JPS59172763A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS59172763A JPS59172763A JP58047688A JP4768883A JPS59172763A JP S59172763 A JPS59172763 A JP S59172763A JP 58047688 A JP58047688 A JP 58047688A JP 4768883 A JP4768883 A JP 4768883A JP S59172763 A JPS59172763 A JP S59172763A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えばインターライン転送方式の００Ｄ固体
撮像装置等の撮隊装置の製造方法に関する。特に、感光
部周辺の光シールド膜の形成方法の改良に関する。
撮像装置等の撮隊装置の製造方法に関する。特に、感光
部周辺の光シールド膜の形成方法の改良に関する。
第１図に、従来の固体撮像装置（例えは、インターライ
ン転送方式のＣＯＤ固体撮１象装置）の構造を示す。第
１図ｔａ）は１画素分の平面図、（ｂ）はその断面図で
ある。
ン転送方式のＣＯＤ固体撮１象装置）の構造を示す。第
１図ｔａ）は１画素分の平面図、（ｂ）はその断面図で
ある。
次に順を追って製造方法を説明する。
〔１〕寸ず、例えばｐ型シリコン基板１の表面に公知の
方法により、選択拡散、エツチング処理、開孔等を施し
、光入射にエリ生成さｎる信号電荷を蓄積する感光部（
ｎ＋型領領域２と、この感光部２に隣接するｎ＋＋埋込
み領域８と、感光部２で過剰に生成さ扛た信号電荷を捨
てるためのドレイン部４と、このドレイン部４に対する
ゲート部５と、チャネルストッパ領域（ｐ＋型領領域６
をそれぞれ形成する。
方法により、選択拡散、エツチング処理、開孔等を施し
、光入射にエリ生成さｎる信号電荷を蓄積する感光部（
ｎ＋型領領域２と、この感光部２に隣接するｎ＋＋埋込
み領域８と、感光部２で過剰に生成さ扛た信号電荷を捨
てるためのドレイン部４と、このドレイン部４に対する
ゲート部５と、チャネルストッパ領域（ｐ＋型領領域６
をそれぞれ形成する。
〔幻 次に、基板１上に第１層絶縁膜７を形成し、次い
で写真蝕刻法にニジ多結晶シリコン等からなる第１層転
送電極８卦↓び隣接画素の第１層転送電極９を形成する
。次いで、こｎらの転送電極８．９を含む第１層絶縁膜
７上に第２層絶縁膜１０を形成し、その上に第２層転送
電極１１を形成する。この第２層転送電極１１は第１層
転送電極つと対に々つて感光部２に蓄積された信号電荷
音読み出す読出し部を形成する。
で写真蝕刻法にニジ多結晶シリコン等からなる第１層転
送電極８卦↓び隣接画素の第１層転送電極９を形成する
。次いで、こｎらの転送電極８．９を含む第１層絶縁膜
７上に第２層絶縁膜１０を形成し、その上に第２層転送
電極１１を形成する。この第２層転送電極１１は第１層
転送電極つと対に々つて感光部２に蓄積された信号電荷
音読み出す読出し部を形成する。
〔３〕 次いで、第２層転送電極１１上に第８層絶縁
膜１２を形成する。この第３層絶縁膜１２の形成の際に
感光部２の上部に凹部１３が生じる。つまり、第１、第
２Ｎ転送電極９．１１がなく、その分だけ薄く々るから
である。
膜１２を形成する。この第３層絶縁膜１２の形成の際に
感光部２の上部に凹部１３が生じる。つまり、第１、第
２Ｎ転送電極９．１１がなく、その分だけ薄く々るから
である。
〔４〕 次いで、第３層絶縁膜１２上にＡ７等の光シ
ールド膜１４４’！に設ける。この光シールド膜工ｔＡ
は入射光を遮断するとともに、ドレイン部４に対応する
ゲート部５をコントロールする電極を兼ねている。光シ
ールド膜１４は感光部２に対応する部分に開孔部１５を
有する。この開口部１５は光入射窓として機能する。
ールド膜１４４’！に設ける。この光シールド膜工ｔＡ
は入射光を遮断するとともに、ドレイン部４に対応する
ゲート部５をコントロールする電極を兼ねている。光シ
ールド膜１４は感光部２に対応する部分に開孔部１５を
有する。この開口部１５は光入射窓として機能する。
〔５〕 最後に、ＰＳＧ膜等の保護膜１６ヲ全面に設
けて製造を完了する。ところが、この保護膜１６ヲ設け
た後、最終的々保護膜１６の表面は開口部１５に関連し
て凹状の部分１７が形成されてし寸うために一様では々
い。このことは後述するような問題を引起すこととなる
。
けて製造を完了する。ところが、この保護膜１６ヲ設け
た後、最終的々保護膜１６の表面は開口部１５に関連し
て凹状の部分１７が形成されてし寸うために一様では々
い。このことは後述するような問題を引起すこととなる
。
先に述べた如く、従来の製法にょｎば保護膜１６に凹状
部分１７が形成されてし甘う。その段差はおＬそ液μｍ
程度でＪ・る。この凹状部分１７の存在に工り、例：２
．は後の工程にないてゴミが凹状部分１７（ハ）に入り
必んた場合、非常にと几に〈（、またその孟うな素子ケ
用いた場合にはゴ１（エリ光が遮断されるので黒点に々
ってしまい不良品と麿ってし咬う。一方、元シールド膜
１４がゲート部５をコントロールするのは絶縁膜７．１
０．１２を合計した膜Ｊ厚の上からであるため、各画累
間でのスレンホールド１１℃圧（Ｖｔｈ ） ＩＣばら
つきが生じ、したがって感光部の飽和量に違すが生じて
しまう。このことは、撮像した場合の面縁の素地不良全
招来することと々る。そ扛ゆえ、ゲート部５をコントロ
ールする′６極下にある絶縁膜の厚さは一様な妊ど特性
の向上がみら几る。
部分１７が形成されてし甘う。その段差はおＬそ液μｍ
程度でＪ・る。この凹状部分１７の存在に工り、例：２
．は後の工程にないてゴミが凹状部分１７（ハ）に入り
必んた場合、非常にと几に〈（、またその孟うな素子ケ
用いた場合にはゴ１（エリ光が遮断されるので黒点に々
ってしまい不良品と麿ってし咬う。一方、元シールド膜
１４がゲート部５をコントロールするのは絶縁膜７．１
０．１２を合計した膜Ｊ厚の上からであるため、各画累
間でのスレンホールド１１℃圧（Ｖｔｈ ） ＩＣばら
つきが生じ、したがって感光部の飽和量に違すが生じて
しまう。このことは、撮像した場合の面縁の素地不良全
招来することと々る。そ扛ゆえ、ゲート部５をコントロ
ールする′６極下にある絶縁膜の厚さは一様な妊ど特性
の向上がみら几る。
このようなことから、撮像装置の表面、したがって保護
膜１６の表面には極力凹状部分１７ヲ作らずに一様に平
担とすべきである。
膜１６の表面には極力凹状部分１７ヲ作らずに一様に平
担とすべきである。
本発明は上記問題点を解消し、ｊ最１象装置の表面を凹
凸のな−一様なものとし、かつ、ドレイン部に対するゲ
ート部上の絶縁膜の厚さを一様なものとじつる固体撮浄
装置の製造方法を提供することを月日りとする。
凸のな−一様なものとし、かつ、ドレイン部に対するゲ
ート部上の絶縁膜の厚さを一様なものとじつる固体撮浄
装置の製造方法を提供することを月日りとする。
上記目的を達成するために、本発明による製造方法は、
半導体基板上に、光にエリ生成さ扛る信号電荷′ｆｆ−
ｐｎ接合により蓄積する感光部と、蓄積さｎた信号電荷
を読出す読出し部と、過剰に生成された信号電荷を捨て
るドレイン部と、このドレイン部に信号電荷を転送する
ゲート部を制御するとともに前記感光部に対応する位置
に入射光窓をイイする光シールド膜と、全備えた固体撮
ｒ象装置の製造方法にか−で、 前記光シールド膜を前記読出し部の形成直後に形成し、
次いでその光シールド膜の上面に保護膜を形成すること
を特徴とする。
半導体基板上に、光にエリ生成さ扛る信号電荷′ｆｆ−
ｐｎ接合により蓄積する感光部と、蓄積さｎた信号電荷
を読出す読出し部と、過剰に生成された信号電荷を捨て
るドレイン部と、このドレイン部に信号電荷を転送する
ゲート部を制御するとともに前記感光部に対応する位置
に入射光窓をイイする光シールド膜と、全備えた固体撮
ｒ象装置の製造方法にか−で、 前記光シールド膜を前記読出し部の形成直後に形成し、
次いでその光シールド膜の上面に保護膜を形成すること
を特徴とする。
以下、本発明を図示する実施例に基づいて説明する。
本発明による固体撮像装置の製造方法の一実施例を第２
図に示す。第２図において第１図（ｂｌと同一もしくは
重複する部分には同一の符号を付してその説明は省略す
る。
図に示す。第２図において第１図（ｂｌと同一もしくは
重複する部分には同一の符号を付してその説明は省略す
る。
本発明における製造工程において、先に示した工程のう
ち〔１〕および〔幻の工程は同様なので、〔８〕の工程
から説明する。
ち〔１〕および〔幻の工程は同様なので、〔８〕の工程
から説明する。
Ｃ８Ｊ 第２層転送電極１１全形成したのち、第３層
絶縁膜１２を全面に形成する。次いで、その直後に光を
透過させ々いＭｏＳｉ膜を全面にデポジットさせ、ゲー
ト部７のコントロール用電極を兼ねた光シールド領域１
４ Ｂ ｉ形成する。次力で、光シールド膜１４Ｂ上に
絶縁膜１８をデポジットさせ、この絶縁膜１８を例えば
ＢＰＳＧ法を用いて表面を平担にする。この処理におり
で、第１図（ｂｌに示す工うな凹部１３は非常に浅くな
る。
絶縁膜１２を全面に形成する。次いで、その直後に光を
透過させ々いＭｏＳｉ膜を全面にデポジットさせ、ゲー
ト部７のコントロール用電極を兼ねた光シールド領域１
４ Ｂ ｉ形成する。次力で、光シールド膜１４Ｂ上に
絶縁膜１８をデポジットさせ、この絶縁膜１８を例えば
ＢＰＳＧ法を用いて表面を平担にする。この処理におり
で、第１図（ｂｌに示す工うな凹部１３は非常に浅くな
る。
〔４〕 最後に、絶縁膜１８上にＰＳＧ膜等の保護膜
１６を形成する。なお、配線は従来と同様［ＡＩｌ等を
用いることができる。
１６を形成する。なお、配線は従来と同様［ＡＩｌ等を
用いることができる。
以上の通り、本発明に工扛ば従来の製法と異なり、光シ
ールド膜を第２層転送電極の形成直後につくるため、表
面の平担度が非常に向上する。平担度が向上することは
凹部が存在し々いか、したとしても非常に浅いものであ
ること全意味する。
ールド膜を第２層転送電極の形成直後につくるため、表
面の平担度が非常に向上する。平担度が向上することは
凹部が存在し々いか、したとしても非常に浅いものであ
ること全意味する。
したがって、後の工程に卦いてゴミ々どがデノくイスの
表面に付着したとしても簡単に取除くことができる。
表面に付着したとしても簡単に取除くことができる。
捷た、過剰電荷を捨てるドレイン部に対するゲート部で
のスレシホールド電圧ｖｔｈのノくラツキがほとんど生
じない。
のスレシホールド電圧ｖｔｈのノくラツキがほとんど生
じない。
かくして、本発明によれば、ｖｔｈのノ（ラツキによる
素地むら不良−や、ゴミ付着による黒点発生不良を防止
し、大幅な歩留りの向上を達成しうる。
素地むら不良−や、ゴミ付着による黒点発生不良を防止
し、大幅な歩留りの向上を達成しうる。
、第１図（ａｔは従来のインターライン転送方式のＣＯ
Ｄ固体撮像装置の部分平面図、（１：Ｉ）はその縦断面
図、第２図は本発明により形成さｎる固体撮１象装置の
縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・感光部、４・・・ドレイ
ン部、５・・・ゲート部、８・・・第１層転送電極、９
・・・隣接画素の第１層転送電極、ＩＯ・・・第２層転
送電極、１４Ｂ・・・光シールド膜、１６・・・保護膜
、１８・・・絶＠層。 出願人代理人 猪 股 清 筋 １ 図 （０） と （ｂ） も ２ 図
Ｄ固体撮像装置の部分平面図、（１：Ｉ）はその縦断面
図、第２図は本発明により形成さｎる固体撮１象装置の
縦断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・感光部、４・・・ドレイ
ン部、５・・・ゲート部、８・・・第１層転送電極、９
・・・隣接画素の第１層転送電極、ＩＯ・・・第２層転
送電極、１４Ｂ・・・光シールド膜、１６・・・保護膜
、１８・・・絶＠層。 出願人代理人 猪 股 清 筋 １ 図 （０） と （ｂ） も ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に、光にエリ生成さ７する信号電荷（
ｒｐｎ接合にエリ蓄積する感光部と、蓄積さ扛た信号電
荷を読出す読出し部と、過剰に生成された信号電荷を捨
てるドレイン篇と、このドレイン部に信号電荷を転送す
るゲート部を制御するとともに前記感光部に対応する位
置に入射光窓を有する光シールド膜と、全備えた固体撮
像装置の製造方法に訃いて、 前記光シールド膜を前記読出し部の形成直後に形成し、
次いでその光シールド膜の上面に絶縁膜を介して保護膜
を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法に訃いて、読出し
部は絶縁膜を介して積層さｎた第１と第２の転送電極か
らなること全特徴とする固体撮像装置の製造方法。 ３、特許請求の範囲第２項記載の方法において、光シー
ルド膜の形成は第２転送電栖の形成直後であること全特
徴とする固体撮像装置の製造方法。 ４゜特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
方法において、光シールド膜は光を通過させないＭｏＳ
ｉ□ であることを特徴とする固体撮は装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047688A JPS59172763A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58047688A JPS59172763A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172763A true JPS59172763A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12782222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58047688A Pending JPS59172763A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172763A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464356A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Solid-state image sensing device |
| JPH01253268A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH03169078A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH04245679A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP58047688A patent/JPS59172763A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464356A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Solid-state image sensing device |
| JPH01253268A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH03169078A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH04245679A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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