JPS59182298A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JPS59182298A JPS59182298A JP58052734A JP5273483A JPS59182298A JP S59182298 A JPS59182298 A JP S59182298A JP 58052734 A JP58052734 A JP 58052734A JP 5273483 A JP5273483 A JP 5273483A JP S59182298 A JPS59182298 A JP S59182298A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/44—Gallium phosphide
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は液体カプセル法（ＬＥＣ法）による化合物半
導体単結晶の製造方法に関する。
導体単結晶の製造方法に関する。
一般に揮発性成分を含む化合物半導体単結晶はＬＥＣ法
により製造されている。−例としてＬＥＣ法によるＧａ
ｐ単結晶の製造装置を第１図に示す。圧力容器１内部の
石英るつぼ２内に収容したＧａｐ結晶原料および液体カ
プセル材となるＢ２Ｏ３はカーボンヒーター３により加
熱溶解されて、 Ｇａｐ融液４の液面は、これより比
重の小さいＢ２Ｏ３層５で覆われた状態になる。圧力容
器ｌ内部はあらかじめ真空置換によりＮ２ガスで満たし
、温度上昇と共に加圧して溶融時には７０気圧程度に保
ってＧａｐの分解・蒸発を防ぐ。その状態で種子結晶６
を、Ｂ２Ｏ３層５を通してＧａｐ融液４に浸漬して回転
させながら徐々に引上げ、 Ｇａｐ単結晶７を作成する
。
により製造されている。−例としてＬＥＣ法によるＧａ
ｐ単結晶の製造装置を第１図に示す。圧力容器１内部の
石英るつぼ２内に収容したＧａｐ結晶原料および液体カ
プセル材となるＢ２Ｏ３はカーボンヒーター３により加
熱溶解されて、 Ｇａｐ融液４の液面は、これより比
重の小さいＢ２Ｏ３層５で覆われた状態になる。圧力容
器ｌ内部はあらかじめ真空置換によりＮ２ガスで満たし
、温度上昇と共に加圧して溶融時には７０気圧程度に保
ってＧａｐの分解・蒸発を防ぐ。その状態で種子結晶６
を、Ｂ２Ｏ３層５を通してＧａｐ融液４に浸漬して回転
させながら徐々に引上げ、 Ｇａｐ単結晶７を作成する
。
引き上げ結晶の品質はデバイス特性に影ＩＲを及ぼすた
め、本発明が先に出願した特願昭５７−２０９６０１号
に記載のように転位密度、バックグラウンドビット（Ｂ
ｐｉｔ）歪などの少ないものが要求される。
め、本発明が先に出願した特願昭５７−２０９６０１号
に記載のように転位密度、バックグラウンドビット（Ｂ
ｐｉｔ）歪などの少ないものが要求される。
また結晶引き上げの際結晶の外周部に多結晶が発生する
場合がある。多結晶は多くの場合、成長中の結晶の外周
部液面上に発生し、その後の引き上げ結晶を多結晶化し
て単結晶の製造歩留シを低下させるので、このような多
結晶の発生を防Ｉトする必要がある。
場合がある。多結晶は多くの場合、成長中の結晶の外周
部液面上に発生し、その後の引き上げ結晶を多結晶化し
て単結晶の製造歩留シを低下させるので、このような多
結晶の発生を防Ｉトする必要がある。
従来からこれらの要求に対して種々の方法がとられてい
るが、中でも結晶の固液界面近傍の温度勾配をその結晶
に１弯したものにすることが一つの有効外方法である。
るが、中でも結晶の固液界面近傍の温度勾配をその結晶
に１弯したものにすることが一つの有効外方法である。
例えば’ｊ、Ｋｏｋｕｂｕｎ ｅｔ、 ｅｌＡｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｅｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ４１ Ｎｃ、
９ ｐ８４１（１９８２）に示す如（Ｇａｐ単結晶の転
位密度は引き上げ方向の温度勾配をゆるくすることによ
り減少する。
ｅｄ Ｐｈｙｓｅｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ４１ Ｎｃ、
９ ｐ８４１（１９８２）に示す如（Ｇａｐ単結晶の転
位密度は引き上げ方向の温度勾配をゆるくすることによ
り減少する。
Ｇａｐのバックグラウンドピット（Ｂ−ｐｉｆ）も不純
物と温度勾配の低減化によりなくすことができる。
物と温度勾配の低減化によりなくすことができる。
しかし温度勾配をゆるくすると前記した多結晶化が生じ
易くなるため無制限にゆるくすることはできず、ｆ３−
ｐｊｔのない結晶を装造することがＯｒ能な温度勾配領
域はあまシ広くない。そのため引上げ方向の温度勾配が
ゆる（、 Ｂ−ｐｉｆは生じないと思われるいくつかの
ヒーターを用いてｑａｉｒ単結晶を引上げた場合、実際
にはＢ−ｐｉｆが現われてしまうことがしばしばあり、
再現性に問題があった。温度勾配はシードホルダーに熱
電対を取り付けて測定し、るつは中心部の縦方向の勾配
で表わすのが一般的であるが、これらのヒーターの縦方
向の温度勾配にはほとんど差はな（，１３−ｐｉｆに対
する再現性の問題は明確でなかった。
易くなるため無制限にゆるくすることはできず、ｆ３−
ｐｊｔのない結晶を装造することがＯｒ能な温度勾配領
域はあまシ広くない。そのため引上げ方向の温度勾配が
ゆる（、 Ｂ−ｐｉｆは生じないと思われるいくつかの
ヒーターを用いてｑａｉｒ単結晶を引上げた場合、実際
にはＢ−ｐｉｆが現われてしまうことがしばしばあり、
再現性に問題があった。温度勾配はシードホルダーに熱
電対を取り付けて測定し、るつは中心部の縦方向の勾配
で表わすのが一般的であるが、これらのヒーターの縦方
向の温度勾配にはほとんど差はな（，１３−ｐｉｆに対
する再現性の問題は明確でなかった。
一方Ｇ ａ ｐ 争結晶の固液界面の形状は第２図に示
したように中央部（８）で僅かに下に凸であるが、周辺
に近い部分（９）では上に凸となり、外周部ｔｔａでは
鋭く下に突き出た形になっている。結晶の外周部は内部
より急冷し易く、熱歪が生じるため転位密度も非常に高
くなってｂる。一般に固液界面の形状は平らな方が均一
で歪の少ない結晶が得られる。
したように中央部（８）で僅かに下に凸であるが、周辺
に近い部分（９）では上に凸となり、外周部ｔｔａでは
鋭く下に突き出た形になっている。結晶の外周部は内部
より急冷し易く、熱歪が生じるため転位密度も非常に高
くなってｂる。一般に固液界面の形状は平らな方が均一
で歪の少ない結晶が得られる。
界面形状（はほぼ等温血になっているので界面近傍の半
径方向の温度勾配はゆるくするのが望ましい。
径方向の温度勾配はゆるくするのが望ましい。
しかしＬＥＣ法では高圧下でもあり、結晶叛面は冷却し
易く、前記したように界面外周部が鋭角になって歪を増
す原因になっている。そのため引上げ結晶にクラックが
生じたり、クラックのない引上げ結晶でも加工工程でク
ラックが入るなどの問題がある。
易く、前記したように界面外周部が鋭角になって歪を増
す原因になっている。そのため引上げ結晶にクラックが
生じたり、クラックのない引上げ結晶でも加工工程でク
ラックが入るなどの問題がある。
界面形状およびヒーターとＢ−Ｐｉｔの再現性の問ＰＯ
から、温度勾配は引上げ方向だけでなく半径方向も重要
であると考えられる。このような知見に７基き本発明者
等は多くのヒーターについてるつぼ内の半径方向の温度
勾配を調べた。直径５５咽び）ａｐ単結晶を引上げる炉
内に、熱電対全中心（Ｃｏ）および中心から２５ｃｍの
点（Ｃ１）と３５悶点（Ｃ２）に設置してるつぼ内の半
径方向の温度勾配を測定した結果、界面近傍の融液面で
Ｃｏと０１の点間では温度勾配が１１〜８，４℃にの範
囲で異なることが明らかになった。
から、温度勾配は引上げ方向だけでなく半径方向も重要
であると考えられる。このような知見に７基き本発明者
等は多くのヒーターについてるつぼ内の半径方向の温度
勾配を調べた。直径５５咽び）ａｐ単結晶を引上げる炉
内に、熱電対全中心（Ｃｏ）および中心から２５ｃｍの
点（Ｃ１）と３５悶点（Ｃ２）に設置してるつぼ内の半
径方向の温度勾配を測定した結果、界面近傍の融液面で
Ｃｏと０１の点間では温度勾配が１１〜８，４℃にの範
囲で異なることが明らかになった。
半径方向の温度勾配は種々の条件によって変化する。例
えばヒーターが異なれば温度勾配も変９、同一規格のヒ
ーターでもバラツキがあって、最高温部の位置や均熱帯
の長さが異なったシする。従ってるつぼとヒーターの相
対位Ｈによっても変化する。その他結晶回転やるつぼ回
転によっても融液の対流が変って温度勾配も変化してく
る。また、特に大容量の融液から長い大型結晶を引上げ
ると、結晶の成長につれて液面低下などにより、引上方
向だけでなく半径方向の温度勾配も相当に変り、全長に
わたって高品質な結晶を製造することが離しくなる。
えばヒーターが異なれば温度勾配も変９、同一規格のヒ
ーターでもバラツキがあって、最高温部の位置や均熱帯
の長さが異なったシする。従ってるつぼとヒーターの相
対位Ｈによっても変化する。その他結晶回転やるつぼ回
転によっても融液の対流が変って温度勾配も変化してく
る。また、特に大容量の融液から長い大型結晶を引上げ
ると、結晶の成長につれて液面低下などにより、引上方
向だけでなく半径方向の温度勾配も相当に変り、全長に
わたって高品質な結晶を製造することが離しくなる。
この発明の目的はエツチング妬よ、すＢ−Ｐｉｔが現わ
れず、ウェハーの転位密度特に周辺部の転位密度や残留
応力の少ない化合物半導体単結晶を歩留り良く製造する
方法を提供することにある。
れず、ウェハーの転位密度特に周辺部の転位密度や残留
応力の少ない化合物半導体単結晶を歩留り良く製造する
方法を提供することにある。
ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を製造する際、原料
融液内の固液界面近傍の半径方向の温度勾配を引上結晶
の外周を横切る領域で４℃／ｃｍ〜３ｏ℃＾で外方向に
篩く設定して引上けること’ｒ％徴とし、また引上げ時
には結晶の周辺領域液面の半径方向２点間の温度差を熱
電対により検出し、その変化に応じて威張条件を変化さ
せて上記温度勾配を常に４℃／ｃｍ〜３０℃２名に制御
することを特徴とする。
融液内の固液界面近傍の半径方向の温度勾配を引上結晶
の外周を横切る領域で４℃／ｃｍ〜３ｏ℃＾で外方向に
篩く設定して引上けること’ｒ％徴とし、また引上げ時
には結晶の周辺領域液面の半径方向２点間の温度差を熱
電対により検出し、その変化に応じて威張条件を変化さ
せて上記温度勾配を常に４℃／ｃｍ〜３０℃２名に制御
することを特徴とする。
前記温度勾配を４℃／Ｃｒｎ〜３ｏ℃／αにすることに
より、化合物半導体単結晶の引上げＫおける多結晶化を
なくシ、結晶表層部の熱歪を減少させてクランクを防止
することができる。また従来結晶表層部で１０５＾２以
上あった転位密度は１ｏ４７乙→４台に減少し、ウェハ
ー内の転位密度を均一化できる。このようなウニ・・−
は残留応力も非常に少なく、水晶光楔法による測定でも
従来の％以下に減少（〜ている。勿論このような高品質
結晶はデバイス化工程での歩留りや特性にも好影響をも
たらす。また、Ｇａｐ単結晶の場合にはエツチングによ
るＢ−Ｐｉｔが現れない均一な結晶が再現性良く得られ
ることも確認できた。
より、化合物半導体単結晶の引上げＫおける多結晶化を
なくシ、結晶表層部の熱歪を減少させてクランクを防止
することができる。また従来結晶表層部で１０５＾２以
上あった転位密度は１ｏ４７乙→４台に減少し、ウェハ
ー内の転位密度を均一化できる。このようなウニ・・−
は残留応力も非常に少なく、水晶光楔法による測定でも
従来の％以下に減少（〜ている。勿論このような高品質
結晶はデバイス化工程での歩留りや特性にも好影響をも
たらす。また、Ｇａｐ単結晶の場合にはエツチングによ
るＢ−Ｐｉｔが現れない均一な結晶が再現性良く得られ
ることも確認できた。
前記温度勾配を大きくすると固液界面形状は第２図の外
周部１０に見られるような鋭角な突き出しはなくなり、
第３図の外周部１１のように丸くなってで応力集中が起
き難いためクラックや残留応力の少々い結晶ができると
考えられる。特にウェハー周辺部の転位密度が低くなる
のは界面形状の影響が大きい。これを模式的に示すとＢ
−Ｐｉｔが籾、れず周辺部転位密度も低い結晶が得られ
るヒータ一群では直径方向の等搗練１２は第３図に示し
たようになっている。即ち界面近傍で結晶１３の中心領
域の等搗練１４ｔｒｉはぼ平らで結晶１３の外周位置工
５を横契る部分１６でより急勾配になって外側の温度が
より高いことを意味している。従って結晶周辺部液面上
に晶出し易い多結晶がなくなる効果が生じ歩留りが向上
する。Ｇａｐ単結晶においてはウェハーをエツチングし
たときにＪ３−Ｐｉｔが現れる問題があった。Ｂ−Ｐｉ
ｔに関しては原料中の水分などの不純物の影響の他、界
面近傍の温度勾配にも依存している。従来は引上方向の
温低勾配依存性だけであったが半径方向にも依存するこ
とが実験的に明らかとなった。Ｂ−Ｐｉｔは不純物に転
位や歪が互いに影響して生成すると考えられる。この発
明によりＢ−Ｐｉｔが現れないＧａｐ単結晶が再現性良
く製造できる。また、引上げ時に結晶の周辺領域液面の
半径方向２点間の温度差を検出し、その変化に応じて温
度勾配を常Ｋ ４’Ｃ／ｌｙｎ〜３０℃／ｍになるよう
に制悟１することにより、長尺結晶においても全長にわ
たり均質な結晶を製造できる。前記温度勾配が３０℃２
乙蒲以上になると界面形状は中心領域においても下に凸
となり、再びＢ−Ｂｉｔが生成するようになり、結晶の
残留応力や転位も増大してくる。
周部１０に見られるような鋭角な突き出しはなくなり、
第３図の外周部１１のように丸くなってで応力集中が起
き難いためクラックや残留応力の少々い結晶ができると
考えられる。特にウェハー周辺部の転位密度が低くなる
のは界面形状の影響が大きい。これを模式的に示すとＢ
−Ｐｉｔが籾、れず周辺部転位密度も低い結晶が得られ
るヒータ一群では直径方向の等搗練１２は第３図に示し
たようになっている。即ち界面近傍で結晶１３の中心領
域の等搗練１４ｔｒｉはぼ平らで結晶１３の外周位置工
５を横契る部分１６でより急勾配になって外側の温度が
より高いことを意味している。従って結晶周辺部液面上
に晶出し易い多結晶がなくなる効果が生じ歩留りが向上
する。Ｇａｐ単結晶においてはウェハーをエツチングし
たときにＪ３−Ｐｉｔが現れる問題があった。Ｂ−Ｐｉ
ｔに関しては原料中の水分などの不純物の影響の他、界
面近傍の温度勾配にも依存している。従来は引上方向の
温低勾配依存性だけであったが半径方向にも依存するこ
とが実験的に明らかとなった。Ｂ−Ｐｉｔは不純物に転
位や歪が互いに影響して生成すると考えられる。この発
明によりＢ−Ｐｉｔが現れないＧａｐ単結晶が再現性良
く製造できる。また、引上げ時に結晶の周辺領域液面の
半径方向２点間の温度差を検出し、その変化に応じて温
度勾配を常Ｋ ４’Ｃ／ｌｙｎ〜３０℃／ｍになるよう
に制悟１することにより、長尺結晶においても全長にわ
たり均質な結晶を製造できる。前記温度勾配が３０℃２
乙蒲以上になると界面形状は中心領域においても下に凸
となり、再びＢ−Ｂｉｔが生成するようになり、結晶の
残留応力や転位も増大してくる。
〔発明の実施例〕
実施例１
結晶の外形近傍の半径方向の温度勾配が１．１〜ｂ
結晶を引上げた。その結果Ｂ−Ｐａｔは前記温度勾配が
４．３℃＾〜２８４°Ｃ／ｃｙｎである場合の引上結晶
ではエンチングにより現れてこないことが判った。
４．３℃＾〜２８４°Ｃ／ｃｙｎである場合の引上結晶
ではエンチングにより現れてこないことが判った。
実施例２
前記半径方向の温度勾配を１２℃＾に設定し、直径６０
咽のＯａ ｐ単結晶を５本連続で引上げた。その結果ｔ
ａｉ１部の界―ｉ形状はいずれも周辺部で丸味をもち、
クラックや多結晶は発生せず、３００μｍのウェハー切
断に際しても割れることはなかった。
咽のＯａ ｐ単結晶を５本連続で引上げた。その結果ｔ
ａｉ１部の界―ｉ形状はいずれも周辺部で丸味をもち、
クラックや多結晶は発生せず、３００μｍのウェハー切
断に際しても割れることはなかった。
ま／こ、エツチングによるＢ−Ｐｉｔも現れず、再現性
が確窮された。このウェハーを従来の前記温度勾配が２
℃＾の場合の結晶と比較して見ると第４図及び第５図の
ようになる。第４図は水晶光楔法により測定した従来ウ
ェハー１７ｍ、’径方向の残留応力分布１８と転位密度
分布１９の平均的な例で最高６５に９／／ｃｍ２の玉網
応力があｐ、応力分布形態も複雑になっている。転位密
度もウェハー周辺部でば５×１０５／６ｎ２と高く々っ
ている。これに対し本実施例によるウェハー２０では第
５図に示したように残留応力分布２１はピークが低く、
最高２５に９＾２である。転位密度２２は周辺部で８×
１０４／ａｎ２以下で非常に少なく、中央部でも従来ウ
ェハーより若干低くなっている。今回の５本の平均では
残留応力ピーク値は２４、６ ｈ／１ｙｎ２の圧縮応力
であった。
が確窮された。このウェハーを従来の前記温度勾配が２
℃＾の場合の結晶と比較して見ると第４図及び第５図の
ようになる。第４図は水晶光楔法により測定した従来ウ
ェハー１７ｍ、’径方向の残留応力分布１８と転位密度
分布１９の平均的な例で最高６５に９／／ｃｍ２の玉網
応力があｐ、応力分布形態も複雑になっている。転位密
度もウェハー周辺部でば５×１０５／６ｎ２と高く々っ
ている。これに対し本実施例によるウェハー２０では第
５図に示したように残留応力分布２１はピークが低く、
最高２５に９＾２である。転位密度２２は周辺部で８×
１０４／ａｎ２以下で非常に少なく、中央部でも従来ウ
ェハーより若干低くなっている。今回の５本の平均では
残留応力ピーク値は２４、６ ｈ／１ｙｎ２の圧縮応力
であった。
実施例３
前配淵度勾配を１２’Ｃ／ｃｍに設定し、かつ結晶の周
辺部領域液面の半径方向２点間の温度差を２本の熱電対
によシ検出し、その塩ｍ差が〜１℃に相当したと久にる
つぼを２．５ｍｍ／Ｈで上昇させることにょシ、半径方
向の温度勾配全補市しながら１Ｇ径約５５能のＧａｐ単
結晶を約７０ｒｍｎ引上げた。その結果全長にわたりＢ
−Ｐｉｔの現れない、残留応力が最高値で３６１’４７
ｃｍ と小さい単結晶を作成できた。
辺部領域液面の半径方向２点間の温度差を２本の熱電対
によシ検出し、その塩ｍ差が〜１℃に相当したと久にる
つぼを２．５ｍｍ／Ｈで上昇させることにょシ、半径方
向の温度勾配全補市しながら１Ｇ径約５５能のＧａｐ単
結晶を約７０ｒｍｎ引上げた。その結果全長にわたりＢ
−Ｐｉｔの現れない、残留応力が最高値で３６１’４７
ｃｍ と小さい単結晶を作成できた。
以上の説明は主としてＧａｐについて行なったが同様の
ＬＥＣ法で引上げられるＧａＡｓ 、 Ｉｎ ｐ ｆｚ
どの化合物半導体（でついても勿論適用できる。
ＬＥＣ法で引上げられるＧａＡｓ 、 Ｉｎ ｐ ｆｚ
どの化合物半導体（でついても勿論適用できる。
第１図はＴ、ＥＣ法によるＧａｐ単結晶成長装置を示す
図、第２図は従来法によるＧａｐ単結晶の固液界面形状
を示す図、第３図はこの発明によるＧａｐ単結晶の界面
形状及び界面近傍の直径方向の等搗練を示す図、第４図
は従来法による（）ａｐ単結晶のウェハーの残留応力と
転位密度の直径方向分布図、第５図はこの発明によるＧ
ａ ｐ単結晶のウェハーの残留応力と転位密度の直径
方向分布図である。 １ 圧力容器、２・石英るつぼ、３−カーボンヒーター
４− Ｇａ ｐ融液、 ５・ Ｂ２Ｏ３層（カプセル材
）、６ 種子結晶、７・・・引上結晶、８− Ｇａ ｐ
単結晶の中央部固液界面、９・周辺近傍の固液界面、１
０・・・外周部固液界面、１１ ・外周部固液界面、
１２・・直径方向の等搗練、１３・・引上結晶、１４・
・中心領域の等温線、１５ 結晶の外周位置、１６・
・等温線が外周位置を横切る部分、１７・従来のウニノ
・−１１８・従来ウニノ・−の残留応力分布、１９・・
・従来ウェハーの転位密度分布、２０・・本発明による
ウニノー２１ 本発明によるウニノ・−の残留応力分
布、２２・・・本発明によるウェーノ・−の転位密度分
布第１図 第 ２ 図 第 ８ 固溶４
図 第５図 、Ｉ と
図、第２図は従来法によるＧａｐ単結晶の固液界面形状
を示す図、第３図はこの発明によるＧａｐ単結晶の界面
形状及び界面近傍の直径方向の等搗練を示す図、第４図
は従来法による（）ａｐ単結晶のウェハーの残留応力と
転位密度の直径方向分布図、第５図はこの発明によるＧ
ａ ｐ単結晶のウェハーの残留応力と転位密度の直径
方向分布図である。 １ 圧力容器、２・石英るつぼ、３−カーボンヒーター
４− Ｇａ ｐ融液、 ５・ Ｂ２Ｏ３層（カプセル材
）、６ 種子結晶、７・・・引上結晶、８− Ｇａ ｐ
単結晶の中央部固液界面、９・周辺近傍の固液界面、１
０・・・外周部固液界面、１１ ・外周部固液界面、
１２・・直径方向の等搗練、１３・・引上結晶、１４・
・中心領域の等温線、１５ 結晶の外周位置、１６・
・等温線が外周位置を横切る部分、１７・従来のウニノ
・−１１８・従来ウニノ・−の残留応力分布、１９・・
・従来ウェハーの転位密度分布、２０・・本発明による
ウニノー２１ 本発明によるウニノ・−の残留応力分
布、２２・・・本発明によるウェーノ・−の転位密度分
布第１図 第 ２ 図 第 ８ 固溶４
図 第５図 、Ｉ と
Claims (2)
- （１）ＬＥＣ法において、るつぼ中に収容された化合物
半導体原料融液内の固液界面近傍の直径方向の温度勾配
を、少なくとも引上結晶の外周を横切る領域で４℃／ｃ
ｍ〜３０℃／ｃｍで外方向に高く設定することを特徴と
する化合物半導体単結晶の製造方法。 - （２）引−ト結晶周辺部の液面における直径方向の２点
間の温度差の変化に応じて、結晶成長灸件を変化させる
ことにより、温度勾配を制御”４１することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体単結晶の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052734A JPS59182298A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052734A JPS59182298A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182298A true JPS59182298A (ja) | 1984-10-17 |
Family
ID=12923155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58052734A Pending JPS59182298A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182298A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1983
- 1983-03-30 JP JP58052734A patent/JPS59182298A/ja active Pending
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