JPS59186120A - 磁気記録フレキシブルデイスク - Google Patents
磁気記録フレキシブルデイスクInfo
- Publication number
- JPS59186120A JPS59186120A JP58060041A JP6004183A JPS59186120A JP S59186120 A JPS59186120 A JP S59186120A JP 58060041 A JP58060041 A JP 58060041A JP 6004183 A JP6004183 A JP 6004183A JP S59186120 A JPS59186120 A JP S59186120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- humidity
- maximum
- film
- temperature
- flexible disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明はトラッキングミスを回避できる磁気記録フレ
キシブルディスクに関する。更に詳しくは、高いトラッ
ク密度記録の可能な磁気記録フレキシブルディスクに係
る。
キシブルディスクに関する。更に詳しくは、高いトラッ
ク密度記録の可能な磁気記録フレキシブルディスクに係
る。
従来技術
磁気フレキシブルディスク記録再生装置自体に、温度変
化を抑制する機構やトラック検出の特別な回路(トラッ
クサーボ等)を設けることによって、トラッキングミス
を防止することが従来から知られている。もっとも、こ
れらの手段では記録再生装置が′f1雑となるので汎用
的ではない。実際的には、基材フィルムや磁気材料に可
能な限り、熱膨張率及び湿度膨張率の小さい材料を選択
することによって、磁気フレキシブルディスクを造り、
1〜ラツキングミスを防止する手段が採られている。
化を抑制する機構やトラック検出の特別な回路(トラッ
クサーボ等)を設けることによって、トラッキングミス
を防止することが従来から知られている。もっとも、こ
れらの手段では記録再生装置が′f1雑となるので汎用
的ではない。実際的には、基材フィルムや磁気材料に可
能な限り、熱膨張率及び湿度膨張率の小さい材料を選択
することによって、磁気フレキシブルディスクを造り、
1〜ラツキングミスを防止する手段が採られている。
しかしながら、この様な磁気フレキシブルディスクでも
高温(40〜50°C)及び/又は高湿(約80%RH
)で使用すると、トラッキングミスが発生する。特に低
温(10℃程度)ないし低湿(20%RH程度)の条件
下で記録した磁気フレキシブルディスクは、常温(25
℃程度)及び通常の湿度(60%RH程度)雰囲気のも
どで再生するとトラッキングミスが発生するという欠点
があった。このトラッキングミスによって、出力エンベ
ロープの低下が起り、S/N比が悪くなるという問題は
未だ未解決である。
高温(40〜50°C)及び/又は高湿(約80%RH
)で使用すると、トラッキングミスが発生する。特に低
温(10℃程度)ないし低湿(20%RH程度)の条件
下で記録した磁気フレキシブルディスクは、常温(25
℃程度)及び通常の湿度(60%RH程度)雰囲気のも
どで再生するとトラッキングミスが発生するという欠点
があった。このトラッキングミスによって、出力エンベ
ロープの低下が起り、S/N比が悪くなるという問題は
未だ未解決である。
発明の目的
本発明者は上記の欠点を解消するため研究を重ねた結果
、ポリ−1,4−シクロヘキシレンくジメチレンテレフ
タレート)系ポリエステルよりなる2軸配向フイルムの
温度及び湿度膨張率を特定範囲に調整することによって
、寸法安定性の高いフィルムを得、これを基材として磁
気記録フレキシブルディスクを造ることによって、トラ
ッキングミスの発生を回避できることを児出し本発明に
到達した。
、ポリ−1,4−シクロヘキシレンくジメチレンテレフ
タレート)系ポリエステルよりなる2軸配向フイルムの
温度及び湿度膨張率を特定範囲に調整することによって
、寸法安定性の高いフィルムを得、これを基材として磁
気記録フレキシブルディスクを造ることによって、トラ
ッキングミスの発生を回避できることを児出し本発明に
到達した。
本発明の目的は、使用可能な雰囲気条件湿度。
湿度範囲を拡大し、高温・高湿の条件でもトラックミス
が発生しない様に改良した磁気記録フレキシブルディス
クを提供することにある。
が発生しない様に改良した磁気記録フレキシブルディス
クを提供することにある。
更に、この様な温度・湿度による寸法安定性の高い磁気
記録フレキシブルディスクは、磁気記録の高密度化、就
中、トラック密度の向上を可能にするものであって、か
ようなディスクを提供することも本発明の仙の目的であ
る。
記録フレキシブルディスクは、磁気記録の高密度化、就
中、トラック密度の向上を可能にするものであって、か
ようなディスクを提供することも本発明の仙の目的であ
る。
発明の構成
本発明の、酸成分の80モル%以」二がテレフタル酸よ
り構成されたポリ−1,4−シクロヘキシレンくジメヂ
レンテレフタレ−1−)系ポリエステルからなる2軸配
向フイルムを基材とし、該フィルムの長手方向及び[1
]方向を含む而にお(プる最大の温度膨張率が9〜25
×1い°C−1.最大の湿度膨張率がO〜8.0X10
’℃(%Rl−1) −’ 、最大と最小との温度膨張
率の差がO〜B、0X104°C−1、かつ最大と最小
と湿度膨張率の差がO〜30X 10’ (%RH)−
’であるものに磁性層を塗設し、かつカレンダーロール
処理を施して表面を平滑化せしめてなる磁気記録フレキ
シブルディスクである。
り構成されたポリ−1,4−シクロヘキシレンくジメヂ
レンテレフタレ−1−)系ポリエステルからなる2軸配
向フイルムを基材とし、該フィルムの長手方向及び[1
]方向を含む而にお(プる最大の温度膨張率が9〜25
×1い°C−1.最大の湿度膨張率がO〜8.0X10
’℃(%Rl−1) −’ 、最大と最小との温度膨張
率の差がO〜B、0X104°C−1、かつ最大と最小
と湿度膨張率の差がO〜30X 10’ (%RH)−
’であるものに磁性層を塗設し、かつカレンダーロール
処理を施して表面を平滑化せしめてなる磁気記録フレキ
シブルディスクである。
この磁気記録フレキシブルディスクは、前記、ポリ−1
,4−シクロヘキシレン、ジメチレンテレフタレート系
ポリエステル2軸配向フイルム上に磁性層を塗布し乾燥
して、更に表面平滑化のためにカレンダー処理を施すこ
とによって19られる。
,4−シクロヘキシレン、ジメチレンテレフタレート系
ポリエステル2軸配向フイルム上に磁性層を塗布し乾燥
して、更に表面平滑化のためにカレンダー処理を施すこ
とによって19られる。
3−
また、ポリ−1,4−シクロヘキシレン、ジメチレンテ
レフタレート系ポリエステル2軸配向フイルムは上記の
温度・湿度膨張率の条件を満足するように、製膜条件を
適宜にコントロールすることによって製造することがで
きる。
レフタレート系ポリエステル2軸配向フイルムは上記の
温度・湿度膨張率の条件を満足するように、製膜条件を
適宜にコントロールすることによって製造することがで
きる。
本発明の磁気記録フレキシブルディスクは、磁性層と基
材フィルムとによって構成されている。
材フィルムとによって構成されている。
磁性層は磁性粉体或は金属よりなる。本発明に使用する
強磁性粉体又は金属としてはγ−Fθ203゜6含有の
γ−F11203 、 Fl1304 、 Co含有の
Fe2O4゜CrO2,Co Ni P合金、 C
o Ni Fe合金、Co−Cr合金、Co−N五
合金、バリウムフェライト等、公知の強磁性体が使用で
きる。
強磁性粉体又は金属としてはγ−Fθ203゜6含有の
γ−F11203 、 Fl1304 、 Co含有の
Fe2O4゜CrO2,Co Ni P合金、 C
o Ni Fe合金、Co−Cr合金、Co−N五
合金、バリウムフェライト等、公知の強磁性体が使用で
きる。
本発明で磁性粉体と共に使用されるバインダーとしては
、公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂。
、公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂。
反応型樹脂又はこれらの混合物である。具体的には、塩
化ビニール酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル塩化ビニリ
デン共重合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、
アクリル酸エステルアクリロニトロル共重合体、アクリ
ル酸エステル塩化ビニ4− リデン共巾合体、アクリル酸エステルスチレン共重合体
、メタクリル酸エステルアクリロニトリル共重合体、メ
タクリル酸エステル塩化ビニリデン共重合体、メタクリ
ル酸ニスチルスチレン共重合体、ウレタンエラス1−マ
ー、ポリフッ化ビニル。
化ビニール酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル塩化ビニリ
デン共重合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、
アクリル酸エステルアクリロニトロル共重合体、アクリ
ル酸エステル塩化ビニ4− リデン共巾合体、アクリル酸エステルスチレン共重合体
、メタクリル酸エステルアクリロニトリル共重合体、メ
タクリル酸エステル塩化ビニリデン共重合体、メタクリ
ル酸ニスチルスチレン共重合体、ウレタンエラス1−マ
ー、ポリフッ化ビニル。
塩化ビニリデンアクリロニトリル共重合体、ブタジェン
アクリロニトリル共重合体、ポリミアド樹脂、ポリビニ
ルブチラール、セルロース誘導体(セルロースアセテー
トブチレート、セルロースダイアセテート、セルロース
1〜リアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロ
セルロース等)。
アクリロニトリル共重合体、ポリミアド樹脂、ポリビニ
ルブチラール、セルロース誘導体(セルロースアセテー
トブチレート、セルロースダイアセテート、セルロース
1〜リアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロ
セルロース等)。
スヂレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂。
クロロビニルエーテルアクリル酸エステル共重合体、ア
ミノ樹脂、名神の合成ゴム系の熱可塑f1樹脂およびこ
れらの混合物等が使用される。
ミノ樹脂、名神の合成ゴム系の熱可塑f1樹脂およびこ
れらの混合物等が使用される。
支持体フィルム十への前記の磁性層を塗布する方法とし
ては、エアードクターコート、ブレード]−ト、エアナ
イフコート、スクイズコート、含浸コート、リバースロ
ール]−ト、トランスファーロールコート、グラ上アコ
−1−,キスコート。
ては、エアードクターコート、ブレード]−ト、エアナ
イフコート、スクイズコート、含浸コート、リバースロ
ール]−ト、トランスファーロールコート、グラ上アコ
−1−,キスコート。
キャスト]−ト、スプレィコート等が利用できる。
基体フィルムには磁性層を0.1〜20μの厚さに塗布
する。本発明における基体フィルムであるポリ−1,7
1−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート系ポリ
エステルとしては、二塩基酸成分のうち80モル%以上
がテレフタル酸より成り、グリコール成分は1,4−シ
クロヘキサンジメタツールのシスまたはトランス異性体
より選ばれたグリコールである。テレフタル酸以外の二
塩基酸成分としては、イソフタル酸、フタル酸、アジピ
ン酸。
する。本発明における基体フィルムであるポリ−1,7
1−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート系ポリ
エステルとしては、二塩基酸成分のうち80モル%以上
がテレフタル酸より成り、グリコール成分は1,4−シ
クロヘキサンジメタツールのシスまたはトランス異性体
より選ばれたグリコールである。テレフタル酸以外の二
塩基酸成分としては、イソフタル酸、フタル酸、アジピ
ン酸。
セパチン酸、コハク酸、シュウ酸等の二塩基酸が例示さ
れる。好ましくは、イソフタル酸である。
れる。好ましくは、イソフタル酸である。
本発明において用いる1、4−シクロヘキサンジメタツ
ールは、ジメチレンテレフタレートまたはテレフタル酸
の接触還元によって製造されたもの等の製造があるがい
ずれの方法で製造されたものでも支障がない。
ールは、ジメチレンテレフタレートまたはテレフタル酸
の接触還元によって製造されたもの等の製造があるがい
ずれの方法で製造されたものでも支障がない。
1.4−シクロヘキサンジメタツールのシス体とトラン
ス体との比は特に制限するものではないが、シス体/ト
ランス体−4/6〜0/10の範囲のものが好ましい。
ス体との比は特に制限するものではないが、シス体/ト
ランス体−4/6〜0/10の範囲のものが好ましい。
前記ポリ−1,4−シクロヘキシレン(ジメチレンテレ
フタレ−1−)系ポリエステル中には、例えば、リン酸
、亜リン酸及びそれらのエステル等の安定剤、二酸化チ
タン、微粒子状シリカ、カオリン、炭酸カルシウム、リ
ン酸カルシウム等の艶演剤、滑剤等が含まれていても良
い。
フタレ−1−)系ポリエステル中には、例えば、リン酸
、亜リン酸及びそれらのエステル等の安定剤、二酸化チ
タン、微粒子状シリカ、カオリン、炭酸カルシウム、リ
ン酸カルシウム等の艶演剤、滑剤等が含まれていても良
い。
本発明で用いられるポリ−1,4−シクロヘキシレンジ
メチレンテレフタレート系ポリエステル2軸配向フイル
ムは、フィルムの長手方向及びl]力方向含む面におけ
る最大の温度膨張率が9〜25×10’℃″1、最大の
湿度膨張率が0〜8.OX 10’%R1−1−’、好
ましくは0〜5.0X 10’%R1−1−’であり、
しかも最大と最小との温度膨張率の差が0〜8、OX
10″6°0−1、好ましくはO〜5.OX 10’℃
−1:また最大と最小との湿度膨張率の差が0〜3.0
×104%RH−1好ましくはO〜2.5x 10’%
RH−’である。フィルム基材の温度・湿度膨張率がこ
の範囲を満足すると、フレキシブルディスクのトラッキ
ングミスは防止でき、広い温度・湿度範囲で7− の使用が可能になる。温度又は温度膨張率が上記に規定
した範囲を超えると、磁気記録フレキシブルディスクに
記録した雰囲気と異なった温度で再生した場合に、温度
膨張率・湿度膨張率の差によって磁気フレキシブルディ
スクの中心から伸びが異なり磁気ヘッドと記録トラック
がずれてトラッキングミスを発生する原因となる。この
結果、出力が変化して、ドロップアウトを生ずる。
メチレンテレフタレート系ポリエステル2軸配向フイル
ムは、フィルムの長手方向及びl]力方向含む面におけ
る最大の温度膨張率が9〜25×10’℃″1、最大の
湿度膨張率が0〜8.OX 10’%R1−1−’、好
ましくは0〜5.0X 10’%R1−1−’であり、
しかも最大と最小との温度膨張率の差が0〜8、OX
10″6°0−1、好ましくはO〜5.OX 10’℃
−1:また最大と最小との湿度膨張率の差が0〜3.0
×104%RH−1好ましくはO〜2.5x 10’%
RH−’である。フィルム基材の温度・湿度膨張率がこ
の範囲を満足すると、フレキシブルディスクのトラッキ
ングミスは防止でき、広い温度・湿度範囲で7− の使用が可能になる。温度又は温度膨張率が上記に規定
した範囲を超えると、磁気記録フレキシブルディスクに
記録した雰囲気と異なった温度で再生した場合に、温度
膨張率・湿度膨張率の差によって磁気フレキシブルディ
スクの中心から伸びが異なり磁気ヘッドと記録トラック
がずれてトラッキングミスを発生する原因となる。この
結果、出力が変化して、ドロップアウトを生ずる。
現状技術では磁気記録フレキシブルディスクとして最も
一般的に用いられているポリエチレンテレフタレート系
ポリエステルフィルムでは最大の温度膨張率は約17X
10’℃司、温度膨張率の最大と最小の差は8X10”
℃−1程度で、温度膨張率の面では記録再生装置の温度
膨張率とほぼ一致するものの、面内方向における温度膨
張率差によるトラムツクずれを完全に防止することはで
きない。
一般的に用いられているポリエチレンテレフタレート系
ポリエステルフィルムでは最大の温度膨張率は約17X
10’℃司、温度膨張率の最大と最小の差は8X10”
℃−1程度で、温度膨張率の面では記録再生装置の温度
膨張率とほぼ一致するものの、面内方向における温度膨
張率差によるトラムツクずれを完全に防止することはで
きない。
また湿rfI膨張率については約11x 10″G%R
l−1程度とかなり大きく湿度変化に対応したトラック
ずれは、記録再生装置の温度膨張率がOとみなせるので
かなり大きなものとなる。一方、本発明のポリ8− −1.4−シクロヘキシレン(ジメチレンテレフタレー
ト)系ポリエステルよりなる2@配向フイルムを用いる
ことによって、一般的に用いられているポリエチレンテ
レフタシー1〜系ポリエステルよりなる2軸配向フイル
ムよりも温度膨張及び湿度膨張に伴う1〜ラツクずれが
小さく、かつ渇rfI膨張率の最大値と最小値との差、
湿度膨張率の最大値と最小値との差を小さくすることに
よって、トラックずれを更に小さく抑えることができ、
広い温度・湿度範囲の雰囲気での使用に全く支障がない
。
l−1程度とかなり大きく湿度変化に対応したトラック
ずれは、記録再生装置の温度膨張率がOとみなせるので
かなり大きなものとなる。一方、本発明のポリ8− −1.4−シクロヘキシレン(ジメチレンテレフタレー
ト)系ポリエステルよりなる2@配向フイルムを用いる
ことによって、一般的に用いられているポリエチレンテ
レフタシー1〜系ポリエステルよりなる2軸配向フイル
ムよりも温度膨張及び湿度膨張に伴う1〜ラツクずれが
小さく、かつ渇rfI膨張率の最大値と最小値との差、
湿度膨張率の最大値と最小値との差を小さくすることに
よって、トラックずれを更に小さく抑えることができ、
広い温度・湿度範囲の雰囲気での使用に全く支障がない
。
しかもこの基本フィルムは磁気記録が高密度化された磁
気記録フレキシブルディスクが得られる。
気記録フレキシブルディスクが得られる。
上記の膨張特性を得るためのポリ−1,4−シクロヘキ
シレン(ジメチレンテレフタレート)系ポリエステルフ
ィルムの製膜方法は、ポリエチレンテレフタレート等の
通常のポリエステルフィルムの製膜法と同様な製造法が
適用できる。例えば、■−ダイ法、インフレーション法
等によって溶融押出された未延伸フィルムを造ることが
できる。
シレン(ジメチレンテレフタレート)系ポリエステルフ
ィルムの製膜方法は、ポリエチレンテレフタレート等の
通常のポリエステルフィルムの製膜法と同様な製造法が
適用できる。例えば、■−ダイ法、インフレーション法
等によって溶融押出された未延伸フィルムを造ることが
できる。
更に、2軸方向に延伸して2軸配向フイルムとなし得る
。この時の延伸温度は、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの場合とほぼ同様の条件で実施できるが、ポリ−
1,4−シクロヘキシレン(ジメチレンテレフタレート
)系ポリエステル中のテレフタル酸含有量によりガラス
転移温度・融点が変化するので、これに対応して溶融温
度やキャスティングドラムの温度を適宜選択する必要が
ある。
。この時の延伸温度は、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの場合とほぼ同様の条件で実施できるが、ポリ−
1,4−シクロヘキシレン(ジメチレンテレフタレート
)系ポリエステル中のテレフタル酸含有量によりガラス
転移温度・融点が変化するので、これに対応して溶融温
度やキャスティングドラムの温度を適宜選択する必要が
ある。
延伸温度としては通常80〜140℃であり、また延伸
倍率としては縦方向に3.0〜5.0倍、好ましくは3
.5〜4.5倍、横方向に3,0〜5.0倍、好ましく
は3.5〜4.5倍程度を選択する。得られた2軸配向
フイルムを150〜260℃(好ましくは180〜25
0℃)で1〜100秒熱固定することによって、本発明
の温度・湿度膨張によるトラックずれの小さいフィルム
が得られる。しかし、本発明のポリ−1,4−シクロヘ
キシレン(ジメチレンテレフタレート)系ポエステルよ
りなる2軸配向フイルムは、この様な方法で得られたも
ののみには限られない。本発明の2軸配向フイルムは、
その用途によって適宜の厚さとなし得るが、通常25〜
125μ程度の範囲から選ばれる。もつとも、この厚さ
の範囲に限定されるものではない。本発明にお(ブる特
性値の測定方法は次の通りである。
倍率としては縦方向に3.0〜5.0倍、好ましくは3
.5〜4.5倍、横方向に3,0〜5.0倍、好ましく
は3.5〜4.5倍程度を選択する。得られた2軸配向
フイルムを150〜260℃(好ましくは180〜25
0℃)で1〜100秒熱固定することによって、本発明
の温度・湿度膨張によるトラックずれの小さいフィルム
が得られる。しかし、本発明のポリ−1,4−シクロヘ
キシレン(ジメチレンテレフタレート)系ポエステルよ
りなる2軸配向フイルムは、この様な方法で得られたも
ののみには限られない。本発明の2軸配向フイルムは、
その用途によって適宜の厚さとなし得るが、通常25〜
125μ程度の範囲から選ばれる。もつとも、この厚さ
の範囲に限定されるものではない。本発明にお(ブる特
性値の測定方法は次の通りである。
(1)温度膨張率
日本自動制御ネII#の定荷重伸び試験[1(I T’
L2型)を恒温恒湿槽内に置ぎ測定を行う。測定サン
プルは予め所定の条イ![(例えば70℃30分)で熱
処理を施し、このサンプルを試験機に取付は温度20℃
・湿度60%R1−1(相対湿度)と温度40℃・湿度
60%R日との間での寸法変化を読取ることによって温
度膨張率を測定する。このときの原サンプル長は、50
5 mm、サンプル巾は1/4インチである。測定時に
加える加重は57/ 1/4インチ巾当りで一定とした
。良いサンプルが得られない場合は、真空理工社製前機
械分析装置T M −3000を用い測定することもで
きる。温度膨張率の最大値及び最小値の差をもとめる場
合は、T M −3000を用いる。サンプルの寸法は
長さ15mm、中5mmであって、湿度10℃・湿度0
%R1−1と温度40℃・相対湿度O%における寸法変
化を読取ることによって、11一 温度膨張率の最大と最小との差を知ることができる。両
者の測定法によって得られた値は完全に一致するから、
いずれの測定法でもよい。
L2型)を恒温恒湿槽内に置ぎ測定を行う。測定サン
プルは予め所定の条イ![(例えば70℃30分)で熱
処理を施し、このサンプルを試験機に取付は温度20℃
・湿度60%R1−1(相対湿度)と温度40℃・湿度
60%R日との間での寸法変化を読取ることによって温
度膨張率を測定する。このときの原サンプル長は、50
5 mm、サンプル巾は1/4インチである。測定時に
加える加重は57/ 1/4インチ巾当りで一定とした
。良いサンプルが得られない場合は、真空理工社製前機
械分析装置T M −3000を用い測定することもで
きる。温度膨張率の最大値及び最小値の差をもとめる場
合は、T M −3000を用いる。サンプルの寸法は
長さ15mm、中5mmであって、湿度10℃・湿度0
%R1−1と温度40℃・相対湿度O%における寸法変
化を読取ることによって、11一 温度膨張率の最大と最小との差を知ることができる。両
者の測定法によって得られた値は完全に一致するから、
いずれの測定法でもよい。
(2)湿度膨張率
温度膨張率を求める場合と同様に日本自動制御社製の定
荷重伸び試験機を用い、温度40℃・相対湿度90%の
条件で予め処理を施したサンプルを取付け、温度20℃
・相対湿度30%と20℃湿度7o%RHの間における
寸法変化を読取ることによって湿度膨張率を求める。サ
ンプルが長くとれない場合は温度膨張測定時と同様に真
空理工社製の熱機械分析装置を恒温恒室機に置き、前記
条件のもとて測定を行なった。この場合もいずれの方法
によって得られる値も完全に一致する。
荷重伸び試験機を用い、温度40℃・相対湿度90%の
条件で予め処理を施したサンプルを取付け、温度20℃
・相対湿度30%と20℃湿度7o%RHの間における
寸法変化を読取ることによって湿度膨張率を求める。サ
ンプルが長くとれない場合は温度膨張測定時と同様に真
空理工社製の熱機械分析装置を恒温恒室機に置き、前記
条件のもとて測定を行なった。この場合もいずれの方法
によって得られる値も完全に一致する。
(3)トラッキングずれテスト(温度変化)トラッキン
グずれテストとしては次の様な方法を用る。磁性層を塗
布し、カレンダーロールを施してディスク状に打法いた
磁気記録フレキシブルディスクを潤度15℃湿度60%
RHで記録し、そのときの最大出力と磁気シートの出力
エンベロープ12− を測定する。次に雰囲気温度を40’C湿度60%Rl
−1になる様に維持して、その温度における最大出力と
出力エンベロープを調べ、15℃湿度60%Rl−1の
時の出力■ンベロープと40℃湿度60%R1−1のど
きの出力エンベロープを比較して、1〜ラツキングの状
態を判定する。この差が小さいほど、優れたトラッキン
グ特性を有している。この差が36b以上になると、1
〜ラツキングが悪く、評価としては×であり、3db以
内のものは○として評価した。
グずれテストとしては次の様な方法を用る。磁性層を塗
布し、カレンダーロールを施してディスク状に打法いた
磁気記録フレキシブルディスクを潤度15℃湿度60%
RHで記録し、そのときの最大出力と磁気シートの出力
エンベロープ12− を測定する。次に雰囲気温度を40’C湿度60%Rl
−1になる様に維持して、その温度における最大出力と
出力エンベロープを調べ、15℃湿度60%Rl−1の
時の出力■ンベロープと40℃湿度60%R1−1のど
きの出力エンベロープを比較して、1〜ラツキングの状
態を判定する。この差が小さいほど、優れたトラッキン
グ特性を有している。この差が36b以上になると、1
〜ラツキングが悪く、評価としては×であり、3db以
内のものは○として評価した。
(4)トラッキングずれテスト(湿度変化)前項と同様
に温度25℃・相対湿度20%の雰囲気で記録し、更に
雰囲気条件を25℃・相対湿度70%に保持し、25℃
・相対湿度20%のときと25℃相対湿度70%の出力
エンベロープを比較する。前項と同様にトラッキングの
良好性を評価づる。評価方法は3項と同様である。
に温度25℃・相対湿度20%の雰囲気で記録し、更に
雰囲気条件を25℃・相対湿度70%に保持し、25℃
・相対湿度20%のときと25℃相対湿度70%の出力
エンベロープを比較する。前項と同様にトラッキングの
良好性を評価づる。評価方法は3項と同様である。
実施例
次に、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1〜4及び比較例1〜2
二塩基酸成分として、テレフタル酸を85モル%。
イソフタル酸を15モル%、グリコール成分として1.
4−シクロヘキサンジメタツールを用い、触媒として酸
化チタン0.05モル%とをオートクレーブに入れ、撹
拌下で加熱してエステル交換し、次いで重縮合して、1
,4−シクロヘキサンジメタツールとテレフタル酸及び
イソフタル酸よりなるポリ−1,4−シクロヘキシレン
、ジメチレンテレフタレート系ポリエステルを得た。
4−シクロヘキサンジメタツールを用い、触媒として酸
化チタン0.05モル%とをオートクレーブに入れ、撹
拌下で加熱してエステル交換し、次いで重縮合して、1
,4−シクロヘキサンジメタツールとテレフタル酸及び
イソフタル酸よりなるポリ−1,4−シクロヘキシレン
、ジメチレンテレフタレート系ポリエステルを得た。
一方、テレフタルM100モル%、1,4−シクロヘキ
サンジメタツール100モル%よりなるポリシクロヘキ
シレン−1,4−ジメチレンテレフタレートも同様にし
て重合を行った。比較例として、ポリエチレンテレフタ
レートを常法により重合した。
サンジメタツール100モル%よりなるポリシクロヘキ
シレン−1,4−ジメチレンテレフタレートも同様にし
て重合を行った。比較例として、ポリエチレンテレフタ
レートを常法により重合した。
この2種のポリエステルを300℃で溶融押出し、10
50μの未延伸フィルムを得た。次いで、90〜120
℃にて縦方向に3.3〜3.7倍、100〜130°C
で横方向に3.4〜3.8倍延伸し、更に200〜24
0℃において10〜30秒間熱固定して、厚み75μの
製膜条件の異なった2軸配向フイルムを得た。この様に
して得られた2軸配向フイルムに下記組成の磁性塗布液
を5μの厚さに塗布した。
50μの未延伸フィルムを得た。次いで、90〜120
℃にて縦方向に3.3〜3.7倍、100〜130°C
で横方向に3.4〜3.8倍延伸し、更に200〜24
0℃において10〜30秒間熱固定して、厚み75μの
製膜条件の異なった2軸配向フイルムを得た。この様に
して得られた2軸配向フイルムに下記組成の磁性塗布液
を5μの厚さに塗布した。
(磁性塗布液)
7” Fe 203
200fi 14 部塩化ビニールー酢酸ビニル共重合
樹脂 (tJcc製■△G +−1) 30重
量部ポリウレタン(日本ポリウレタン 工業製PP−88> 20重回部イソ
シアネー1〜化合物(日本ポリウレタン工業製]ロネー
ト1−]L ) 40重置部カーボン(平均サイ
ズ0.5μφ) 20ffiffi部ジメチルシ
ロキサン 2重量部トルエン
70重量部メチルエチルケトン
70重量部シクロヘキサノン
70重量部上記塗判を充分に混合撹拌し
、ポリシクロヘキシレン−1,4−ジメチレンテレフタ
レートフィルム士に塗布し、次いでカレンダーロール処
理を施した。この侵、外径20 Cmで内径3,8Ct
nの磁気記録フレキシブルディスクに切抜き、記録再生
装置に15− より配録再生操作を行った。シートレコーダーは360
γpmで回転し、磁気ヘッドの位置はディスクの中心よ
り8 cmとした。トラックの中は300μ、ヘッドの
材質はフェライトであった。磁気記録フレキシブルディ
スクには1MHzの信号を所定の条件で記録し、所定の
条件で再生して、出力エンベロープの差を測定した。こ
の磁気記録フレキシブルディスクの15℃、 60%R
Hの条件及び25℃。
200fi 14 部塩化ビニールー酢酸ビニル共重合
樹脂 (tJcc製■△G +−1) 30重
量部ポリウレタン(日本ポリウレタン 工業製PP−88> 20重回部イソ
シアネー1〜化合物(日本ポリウレタン工業製]ロネー
ト1−]L ) 40重置部カーボン(平均サイ
ズ0.5μφ) 20ffiffi部ジメチルシ
ロキサン 2重量部トルエン
70重量部メチルエチルケトン
70重量部シクロヘキサノン
70重量部上記塗判を充分に混合撹拌し
、ポリシクロヘキシレン−1,4−ジメチレンテレフタ
レートフィルム士に塗布し、次いでカレンダーロール処
理を施した。この侵、外径20 Cmで内径3,8Ct
nの磁気記録フレキシブルディスクに切抜き、記録再生
装置に15− より配録再生操作を行った。シートレコーダーは360
γpmで回転し、磁気ヘッドの位置はディスクの中心よ
り8 cmとした。トラックの中は300μ、ヘッドの
材質はフェライトであった。磁気記録フレキシブルディ
スクには1MHzの信号を所定の条件で記録し、所定の
条件で再生して、出力エンベロープの差を測定した。こ
の磁気記録フレキシブルディスクの15℃、 60%R
Hの条件及び25℃。
20%RHときのエンベロープは0.2 dB以下であ
った。
った。
ポリ−1,4−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレ
ート系ポリエステルを種々に製膜条件を変化させたもの
について、温度・湿度膨張率及びトラックずれテストを
行い、その結果を第1表に示した。
ート系ポリエステルを種々に製膜条件を変化させたもの
について、温度・湿度膨張率及びトラックずれテストを
行い、その結果を第1表に示した。
16−
以上の結果から明らかな通り、温湿度膨張率が適当範囲
のものは実施例1〜6で示したようにトラッキングミス
が改善されており、高温高湿雰囲気において磁気ディス
クの記録再生等の使用が可能であることが判る。これに
対し、比較例1〜3においてはトラッキングミスが発生
している。このように本発明のディスクは高トラツク密
度のフレキシブルディスクとして工業的価値が高いもの
であることが判った。
のものは実施例1〜6で示したようにトラッキングミス
が改善されており、高温高湿雰囲気において磁気ディス
クの記録再生等の使用が可能であることが判る。これに
対し、比較例1〜3においてはトラッキングミスが発生
している。このように本発明のディスクは高トラツク密
度のフレキシブルディスクとして工業的価値が高いもの
であることが判った。
発明の効果
本発明の磁気記録フレキシブルディスクは、特定のポリ
エステル、即ちポリ−1,4−シクロヘキシレンジメチ
レンテレフタレートを主成分として、長手方向と幅方向
にバランスするように2軸延伸を施したものを基材とし
、このポリエステルフィルムの表面に磁性層を設けたた
ものである。基材フィルムが、所定の温度膨張率と湿度
膨張率とを備えた場合には、磁気ディスクとしてトラッ
ク密度を高めても、トラッキングミスが生じないので、
高密度記録が可能となる利点を備えている。更に、この
磁気ディスクは、記録と再生との温度・湿度条件が相違
してもトラッキングミスがないという利点も備えている
。従って、本発明のフレキシブルディスクは、雰囲気の
変化に耐えられる、適用範囲の広いものである。
エステル、即ちポリ−1,4−シクロヘキシレンジメチ
レンテレフタレートを主成分として、長手方向と幅方向
にバランスするように2軸延伸を施したものを基材とし
、このポリエステルフィルムの表面に磁性層を設けたた
ものである。基材フィルムが、所定の温度膨張率と湿度
膨張率とを備えた場合には、磁気ディスクとしてトラッ
ク密度を高めても、トラッキングミスが生じないので、
高密度記録が可能となる利点を備えている。更に、この
磁気ディスクは、記録と再生との温度・湿度条件が相違
してもトラッキングミスがないという利点も備えている
。従って、本発明のフレキシブルディスクは、雰囲気の
変化に耐えられる、適用範囲の広いものである。
特許出願人 帝 人 株 式 会 社
手続補正書
昭和58年8 月7θ日
特許庁長官殿
1、事件の表示
特願昭 58 −60041 号
2 発明の名称
磁気記録フレキシブルディスク
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
大阪市東区南本町1丁目11番地
(300)帝人株式会社
代表者岡本佐四部
明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の欄 6 補正の内容 (1)明細書第1頁の特許請求の範囲を別紙の通り訂正
する。
の欄 6 補正の内容 (1)明細書第1頁の特許請求の範囲を別紙の通り訂正
する。
(2)同第4頁9行に、「9〜25」とあるを「9〜3
5」に訂正する。
5」に訂正する。
(3) 同第4頁10行に、[(チRH)jとあるを
[係RH−’ Jに訂正する。
[係RH−’ Jに訂正する。
(4)同第4頁12〜13行に、[0〜30X10’(
チRT()−”Jとあるを「0〜3.OX 10−’%
RH″″1.1に訂正する。
チRT()−”Jとあるを「0〜3.OX 10−’%
RH″″1.1に訂正する。
(5) 同第8頁11行に、「9〜25」とあるな「
9〜35X10 ℃ 、好ましくは9〜25」に訂正
する。
9〜35X10 ℃ 、好ましくは9〜25」に訂正
する。
e) 同第18頁第1表を、別紙の表に訂正する。
以上
2−
別紙
2、特許請求の範囲
ポリエステルフィルム基材に磁性層を設け、かつ表面を
平滑化処理してなる磁気記録ディスクにおいて、ポリエ
ステルフィルムが実質的にポリ−1,4−シクロヘキシ
レンジメチレンテレフタレートからなる二軸配向フィル
ムであり、核フィルムの長手方向及び幅方向を含む面で
の最大の温度膨張率が9〜35X10 ℃ 、最大の
湿度膨張率が0〜8,0XIORH、最大と最小との温
度膨張率の差が0〜8.0×10 ℃ 、及び最大と最
小との湿度膨張率の差がO〜3.OX 10−6壬RI
(”であることを特徴とする磁気記録フレキシブルディ
スク。
平滑化処理してなる磁気記録ディスクにおいて、ポリエ
ステルフィルムが実質的にポリ−1,4−シクロヘキシ
レンジメチレンテレフタレートからなる二軸配向フィル
ムであり、核フィルムの長手方向及び幅方向を含む面で
の最大の温度膨張率が9〜35X10 ℃ 、最大の
湿度膨張率が0〜8,0XIORH、最大と最小との温
度膨張率の差が0〜8.0×10 ℃ 、及び最大と最
小との湿度膨張率の差がO〜3.OX 10−6壬RI
(”であることを特徴とする磁気記録フレキシブルディ
スク。
Claims (1)
- ポリエステルフィルム基材に磁性層を設け、かつ表面を
平滑化処理してなる磁気記録ディスクにおいて、ポリエ
ステルフィルムが実質的にポリ=1.4−シクロヘキシ
レンジメチレンチレフタレ−1〜からなる二軸配向フィ
ルムであり、該フィルムの長手方向及び幅方向を含む面
での最大の温度膨張率が9〜25x 10″G ℃−1
,最大の湿度膨張率がO〜8.Ox 10’ Rl−4
−+ 、最大と最小との温度膨張率の差がO〜8.OX
10”−℃” 、及び最大と最小との湿度膨張率の差
が1〜3.OX 10’%Rトヒ1であることを特徴と
する磁気記録フレキシブルディスク。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58060041A JPS59186120A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 磁気記録フレキシブルデイスク |
US06/597,692 US4557982A (en) | 1983-04-07 | 1984-04-06 | Magnetic recording flexible disc |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58060041A JPS59186120A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 磁気記録フレキシブルデイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59186120A true JPS59186120A (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=13130590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58060041A Pending JPS59186120A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 磁気記録フレキシブルデイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59186120A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6282511A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Teijin Ltd | 高密度磁気記録媒体 |
JPS6284424A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Teijin Ltd | 磁気記録フレキシブルデイスク |
-
1983
- 1983-04-07 JP JP58060041A patent/JPS59186120A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6282511A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Teijin Ltd | 高密度磁気記録媒体 |
JPS6284424A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Teijin Ltd | 磁気記録フレキシブルデイスク |
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