JPS59193427A

JPS59193427A - 液晶装置

Info

Publication number: JPS59193427A
Application number: JP6866083A
Authority: JP
Inventors: Junichiro Kanbe; 純一郎神辺; Kazuharu Katagiri; 片桐　一春; Shuzo Kaneko; 金子　修三
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-04-19
Filing date: 1983-04-19
Publication date: 1984-11-02
Also published as: JPS6245536B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、液晶素子の駆動方法に係り、詳しくは表示素
子や光シヤツターアレイ等の光学変調素子に用いる液晶
素子の時分割駆動方法に関する゛。

従来よシ、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。

この表示素子の１駆動法としては、走査電極群に順次周
期的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定
の情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印
加する時分割駆動が採用されているが、この表示素子及
びその駆動法には以下に述べる如き致命的とも言える大
きな欠点を有していた。

即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのがｅ
’、ｊｌ　Ｌ、いととである。従来の液晶の中で応答速
度が比較的高く、しかも消費電力が小さいことから、表
示素子として実用に供されているのは殆んどが、例えば
Ｍ、５ｃｈａｄｔとＷ、ＨｅＪｆｒｉｃｈ著“Ａｐｐｌ
ｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ″Ｖｏ　１８
．　Ａ　４（１９７１，２，１５）、Ｐ１２７−１２８
の“Ｖｏｌｔａｇｅ　−ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃ
ａＪ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　　ａ　Ｔｗｉｓｔｅｄ
　ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　ＣｒｙｓｔａＩ”に示
されだＴ　Ｎ　（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａ　ｔ　ｉ　ｃ
　）　　型の液晶を用いたものであシ、この型の液晶は
無電界状態で正の誘電異方性をもつネマチック液晶の分
子が液晶層厚方向で換れた構造（ヘリカル構造）を形成
し、両電極面でこの液晶の分子が並行に配列した構造を
形成している。一方、電界印加状態では、正の誘電異方
性をもつネマチック液晶が電界方向に配列し、この結果
光調変調を起こすことができる。この型の液晶を用いて
マトリクス電極構造によって表示素子を構成した場合、
走査電極と信号電極が共に選択される領域（選択点）に
は、液晶分子を電極面に垂直に配列させるに要する閾値
以上の電圧が印加され、走査電極と信号電極が共に選択
されない領域（非選択点）には電圧は印加されず、した
がって液晶分子は電極面に対して並行な安定配列を保っ
ている。このような液晶セルの上下に互いにクロスニコ
ル関係にある直線偏光子を配置することによシ１選択点
では光が透過せず、非選択点では光が透過するだめ画像
素子とすることが可能となる。然し乍ら１、マトリクス
電極構造を構成した場合には、走査電極が選択され、信
号電極が選択されない領域或いは走査電極が選択されず
、信号電極が選択される領域（所謂“半選択点゛）にも
有限の電界がかかつてしまう。選択点にかかる電圧と、
半選択点にかかる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を
電界に垂直に配列させるに要する電圧閾値がこの中間の
電圧値に設定されるならば、表示素子は正常に動作する
わけであるが、走査線数（へ）を増やして行った場合、
画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に
有効なで減少してしまう。このだめに、＜シ返し走査を
行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての
電圧差は走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果
的には画像コントラストの低下やクロストークが避は難
い欠点となっている。このような現象は、双安定性を有
さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向して
いるのが安定状態であシ、電界が有効に印加されている
間のみ垂直に配向する）を時間的蓄積効果を利用して駆
動する（即ち、繰シ返し走査）ときに生ずる本質的には
避は難い問題点である。

この点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法
や多重マトリクス法等が既に提案されているが、いずれ
の方法でも不充分であシ、表示素子の大画面化や高密度
化は、走査線数が充分に増やせないことによって頭打ち
になっているのが現状である。

一方、プリンタ分野を眺めて見るに、電気信号を入力と
してハードコピーを得る手段として。

画素密度の点からもスピードの点からも電気画像信号を
光の形で電子写真感光体に与えるレーザービームプリン
タ（ＬＢＰ）が現在最も浸れている。ところがＬＢＰに
は、１、　プリンタとしての装置が大型になる。

２、　ポリゴンスキャナの様な高速の駆動部分があシ騒
音が発生し、才だ厳しい機械的精度が要求される；・などの欠点がある。この様な欠点゛を解消すべく電気
信号を光信号に変換する素子として、液晶シャッターア
レイが提案されている。ところが液晶シャッターアレイ
を用いて画素信号を与える場合、たとえば２００廃の長
さの中に画素信号を１０ｄａｔ　／　ｍｍの割合で書き
込むためには４０００個の信号発生部を有していなけれ
ばならず、それぞれに独立した信号を与えるためには、
元来それぞれの信号発生部全てに信号を送るリード線を
配線しなければならず、製作上困難であった。

そのため、１ＬＩＮＥ（ライン）分の画素信号を数行に
分割された信号発生部により行ごとに時分割して与える
試みがなされている。

この様にすることにより、信号を与える電極を複数の信
号発生部に対して共通にすることができ、実質配線数を
大幅に軽減することができるからである。ところが、こ
の場合通常行われているように双安定性を有さない液晶
を用いて行数Ｎを増やして行くと、信号ＯＮの時間が実
質的Ｋｌ−となり、感光体上で得られる光量が減少して
しまったりクロストークの問題が生ずるという難点があ
る。

本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子或
いは液晶光シャッターにおける問題点を悉く解決した新
規な液晶素子駆動法を提供することにある。

本発明の別の目的は、高速応答性を有し、特に階調表示
に適した液晶素子の駆動法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度の画素を有し、特に階調表
示に適した液晶素子の駆動法を提供することにある。

さらに、本発明の他の目的は、クロストークを発生しな
い液晶素子の駆動法を提供することにある。

さらに、本発明の他の目的は、電界に対し双安定性を有
する液晶、特に強誘電性を有するカイラルスメクテイツ
クＣ相又はＨ相の液晶を用いだ液晶素子の新規な駆動法
を提供することにある。

さらに、本発明の他の目的は、高密度の画素と大面積の
画面を有する液晶素子の階調表示に適した新規な、駆動
法を提供することにある。

すなわち、本発明のかかる目的は、走査電極群と信号電
極群を有し、該走査電極群と信号電極群の間に電界に対
して双安定性を有する液晶を配置した構造を有する液晶
素子の駆動法において、前記走査電極群の選択された走
査電極と前記信号電極群の間で前記双安定性を有する液
晶を第１の安定状態に配向させる電圧を印加する第１の
位相と、前記走査電極と選択された信号電極の間で第１
の安定状態に配向した液晶を第２の安定状態に配向させ
る電圧を印加する第２の位相を有する電気信号を付与す
る液晶素子の駆動法によって達成される。

本発明の好ましい具体例では、走査信号に基づいて順次
周期的に選択される走査電極群と該走査電極群に対向し
所定の情報信号に基づいて信号電極の電気信号の如何に
拘らず上記液晶を第１の安定状態に配向すべき一方向の
電界を与える電圧を有する第１の位相１．と、信号電極
の電気信号に応じて上記液晶を第２の安定状態に配向し
直すことを補助する電圧を有する第２の位相ｔ２とを有
する電気信号を付与することによって液晶素子を駆動す
ることができる。

本発明の駆動法で用いる光学変調物質は、電界に対して
第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態からなる
双安定状態を有しており、特に電界に対して前述の如き
双安定性を有する液晶が用いられる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクテイツ
ク液晶が最も好しく、そのうちカイラルスメクテイツク
Ｃ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）の液晶が適して
いる。この強誘電性液晶については、”ＬＥ　ＪＯＩＪ
ＲＮＡＬ　ＤＥ　　ＰＨＹＳＩＱ匪ＬＥＴＴＥＲ８”３
６（Ｌ−６９）　１９７５　、　ｒＦｅｒｒｏｅｊｌｅ
ｃｔｒｉｃＬｉｑｕｊｄ　ＣｒｙｓｔａＪｓＪ　ｉ“Ａ
ｐｐＡｉｅｄ　Ｐｈ３’５ｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ″３
６　（１１）　１９８０ｒＳｕｂｍｉｃｒｏ　５ｅｃｏ
ｎｄ　Ｂ１５ｔａｂｌｅＥＡｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｉｎ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａ
ＪｓＪ；“固体物理”　１６（１４１）１９８１ｒ液晶
」等に記載されておシ、本発明ではこれらに開示された
強誘電性液晶を用いることができる。

第２図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノ
テある。２１と２１′は、Ｉ　１１２０３１５ｎＯｚや
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｒｎ−’Ｉ”ｉｎ　０ｘｉｄｅ）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、そ
の間に太線で示した線２３が液晶分子を表わしておシ、
この液晶分子２３ばその分子に直交した方向に双極子モ
ーメン）　２４　（Ｐ、）を有している。基板２１と２
１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、
液晶分子２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント
２４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向
方向を変えることができる。液晶分子２３は細長い形状
を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性
を示し、従って例えば、ガラス面の上下に互いにクロス
ニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特
性が変わる液晶変調素子となることは、容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例え
ば１μ）には、第３図に示すように電界を印加していな
い状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極子
モーメン）Ｐ又はｙは上向き（３４）又は下向き（３４
’）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第３図
に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ又はＰを
与えてやると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ′の電
界ベヘクトルに対応して上向き３４又は下向＠３４′と
向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定状態３
３かあるいは第２の安定状態３３′の何れか一方に配向
する。このような強誘電性液晶を光変調素子として用い
ることの利点は２つある。

第１に応答速度が極めて速いこと、第２に液晶分子の配
向が双安定性を有することである。第２の点を例えば第
３図によって説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子
は第１の安定状態３３に配向するが、この状態は電界を
切っても安定である。又、逆向きの電界Ｅ′を印加する
と、液晶分子は第２の安定状態３３′に配向してその分
子の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に
留っている。又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない
限シ、それぞれの配向状態にやはり維持されている。こ
のような、応答速度の運びと双安定性が有効に実現され
るにはセルとしては出来るだけ薄い方が好しく、一般的
にＣよ０．５μ〜２０μ、特に１μ〜５μが適している
。この神の強誘電性液晶を用いたマ）　ＩＪクス電極構
造を有する液晶電気光学装置は、例えばクラークとラガ
バルにより米国特許第４３６７９２４号公報で提案され
ている。

不発明の駆動法の好゛ましい具体例を第１図に示す。

第１図（４）−ｊａ）は、中間に強誘電性液晶化合物が
狭まれたマトリクス電極構造を有するセル１１の模式図
である。１２は走査電極群であり、１３は信号電極群で
ある。第１図（４）−（ｈ）と（４）−（Ｃ）はそれぞ
れ選択された走査電極１．２ｆｓｌに与えられる電気信
号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電極）１２
（ｎ）に与えられる電気信号を示し、第１図（４）−（
ｄ）と囚−（ｅ）はそれぞれ選択された（情報有の）信
号電極１３（Ｓ）に与えられる電気信号と選択されない
（情報無の）信号電極】３（川に力えられる電気信号を
表わす。第１図（５）−（１））〜（５）−（ｅ）それ
ぞれ横軸が時間を、縦軸が°電圧を表す。例えば、動画
を表示するような場合には、走査電極群１２は逐次周期
的に選択される。今、双安定性を有する液晶セルの第１
の安定状態を与えるための閾値電圧をｖｔｈｌとし、第
２の安定状態を与えるだめの閾値電圧を−Ｖｔｈ２とす
ると、選択された走査電極１２ｆｓ＋に与えられる電気
信号は第１図（４）−（ｂｌ　Ｋ示される如く位相（時
間）　１＋では、２Ｖを位相（時間）ｔ２では一■とな
るような交番する電圧である。又、それ以外の走査電極
１２ｆｎ）は、第１図（４）−（Ｃ）に示す如くアース
状態となっており電気信号Ｏである。一方、選択された
信号電極１３（５）に与えられる電気信号は第１図（４
）−（ｄ）に示される夕日＜位相ｔｌにおいてＯで、位
相後において■であり、又選択されない信号電極１３（
ｎｌに与えられる電気信号は第１図（４）−＋６＋に示
される如くＯである。

以上に於て、電圧値ＶはＶ　＜　Ｖｔｈ、　＜　２　Ｖ
と一■＞−Ｖ＞−２Ｖを満足する所望のイ直に設定さｈ
２れる。このような電気信号が与えられたときの、各画素
に印加される電圧波形を第１図（Ｂ）に示す。

第１図ＣＢ）の（Ｂ）　−ｆａ）　、　（Ｂ）　７　（
ｂ）　、　（Ｂ）　−（Ｃ）と（Ｂ）　−（ｄ）はそれ
ぞれ第１図（５）中の画素Ａ、Ｂ、ＣとＤは対応してい
る。すなわち、第１図（Ｂ）力・ら明ら力為な如く、選
択された走査線上にあるすべての画素は、第１の位相ｔ
、で閾値電圧−Ｖｔｈ２を越える電圧−２■が印加され
るために、まず−旬一方の光学的安定状態（第１の安定
状態）に１えられる。このうち、情報信号有に対応する
画素Ａでは第２の位相ｔ２で、閾値電圧Ｖｔｈ、を越え
る電圧２ｖが印加されるために他方の光学的安定状態（
第２の安定状態）Ｋ転移する。又、同一走査線上に存在
し、情報信号無に対応する画素Ｂでは第２の位相ｔ、に
於ける印加電圧は閾値電圧Ｖｔｈ＋を越えない電圧Ｖで
あるために、一方の光学的安定状態に留ったままである
。

一方、画素ＣとＤに示される如く選択されない走査線上
では、すべての画素ＣとＤに印加される電圧は＋Ｖ又は
Ｏであって、いずれも閾値電圧を越えない。従って、各
画素ＣとＤにおける液晶分子は、配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態に対応した配向をそ
のまま保持している。即ち、走査電極が選択されたとき
に、まず第１の位相ｔｌにおいて、−担一方の光学的安
定状態に揃えられ、第２の位相ｔ２において−ライン分
の信号の書き込みが行われ、−フレームが終了して次回
選択されるまでの間は、その信号状態を保持し得るわけ
である。

従って、走査電極数が増えても、実質的なデユーティ比
はかわらず、コントラストの低下とクロストーク等は全
く生じない。

、コノ際、電圧ＩＩＩ！■ノ値及び位相（ｔｌ”ｔ２）
＝Ｔの値としては、用いられる液晶材料やセルの厚さに
も依存するが、通常３ボルト〜７０ボルトで、０．１μ
ｓｅｃ〜２μｓｅｃの範囲で用いられる。

本発明の駆動方法が有効に達成されるためには、走査電
極或いは信号電極に与えられる電気信号が、必ずしも第
１図（ｂ）〜ｆｅ）に於て説明されたような単純な矩形
波信号でなくてもよいことは自り」である。例えば、正
弦波や三角波によって駆動することも可能である。

第４図は、液晶−光シヤツクに応用した時のマトリクス
電極構造の模式図が示されている。

この際、４１はｉｉ！＋ｉ　ｇであって、この部分のみ
両側の電極を透明なもので形成している。４２は走査電
極群、４３は信号電極群を表わしている。

第５図は、別の変形実施例である。第１図に示した実施
例との違いは第１図（５）−（ｂ）に示す走査信号１２
（Ｓ）の位相ｔ、における電圧は半分のＶとし、その分
すべての情報信号に位相ｔ１に於て一■を印加している
。この方法によるメリットは１．各電極に与える信号の
電圧最大値が第１図に示した実施例に比べ半分で済む点
にある。

この際、第５図（４）−（ａｌは、選択された走査電極
１２（９）に印加する電圧の波形を示し、一方、選択さ
れない走査電極１２（川には第５図（５）−ｆｂ）に示
す様にアース状態にされ、電気信号は０ボルードである
。第５図（Ａ）　−（Ｃ）は、選択された信号電極１３
（Ｓ）に印加する電圧の波形を示して卦り、第５図囚−
（ｄ）は選択されない信号電極１３（ｎ）に印加する電
圧波形を示している。第５図（Ｂ）は各画素Ａ、Ｂ、Ｃ
２：Ｄに印加される電圧の波形を示している。すなわち
、第５図（Ｂ）の（Ｂ）　−ｔａ＋　、　（Ｂ）−ｆｂ
ｌ　、　（Ｂ）　　（Ｃ）と（Ｂ）　−（ｃｌ）はそれ
ぞれ第１図回申の画素Ａ、Ｂ、ＣとＤに対応している。

今１でに述べた本発明の説明に於ては、一つの画素に対
応する液晶化合物層は一様であり、一画素全領域に渉っ
てどちらかの安定状態に配向を揃えているものとして来
た。しかし乍ら、強誘電性液晶の配向状態は、基板の表
面との相互作用によって極めて微妙に作用されるため、
印加電圧と閾値電圧ｖｔｈ＋又は−”ｔｈｚの差が小さ
い場合には、局所的な基板表面の僅かの差によって、−
画素内で互い逆方向の安定配向状態が混在している状況
が生じ得る。これを利用して情報信号の第２の位相に於
て階調性を与える信号を付加することが可能である。例
えば、第１図に於て述べた駆動方法と走査信号は全く同
一にして第６図ｔａｉ〜（ｄ）に示すような階調に応じ
、信号電極に印加する情報信号の位相ｔ２に於けるノく
ルス数を変えることによって階調画像を得ることが可能
である２、又、基板処理として自然発生的に生ずる基板表面状態の
ばらつきを利用するのみならず、人為的に、例えは、微
少モザイクノくターンを有する基板表面状態を利用する
ことも可能である。

ｄｅｃｙ＃ｏｘｙｂｅｎＺｙ−ｆｌ、１ｄｅｎｅ−ど−
ａｍｌ　ｎｏ　−Ｚ　−ｍｅ　ｔｌｌｙ＃ブチル　　レ
ゾルシリデン　　　　　オクチルアニリン−ｂｕｔｙｌ
−ｒｅｓｏｒｃｙｌｉｄｅｎｅ−４’−ｏｃｔｙ７Ｉａ
ｎｉ７ｉｎｅ（ＭＢＲＡ　８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合液晶化合物
がＳｍＣ＊相又は５ｒｎＨ＊相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。

本発明の方法は、液晶−光シャッタや液晶テレビなどの
光学シャッタあるいはディスプレイ分野に広く応用する
ことができる。

【図面の簡単な説明】第１図（Ａ）　％　（ａ）は、本発明の駆動法に用いる
液晶素子を模式的に示す平面図である。第１図（４）斗
（ｂ）は選択された走査電極の信号を示す説明図である
。第１図（Ａ）綬（Ｃ）は選択されない走査電極の信号
を示す説明図である。第１ｊ図（５）へｆｄ）は選択さ
れた信号電極の情報信号を示す説明図である。第１図（
Ａ）〜（ｅ）は選択されない信号電極の情報信号を示す
説［ユ［）図である。第１図（Ｂ）　Ｓ　ｆａ）は画素
人の液晶に印加される電圧の波形図である。第１１１３）外ｆｂ）は内素Ｂの液晶（で印加される電
圧の波形図である。第１図（Ｂ）　％　（ｃ）は画素Ｃ
の液晶に印加される電圧の波形図である。第１図（Ｂ）
　５ｆｄ）は画素りの液晶に印加される電圧の波形図で
ある。第２図はカイラルスメ゛タテ・イＩツク相液晶を
有する液晶素子を模式的に示す斜視図である。第３図は本発明で用いる液晶素子を模式的に示す斜視図
である。第４図は本発明の駆動法を用いた液晶−光シャ
ッタの平面図である。第５図囚％　ｉａ）は別の具体例
における選択された走査電・襖の信号を示す説明図であ
る。第５図（Ａ）へ（ｂｌは別の具体例における選択さ
れない走査電極の信号を示す説明図である。第５図（Ａ
）〜ｆｃｌは別の具体例における選択された信号電極の
情報信号を示す説明１ノ１でちる。第５図（Ａ）　％　
（ｄ）は別の具体例における選択さ几ない信号電極の情
報信号を示す説明図でちる。第５図（Ｂ）　Ｓ　（ａ）
は別の具体例における画素人の液晶に印加される電圧の
波形図である。第５図（Ｂ）〜（ｂ）は別の具体例にお
ける画素Ｂの液晶に印加される電圧の波形図である。第５図（Ｂ）−＋、（Ｃ）は別の具体例における画素Ｃ
の液晶に印加される電圧の波形図である。第５図（Ｂ）
％　（ｄ）は別の具体例における画素りの液晶に印加さ
れる電圧の波形図である。第６図（ａ）、第６図（ｂ）
、第６図（Ｃ１および第６図（ｄ）は信号電極に印加す
る電圧の波形例を示す説明図である。１１　液晶素子１２・・・走査電極群１２３）・・選択された走査電極１３ｎｌ　　選択されない走査電極１３・・信号電極群１３（Ｓ）・・・選択された信号電極１３（ｎｌ　　選択されない信号電極３３　・第１の安定状態に配向した液晶３３′　・第２
の安定状態に配向した液晶３４・・上向き双極子モーメ
ン）Ｐ３４′　　下向き双極子モーメントＰ′第ら霞（Ｂ） −−−−Ｖｔｈｃｄ）−−、。一一□−□−ηｈ手続補正書（自発）昭和５９年４月６日特許庁長官　若　杉和夫　　殿１　事件の表示昭和５８年　特許願　　第　６８６６０２　発明の名称光学変調素子の駆動法３　補正をする者 ’Ｊｉイ／］との関係　　　　　　　特許出願人（１所
　東京都人１．ｉ１区下丸子３−３０−２名（イ１、（
１０θ）キャノン株式会社代１７と賀来龍三部４代理人居　所　１〒ｂ５、補正の対象明細書６、補正の内容（１）明細書第４頁第１１行の「光調変調」を「光学変
調」と訂正する。（２）同上第７頁第８行のｒｌｏｄｏｔｊをｒ２０ｄｏ
ｔＪと訂正する。（６）同上第１４頁第６行の「狭まれた」を「挾まれた
」と訂正する。（４）同第１５頁最下行の「第１の安定状態」を１第２
の安定状態」と訂正する。（５）同上第１６頁第４行の「第２の安定状態」を「第
１の安定状態」と訂正する。（６）同上第１７頁第７行のｒ２μ５ｅｃＪを［２ｍ　
ｓｅｃ　Ｊと訂正する。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）走査電極群と信号電極群を有し、該走査電極群と
信号電極群の間に電界に対して双安定性を有する光学変
調物質を配置した構造を有する光学変調素子の駆動法に
おいて、前記走査電極群の選択された走査電極と前記信
号電極群の間で前記双安定性を有する光学変調物質を第
１の安定状態に配向させる電圧を印加する第１の位相と
、前記走査電極と選択された信号電極の間で第１の安定
状態に配向した液晶を第２の安定状態に配向させる電圧
を印加する第２の位相を有する電気信号を付与すること
を特徴とする光学変調素子の駆動法。
（２）　　前記第２の位相における選択された信号電極
に階調信号を印加する特許請求の範囲第１項記載の光学
変調素子の駆動法。
（３）　　前記階調信号がパルス波形を有する特許請求
の範囲第２項記載の光学変調素子の駆動法。
（４）　　前記双安定性を有する光学変調物質が強誘電
性液晶である特許請求の範囲第１項記載の光学変調素子
の駆動法。
（５）　　前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク
相を有する液晶である特許請求の範囲第４項記載の光学
変調素子の駆動法。
（６）　　前記カイラルスメクテイツク相を有する液晶
がＣ相又はＨ相を有する液晶である特許請求の範囲第５
項記載の光学変調素子の駆動法。
（７）　　前記カイラルスメクテイツク相を有する液晶
がらせん構造を形成していない液晶相である特許請求の
範囲第５項記載の光学変調素子の駆動法。
（８）前記Ｃ相又はＨ相を有するカイラルスメクテイン
ク液晶がらせん構造を形成していない液晶相である特許
請求の範囲第６項記載の光学変調素子の駆動法。