
と、ホトレジスト膜中に吸光剤の結晶が析出し、不均一
相を形成する傾向があるので好ましくない。
本発明の吸光剤は、キシレン、エチルセロソルブ、ンク
ロヘキサノン等の多くの有機溶剤に容易に溶Mし、また
ゴム系ホトレジスト、ポジ型ホトレジストおよびディー
プUVレジストなどの被膜に対する相溶性が良好で、高
温下においても昇華性を示さないので、これをホトレジ
ストに添加した場合、優れた・・レーション防止効果に
よって、再現性のよい微細パターンを得ることができる
のはもちろん、ホトレジストを、80〜100℃の温度
で、吸光剤本来の性能をそこなうことなくプレベーキン
グして、溶剤を完全に放散させることができる。したが
って、ホトレジストの基板に対する接着性を十分高める
ことができ、溶剤の残留による表面にしわなどの出ない
レジストを形成できる。また、プレベーキング後長時間
放置、保存しても、ホトレジスト皮膜中に結晶が析出し
不均一相を形成することがないので、皮膜として保存す
ることも可能であるためホトエツチング作業の操作の許
容幅が広くなり、取扱い処理が容易になる。
ロヘキサノン等の多くの有機溶剤に容易に溶Mし、また
ゴム系ホトレジスト、ポジ型ホトレジストおよびディー
プUVレジストなどの被膜に対する相溶性が良好で、高
温下においても昇華性を示さないので、これをホトレジ
ストに添加した場合、優れた・・レーション防止効果に
よって、再現性のよい微細パターンを得ることができる
のはもちろん、ホトレジストを、80〜100℃の温度
で、吸光剤本来の性能をそこなうことなくプレベーキン
グして、溶剤を完全に放散させることができる。したが
って、ホトレジストの基板に対する接着性を十分高める
ことができ、溶剤の残留による表面にしわなどの出ない
レジストを形成できる。また、プレベーキング後長時間
放置、保存しても、ホトレジスト皮膜中に結晶が析出し
不均一相を形成することがないので、皮膜として保存す
ることも可能であるためホトエツチング作業の操作の許
容幅が広くなり、取扱い処理が容易になる。
さらに、品質の安定したものを多量生産できまた吸光剤
添加による感度低下がないので投影方式のマスクアライ
ナ−も使用でき超微細の加工分野にも利用可能となる。
添加による感度低下がないので投影方式のマスクアライ
ナ−も使用でき超微細の加工分野にも利用可能となる。
次に、本発明を実施例を挙げてさらに詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例によって、何らの制限をも受
けるものではない。
、本発明はこれらの実施例によって、何らの制限をも受
けるものではない。
実施例1
ゴム系ホトレジス)OMR−83(商品名、東京応化工
業(株)社製、環化ゴム含有量12重量係)に、その中
に含まれる環化ゴム量に対して3重量俤の4−クロロ−
47−ジニチルアミノアゾベンゼン(以下吸光剤Cと称
す)を添加混合してホトレジスト組成物を調製した。こ
れをアルミニウム基板に塗布し、温度85℃で20分間
プレベーキングを行ない、膜厚が1.0μmのホトレジ
スト皮膜を形成させた。これにテストパターンを介して
、200Wの超高圧水銀灯を備えたキャノンPLA −
520を用いて3秒間露光したのち、OMR現像液に1
分間浸して現像し、次いで酢酸n−ブチルエステルで1
分間リンスした。形成されたパターンは線幅2,5μm
まで鮮明に現像され、線にギザギザやブリッジ現象は全
く認められなかった。
業(株)社製、環化ゴム含有量12重量係)に、その中
に含まれる環化ゴム量に対して3重量俤の4−クロロ−
47−ジニチルアミノアゾベンゼン(以下吸光剤Cと称
す)を添加混合してホトレジスト組成物を調製した。こ
れをアルミニウム基板に塗布し、温度85℃で20分間
プレベーキングを行ない、膜厚が1.0μmのホトレジ
スト皮膜を形成させた。これにテストパターンを介して
、200Wの超高圧水銀灯を備えたキャノンPLA −
520を用いて3秒間露光したのち、OMR現像液に1
分間浸して現像し、次いで酢酸n−ブチルエステルで1
分間リンスした。形成されたパターンは線幅2,5μm
まで鮮明に現像され、線にギザギザやブリッジ現象は全
く認められなかった。
比較例1
実施例1において、吸光剤Cに代えてオイルイエロー(
以下吸光剤Aと称す)を環化ゴム量の3重量係ゴム系ホ
トレジス) OMR−83に添加したもの及び吸光剤を
全く添加しなかったものを用いる以外は、それぞれ実施
例1と同様に実施した。
以下吸光剤Aと称す)を環化ゴム量の3重量係ゴム系ホ
トレジス) OMR−83に添加したもの及び吸光剤を
全く添加しなかったものを用いる以外は、それぞれ実施
例1と同様に実施した。
その結果、吸光剤を添加しなかったものから得られた現
像パターンは、線幅5μmまでしか解像できず、またパ
ターンのエツジにブリッジやギザギザが多発していた。
像パターンは、線幅5μmまでしか解像できず、またパ
ターンのエツジにブリッジやギザギザが多発していた。
吸光剤Aを添加したものでは、形成されたパターンは線
幅4μmまできれいに解像されているが、それより細い
線幅のものは鮮明な解像が得られなかった。これは吸光
剤Aの昇華揮散による残存量の低減に基くハレーンヨン
防止効果の低下によるものであろう。吸光剤Aは、揮散
損失を招くばかりでなく、プレベーキング後の残存量を
一定に保つことによって一定の解像力が確保できるので
、ブレベーキングの温度と時間を一定条件で行なうきび
しい管理が重要である。このような吸光剤Aの操作上の
制約に対し、本発明の吸光剤CIl′iブレベーキング
の操作上の許容性が大きく、実用上顕著に優れている。
幅4μmまできれいに解像されているが、それより細い
線幅のものは鮮明な解像が得られなかった。これは吸光
剤Aの昇華揮散による残存量の低減に基くハレーンヨン
防止効果の低下によるものであろう。吸光剤Aは、揮散
損失を招くばかりでなく、プレベーキング後の残存量を
一定に保つことによって一定の解像力が確保できるので
、ブレベーキングの温度と時間を一定条件で行なうきび
しい管理が重要である。このような吸光剤Aの操作上の
制約に対し、本発明の吸光剤CIl′iブレベーキング
の操作上の許容性が大きく、実用上顕著に優れている。
実施例2
実施例1のホトレジスト組成物を用い、同様にアルミニ
ウム基板上に膜厚が1.0μmのプレベーキングしたホ
トレジスト膜を形成させた。これを3日間放置したが、
このホトレジスト被膜は均一で異物のない状態であった
。この放置したホトレジストを実施例1と同様に露光し
、現像及びリンス処理を行なった。形成されたパターン
は、線幅2.5μmがあざやかに現像されていた。
ウム基板上に膜厚が1.0μmのプレベーキングしたホ
トレジスト膜を形成させた。これを3日間放置したが、
このホトレジスト被膜は均一で異物のない状態であった
。この放置したホトレジストを実施例1と同様に露光し
、現像及びリンス処理を行なった。形成されたパターン
は、線幅2.5μmがあざやかに現像されていた。
比較例2
ゴム系ホトレジストOMR−83に4−エトキシ−4′
−ジエチルアミンアゾベンゼン(以下吸光剤Bと称す)
をホトレジスト中の環化ゴムに対して3重量%添加した
ホトレジスト組成物をアルミニウム基板上に乾燥後の厚
さが1.0μmになるように塗布し、プレベーキングし
た。これを3日間放置したところホトレジスト膜中に2
〜3μm程度の大きさの吸光剤Bの結晶が析出した。こ
れにテストパターンを介して露光し、現像、リンス処理
を行なった結果、形成されたパターンは線幅4.5声の
部分がギザギザをともなって現像されていた。
−ジエチルアミンアゾベンゼン(以下吸光剤Bと称す)
をホトレジスト中の環化ゴムに対して3重量%添加した
ホトレジスト組成物をアルミニウム基板上に乾燥後の厚
さが1.0μmになるように塗布し、プレベーキングし
た。これを3日間放置したところホトレジスト膜中に2
〜3μm程度の大きさの吸光剤Bの結晶が析出した。こ
れにテストパターンを介して露光し、現像、リンス処理
を行なった結果、形成されたパターンは線幅4.5声の
部分がギザギザをともなって現像されていた。
またピンホールが多く形成され、部分的に膜残りも発生
していた。
していた。
実施例3
ノボラック樹脂と少なくとも1個の0−キノンジアジド
を含むポジ型ホトレジスト0FPR−800(商品名、
東京応化工業(株)社製、ノボラック樹脂含有量27重
世間)に、そのノボラック樹脂量の3重量%の吸光剤C
を添加しホトレジスト組成物を調製した。これをアルミ
ニウム基板上に塗布し、温度95℃で20分間プレベー
キングして厚さ1.0μmの被膜を形成させた。これに
マスクを介して200W超高圧水銀灯をもつキャノンP
LA −520で9秒間霧光し、現像液NMD−,3(
商品名、東京応化工業(株)社製)に25℃の温度で1
分間浸し、浸漬法で現像した。形成されたパターンは、
線幅0.5μmがシャープに現像されており、露光Vこ
おける電磁波の定在波とアルミニウム基板からの・・レ
ーンヨンがよく防止されていることが認められた。また
現像での残膜率は98%で、極めて高いことも確認され
た。なお残膜率は次式から算出したものである。
を含むポジ型ホトレジスト0FPR−800(商品名、
東京応化工業(株)社製、ノボラック樹脂含有量27重
世間)に、そのノボラック樹脂量の3重量%の吸光剤C
を添加しホトレジスト組成物を調製した。これをアルミ
ニウム基板上に塗布し、温度95℃で20分間プレベー
キングして厚さ1.0μmの被膜を形成させた。これに
マスクを介して200W超高圧水銀灯をもつキャノンP
LA −520で9秒間霧光し、現像液NMD−,3(
商品名、東京応化工業(株)社製)に25℃の温度で1
分間浸し、浸漬法で現像した。形成されたパターンは、
線幅0.5μmがシャープに現像されており、露光Vこ
おける電磁波の定在波とアルミニウム基板からの・・レ
ーンヨンがよく防止されていることが認められた。また
現像での残膜率は98%で、極めて高いことも確認され
た。なお残膜率は次式から算出したものである。
露光、現像後のホトレジスト膜厚
残膜率(チ)= −x to。
露光前のホトレジスト膜厚
比較例3
OFPR−800に吸光剤を添加せず、また露光時間を
3秒としたほかは、実施例3と全く同様に実施した。得
られたパターンの線幅は1.0μmがようやく解像でき
ており、小さなギザギザが多数発生し、残膜率も90%
と低かった。
3秒としたほかは、実施例3と全く同様に実施した。得
られたパターンの線幅は1.0μmがようやく解像でき
ており、小さなギザギザが多数発生し、残膜率も90%
と低かった。
実施例4
ポリメチルイソプロペニルケトンの重合体に増感剤を加
えた樹脂濃度10%のディープUVホトレジスト0DU
R−1013(商品名、東京応化工業(株)社製)に、
吸光剤Cを樹脂の5重量%添加してホトレジスト組成物
を調製した。これを段差のあるアルミニウム基板上に1
.0μmの厚さに塗布し、120℃の温度で30分間プ
レベーキングした。キャノンPLA−520を用い、テ
ストパターンヲ介してディープUVでホトレジスト膜に
露光した。ディープUVのみを反射し、不必要な光を透
過するいわゆるコールドミラーとしては、260〜33
0nmの領域の光を選択的に反射するCM−290を用
いた。
えた樹脂濃度10%のディープUVホトレジスト0DU
R−1013(商品名、東京応化工業(株)社製)に、
吸光剤Cを樹脂の5重量%添加してホトレジスト組成物
を調製した。これを段差のあるアルミニウム基板上に1
.0μmの厚さに塗布し、120℃の温度で30分間プ
レベーキングした。キャノンPLA−520を用い、テ
ストパターンヲ介してディープUVでホトレジスト膜に
露光した。ディープUVのみを反射し、不必要な光を透
過するいわゆるコールドミラーとしては、260〜33
0nmの領域の光を選択的に反射するCM−290を用
いた。
0DUR−1013指定の現像液で温度23℃、2分間
の浸漬現像を行ないリンス液で、温度23℃で1分間リ
ンス処理した。形成されたレジストパターンは、0,5
μmの線幅までギザギザやブリッジがなく、シャープに
解像されていた。基板からの・・レーションは効果的に
防止されていることが認められた。
の浸漬現像を行ないリンス液で、温度23℃で1分間リ
ンス処理した。形成されたレジストパターンは、0,5
μmの線幅までギザギザやブリッジがなく、シャープに
解像されていた。基板からの・・レーションは効果的に
防止されていることが認められた。
比較例4
実施例4において、吸光剤を添加しない以外は実施例4
と全く同様にしてホトレジストパターンを形成させたと
ころ、線幅1.0μmで小さなギザギザが多数発生し、
解像力は低下していることが認められた。
と全く同様にしてホトレジストパターンを形成させたと
ころ、線幅1.0μmで小さなギザギザが多数発生し、
解像力は低下していることが認められた。
実施例5
本発明の吸光剤とホトレジストとの相溶性を比較するた
めに、次のような実験をした。実施例1〜4で用いたO
MR−8’ 3.0FPR−800及び0DUR−10
13のそれぞれの樹脂成分に対して、吸光剤を3重量%
添加して組成物を調製し、これらをそれぞれのレジスト
膜厚が1.0〜1.5μmの範囲におさまるように塗布
し、80〜90℃の温度範囲で20分間プレベーキング
した後、室温中に放置した。レジスト表面を25倍倍率
にした顕微鏡で観察し、レジスト皮膜中に吸光剤の結晶
が析出するまでの時間を測定した。そのときの結果を第
1表に示す。この結果から本発明の吸光剤は公知の吸光
剤に比べ、はるかに相溶性が優れていることがわかる。
めに、次のような実験をした。実施例1〜4で用いたO
MR−8’ 3.0FPR−800及び0DUR−10
13のそれぞれの樹脂成分に対して、吸光剤を3重量%
添加して組成物を調製し、これらをそれぞれのレジスト
膜厚が1.0〜1.5μmの範囲におさまるように塗布
し、80〜90℃の温度範囲で20分間プレベーキング
した後、室温中に放置した。レジスト表面を25倍倍率
にした顕微鏡で観察し、レジスト皮膜中に吸光剤の結晶
が析出するまでの時間を測定した。そのときの結果を第
1表に示す。この結果から本発明の吸光剤は公知の吸光
剤に比べ、はるかに相溶性が優れていることがわかる。
第 1 表
吸光剤A −Gは各々次のものを表わす。
Aニオイルイエロー(C,工、 11020)B:4
−エトキシ−4′−ジエチルアミンアゾベンゼン C:4−クロロ−47−ジエチルアミンアゾベンゼン D:2,4.6−4リクロロー4′−ジエチルアミンア
ゾベンゼン E:4′−二トロー4’−ジエチルアミンアゾベンゼン F:2−ニトロ−4−クロロ−4’−’;エチルアミノ
アノ゛ベンゼン G:4−ブロモ−47−ジエチルアミンアゾベンゼン また、吸光剤A及び吸光剤C′f:OMR−83にそれ
ぞれ添加配合した組成物を基板に塗布し、これを80℃
の温度でプレベーキングして、それぞれのホトレジスト
被膜中の各吸光剤の膜中残存率とプレベーキング時間と
の関係を調べた。その結果を添付第1図に示した。
−エトキシ−4′−ジエチルアミンアゾベンゼン C:4−クロロ−47−ジエチルアミンアゾベンゼン D:2,4.6−4リクロロー4′−ジエチルアミンア
ゾベンゼン E:4′−二トロー4’−ジエチルアミンアゾベンゼン F:2−ニトロ−4−クロロ−4’−’;エチルアミノ
アノ゛ベンゼン G:4−ブロモ−47−ジエチルアミンアゾベンゼン また、吸光剤A及び吸光剤C′f:OMR−83にそれ
ぞれ添加配合した組成物を基板に塗布し、これを80℃
の温度でプレベーキングして、それぞれのホトレジスト
被膜中の各吸光剤の膜中残存率とプレベーキング時間と
の関係を調べた。その結果を添付第1図に示した。
第1図から明らかなように、本発明の吸光剤Cは高い残
存率を示すが、従来の吸光剤であるオイルイエロー(吸
光剤A)は、プレベーキング時間が長いほど、その昇華
性のために被膜中の残存率が低下し、ハレーション防止
効果が減退する。また、プレベーキング温度が高いほど
残存率が低下することも理解できる。
存率を示すが、従来の吸光剤であるオイルイエロー(吸
光剤A)は、プレベーキング時間が長いほど、その昇華
性のために被膜中の残存率が低下し、ハレーション防止
効果が減退する。また、プレベーキング温度が高いほど
残存率が低下することも理解できる。
第1図は、吸光剤を含有するホトレジスト組成物の塗膜
のプレベーキング(80℃)における従来公知の吸光剤
Aと本発明の吸光剤Cのベーキング時間と膜中残存率と
の関係を示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人 阿 形 明 第1図 ベーク時V(今)
のプレベーキング(80℃)における従来公知の吸光剤
Aと本発明の吸光剤Cのベーキング時間と膜中残存率と
の関係を示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人 阿 形 明 第1図 ベーク時V(今)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 (式中のR1はハロゲン原子又はニトロ基、R2は水素
原子、・・ロゲン原子又はニトロ基、R3は水素原子、
ハロゲン原子又は低級アルキル基、R4及びR5は少な
くとも2個の炭素原子をもつ低級アルキル基である) で表わされる化合物を有効成分とする新規な吸光剤。 2 ホトレジストに、一般式 (式中のR1はハロゲン原子又はニトロ基、R2は水素
原子、・・ロゲン原子又はニトロ基、R3は水素原子、
・・ロゲン原子又は低級アルキル基、R4及びR5は少
なくとも2個の炭素原子をもつ低級アルキル基である) で表わされる吸光剤を含有させて成るホトレジスト組成
物。 3 ホトレジストが、開環化ゴム及びビスアジド化合物
を主成分とするゴム系ホトレジスト、(B)ノボラック
樹脂及び少なくとも1個の0−キノンアジド化合物を含
有するポジ型ホトレジスト又は(ClディープUVレジ
ストである特許請求の範囲第2項記載のホトレジスト組
成物。 4 ディープUVレジストが、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルイソフ”ロペニルケトンくとも1種を主
成分とするレジストである特許請求の範囲第3項記載の
ホトレジスト組成物。 5 吸光剤の含有量がホトレジストの樹脂成分の0.1
〜20重量係である特許請求の範囲第2項記載のホトレ
ジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5871882A JPS58174941A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5871882A JPS58174941A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58174941A true JPS58174941A (ja) | 1983-10-14 |
JPH0148526B2 JPH0148526B2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=13092271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5871882A Granted JPS58174941A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58174941A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0193603A1 (en) * | 1984-09-13 | 1986-09-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photolithography process using positive photoresist containing unbleachable light absorbing agent |
JPS62295044A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JPS63159843A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型ホトレジスト |
JPS63161443A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JPS6420540A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nippon Zeon Co | Positive type photoresist composition |
JPH0284654A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPH02269348A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト用組成物 |
JPH04261540A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジストおよびレジストパターンの形成方法 |
JPH09211849A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-15 | Nec Corp | レジスト材料およびパターン形成方法 |
JP2007336688A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Shimadzu Corp | 分析装置の保護回路 |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP5871882A patent/JPS58174941A/ja active Granted
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0193603A4 (en) * | 1984-09-13 | 1988-04-06 | Advanced Micro Devices Inc | PHOTOLITOGRAPHIC PROCESS USING POSITIVE PROTECTIVE PHOTOGRAPHIC MATERIAL CONTAINING A COLORLESS LIGHT ABSORBING AGENT. |
EP0193603A1 (en) * | 1984-09-13 | 1986-09-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photolithography process using positive photoresist containing unbleachable light absorbing agent |
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JPS63159843A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型ホトレジスト |
JPS63161443A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
JPH0513492B2 (ja) * | 1987-05-19 | 1993-02-22 | Nippon Zeon Co | |
JPS63286843A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JPS6420540A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nippon Zeon Co | Positive type photoresist composition |
JPH0284654A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPH02269348A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト用組成物 |
JPH04261540A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | フォトレジストおよびレジストパターンの形成方法 |
JPH09211849A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-15 | Nec Corp | レジスト材料およびパターン形成方法 |
JP2007336688A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Shimadzu Corp | 分析装置の保護回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0148526B2 (ja) | 1989-10-19 |
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