JPS59152639A - 半導体ウエ−ハ仮固着方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハ仮固着方法Info
- Publication number
- JPS59152639A JPS59152639A JP58027985A JP2798583A JPS59152639A JP S59152639 A JPS59152639 A JP S59152639A JP 58027985 A JP58027985 A JP 58027985A JP 2798583 A JP2798583 A JP 2798583A JP S59152639 A JPS59152639 A JP S59152639A
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- JP
- Japan
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- wafer
- tape
- vacuum
- semiconductor wafer
- protecting material
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ビ）、産業上の利用分野
この発明は半導体製造におけるテープへの半導体ウェー
ハ仮固着方法に関する。
ハ仮固着方法に関する。
（ロ）、従来技術
半導体素子（以下単にベレットと称す）を複数個形成し
た半導体ウェーハ（以下単にウェーハと称す）をベレッ
ト毎に細分割する一般的な方法として、ウエーノ・をテ
ープ上に接着剤で接着固定してウェーハ上のベレット間
をダイヤモンド微粒子等を埋め込んだブレードで切削し
て溝を形成し、その後外力を加えて前記溝からウェーハ
をベレット毎に分断する方法がある。しかし、この方法
は分断される時の機械的シタツクで細分割されたベレッ
トがテープから剥れて隣りのものに重なる等のトラブル
が多発することがあり、そこで最近は例えば第１図に示
すようにテープ（１）上にウェーハ（２）を貼附してお
いて、ウェーハ（２）上からブレード（３）を縦横に走
らせてウェーハ（２）を各ベレット（４）毎に完全に分
割する完全カット方式が多く採用される傾向にあるこの
完全カット方式において、ウェーハを完全カットするた
めにはウェーハをテープに十分強固に接着しておくこと
が必要であり、そこでこの両者の接着を通常は接着剤を
介して行っている。ところが完全カット時にブレードが
テープま、で達するとウェーハの切削屑と共に接着剤も
飛散させることにな沙、この接着剤で切削屑が囲りのペ
レットの表面に強固に付着して後で洗浄除去することが
難しくなり、半導体製造の歩留りを悪くするととがあっ
た。
た半導体ウェーハ（以下単にウェーハと称す）をベレッ
ト毎に細分割する一般的な方法として、ウエーノ・をテ
ープ上に接着剤で接着固定してウェーハ上のベレット間
をダイヤモンド微粒子等を埋め込んだブレードで切削し
て溝を形成し、その後外力を加えて前記溝からウェーハ
をベレット毎に分断する方法がある。しかし、この方法
は分断される時の機械的シタツクで細分割されたベレッ
トがテープから剥れて隣りのものに重なる等のトラブル
が多発することがあり、そこで最近は例えば第１図に示
すようにテープ（１）上にウェーハ（２）を貼附してお
いて、ウェーハ（２）上からブレード（３）を縦横に走
らせてウェーハ（２）を各ベレット（４）毎に完全に分
割する完全カット方式が多く採用される傾向にあるこの
完全カット方式において、ウェーハを完全カットするた
めにはウェーハをテープに十分強固に接着しておくこと
が必要であり、そこでこの両者の接着を通常は接着剤を
介して行っている。ところが完全カット時にブレードが
テープま、で達するとウェーハの切削屑と共に接着剤も
飛散させることにな沙、この接着剤で切削屑が囲りのペ
レットの表面に強固に付着して後で洗浄除去することが
難しくなり、半導体製造の歩留りを悪くするととがあっ
た。
また上記問題を解決する方法として、ウェーハを真空吸
着テーブル上に直接真空吸着させておいて完全カットす
る方法がある。この方法だと切削屑がペレットに付着し
てもエアーブロー等で簡単に除去できるが、ウェー／・
を真空吸着テーブル上に完全に密着させることが難しく
て、両者間に真空引きされないで残った気泡が生じ、こ
れが完全カット時にペレットがテーブル上から剥れる要
因となることがあった。またカット時の切削屑が真空吸
着テーブルの真空引き穴に詰まる等のトラブルが生じ、
好ましくなかった。
着テーブル上に直接真空吸着させておいて完全カットす
る方法がある。この方法だと切削屑がペレットに付着し
てもエアーブロー等で簡単に除去できるが、ウェー／・
を真空吸着テーブル上に完全に密着させることが難しく
て、両者間に真空引きされないで残った気泡が生じ、こ
れが完全カット時にペレットがテーブル上から剥れる要
因となることがあった。またカット時の切削屑が真空吸
着テーブルの真空引き穴に詰まる等のトラブルが生じ、
好ましくなかった。
また別の方法として、ポリ塩化ビニール等のある程度の
粘着力を有するテープにウェーハを圧着して接着剤を介
さず直接に仮固定して給いてウェーハを完全カットする
方法がある。この方法だと切削屑棹よ♂上記各種トラブ
ルは皆無にできる。しかしテープにウェーハを完全密着
させる仁とが難しくて、両者間に気泡が生じてカット時
にペレットがテープから剥れることがあった。例、ｔば
テープへのウェーハの貼附は従来第２図或は８８図に示
す要領で行われている第２図は上面フラットな固定台（
５）上にウェーハ（２）とテープ（６）を重ねておいて
テープ（６）上より加圧プ”７り（７）でテープ（６）
をウェーハ（２）に圧着（熱圧着）して固定する方法で
ある。この方法だとウェーハ（２）上の空気が完全に逃
げ難くてテープ（６）とウェーハ（２）間に部分的に微
小な気泡が残存し易い。
粘着力を有するテープにウェーハを圧着して接着剤を介
さず直接に仮固定して給いてウェーハを完全カットする
方法がある。この方法だと切削屑棹よ♂上記各種トラブ
ルは皆無にできる。しかしテープにウェーハを完全密着
させる仁とが難しくて、両者間に気泡が生じてカット時
にペレットがテープから剥れることがあった。例、ｔば
テープへのウェーハの貼附は従来第２図或は８８図に示
す要領で行われている第２図は上面フラットな固定台（
５）上にウェーハ（２）とテープ（６）を重ねておいて
テープ（６）上より加圧プ”７り（７）でテープ（６）
をウェーハ（２）に圧着（熱圧着）して固定する方法で
ある。この方法だとウェーハ（２）上の空気が完全に逃
げ難くてテープ（６）とウェーハ（２）間に部分的に微
小な気泡が残存し易い。
第８図はウェーハ（２）をテープ状の保護材（８）上に
載置し、ウェーハ（２）を挾む如くして保護材（８）と
テープ（９）を２つのローラ（＋ｏ） （ＩＩ）間に挿
入してウェーハ（２）上の一端からテープ（９）をａ−
ラＱｏｌ （ｎ）で順次に圧着して固定していく方法で
ある。この方法だとウェーハ（２）とテープ（９）の間
の空気（−１０−ラｉｏｌ （ｌ１間を通過する間に押
し出されてウェーハ（２）とテープ（９）間の気泡は第
２図に比べると残存し件くなるが、しかし完全に気泡を
残さすウェーハ（２）をテープ（９）に仮固定すること
は技術的に難しい。
載置し、ウェーハ（２）を挾む如くして保護材（８）と
テープ（９）を２つのローラ（＋ｏ） （ＩＩ）間に挿
入してウェーハ（２）上の一端からテープ（９）をａ−
ラＱｏｌ （ｎ）で順次に圧着して固定していく方法で
ある。この方法だとウェーハ（２）とテープ（９）の間
の空気（−１０−ラｉｏｌ （ｌ１間を通過する間に押
し出されてウェーハ（２）とテープ（９）間の気泡は第
２図に比べると残存し件くなるが、しかし完全に気泡を
残さすウェーハ（２）をテープ（９）に仮固定すること
は技術的に難しい。
（ハ）、発明の目的
本発明はテープにウェーハを気泡を残さず完全に密着さ
せて貼附仮固定し、もってウェーハの完全カットを良好
に行わしめることを目的とする。
せて貼附仮固定し、もってウェーハの完全カットを良好
に行わしめることを目的とする。
に）、発明の構成
本発明の具体的構成として、ウェーハを貼附仮固定する
テープに内部の空気が抜ける分子構造若しくはこの分子
構造に類する微小孔を有するテープを使用し、このテー
プを真空吸着テーブル上に載置してテープ上にウェーハ
を加圧方式により圧着して仮固定することを特徴とする
。前記テープへのウェーハの圧着は保護材を介して加圧
ブロックで行い、この圧着時に真空吸着テーブルでテー
プを真空吸着する。このようにするとテープとウェーハ
間に気′泡が残存していても、この気泡はテープを通っ
て真空吸着テーブルで吸引除去され、テープとウェーハ
間に気泡が残ることが無くなり、ウェーハはテープに完
全密着状態で仮固定され、ウェーハ′カットを良好なら
しめる。
テープに内部の空気が抜ける分子構造若しくはこの分子
構造に類する微小孔を有するテープを使用し、このテー
プを真空吸着テーブル上に載置してテープ上にウェーハ
を加圧方式により圧着して仮固定することを特徴とする
。前記テープへのウェーハの圧着は保護材を介して加圧
ブロックで行い、この圧着時に真空吸着テーブルでテー
プを真空吸着する。このようにするとテープとウェーハ
間に気′泡が残存していても、この気泡はテープを通っ
て真空吸着テーブルで吸引除去され、テープとウェーハ
間に気泡が残ることが無くなり、ウェーハはテープに完
全密着状態で仮固定され、ウェーハ′カットを良好なら
しめる。
（ホ）、実施例
第４図及び第５図に示す具体的実施、形態例において、
（Ｑ真空ポンプ（Ｉ３１に連結された真空吸着テーブル
、 ＋１４）は上述した分子構造成は微小孔を有するテ
ープで、例えばある程度の粘着力を有する軟質性塩化ビ
ニールテープである。（１５）はテープ状の保護材でウ
ェーハ（２）の上面を保護するクッション材である。（
Ｉ６）は真空吸着テーブル（１つの上方で平行に対向し
て上下動する加圧ブロックである。
（Ｑ真空ポンプ（Ｉ３１に連結された真空吸着テーブル
、 ＋１４）は上述した分子構造成は微小孔を有するテ
ープで、例えばある程度の粘着力を有する軟質性塩化ビ
ニールテープである。（１５）はテープ状の保護材でウ
ェーハ（２）の上面を保護するクッション材である。（
Ｉ６）は真空吸着テーブル（１つの上方で平行に対向し
て上下動する加圧ブロックである。
真空吸着テーブル（１２）のフラットな上面例テープ０
４）、ウェーハ（２）、保護材（１５）を重ね、真空ポ
ンプ峙を作動させて真空吸着テーブル（１２１上のテー
プα４）を真空引きしながら加圧ブロック（１〜を下降
させて保護材Ｑ０を介してウエーノ・（２）をテープ０
４）上に押圧する。するとウエーノ・（２）はテープ（
１４）に圧着され、両者間の気泡はテープ（Ｉ４）の分
子間或は微小孔を通って真空引きされるので、両者は完
全に密着してその′ｔｔ固定される。また加圧ブロック
（１６）でウエーノ５（２）をテープＱ４）に圧着した
後、真空ポンプ（ｌ檜を作動させてもよい。この場合は
ウェーハ（２）とテープ（１４）間に残存していた気泡
が後の真空引きにより除去されるので結果的に同じであ
る。
４）、ウェーハ（２）、保護材（１５）を重ね、真空ポ
ンプ峙を作動させて真空吸着テーブル（１２１上のテー
プα４）を真空引きしながら加圧ブロック（１〜を下降
させて保護材Ｑ０を介してウエーノ・（２）をテープ０
４）上に押圧する。するとウエーノ・（２）はテープ（
１４）に圧着され、両者間の気泡はテープ（Ｉ４）の分
子間或は微小孔を通って真空引きされるので、両者は完
全に密着してその′ｔｔ固定される。また加圧ブロック
（１６）でウエーノ５（２）をテープＱ４）に圧着した
後、真空ポンプ（ｌ檜を作動させてもよい。この場合は
ウェーハ（２）とテープ（１４）間に残存していた気泡
が後の真空引きにより除去されるので結果的に同じであ
る。
テープ０４）へのウェーハ（２）の仮固定が完了すると
、真空引きを続行させたままウエーノ・（２）から保護
材（ｌす、加圧プ、ロック（＋鴫を外して、第６図に示
すようにウェーハ（２）上にブレード（３）を走らせて
完全カット等のダイシングを行う。或は、ウェーハ（２
）とテープ０４）の仮固着体を真空吸着テーブル０２）
より取り去り、ダイシング装置の真空吸着テーブル上に
載置し、真空引きを行なって固定したのち、ブレードに
よってダイシングを行なう。このダイシング時、ペレッ
ト（４）はテープα４）に完全密着しているので、ペレ
ット（４）が剥れる心配は無い。
、真空引きを続行させたままウエーノ・（２）から保護
材（ｌす、加圧プ、ロック（＋鴫を外して、第６図に示
すようにウェーハ（２）上にブレード（３）を走らせて
完全カット等のダイシングを行う。或は、ウェーハ（２
）とテープ０４）の仮固着体を真空吸着テーブル０２）
より取り去り、ダイシング装置の真空吸着テーブル上に
載置し、真空引きを行なって固定したのち、ブレードに
よってダイシングを行なう。このダイシング時、ペレッ
ト（４）はテープα４）に完全密着しているので、ペレ
ット（４）が剥れる心配は無い。
（へ）、発明の効果
以上の如く、本発明によればウエーノ・ｔテープ上に残
存気泡無く完全密着させて貼附仮固定できるので、ウェ
ーハをペレット毎に完全カットする後工程へ支障を来た
すことがなく、しかも容易且つ正確に行え、半導体製造
の歩留り向上等が図れる。
存気泡無く完全密着させて貼附仮固定できるので、ウェ
ーハをペレット毎に完全カットする後工程へ支障を来た
すことがなく、しかも容易且つ正確に行え、半導体製造
の歩留り向上等が図れる。
第１図は半導体ウェーハの完全カットを説明するための
側面図、第２図及び第８図は従来の半導体ウェーハ仮固
定装置の二例を説明するだめの側面図、第４図及び第５
図は本発明の具体的集施装置例を示す各動作時の側面図
、第６図は本発明による半導体ウェーハ仮固定後の半導
体ウェーハ完全カット例を説明するだめの側面図である
。 （２）・・・半導体ウェーハ、（國・・・真空吸着テー
ブル、（１４）・・・テープ、（Ｉ５）・・・保護材、
（１呻・・・加圧ブロック。
側面図、第２図及び第８図は従来の半導体ウェーハ仮固
定装置の二例を説明するだめの側面図、第４図及び第５
図は本発明の具体的集施装置例を示す各動作時の側面図
、第６図は本発明による半導体ウェーハ仮固定後の半導
体ウェーハ完全カット例を説明するだめの側面図である
。 （２）・・・半導体ウェーハ、（國・・・真空吸着テー
ブル、（１４）・・・テープ、（Ｉ５）・・・保護材、
（１呻・・・加圧ブロック。
Claims (1)
- １１１ 真空吸着テーブル上に塩化ビニールテープ等
の空気が抜ける分子構造若しくは前記分子構造に類する
微小孔を有する半導体ウエーノ・仮固着用テープ、半導
体ウェーハ、及びクッション性を有する保設材を重ねて
、保護材上に加圧ブロックを加圧して半導体ウェーハを
テープに圧着仮固定するようにしたことを特徴とする半
導体ウェーハ仮固着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027985A JPS59152639A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体ウエ−ハ仮固着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027985A JPS59152639A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体ウエ−ハ仮固着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152639A true JPS59152639A (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=12236131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58027985A Pending JPS59152639A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体ウエ−ハ仮固着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152639A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831772A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Nec Corp | ダイシング装置 |
| US6370750B1 (en) * | 1998-10-27 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component affixing method and apparatus |
| EP1458021A2 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device fabrication method |
| JP2019192718A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019192717A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019201049A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201050A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201051A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552233A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Masking sheet |
| JPS5599741A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Affixing method of article onto adhesive tape |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58027985A patent/JPS59152639A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552233A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Masking sheet |
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| JP2715916B2 (ja) * | 1994-07-15 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | ダイシング装置 |
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| EP1458021A3 (en) * | 2003-03-06 | 2005-01-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device fabrication method |
| JP2019192718A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019192717A (ja) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2019201049A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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