JPS59171150A - 混成集積回路基板 - Google Patents
混成集積回路基板Info
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- JPS59171150A JPS59171150A JP58044073A JP4407383A JPS59171150A JP S59171150 A JPS59171150 A JP S59171150A JP 58044073 A JP58044073 A JP 58044073A JP 4407383 A JP4407383 A JP 4407383A JP S59171150 A JPS59171150 A JP S59171150A
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- H01L2224/484—Connecting portions
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- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48491—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being an additional member attached to the bonding area through an adhesive or solder, e.g. buffer pad
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は７１Ｌ成東、積回路基板、詳しくは混成集積
回路中の金属細線の固着性能を向上された混成集積回路
基板に関するものである。
回路中の金属細線の固着性能を向上された混成集積回路
基板に関するものである。
電子機器の小型化１、信頼性の向上の要求は強く、その
達成の為に集積回路が大きく寄−リしていることは明ら
かであり、この為各種集積回路が開発され、又現実に使
用されている。混成集積回路いわゆるハイブリットＩＣ
もその種々の利点から多く使用され、電子機器中に組込
まれているか、従来の混成集積回路の基板には以−１・
゛述べる通りの欠陥があった。
達成の為に集積回路が大きく寄−リしていることは明ら
かであり、この為各種集積回路が開発され、又現実に使
用されている。混成集積回路いわゆるハイブリットＩＣ
もその種々の利点から多く使用され、電子機器中に組込
まれているか、従来の混成集積回路の基板には以−１・
゛述べる通りの欠陥があった。
第１図に基づいて従来の混成集積回路基板を説明すると
、図中１は熱伝導性の良好な金属製の基板であり、該基
板１上には絶縁性接着剤２を介して所定の回路パターン
になる様に導電路３，３′が形成されており、該導電路
３上面の所定位置に（弓、ヒートシンク４を介して半導
体チップ５が固着されでいた。又図中６は半導体チップ
５と導電路３′を接続する金属細線である。そしてこの
金属細線にはアルミ細線、金細線、銀細線等が用いられ
ていた１、従来の混成集積回路基板はこの様な構成とな
っており、半導体チップ５及び導電路３′のそれぞれの
金属細線固着面Ｌｌ 、 ｌ−）’の間には段差ｇがあ
り、その間の接続は第１図に示す通りに長い経路をとっ
て行わなければならなかつ／こ１ｖ又この様に段差があ
るため、導電路３′と半導体チップ５を、接続する金属
細線−の中間部がヒートシンク４尋半、導体チップ５の
角などに接触する事故も：発生しゃ □１スカつた。こ
の為、従来のものにおいてはこの接、。
、図中１は熱伝導性の良好な金属製の基板であり、該基
板１上には絶縁性接着剤２を介して所定の回路パターン
になる様に導電路３，３′が形成されており、該導電路
３上面の所定位置に（弓、ヒートシンク４を介して半導
体チップ５が固着されでいた。又図中６は半導体チップ
５と導電路３′を接続する金属細線である。そしてこの
金属細線にはアルミ細線、金細線、銀細線等が用いられ
ていた１、従来の混成集積回路基板はこの様な構成とな
っており、半導体チップ５及び導電路３′のそれぞれの
金属細線固着面Ｌｌ 、 ｌ−）’の間には段差ｇがあ
り、その間の接続は第１図に示す通りに長い経路をとっ
て行わなければならなかつ／こ１ｖ又この様に段差があ
るため、導電路３′と半導体チップ５を、接続する金属
細線−の中間部がヒートシンク４尋半、導体チップ５の
角などに接触する事故も：発生しゃ □１スカつた。こ
の為、従来のものにおいてはこの接、。
触を防ぐ為、金属細線で接続すべき２点間の距離 ・を
大きくとる必要があや、□無駄なスペースを取らざるを
えなかった。又釜虜細線として金、銀等の貴金属細線を
用いることが多いが、金属細線を長くすることは貴金属
の使用量をそれ□だけ増□やすことにもなシ、”コスト
の乍からも好ましくなかった。
大きくとる必要があや、□無駄なスペースを取らざるを
えなかった。又釜虜細線として金、銀等の貴金属細線を
用いることが多いが、金属細線を長くすることは貴金属
の使用量をそれ□だけ増□やすことにもなシ、”コスト
の乍からも好ましくなかった。
更に導電路３・は絶縁ｉ接着剤２の上蔽直接痛成されて
いるがこの絶縁性接着剤□２は超音波溶着に対してダン
パー励果があるため、超音波−着の一ネルギーの多くは
この絶縁性接着剤２に吸収されてしまい、導電路３′側
へ金属細線６を溶着させると、 きは半導体チップ５に
溶着させる場合に比して超音波のパワーを大巾に増大さ
せなければならず、・溶着場所に応じて超音波のパワー
を変更させる必要があり、作業を極めて面倒なものにし
ていた。
いるがこの絶縁性接着剤□２は超音波溶着に対してダン
パー励果があるため、超音波−着の一ネルギーの多くは
この絶縁性接着剤２に吸収されてしまい、導電路３′側
へ金属細線６を溶着させると、 きは半導体チップ５に
溶着させる場合に比して超音波のパワーを大巾に増大さ
せなければならず、・溶着場所に応じて超音波のパワー
を変更させる必要があり、作業を極めて面倒なものにし
ていた。
この発明は従来のハイブリットＩＣ即ち混成集積回路基
板の上記欠点を除去することを目的とするものであシ、
回路基板カスペース的な無駄をなく″し、回蕗各部間の
金属細線の゛溶着も容易かつ確実に行える新規仝混、、
Ｉ！集積回路基板を、提集大、ることを目的とする。
− 以下第２図に示すこの発明の一実施例に基づいてその構
成を説明する。即ち第２図はこの発明の一実施例の断面
図であり、熱伝導性の良好な金属□゛製基板１上には絶
縁性接着痢２を介して所定め回路パターンを形成した複
数め□導電□路Ｖ、３′□が形成されている。なおこの
図面においては導電路は２個だけ図示されているが、基
板の形成すべき回路に応じて所ｉ（ｉ数だけ設は瞥れて
いることはもち一−１１ ろんである。そして−万の導夷、路３上にはヒートシン
ク４を介し、て半導体チデフ］５が固着されている。こ
の導電路３とヒー１−’／７り４．、、の固着及９ヒー
トシン冬−り半導体チップ５．の固着は従来のものと同
様導電性接着剤又は半田によって行われる。
板の上記欠点を除去することを目的とするものであシ、
回路基板カスペース的な無駄をなく″し、回蕗各部間の
金属細線の゛溶着も容易かつ確実に行える新規仝混、、
Ｉ！集積回路基板を、提集大、ることを目的とする。
− 以下第２図に示すこの発明の一実施例に基づいてその構
成を説明する。即ち第２図はこの発明の一実施例の断面
図であり、熱伝導性の良好な金属□゛製基板１上には絶
縁性接着痢２を介して所定め回路パターンを形成した複
数め□導電□路Ｖ、３′□が形成されている。なおこの
図面においては導電路は２個だけ図示されているが、基
板の形成すべき回路に応じて所ｉ（ｉ数だけ設は瞥れて
いることはもち一−１１ ろんである。そして−万の導夷、路３上にはヒートシン
ク４を介し、て半導体チデフ］５が固着されている。こ
の導電路３とヒー１−’／７り４．、、の固着及９ヒー
トシン冬−り半導体チップ５．の固着は従来のものと同
様導電性接着剤又は半田によって行われる。
そして導電路３′上の金属細線を接続すべき位置には導
電路３の上面から半導体チップ５の上端面までの高さｈ
ｌとほぼ同じ高さ１１２を有する金属ブロック７が導電
性接着剤による接着、“半田付け、等め方法により固着
されており、□この金属ブロック１の上面に設けられた
ボンディング面ｂ″と半導”体チップ５上面のボンディ
ング７”ｂとｋは１−細線６の両端部が超音波溶着によ
り固着され七いる。
電路３の上面から半導体チップ５の上端面までの高さｈ
ｌとほぼ同じ高さ１１２を有する金属ブロック７が導電
性接着剤による接着、“半田付け、等め方法により固着
されており、□この金属ブロック１の上面に設けられた
ボンディング面ｂ″と半導”体チップ５上面のボンディ
ング７”ｂとｋは１−細線６の両端部が超音波溶着によ
り固着され七いる。
なお金属ブロック７あ高＠ ＋１２ ハ金属細□線接続
の相手方にな不半導体チップの高さに応じセ適宜設定す
るものであることはも□ちろんである。又金属ブロック
７は銅片にニッケルメッキを施したもの又□はアルミニ
ウム片が好ましく、金属線−としては□アルミ細線、金
細□線、鋼細線等が適している。
の相手方にな不半導体チップの高さに応じセ適宜設定す
るものであることはも□ちろんである。又金属ブロック
７は銅片にニッケルメッキを施したもの又□はアルミニ
ウム片が好ましく、金属線−としては□アルミ細線、金
細□線、鋼細線等が適している。
この発明は上述の通りの構造を有し、半導体チップと導
電路との金属細線に・よる接続は金属ブロックを介して
行われるのであり、半導体チップ５゛の上端面のボンデ
ィング面すと金属ブロック・Ｔ上端面のボンディングｂ
″を接続すれば接続に要する金属細線６は最小限の長さ
ですみ゛、とめ”・金属細線６がヒートシンク４や半導
体チップ５に触れる□おそれは全くなく、これに起因す
る故障の発生を根絶させることができる１、又この接触
事故を防ぐためにボンディングすべき２点間の間隔を大
きくとる必要がないため、無駄なスペースが生ぜず、回
路基板のパターンを有効に使用□でき、回路□基板番よ
り小型□化できる□効果金□有する。□更に超音波によ
シ金１属′細−を溶着すまき場所（半導体チツプバび金
属ブロック）は共（／：１ｌ１１′１１体そある為、超
音波・より−を効率よく溶着部に供給でき、従来めもの
の様に溶′１□−所に応じてパワーを変更する必要もな
く、小な□る一″音波し→−で雨倉作業を行うこと例士
きる効果を有す不。なおこの発明のものにおいては、従
業の基板において導電路（り金属線−を溶着するときに
要していたパワーの約半益の超菩波パワーで溶着が可能
となった。又ポンディ”ングすべき二点間の距離が短い
為、金属細線め襄□さを短かくすることができ、金、銀
等の貴金属細線を用いるときにはその使用量を減じ、製
品原価を低くすることができる効果を有する。 ″
□“以上述べた□如くどの発明に係る混成集
積回路基板は信頼性Ｊ作業性、経済性において従来のも
のに比（，２茗しぐ−１＜！シて、↓、・す、各！′４
１電子機器の信頼′ｉ！Ｌの内子、製造コストの低減、
製造の合理化、製品の小型比に貸−トるずぐれンｙ効果
を有するものであ己１．
電路との金属細線に・よる接続は金属ブロックを介して
行われるのであり、半導体チップ５゛の上端面のボンデ
ィング面すと金属ブロック・Ｔ上端面のボンディングｂ
″を接続すれば接続に要する金属細線６は最小限の長さ
ですみ゛、とめ”・金属細線６がヒートシンク４や半導
体チップ５に触れる□おそれは全くなく、これに起因す
る故障の発生を根絶させることができる１、又この接触
事故を防ぐためにボンディングすべき２点間の間隔を大
きくとる必要がないため、無駄なスペースが生ぜず、回
路基板のパターンを有効に使用□でき、回路□基板番よ
り小型□化できる□効果金□有する。□更に超音波によ
シ金１属′細−を溶着すまき場所（半導体チツプバび金
属ブロック）は共（／：１ｌ１１′１１体そある為、超
音波・より−を効率よく溶着部に供給でき、従来めもの
の様に溶′１□−所に応じてパワーを変更する必要もな
く、小な□る一″音波し→−で雨倉作業を行うこと例士
きる効果を有す不。なおこの発明のものにおいては、従
業の基板において導電路（り金属線−を溶着するときに
要していたパワーの約半益の超菩波パワーで溶着が可能
となった。又ポンディ”ングすべき二点間の距離が短い
為、金属細線め襄□さを短かくすることができ、金、銀
等の貴金属細線を用いるときにはその使用量を減じ、製
品原価を低くすることができる効果を有する。 ″
□“以上述べた□如くどの発明に係る混成集
積回路基板は信頼性Ｊ作業性、経済性において従来のも
のに比（，２茗しぐ−１＜！シて、↓、・す、各！′４
１電子機器の信頼′ｉ！Ｌの内子、製造コストの低減、
製造の合理化、製品の小型比に貸−トるずぐれンｙ効果
を有するものであ己１．
第１図＋ｌ−１，１に一来の混成集７債回路基板の断面
図、第２１ン１（づ、この発明に係る混成集積回路基板
の断面１シｊである３−１ １・・・全国・痘・ｔ）−、ｅ、ｊ、仮、２・絶縁性接
着剤、３，３′４％路、４ ヒート／ンク、５・・・半
導体チップ、６ ・金属床、腺、７・菱国ブロック 特１１Ｉ 出願人 −ノ゛イルス部品株代会は同
昭第１１電］二株式会計
図、第２１ン１（づ、この発明に係る混成集積回路基板
の断面１シｊである３−１ １・・・全国・痘・ｔ）−、ｅ、ｊ、仮、２・絶縁性接
着剤、３，３′４％路、４ ヒート／ンク、５・・・半
導体チップ、６ ・金属床、腺、７・菱国ブロック 特１１Ｉ 出願人 −ノ゛イルス部品株代会は同
昭第１１電］二株式会計
Claims (1)
- 熱伝導性の良好な金属製基板上に、絶縁性接着剤を介し
て所定の回路パターンを形成した複数の導電路を設け、
該導電路−ににヒートシンクを介して半導体チップを固
着すると共に、前記半導体チップと電気的に接続しよう
とする他の導電路上の所定の位置にこの半導体チップの
導電路面からの高さとほぼ同じ高さを有する金属ブロッ
クを固着し、該半導体チップ上面とこの金属ブロック上
面との間を金属細線で捜続しだことを特徴とする混成集
積回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044073A JPS59171150A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 混成集積回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044073A JPS59171150A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 混成集積回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171150A true JPS59171150A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12681450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044073A Pending JPS59171150A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 混成集積回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182236A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波集積回路装置 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58044073A patent/JPS59171150A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182236A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波集積回路装置 |
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