JPS59190325A - 連続鋳造法を適用した鉄損の優れた一方向性珪素鋼板の製造法 - Google Patents

連続鋳造法を適用した鉄損の優れた一方向性珪素鋼板の製造法

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JPS59190325A
JPS59190325A JP58062688A JP6268883A JPS59190325A JP S59190325 A JPS59190325 A JP S59190325A JP 58062688 A JP58062688 A JP 58062688A JP 6268883 A JP6268883 A JP 6268883A JP S59190325 A JPS59190325 A JP S59190325A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は鋼板kFJ成する体心立方格子の結晶粒がミラ
ー指数で(110)〈001〉として衷わされる方位を
有する磁性の優れた一方向性珪素鉛板を連続鋳造と一回
の熱延工程とから作った熱延板(jN帯)によって製造
する方法に関するものである。
一方向性珪素鋼板は軟磁性材料として変圧器および発電
機の鉄心として使用され、磁気特性として磁化特性と鉄
損特性が良好でなければならない。
磁化特性の良否は、かけられた一定の磁場で鉄心内に誘
起される磁束密If(B8で代表)の大小によシ決まる
。磁束密度の大きい材料は電気機器を小さく出来るので
望ましい。鉄損(W1715oで代表)゛は鉄心に所定
の交流磁場を与えた場合に熱エネルギーとして消費され
る電力損失である。鉄損の良否に対しては磁束密度、板
厚、不純物量、比抵抗、結晶粒大きさの影響が知られて
いる。最近、省エネルギー動向全反映してこの鉄損の少
々い一方向性珪素鋼板の需要が増加している。
ところで、一方向性珪素鋼板は熱延と冷延によシ最終板
厚になった炉板を仕上高温焼鈍することによシ、(11
0) <001)方位を有する一次再結晶粒が選択成長
する、いわゆる二次再結晶によって得られる。二次再結
晶を生じさせるには、仕上高温焼鈍前の銅板中に微細な
MnS 、 ALN等の析出物を存在さぜることによシ
(インヒビター効果)、仕上高温焼鈍中の(110)(
001)方位以外の一次再結晶粒成長を抑える必要があ
る。このような二次再結晶を制御することによシ、正確
な(110)(001)方位粒の割合′ff:高めるこ
とによって磁束密度を高めることが出来る。磁束密度の
高い製品は電気機器の小型什と同時に鉄損の改善も可能
にするので、高磁束密匹−・方向性珪素鋼板の製造条件
の確立が1孜である。代表技術として田口悟等による特
公昭40−15644号公報および今中拓−等による特
公昭5]−13469号公報記載の方法がある。近年、
連続銃進法の工業化が稍極的に進められておシ、一方向
性珪素鋼板においても、省力化、歩留向上による製造コ
ストの低減、そして化学成分の均一化による成品長手方
向の磁性均一化を期待I7て連続鋳造工程の適用が進め
られている。
しかしながら連続鋳造スラブを1280℃以上に加熱後
、熱間圧延によシ製造した銅板を出発素材として得た成
品には、しばしば線状二次再結晶不完全部が発生し、磁
性の劣る場合があった。これらの対策として、M、F、
Li ttmanは特開昭48−53919号公報によ
多連続鋳造スラブから7回の熱延工程を経て熱延板を作
る技術を提案している。さらに坂倉昭等は特公昭50−
370’09号公報において、高磁束密度一方向性珪素
炉板の製造に際して連続鋳造したスラブから7回の熱延
工程を経て熱延板を作る技術を提案している。しかし力
から、これら先行技術は、いずれも7回の熱延工程を経
て熱延板を作る技術であシ、連続鋳造による利点を充分
に活かした技術とは言え彦い。その後、連続鋳造スラブ
を用いた製造法として、塩崎守雄等の特開昭53−19
913号公報、松本丈夫等の特開昭54−120214
号公報に示された技術が提案された。
しかしながら、これらの技術はいずれも設備の対応措置
を新たに講する必要がある。又、これらの対策を打力っ
ても線状二次再結晶不良の発生を完全に解決するには致
っていない。すなわち、最近では名工えルギーを目的と
した低鉄損一方向性珪素鋼板の要求が甚まっているが、
これに応えるためには磁束密度を高めること、Si含有
量を高めることが重要である。特に特公昭40−156
44号公報による技術は一回圧延法であるため製造コス
トが安く、高磁束密度の一方向性珪素鋼板が得られるの
で、高St化が可能になれば、鉄損向上が大である。し
かるにSi含有量を高めると二次再結晶不良の発生が急
激に増加し、特にこのような高81の場合において、連
続鋳造スラブを用いた際に発生する線状二次再結晶不良
は一層増加するため、St含有當が30%を超えると工
業的な安定生産が極めて困難になっていた。これは、坂
倉昭等による特開昭48−51852号公報に述べられ
ているようにSi含有量を増やすと二次再結晶の発生に
適切なAtNの確保が難かしくなシ、特に連続鋳造スラ
ブを用いた場合にはこの不適切fi AIHによる二次
再結晶の不良がよシ顕著になるためと考えられる。
このように、−回圧延法による高磁束密度一方向性珪素
鋼板の製造において最大の問題はS1含有量が上がると
二次再結晶が不安定になることでおる。
この方法における冶金的基本思想が、焼鈍中のα→T変
1e利用して適切なAIN状態を作ることにあるので、
Siを上げると轟然ながらα→γ変態挙動が変るため適
切なAIN状態に制御することが困難になると考えられ
、高Stになるほど二次再結晶不良が増加することと対
応する。
本発明者等は連続鋳造スラブを用いた場合に発生する二
次再結晶不良部を完全に防止し、特にSt含有量が上が
ると増加する二次再結晶不良全軽減した1回圧延法によ
る高磁束密度一方向性珪素鍔板を安定して製造出来る方
法を開発した。そして、さらに画期的々ことに、この方
法によれば従来から一方向性珪素鉛板の製造において必
須であるとされていた熱間圧延に先立って行なわれるス
ラブ加熱温度として1280℃を超える高温加熱を必ず
しも必要としないこと、むしろ低温度でのスラブ加熱温
度の域、合に、一層良好な鉄損の得られることを見い出
した。特公昭40−1564.4号公報に基づいた高磁
束密度一方向性珪紫儒板の製造法においては、二次再結
晶の発生に必要な析出分散相であるMnS 、 AAN
 f適切な分散状態にする必要から、熱延時のスラブ加
熱温度を筒くすることが行なわれていた。特に特公昭4
0−15’644号公報記載の方法の改良に係る坂倉昭
等による特開昭48−51’852号公報記載の方法の
ように、si含有量が増えると熱延中のA7N析出が高
温度域から始壕るためスラブを高温度に加熱する皇が必
要である。
例えば2.8チSlでは1250℃以上、3.05チS
tでは1350℃である。このように鉄損向上のため8
1量を増すとスラブ加熱温度を高める事が必要となシ、
スラブ加熱時の使用エネルギーの増大、加熱時のノロの
発生による歩留シ低下および補修費の増大等による製造
コスト高の問題があった。
本発明によれば、Siが3.0チ以上と高い場合でも、
スラブ加熱温度が1280℃を超えない低い温度で二次
再結晶が十分に安定して行なわれる。
むしろ得られる鉄損は高温度スラブ加熱材に比べ良好で
芝・シ、その値は現行の最高等級である日本工業規格(
、JIS )のG6 H(0,30−叫板厚で    
 1W17150が1.05 w/kg以下)以上テア
ル。
以上に述べてきたように本発明によれば、高St含有連
続鋳造スラブを用いて最高等級の高磁束密度一方向性珪
素鋼板を熱延時のスラブ加熱温度の高低に拘らず安定し
て製造出来る。即ち、本発明はC:0.025〜0.0
75%、Si:3.0〜4.5%、酸可溶性At:0.
010〜0.06’O係、N : 0.0030〜0.
0130%、S:0.007%以下、Mn :0.08
〜0.45%、P : 0.015〜0.045%、C
r:007〜0.25%残部Feおよび不可避不純物よ
シ成る一方向性珪素鍔板用連続鋳造スラブを予備熱間圧
延することなく加熱した後、熱間圧延によシ熱延板とな
し、次いで該熱延板を850〜1200℃の範囲で短時
間連続焼鈍後、圧下率80%以上の強圧下冷間圧延によ
シ最終板厚となし得られた冷延板を湿水素雰囲気中で連
続脱炭焼鈍し、次いで焼鈍分離剤を塗布して仕上高温焼
鈍を行なうことを特徴とする鉄損の優れた一方向性珪素
鉛板の製造法を要旨とするものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
まず、本発明の鏑成分の限定理由について述べる。本発
明で用いる溶鉛は、その溶製方法として転炉、電気炉、
平炉等どのような方法でも良いが、成分含有量は次の範
囲に入る必要がある。
Cは0.025%未満になると二次、再結晶が不安定に
なシ、かつ二次再結晶した場合でも磁束密度が悪いので
(Bloで1.80 T以下しか得られない)0.02
5%以上で々ければ女らない。一方、Cが多くなり過ぎ
ると脱炭焼鈍時間が長くなシ、経済的でないので0.0
75%以下とした。
Stは4.5%を超えると冷延時の割れが著るしくなる
ので4.5’fi以下とした。又、3.0%未満でゆ粂
品厚0.30mmでW1715oが1.05 WA9以
下の最高等級の鉄損が得られないので3.0%以上とし
た。
望ましくは32%以上である。
本発明では二次再結晶に必要な析出物としてAtNを用
いる。したがって必要最低量のAINを確保するために
酸可溶性Atとして0.010%以上、Nとして0.0
030%以上が必要である。酸可溶性AAが0.060
%を超えると熱延板のAINが不適切となシ、二次再結
晶が不安定になるので0.060係以下とした。Nにつ
いてはOlo 130qbを超えるとテリスターと呼ば
れる“鋼板表面のふくれ″が発生するので(1,013
0°チ以下とした。
本発明の特徴の一つはS含有量を0.007係以下にす
ることにある。インヒビターとしてAtNを用いて一回
圧延法で高磁束密度一方向性珪素鋼板を製造するに際し
、特公昭40−156.44号公報に開示されているよ
うにSは磁性を得るだめの必須元素である。又特公昭4
7−25250号公報に示されるように、Sは二次再結
晶を生じさせるに有効な析出物であるMnSを形成させ
るのに必要である。これら公知の技術においてSは二次
再結晶に有効であるとして規定されている。
しかし、Sの含有が二次再結晶に有害であるということ
は知られていなかった。本発明者等は、AtNをインヒ
ビターとして用いる一回圧延法で高磁束密度一方向性珪
素銅板を製造するに際し、S含有量を0.007係以下
に少なくすることによシ、連続鋳造スラブを素材とした
場合に発生する線状二次再結晶不良および高SL含有ス
ラブを素相とした場合に発生する二次再結晶不良(これ
は熱延時のスラブ加熱温度が低くなると特に著るしく発
生するが)が無くなることを見い出した。
第1図はC:0.058%、81 :3.35%、Mn
:0.23係、P:0.036チ、酸可溶性At:0.
03]%、N:O,(1085%、Cr:0.13%’
r含み、さらにSが0.002〜0.033係である連
a&#J造スラブ11410℃に加熱後、熱延によシ2
、3 mynの熱延板とし、1150℃X2m1nの連
続焼鈍後に冷延により0.30 mmとし、湿水素中で
850℃X 2 m1nO脱炭焼鈍を行表い、焼鈍分離
剤としてMg0i?布12.1200℃X20hrの仕
上高温焼鈍を行々って得られた成品の憩状二次再結r・
不良の発生率を示す。S含有量が少なくなるほど紛状二
次再結晶不良の発生が少なく、0.007係以下では全
く発生しなくなることが分る。
121gはC: 0.050 %、Si : 3.45
 %、Mn :0.25つ、P:0.040係、酸可溶
性At : 0.027係、N:0.0080%、Cr
 : 0.1.8 %を含み、さらにSが0.002〜
0.035%を含有した厚さ40關の小試片−1120
0℃に加熱し、スラブ抽出徒、大気放冷で1000℃と
し、1000℃の炉中に30 sec保持し、その後3
Aスの熱延で2.3mにし、1120℃×2m1n連続
焼鈍し、さらに0.30mmに冷延し、湿水素雰囲気中
で850℃X 2 minの膜炭焼鋪し、炉針1分離剤
とじ−でMgOを塗布後に]200℃X20hrの仕上
高温焼鈍を行なった成品の二次再結晶不良発生率を示す
。第2図から分るように、S含有量が0.007係以下
の」5合に二次P結晶不良の発ケは熱い。Sが0007
φ以下(・範囲では3fが少ないに、ど二次再結晶が若
干安定する。また澄釘段階でSを下げておけば、仕上高
い焼jaP時の113.8処理が容易になるので望まし
い。現状の溶ル11技術ではコストi高くせずにSを若
易に下げ得る範囲として0001チ以上が一般的である
本発明の第二の特徴はMn、Pにある。本発明では素材
中のS含有りを少なくすることを4ぐぞtとし7ている
のでMnSの存在が無く外シ成品の磁束密度が悪くなる
。しかしながら、かかるPS材の場合でも素材中のり、
in、P含有量を適切な分にすることによって、磁束密
度が向上することを本発明者等は見い出した。
第3図はC:0,060チ、Si:3.33%、S:0
.004係、酸可溶性At:0.032%、N:0.0
090%、Cr : 0.15qbを含む連続鋳造スラ
ブを1350℃に加熱後、熱延によって板厚2.3団の
熱延板とし、1150℃×2m1nの連続焼鈍後に冷延
によI) 0.30 mとし、湿水素雰囲気中で850
℃X2m1nO脱炭焼鈍を行ない、焼鈍分離剤としてM
gOを塗布し、1200℃X20hrの仕上高温焼鈍を
行たって得られた成品の磁束密度(B、。)に及ぼすス
ラブ中のMn、P含有量を示す。
Mn量が少なくなると二次再結晶が不宏定になシ、多く
なるとB10が高くなるが、一定以上添加しても改善効
果に差が無く添加合金量が多くなシネ経済である。Pに
ついてはその含有量が少ないとB10が悪く、他方多く
な゛ると冷延時に割れる頻度が多くなシ、又二次再結晶
不良の発生割合が多くなる。以上のことがらBloが高
く、かつ二次再結晶が安定し、ておシ、割れ問題の少な
い範囲と17てMn : 0.08〜0.45 %、P
 : 0.015〜0.045係を本発明の範囲とした
。(第3図において×はB、。<1.80、△は1.8
0≦B、。(1,89、○は]、、 89≦B1o< 
L 92.0は1.”92 <、、Bloり193、■
は1.93〈Bloである。単位Teala)M4図は
C: 0.045%、St : 3.35%、s二〇、
002’%、酸可溶性At:0.028%、N:0.0
075%、cr:o、is%を含む厚4o笥の小試片を
1150℃に加熱し、スラブ抽出後に3パスの熱延で2
.3關厚の熱延板とし、(この時の熱延完了温度は約8
20℃であった。)11”20℃X 2 min連続焼
鈍し、さらに0.30圏に冷延し、湿水素雰囲気中で脱
炭焼鈍し、焼鈍分離剤としてMgOi塗布後に1200
℃X20hrの仕上高温焼鈍を行なった成品の磁束密度
(Blo)に及ぼすMn、Pの影響を示す。第3図に示
した1410℃スラブ加熱材に比べ全体としてB10が
0:01〜0.03Tだけ但くなっているが、MnとP
の影響傾向は第3図の場合と同じである。(第4図にお
いて×はBlo<1.80、Δは1.80≦B1o <
 iys g、○ハ1.89<B、。<1.91. Q
は1.91<B、。テある。単位Teala ) 本発明の第三の特徴はCrを適尚月だけ含有させること
により、磁性を安定化させることにある。
特公昭4045644号公報に開示されている技術は高
磁束密度が得られるが、鋼中酸可溶性11号を狭い範囲
に制御する必要がちり工業釣力安定生産を行なうだめに
は問題がある。本発明に基づく製造法もインヒビターと
してAノNを用いることから、高磁束密度を得るために
は鋼中酸可溶性Aノを厳密に制御する必要がある。本発
明者等はさらに研究した結果、適当量のCrを鋼中に含
有させることにより、高磁束密度の得られる酸可溶性A
、!量の範囲が拡がることを見い出した。さらにCr含
有の素材から製造した成品は、同−磁束密度下での鉄損
が456れていることを見い出した。
第5図はC: 0.06 %、Si : 3.33 %
、Mn :0.30チ、P:0.035%、酸可溶性A
l: 0.029係、N:(10090チ金含む連続@
造スラブ全1350℃に加熱板、熱延によって板厚2.
3關の熱延板とし、1120℃X 2 min連続焼鈍
し、さらに0.30mgに冷延し、湿水素雰囲気中で脱
炭焼鈍し、焼鈍分離剤としてMgO’i塗布し、120
0℃X20hrの仕上焼鈍を行なって得られた成品の磁
束密度(Blo)と鉄損(W17150 )の関係に及
ぼすCrの影響を示す。Cr量が多くなると同−磁束密
度下での鉄損が良くなることが分る。
Cr量がさらに多くなっても、特に効果が増加すること
もなく、むしろ脱炭焼鈍時の脱炭速度が遅れるという問
題が生じるので0,25%を超えるCr添加は不適であ
る。
以上に述べた範囲の成分を含む溶鋼を連続鋳造によりス
ラブとなし7、熱間圧延によシ熱延板とする。本発明の
一つの目的が連続鋳造スラブを用いる事による利点の適
用にあるので、連続鋳造スラブが限定範囲になる。しか
し、連続鋳造設備金持た左い場合に、分塊法によるスラ
ブを用いても特に問題はカい。
次にスラブ加熱温度について述べる。本発明で限定した
成分範囲の場合、スラブ加熱温度が高いほど磁束密度は
高くなる。しかし第6図に示すように、本発明によれば
高磁束密度を得るためにスラブ加熱温度として従来にお
いては必須とされていた1300℃を超える高温加熱が
必ずしも必要でたくなる事を見い出した。さらに、画期
的なことに同−磁束密度下の比較ヲした場合に、むしろ
スラブ加熱温度の借いものほど鉄損が大巾に良いことを
見い出した。スラブ加熱温度の高い場合、磁束密度が高
く最高等級のG6H以上が得られ、さらに成品の磁区制
御処理(例えばレーザー照射)を行ガえは鉄損は一段と
向上する。スラブ加熱温度が低い場合、同−磁束密度下
での鉄損が良く最高等級のG6H以上が十分に得られる
ので製造コスト減を目的にしてスラブ加熱時にノロ発生
の無い1280℃以下全本発明では採用し、得る。
第6図はC:0.050%、Si:3.45%、Mn:
025係、S:0.002%、P:0.040チ、酸可
溶性At : OO27%、N:0.0080%、Cr
二〇、18%を含有した連続鋳造スラブを加熱後、熱延
によシ2.5mの熱延板とし、1120℃×2m1nの
連続焼鈍後に冷延により板厚0.30晒とし、湿水素雰
囲気中で850℃X 2 minの脱炭焼鈍を行ない、
焼鈍分離剤としてMgOi塗布し、1200℃×20h
rの仕上焼鈍1養って得られた成品のvj重密度に及は
すスラブ加熱温度の影響を示す。
この図から、スラブ加熱温度が高いほど磁束密度が高く
なシ、1300℃以上で特に高くなるととが分る。しか
し、高磁束密度を得るために従来必須とされていた13
00℃を超える湯度は必ずしも必要ではなく、よシ低添
加熱でもよいことが分る。他方スラブ加熱温度が高すぎ
ると加熱炉が設備的に耐えられ々〈なシ、1430℃が
工業生産上では上限になる。スラブ加熱温度の下限は特
に決める必要はないが、1050℃よシ下ると熱延時の
必要動力が大きくなシ、又鋼板形状も悪くなるので、工
業的安定生産のためには1050℃以上が望ましい。
第7図は第3図に示した同一条件で、スラブ加熱温度の
み全1150℃に変更して行なって得られた成品にコロ
イダルシリカを主成分とする張力コーティングを行なっ
た後の磁性を示す。スラブ加熱温度の低い場合の磁性は
高い場合に比べ、同一磁束密度下での鉄損が良い。この
理由は、がならずしも明確では無いが、低温スラブ加熱
による成品の結晶粒界は不規則であり、又直径2闘前後
の微少結晶粒が混在し、ている事が関係していると考え
られる。
以上のように低温スラブ加熱で最高等恕の鉄損を可能に
した本発明では、次のよう左利点のある熱延方法を容易
に用いイSる。
最近の連続鋳造技術の進歩によ多連続鋳造の生産性が連
続熱延様の能力に匹敵するほど大きくなったため、連続
応5造機と連続熱延機を直結して材料を流しても、連続
熱延材の材料待ち時間が無くなった。そこで、連続鋳造
後にスラブを冷却することなく、スラブ顕熱を利用して
直接に熱延する方法、あるいはスラブ湿度特に表面温度
が若干下がった場合には伎熱炉に装入するか、ごく簡単
な普通値用の加熱炉で炉時間加熱した後、熱延する方法
である。このよう々熱延方法は省エネルギーを目的に普
通鋼の製造において、盛んに行なわれつつある。しかし
ながら、一方向性電磁鋼板においては高温度、長時間の
スラブ加熱が必要であったため、一方向性電磁鉛板専用
の高温スラブ加熱炉全設置する必要がちシ、連続鋳造と
連M熱延の直結工程の採用が出来なかった。本発明のよ
うに低温スラブ加熱でも良いということになると、直結
工程の採用が容易になシ、普通鋼なみの効率的な熱延が
可能になる。さらに、鋳造後に冷却しない直結工程にな
ると珪素鋼特有の次のような利点がある。すなわち、S
iを含有するスラブは熱伝導が悪いため、スラブ冷却中
に表層部と中心部との温度差が大きくなり、熱応力が発
生し、スラブ内部割れが生じ、歩留シ侭下になるが、直
結工程のようにスラブ冷却をしない場合にはこのスラブ
内部割れの問題が解消する。
以上のようにして得た熱延板は850〜1200℃の範
囲で短時間の連続焼鈍を行なう。焼鈍温度が850℃未
満では高磁束密度が得られず、1200℃を超えると二
次再結晶が不完全となる。
焼鈍時間として30分を超えると生産能率が極めて悪く
なシ、30 gee未満では熱処理の効果がほとんど無
くなる。
熱延板の連続焼鈍後、冷延により最終板厚とする。本発
明では高磁束密度一方向性珪素鋼板を得ることを目的と
しているので冷延圧下率として80係以上の強圧下が必
要である。次に湿水累算囲気中で脱炭焼鈍を行なう。脱
炭焼鈍は脱炭及び−次男結晶を行なわせると同時に成品
表面の絶縁皮膜の形成に必要な酸化層を生成させる役割
を持っている。脱炭焼鈍後の鋼板狭面には仕上高温焼鈍
時における焼付防止及び成品表面の絶縁皮膜形成のため
に焼鈍分離剤を塗布する。焼鈍分離剤としてはMgOを
主成分としその他目的に応じてTlO2#At20. 
# CaOr S化合物、S化合物、N化合物を添加し
たものを用いることが出来る。引続いて仕上高温焼鈍を
行なう。この焼鈍は二次再結晶、純化および成品表面に
MgOと5IO2の混合物であるフォルステライトを主
成分とする絶縁皮膜を形成させることを目的としておシ
、通常1100℃以上で5 hr以上水素又は水素を含
んだ混合雰囲気中で行なう。本発明において採用する前
記の仕上高温焼鈍条件として、二次再結晶の行なわnる
温度範囲を徐加熱することが高い磁束密度を安定して得
るため(C%に効果的である。この二次再結晶温度範囲
を徐加熱する操作の冶金的考え方は、従来力・ら知られ
ているように(110)(001)方位からの傾きの小
さい二次再結晶粒はど低い温度で発生するという事実か
ら、徐加熱で行なうことによって、低い温度で発生した
(110)<001)方位に近い二次再結晶粒の成品に
占める体積割合を増やし磁束密度を高めようとするもの
でちる@S含有量の少ない本発明の場合、すなわち微a
 MnSによる結晶粒成長に対する抑制機能の小さい場
合には、低い温度範囲での粒成長が比較的大きいので、
徐加熱することによ!D (110)<001)方位に
近い低温度で発生した二次再結晶粒の成品に占める体積
割合を増やし、磁束密度を高めることが特に効果的に行
なえる。
第8図はC: 0.060% 、 Si : 3.42
%、 Mn :0.25係、 S : 0.002f)
、 P : 0.040係、酸可溶性ht:0.032
%、 N : 0.009%、cr:o、t5%を含む
連続鋳造スラブを1410℃に加熱後、熱延ににって板
厚2.3mmの熱延板とし、1150℃×2rnlnの
連続焼鈍後に冷延によシ0.30閣とし、湿水素雰囲気
中で850℃X 2m1nO脱炭焼鈍を行ない、焼鈍分
離剤としてMgOを塗布し、1200℃X 20 hr
の仕上高温焼鈍を行なって得られた成品の磁束密度(B
lo)と仕上高温焼鈍時の700〜1100℃の温度範
囲における加熱速度の関係を示す図である。この図より
加熱速度が遅いほど磁束密度が高くなり、特に15 u
/hr以下で顕著に高くなることがわかる。加熱速度が
15℃/hr以下の  □範囲内では、磁束密度は大き
く変らない。この700〜1100℃範囲の徐加熱を行
ない二次再結晶が完了した後は、鋼中のN、Sを出来る
だけ少なくするため1200℃前後の高温で純H2中に
おいて純化焼鈍を行なうのが一般的である。
以上、詳述したように、本発明は安価に製造出来、かつ
成品長手方向の成分均一による磁性均一という工業的安
定生産が可能でおる連続鋳造スラブを出発素材とするに
際し、熱延時のスラブ加熱温度が高い場合には線状二次
再結晶不良の発生を防止、(特に高si材で一層顕著に
なるが)して高磁束密度成品でかつ高級鉄損を可能にし
た。又熱延時のスラブ加熱温度が低い場合には高81材
でも二次再結晶不良を発生させず、かつ低温スラブ加熱
温度特有の成品結晶粒の特徴から高級鉄損を可能にした
。そして、従来の一回圧延法の製造において鋼中At制
御に極めて困難な制約がありたのを解決し、工業的安定
生産を可能にしたものである。
実施例I C: 0.060% 、 St : 3.38%、 M
n 0.20t16. P:0.040チ、S : 0
.005チ、酸可溶性At:0.033% 、 N、:
 0.0085%、Cr二0.16%を含有する溶鋼を
連続鋳造によりスラブとなし、1400℃の温度で加熱
後、熱延によシ2,3欄の熱延板を作った。
熱延板を1120℃X 2 mlH焼鈍後、0.30+
+anの最終板厚まで冷延し、湿水素雰囲気中で850
℃X 2m1nO脱炭焼鈍を行なった。さらにMgOを
塗布後、1200℃X 20 hrの仕上高温焼鈍を行
なりた。この仕上高温焼鈍の700〜1100℃の範囲
の加熱速度は10℃/h rで行なった。さらに無水ク
ロム酸を主成分とする皮膜を鋼板表面に焼付けた。成品
の圧延方向の磁性はB、。= 1.93 Teaム。
Wl、15o= 0.99 wA9であった。この成品
表面にC方向に点状のレーザ照射を行なった結果、B、
=1.93 Te5ta 、 Wl、15o= 0.8
8 W/に9と極めて優れた磁性を得た。
実施例2 C:0.053%、St :3.35%、 Mn : 
0.25% 。
P:0.035%、S:0.003チ、酸可溶性kt:
0.029  % 、N:0.008096.Cr  
:0.15%を含有する連続鋳造スラブを1150℃の
温度に加熱した後、熱延して2.3amの熱延板を作っ
た。熱延板を1080℃X 2 min焼鈍後、0.3
0調の最終板厚まで冷延し、湿水素雰囲気中で850℃
X 2 m1nQ脱炭焼鈍を行なった。さらにMgOを
塗布後、1200℃X20hrの仕上高温焼鈍を行なっ
た。この仕上高温焼鈍の700〜1100℃の範囲の加
熱速度は20℃/h rで行なりた。さらに無水クロム
酸を主成分とする皮膜を鋼板表面に焼付けた。この成品
の圧延方向の磁性はB、。=1、91 Te5ta p
 Wl 775o” 0.97 W/に9であった。
熱延時のスラブ加熱温度の低い場合、磁束密度の割に鉄
損が優れていることが分る。
実施例3 C: 0.053% 、 Si : 3.45%、 M
n : 0.23% 。
P:0.037チ、S : 0.003チ、酸可溶性A
t:0.027% 、N : 0.0090%、 Cr
 : 0.20%を含有する溶鋼を250W厚の鋳型で
連続鋳造により鋳造した。溶鋼の凝固後に冷却すること
なく速かに台車式の保熱炉に装入し、平均スラブ温度が
約1130℃になった時点で熱延し、2.3mmの熱延
板を作った。この熱延板を1080℃X 2m1n焼鈍
後、0.30maの最終板厚まで冷延し、湿水素雰囲気
中で850℃X 2 m1nO脱炭焼鈍を行なった。さ
らにMgOを塗布後、1200℃X 20hrの仕上高
温焼鈍を行なった。この仕上高温焼鈍の700−110
0℃の範囲の加熱速度は10℃/h rで行なった。さ
らに無水クロム酸を主成分とする皮膜を鋼板表面に焼付
けた。この成品の圧延方向の磁性はB1o=1、90 
Teala 、 W2,75o= 1.01 vr/k
gであった。
二次再結晶不良の発生は皆無であった。
実施例4 C:0.053q6.Si :3.45%、Mn:0.
23%。
P:0.037チ、 Sl: 0.003%、酸可溶性
At:0.027%、N+: 0.0090%、 Cr
 : 0.20%を含有する溶鋼を250W厚の鋳型で
連続鋳造によシ鋳造した。溶鋼の凝固後に冷却を出来る
だけ少なくする配慮として、連続鋳造機内の保温及び冷
えやすいスラブ端面の短時間ガス加熱を行なった。速か
に熱延機入口にスラブを移動し、スラブ断面中心が約1
200℃、そして表層部が約1050℃の時点で熱延を
開始し、板厚2.3澗の熱延板とした。
この熱延板を1080℃X 2 mll焼鈍後、0.3
0mの最終板厚まで冷延し、湿水素雰囲気中で850℃
X 2 midの脱炭焼鈍を行なった。さらにMgOを
塗布後、1200℃X 20 hrの仕上高温焼鈍を行
なった。この成品の圧延方向の磁性はB、。= 1.9
0Testa J W17150 = i、 o 3w
/kgでhつだ。
【図面の簡単な説明】
第1図はC:0.058%、81 : 3.35%、M
n: 0.23チ、P : 0.036%、酸可溶性A
t: 0.033%、N:0.0085係、Cr : 
0.13%を含み、さらにSが0.002〜0.033
チである連続鋳造スラブを1410℃に加熱後、熱延に
よ1)2.3M@の熱延板とし、1150℃X2m1n
の連続焼鈍後に冷延によ′り0.30m+aとし、湿水
素中で850′cX2minO脱炭焼鈍を行ない、焼鈍
分離剤としてMgOを塗布し、1200℃X20hrの
仕上高温焼鈍を行なって得られた成品の線状二次再結晶
不良の発生率を示す図、第2図はC:0.050%、S
l:3.45チ、Mn : 0.25%、P:0.04
0%、酸可溶性kA:0.027%、N:0.0080
%、Cr:0.18%を含み、さらにSが0.002〜
0.035係を含有した厚さ40■の小試片を1200
℃に加熱し、スラブ抽出後、大気放冷で1ooo℃とし
、1000℃の炉中に30 sec保持し、その後3パ
スの熱延で2.31にし、1126℃X2m1n連続焼
鈍し、さらに0.30w++に冷延し、湿水素雰囲気中
で850℃X 2 min脱炭焼鈍し、焼鈍分離剤とし
てMgOを塗布後に1200℃X20hrの仕上高温焼
鈍を行にった成品の二次再結晶不良発生率を示す図、第
3図はC:0.060%、Si:3.33%、S:0.
004%、酸可溶性M:0.032%、N:0.009
0%、Cr’ : 0.15%を含む連続鋳造スラブを
1350℃に加熱後、熱延によって板厚2.3簡の熱延
板とし、1150CX2minの連続焼鈍後に冷延によ
p 0.30 tmaとし、湿水素雰囲気中で850℃
X 2 m1nO脱炭焼鈍を行ない、焼鈍分離剤として
MgOを塗布し、1200℃X20hrの仕上高温焼鈍
を行なって得られた成品の磁束密度(B1o’)に及ぼ
すスラブ中のMn 、 P含有景を示す図、第4図はC
:0.045%、81 : 3.35%、S:0.00
2%、酸可溶性At:0.028%、N:0.0075
%、Cr : 0.18チを含む厚40間の小試片を1
1.50’CK加熱し、スラブ抽出後K 3 /4スの
熱延で2.3閣厚の熱延板とし、1120℃X2m1n
連続焼鈍し、さらに0.30閣に冷延し、湿水素雰囲気
中で脱炭焼鈍し、焼鈍分離剤としてMgOを塗布後に1
200’CX20hrの仕上高温焼鈍を行なった成品の
磁束密度(Blo)に及ぼすMn、Pの影響を示す図、
第5図はC: 0.06係、Si:3.33%、Mn 
: 0.30%、P:0.035%、酸可溶性At:O
,929%、N:0.0090%を含む連続鋳造スラブ
を1350℃に加熱後、熱延によって板厚2.3簡の熱
延板とし、1120℃X2m1n連続焼鈍し、さらに0
.30 mに冷延し、湿水素雰囲気中で脱炭焼鈍し、焼
鈍分離剤としてMgOを塗布し、1000℃×20hr
の仕上焼鈍を行なって得られた成品の磁束密度(Blo
)と鉄損(W17150)の関係に及ぼすCrの影響を
示す図、第6図はC:0.050%、Si:3.45チ
、Mn : 0.25 %、S:0.002%、P:0
.040%、酸可溶性At:0.027%、N:0.0
080%、Cr : 0.18%を含有した連続鋳造ス
ラブを加熱後、熱延によ、!72.5 wnO熱延板と
し、1120℃X2m1nの連続焼鈍後に冷延により板
厚0.30mmとし、湿水素雰囲気中で850℃X 2
 m1dO脱炭焼鈍を行ない、焼鈍分離剤としてMgO
を塗布し、1200℃X20hrの仕上焼鈍を行なって
得られた成品の磁束密度に及ぼすスラブ加熱温度の影響
を示す図、第7図は第3図に示した同一条件で、スラブ
加熱温度のみを1150℃に変更して行なって得られた
成品にコロイダルシリカを主成分とする張力コーティン
グを行なった後の磁性を示す図、第8図はC: 0.0
60%、sl:3.42 %XMn : 0.25%、
S:0.002%、P:0.040%、酸可溶性ht:
o、032%、N:0.0090%、Cr : 0.1
5チを含む連続鋳造スラブを1410℃に加熱後、熱延
によって板厚2.3腸の熱延板とし、1150 ℃X2
m1nの連続焼鈍後に冷延によ、j:l 0.30 t
ranとし、湿水素雰囲気中で850℃X 2 min
の脱炭焼鈍を行ない、焼鈍分離剤としてMgOを塗布し
、1200℃X20hrの仕上高温焼鈍を行々って得ら
れた成品の磁束密度(Blo)と仕上高温焼鈍時の7o
o〜11oo℃の温度範囲における加熱速度の関係を示
す図である。 $/図 S倉*蓋(’/=) 第2図 S倉有量 6%) 第3図 Mn (7,) 第4図 第5図 球求’2g  Br6 (Te5la )第6図 スラフパ力0熱湿度(r) 第7図 第8図 5   10   15   2θ   25カロ犬鵞
速席 (か/At−) 手続補正書 (自発) 昭和58年6月20日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ■、 事件の表示 昭和58年特許願第062688号 2、 発明の名称 連続鋳造法を適用した鉄損の優れた一方向性珪素鋼板の
製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 (665)新日本製鐵株式會社 代表者 武  1)   豊 4、代理人〒100 東京都千代田区丸の内二丁目4番1号 6、補正の対象 (1)明細書7頁2行「が変るため」を「が変ることに
より」に補正する。 (2)同24頁下から3行「大きく変らない。」を「大
きく変らないが、磁束密度のノくラツキは加熱速度が小
さいほど少なくなる。しかしながら経済的効率を考える
と7℃/h r程度が下限となる。」に補正する。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)   C二 0.0 2 5−70.0 7 5
      %、Si   :  3.0 〜4.5チ、酸可溶
    性At:0.010〜0.060受、N:0.0030
     〜 O,0130%  、  S 二 0.00’7
      チ 以下、Mn : 0.08〜0.45%、p:
    0.015〜0、04.5%、Cr : 0.07〜0
    .25%、残部Feおよび不可避不純物よシ成る一方向
    性珪素銅板用連続鋳造スラブを熱間圧延によシ熱延板と
    なし、次いで該熱延板を850〜1200℃の範囲で短
    時間連続焼鈍後、圧下率80チ以上の強圧下冷間圧延に
    よシ最終板厚となし、得られた冷延板を湿水素雰囲気中
    で連続脱炭焼鈍し、次いで焼鈍分離剤を塗布して仕上高
    温焼鈍を行なうことを特徴とする鉄損の優れた一方向性
    珪素鋼板の製造法。
  2. (2)仕上高温焼鈍に際しての加熱時に700〜110
    0℃の範囲を15℃/hr以下の加熱速度で加熱外淵す
    ることを特徴とする特許請求の範囲部1項記載の方法。
  3. (3)一方向性珪累州1板用連続銑造スラブを1280
    ℃を超えない温度に加熱した後、熱間圧延によシ熱延板
    とする特許請求の範囲第1項記載の方法。
  4. (4)  一方向性珪素銅板用連続鋳造スラブを128
    0℃以上の温度に加熱した後、熱間圧延によシ熱延板と
    する特許請求の範囲第1項配りの方法0
  5. (5)連続鋳造スラブを冷却することなく、スラブ顕熱
    を利用して連続鋳造彼に直接熱間圧延すること全特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の方法。
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