JPS63118130A - 液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶装置に関し、特に強誘電性液晶を用いた
液晶装置に関する。

（従来技術の説明） 従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或は情報の表示を行う液晶表示素子はよく
知られている。この表示素子の駆動法としては、走査電
極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電
極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並
列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。

これらの実用に供されたのは、殆んどが、例えば“アプ
ライド・フイジスク・レターズ（”Ａｐｐｌｉｅｄ　　
Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”　）１９７１年、
１８（４）号１２７〜１２８頁に記載のＭ、シャット（
Ｍ、５ｃｈａｄｔ）及びＷ、ヘフリヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒ
ｉｃｈ）共著になる”ボルテージ・ディペンダント・オ
プティカル・アクティビティ−・オブ・ア・ツィステッ
ド・ネマチック・リキッド・クリスタル″　（Ｖｏｌｔ
ａｇｅ　　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　
Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆａ　　Ｔｗｉｓｔｅｄ　　Ｎ
ｅｍａｔｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌ”）
に示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ
）型液晶であった。

近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１ａｒｋ）及びラガ
ーウオール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）の両者により特開昭
５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４
号明細書等で提案されている。双安定性液晶としては、
一般に、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ
相（ＳｍＨ＊）を有する強誘電性液晶が用いられ、これ
らの状態において、印加された電界に応答して第１の光
学的安定状態と第２の光学的安定状態とのいずれかをと
り、かつ電界が印加されないときはその状態を維持する
性質、即ち安定性を有し、また電界の変化に対する応答
がすみやかで、高速かつ記憶型の表示装置等の分野にお
ける広い利用が期待されている。

（発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、表示画素数が極めて多（、しかも高速駆
動が求められる時には、問題を生じる。すなわち、所定
の電圧印加時間に対して双安定性を有する強誘電性液晶
セルで第１の安定状態を与えるための閾値電圧を−Ｖｔ
ｈｌとし、第２の安定状態を与えるための閾値電圧を＋
　Ｖ　ｔｈ２とすると、これらの閾値電圧を越えなくと
も、長時間に亘り、電圧が印加され続ける場合に、画素
に書込まれた表示状態（例えば、白状態）が別の表示状
態（例えば黒状態）に反転することがある。第７図は双
安定性強誘電性液晶セルの閾値特性を表わしている。

第７図は、強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＣ（図中の
７２）とＨＯＢＡＣＰＣ（図中の７１）を用いた時のス
イッチングに要する閾値電圧（ｖ　ｔｈ）の印加時間依
存性をプロットしたものである。

第７図より明らかな如く、閾値ｖｔｈは印加時間依存性
を持っており、ざらに印加時間が短い程、急勾配になっ
ていることが理解される゛。このことから、走査線が極
めて多く、しかも高速に駆動する素子に適用した場合に
は、例えばある画素に走査時において明状態にスイッチ
されていても、次の走査以降常にｖｔｈ以下の情報信号
が印加され続ける場合、一画面の走査が終了する途中で
その画素が暗状態に反転してしまう危険性をもっている
ことが判る。

従って、強誘電性液晶素子にマルチプレクシング駆動を
適用した際には、非選択時の画素には書込み時とは逆極
性の低電圧が長時間印加され続ける場合が生じ、これが
クロストークの原因となうていた。

画素に交流電圧が印加される様に書込み信号と補助信号
を加えた波形の信号をデータ線に印加することを提案し
ている。

上述した挿通らの方法によフて、クロストークの問題点
は、解消することができたが、書込み時のパルス（パル
ス巾：Δｔ）と書込み直後の非選択時のパルス（パルス
巾：Δｔ）が連続して同一極性の時は、画素には少なく
とも２Δｔの時間に亘って同一極性パルスが印加され続
けることになり、これが表示パネルとした時に生じてい
た画面のちらつき（表示面が周期的に明るく又は暗くな
る現象）の原因となっていた。

そこで本発明の目的は、前述したような従来の光学変調
素子、特に液晶表示素子或は液晶光シャッターにおける
問題点を解決した新規な駆動法を用いた液晶装置を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明は
、交差した走査線とデータ線との間に強誘電性液晶を配
置した液晶素子と、走査線を順次選択する手段と、ｎ番
目の走査線に印加する走査選択信号と同期させて、デー
タ線に選択されていない走査線の電位を基準にして互い
に逆極性の関係にあるｎ番目の第１の書込み信号Ｗ（ｎ
１）と第２の書込み信号Ｗｎ′を選択的に印加する手段
と、ｎ＋１番目の走査線に印加する走査選択信号と同期
させて、データ線に、選択されていない走査線の電位を
基準にして互いに逆極性の関係にあるｎ＋１番目の第１
の書込み信号Ｗ　ｎ’＋１と第２の書込み信号Ｗ。２＋
１を選択的に印加する手段（但し、ｎ番目の第１の書込
み信号Ｗｎ′こｎ＋１番目の第１の書込み信号Ｗ（ｎ１
）゜１並びにｎ番目の第２の書込み信号Ｗｎ２とｎ＋１
番目の第２の書込み信号Ｗｎ′ゆ、が選択されていない
走査線の電位を基準にして同一極性である）と、ｎ番目
の第１の書込み信号Ｗ（ｎ１）及び第２の書込み信号１
２ｎを有するｎ番目の書込み信号Ｗｎとｎ＋１番目の第
１の書込み信号ｗｎ’。、及び第２の書込み信号Ｗ　ｎ
’＋＋を有するｎ＋１番目の書込み信号Ｗ　ｎ＋　１　
とを比較する手段と、ｎ番目の書込み信号Ｗ。とｎ＋１
番目の書込み信号Ｗ　、、の間に補助信号を印加する手
段とを有する液晶装置に特徴を有している。

本明細書に記載の「書込み信号」は走査線を順次アドレ
スするアドレス期間内で、画素の書込み状態を決定づけ
る（画素を白か黒のうち何れか一方の状態に決定づける
）位相でデータ線から印加する情報信号のことであり、
又「補助信号」とはアドレス期間内で画素の書込み状態
を決定づけない位相で、データ線から印加する電圧のこ
とである。

又、本明細書に記載の走査線とデータ線に印加する電圧
の「極性」は、選択されていない走査線の電位を基準と
している。

〔実施例〕

第８図は、本発明で用いた強誘電性液晶セル８１の平面
図で、この強誘電性液晶セル８１にはデータ線８３（１
＋、　　２＋・・・）と走査線８２（Ｓ＋　、Ｓ２　、
・・・）とが交差させて配線されている。又、８４は走
査回路、８５は走査側駆動電圧発生回路、８６イ３号側
駆動電圧発生回路、８７はラインメモリ、８８はシフト
レジスタを表わしている。

第１図は、本発明の第１の駆動例である。

図中、Ｓｔ、Ｓｚ、Ｓｓは走査線Ｓ、、Ｓ、。

Ｓ３に印加する電圧波形を表わしており、走査線Ｓｌ　
、Ｓｔ　＋　ｓ、には順次走査選択信号Ｓ、が印加され
る。Ｉ１と１２は、データ線Ｉ、とＩ２に印加する電圧
波形を表わし、データ線！１には白−白一黒一白−・・
・の情報信号が連続的に印加され、又データ線Ｉ２には
白−黒一黒一黒−・・・の情報信号が連続的に印加され
ている。又、（ｒｌ−８，）は走査線Ｓ、とデータ線■
１との交差部（画素）に印加される電圧波形で、（１２
−Ｓｔ）は走査線Ｓ、とデータ線Ｉ２との交差部（画素
）に印加される電圧波形である。

第１図に示す駆動例では、消去ステップＴ、で強誘電性
液晶セル６１の全部又は一部の画素に強誘電性液晶の閾
値電圧を越えた電圧３ｖｏが印加され、画素は強誘電性
液晶の第１の安定状態に基づく第１の光学状態（例えば
“白”とする）にリセットされる。続く、書込みステッ
プＴ２で走査線ＳＬ＋Ｓ２．Ｓ３に順次走査選択信号Ｓ
。

を印加し、この走査選択信号Ｓ５に同期させて、データ
）！Ｉｔ、Ｉｚに情報信号を印加することによって、第
６図に示す表示を得ることができる。

データ線ＩＭ（ＭＵＭ番目のデータ線で、Ｍは１．２，
３．・・・の整数）に印加する情報信号は、ｎ番目（ｎ
＝１．２，３．・・・の整数）の書込み信号Ｗ。とこれ
に続くｎ＋１番目の書込み信号Ｗ　１１．、とを比較す
ることによって、書込み信号ＷｎとＷｎや１との間に印
加する補助信号Ｋｎの電圧を決める。第１図中のデータ
線１１とＩ２に印加する情報信号のうち、斜線部のＷ　
、ｊ　＋、Ｉｓ、　）　３．、・、　ｎ　　（添字Ｗは
白書込み信号、Ｂは黒書込み信号を表わす）が書込み信
号で、Ｋ　１．２．３．・・・７が補助信号である。こ
の際、ｎ番目の白書込み信号ｗｎｗ（＋ｖｏ）とｎ＋１
番目の白書込み信号Ｗｎ’＊、（＋Ｖｏ）との間に印加
する補助信号Ｋ。は、ｎ番目の白書込み信号Ｗ（ｎ１）
と逆極性の電圧−■。となり、ｎ番目の黒書込み信号ｗ
ｎ’（−ｖｏ）とｎ＋１番目の黒書込み信号Ｗ−や＋（
Ｖａ）との間に印加する補助信号Ｋｎは、ｎ番目の黒書
込み信号Ｗｎ″と逆極性の電圧＋Ｖ０となる。さらに、
ｎ番目が白書込み信号Ｗｎｗ（又は黒書込み信号Ｗ　、
　Ｂ　）で、これに続くｎ＋１番目が黒書込み信号Ｗ、
、１（又は白書込み信号ｗｎ’）の場合では、補助信号
Ｋｎとして電圧０が印加される。このため、本発明では
、選択時と、選択直後の非選択時で、同一極性パルスが
連続した２Δｔ　（２Ｔｂパルスという）の時間を生じ
ることがなく、しかも非選択時の画素に印加される電圧
の平均値を実質的に０とすることができる。又本発明は
前述した２Ｔｂパルスの解消によって表示画面でのちら
つきを防止することができた。

コノ際、電圧ｖ０は＋３ＶＯｌ＞Ｉｖｔｈｌ＞ｌｖ、ｌ
の関係を満たす電圧値に設定される（　ｖｔｈは強誘電
性液晶の閾値電圧である）。

又、第１図中の位相１．はパルス巾Δｔをもつ書込み信
号Ｗ。を印加する位相に相当し、位相ｔ２は補助信号Ｋ
。を印加する位相に相当している。この際の補助信号Ｋ
ｎの印加時間も、やはりΔｔに設定するのが好ましい。

第２図に示す駆動例は、補助信号として、電圧Ｏ１正極
性と負極性パルスが交互に３つ有する交流電圧と、これ
と逆相の交流電圧からなる３種の電圧を用いた他は、第
１図に示す駆動例と全く同様にしたものである。又、本
発明では、正極性と負極性パルスを交互に３つもの交流
に限らず、奇数個もつ交流電圧を用いることかできる。

第３図は、本発明の別の好ましい駆動例を表わしている
。第３図に示す駆動例では、位相ｔ１で選択された走査
線上の画素の全部又は一部に一様に電圧３■。の消去パ
ルスが印加されることによって、これらの画素は前の書
込み状態を一様にリセットすることができ、続く書込み
位相に相当する位相ｔ２で、先にリセットされた画素に
データ線から黒書込み信号ｗｎ’（ｖｏ）と白書込み信
号Ｗ。’（＋ｖｏ）が選択的に印加される。続く補助信
号に、を位相ｔ３で前述の第１図と第２図で説明した方
法と同様の方法で印加する。

第４図は、本発明の他の好ましい駆動例を表わしている
。第４図に示す駆動例では、位相１．が選択された走査
線上の画素の全部又は一部に一様に電圧−３■。の消去
パルスが印加されることによって、これらの画素は前の
書込み状態を一様にリセットすることができる。位相ｔ
３が書込み位相に相当し、この位相ｔ３でデータ線から
黒書込み信号ＷｎＢ（ＶＯ）と白書込み信号Ｗｒ１ｗ（
−Ｖ。）が選択的に印加され、位相ｔ２が補助信号Ｋ。

を印加する位相に相当している。この補助信号に、ｌは
第１図で説明した方法と同様の方法で印加される。

次に、駆動回路のブロック図を第５図に示す。

第５図を第６図に示すタイムチャートと共に説明すると
、ｔ＝１のタイミングで、シフトレジスタ（Ｓ／Ｒ）に
１ライン目の情報が転送され、ｔ＝２のタイミングで、
シフトレジスタＳ／Ｒの内容が、ラインメモリーＩに穆
される。ｔ＝３のタイミングで、う不ンメモリＩの情報
はラインメモリ１１に移されると同時に、ラインメモリ
ーとラインメモリーＩ！の情報をコンパレータ５１で比
較して、その結果をラインメモリＩＩＩに移す。

そのラインメモリ！■とラインメモリＩＩＩの情報をド
ライブモード・プロセッサー５２でミキシングして、ラ
インデコーダー５３で、１ｂｉｔ信号を各々、２ｂｉｔ
ｓに変換して、レベルコンバーター５４及び、アナログ
スイッチ部５５で、出力波形を製造する。

ｔ＝３で、ｔ＝１のときのシフトレジスターの内容が出
力され以下順次出力されて行く。

第５図中において、ＣＫ、とＣＫ２はクロック、ＬＡＴ
Ｈはラッチ信号入力、ＩＮは情報データのシフトレジス
タＳ／Ｒへの入力％”００１ＶＳＳ＋　とＶ　ｓ１＋２
はアナログスイッチ駆動のために必要な電圧供給源、Ｖ
、、Ｖ、とＶ２は、出力レベル電圧である。

本発明の液晶装置で用いる光学変調物質としては、少な
くとも２つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界
に応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態
を有する物質、特にこのような性質を有する液晶が用い
られる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ
相（ＳｍＣ＊）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶が適している
。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナール・
ド・フィシツク・ルーチル゛’（”Ｌｅ　　Ｊｏｕｒｎ
ａｌｄｅ　　ｐｈｙｓｉｏｖｅ　　１ｅｔｔｅｒ”）３
６巻（Ｌ−６９）、１９７５年の「フェロエレクトリッ
ク・リキッド・クリスタルスＪ　　（ｒＦｅｒｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ」
）：”アプライド・フィジックス・レターズ′°（“Ａ
ｐｐｌｉｅｄ　　ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ”）３
６巻（１１号）１９８０年の「サブミクロン・セカンド
・バイスティプル・エレクトロオプティック・スイッチ
ング・イン・リキッド・クリスタルＪ　　（ｒｓｕｂｍ
ｉｃｒ。

５ｅｃｏｎｄ　　Ｂ１５ｔａｂｌｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　　ｉｎ　　Ｌｉｑ
ｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ」）；”固体物理１６　（
１４１）１９８１　ｒ液晶」等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。

より具体的には、本発明法に用いられるＳ主誘電性液晶
化合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ）、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−８−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、ＳｍＣ＊相又はＳｍＨ＊相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。

又、本発明では前述のＳｍＣ本、ＳｍＨ本の他にカイラ
ルスメクチックＦ相、■相、Ｊ相。

Ｇ相やに相で現われる強誘電性液晶を用いることも可能
である。

第９図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。９１ａと９１ｂは、Ｉｎ、Ｏ，。

ＳｎＯ，やＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）
等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、
その間に液晶分子Ｎ９２がガラス面に垂直になるよう配
向したＳｍＣ＊相の液晶が封入されている。太線で示し
た線９３が液晶分子を表わしており、この液晶分子９３
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ工
）９４を有している。基板９１ａと９１ｂ上の電極間に
一定の闇値以上の電圧を印加すると、液晶分子９３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）９４はす
べて電界方向に向くよう、液晶分子９３の配向方向を変
えることができる。

液晶分子９３は細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。さ
らに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１μ
）には、第１０図に示すように電界を印加していない状
態でも液晶分子のらせん構造は、はどけ、その双極子モ
ーメントＰａ又はｐｂは上向き（１０４ａ）又は下向き
（１０４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセル
に第１０図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電
界Ｅａ又はＥｂを所定時間付与すると、双極子モーメン
トは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対して上向き１
０４ａ又は、下向き１０４ｂと向きを変え、それに応じ
て液晶分子は第１の安定状態１０３ａかあるいは第２の
安定状態１０３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子とじて用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第１０図によって説明すると、
電界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態１０３
ａに配向するが、この状態は電界を切っても安定である
。又、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２
の安定状態１０３ｂに配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又
、与える電！！ｐ、Ｅａが一定の闇値を越えない限り、
それぞれの配向状態にやはり維持されている。このよう
な応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的に
は０．５μ〜２０μ、特に１μ〜５μが適している。

（発明の効果） 以上のように前後の情報信号を比較して、補助信号を決
定することにより、非選択ラインにかかる、非選択信号
の影響を最小限に抑えることができ、かつ表示画面でち
らつきを生じない非常に優れた表示８買を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図及び第４図は、本発明で用いた
駆動波形を時系で表わしたタイミングチャート図である
。第５図は、本発明で用いた情報信号出力までのシーケ
ンスを表わした説明図で、第６図はその時のタイミング
チャート図である。 第７図は強誘電性液晶の閾値電圧の印加時間依存性を表
わした特性図である。第８図は、本発明で用いたマトリ
クス電極構造の平面図である。 第９図と第１０図は、本発明で用いた強誘電性液晶素子
の模式的斜視図である。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）交差した走査線とデータ線との間に強誘電性液晶
   を配置した液晶素子と、走査線を順次選択する手段と、
   ｎ番目の走査線に印加する走査選択信号と同期させて、
   データ線に、選択されていない走査線の電位を基準にし
   て互いに逆極性の関係にあるｎ番目の第１の書込み信号
   Ｗ＿（ｎ＾１）と第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）を選
   択的に印加する手段と、ｎ＋１番目の走査線に印加する
   走査選択信号と同期させて、データ線に、選択されてい
   ない走査線の電位を基準にして互いに逆極性の関係にあ
   るｎ＋１番目の第１の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾１）＿＋＿
   １と第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）＿＋＿１を選択的
   に印加する手段（但し、ｎ番目の第１の書込み信号Ｗ＿
   （ｎ＾１）とｎ＋１番目の第１の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾
   １）＿＋＿１並びにｎ番目の第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ
   ＾２）とｎ＋１番目の第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）
   ＿＋＿１が選択されていない走査線の電位を基準にして
   同一極性である）と、ｎ番目の第１の書込み信号Ｗ＿（
   ｎ＾１）及び第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）を有する
   ｎ番目の書込み信号Ｗ＿ｎとｎ＋１番目の第１の書込み
   信号Ｗ＿（ｎ＾１）＿＋＿１及び第２の書込み信号Ｗ＿
   （ｎ＾２）＿＋＿１を有するｎ＋１番目の書込み信号Ｗ
   ＿ｎ＿＋＿１とを比較する手段と、ｎ番目の書込み信号
   Ｗ＿ｎとｎ＋１番目の書込み信号Ｗ＿ｎ＿＋＿１の間に
   補助信号を印加する手段とを有することを特徴とする液
   晶装置。
2. （２）前記ｎ番目の第１の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾１）と
   補助信号が選択されていない走査線の電位を基準にして
   互いに逆極性となっている特許請求の範囲第１項記載の
   液晶装置。
3. （３）前記ｎ番目の第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）と
   補助信号が選択されていない走査線の電位を基準にして
   互いに逆極性となっている特許請求の範囲第１項記載の
   液晶装置。
4. （４）前記ｎ番目の第１の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾１）及
   び第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）と補助信号が選択さ
   れてい、ない走査線の電位を基準にして互いに逆極性と
   なっている特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。
5. （５）前記補助信号が選択されていない走査線の電位を
   基準にした正極性と負極性パルスを交互に奇数個有し、
   前記ｎ番目の第１の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾１）又はｎ番
   目の第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）が、選択されてい
   ない走査線の電位を基準にして補助信号の第１番目のパ
   ルスと逆極性となつている特許請求の範囲第１項記載の
   液晶装置。
6. （６）前記ｎ番目の第１の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾１）と
   ｎ＋１番目の第２の書込み信号Ｗ＿（ｎ＾２）＿＋＿１
   との間に印加する補助信号が選択されていない走査線の
   電位を基準にして０ボルトである特許請求の範囲第１項
   記載の液晶装置。
7. （７）前記強誘性液晶がカイラルスメクチツク液晶であ
   る特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。
8. （８）前記カイラルスメクチツク液晶の膜厚がカイラル
   スメクチツク液晶のらせん構造を解消するのに十分に薄
   い膜厚に設定されている特許請求の範囲第７項記載の液
   晶装置。