JPH0266957A - 半導体素子のピックアップ装置 - Google Patents
半導体素子のピックアップ装置Info
- Publication number
- JPH0266957A JPH0266957A JP63219311A JP21931188A JPH0266957A JP H0266957 A JPH0266957 A JP H0266957A JP 63219311 A JP63219311 A JP 63219311A JP 21931188 A JP21931188 A JP 21931188A JP H0266957 A JPH0266957 A JP H0266957A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- picked
- tape
- semiconductor device
- pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
Landscapes
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子のピックアップ装置に関し、特に粘
着テープを吸着する機構を有するホルダーを用る半導体
素子のピックアップ装置に関する。
着テープを吸着する機構を有するホルダーを用る半導体
素子のピックアップ装置に関する。
紫外線照射により接着力が低下する接着面を一面に有す
る粘着テープ（以下、ＵＶシートと称す）を用いて、半
導体ウェーハを完全切断するダイシング（以下、フルカ
ットダイシングと称す）を行った半導体素子を、フルカ
ットダイシング後に紫外線照射して接着力を低下させた
ＵＶシートからＵＶシートを伸ばすことなしにピックア
ップする場合、それに用いる半導体素子のピックアップ
装置がある。
る粘着テープ（以下、ＵＶシートと称す）を用いて、半
導体ウェーハを完全切断するダイシング（以下、フルカ
ットダイシングと称す）を行った半導体素子を、フルカ
ットダイシング後に紫外線照射して接着力を低下させた
ＵＶシートからＵＶシートを伸ばすことなしにピックア
ップする場合、それに用いる半導体素子のピックアップ
装置がある。
第４図は従来の半導体素子のピックアップ装置の一例の
断面図である。
断面図である。
第４図に示すように、ホルダー３は中央の半導体製子１
をピックアップする領域が平坦部６となり、平坦部６の
周辺が下方に傾斜した傾斜部７になっていて、平坦部６
の下面及び傾斜部７の下面に吸着口５が配しである。半
導体素子１をピックアップするときは、吸着口５からＵ
Ｖシート２を吸着し、ホルダー３の上面の形状にＵＶシ
ート２を追従させて、ピックアップする半導体素子１と
隣接する半導体素子１ａとのすき間を広げて、平坦部６
の中央の吸着口５から突き上げビン４を上昇させ、ピッ
クアップする半導体素子１を突き上げてピックアップし
ている。
をピックアップする領域が平坦部６となり、平坦部６の
周辺が下方に傾斜した傾斜部７になっていて、平坦部６
の下面及び傾斜部７の下面に吸着口５が配しである。半
導体素子１をピックアップするときは、吸着口５からＵ
Ｖシート２を吸着し、ホルダー３の上面の形状にＵＶシ
ート２を追従させて、ピックアップする半導体素子１と
隣接する半導体素子１ａとのすき間を広げて、平坦部６
の中央の吸着口５から突き上げビン４を上昇させ、ピッ
クアップする半導体素子１を突き上げてピックアップし
ている。
上述した従来の半導体素子のピックアップ装置は、Ｕ■
テープの吸着後にピックアップする半導体素子の最下面
より上に隣接する半導体素子が存在するので、ピックア
ップする半導体素子を突き上げる際に、ピックアップす
る半導体素子が突き上げ機構のバックラッシュ及び振動
による突き上げピンの上昇時に発生する振動のため、横
方向に動くと隣接する半導体素子と接触して、半導体素
子にきすを発生させて半導体素子を不良にしてしまうと
いう欠点がある。
テープの吸着後にピックアップする半導体素子の最下面
より上に隣接する半導体素子が存在するので、ピックア
ップする半導体素子を突き上げる際に、ピックアップす
る半導体素子が突き上げ機構のバックラッシュ及び振動
による突き上げピンの上昇時に発生する振動のため、横
方向に動くと隣接する半導体素子と接触して、半導体素
子にきすを発生させて半導体素子を不良にしてしまうと
いう欠点がある。
本発明の半導体素子のピックアップ装置は、上面に粘着
面を有し該粘着面に半導体ウェーハを貼（・１けて個々
の半導体素子に分割する粘着テープと、該粘着テープの
下面側に配置され中央にピックアップすべき半導体素子
のピックアップ領域と該ピックアップ領域の外側に下方
に傾斜する傾斜領域とを有し前記半導体素子のピックア
ップ時に前記ピックアップ領域と傾斜領域で前記粘着テ
ープを吸着するボルダ−とを備える半導体素子のピック
アップ装置において、前記半導体素子のピックアップ時
に前記ピックアップ領域上の前記半導体素子の最下面が
隣接する半導体素子の最上面より上にあるよう前記ピッ
クアップ領域に設けた段差を有している。
面を有し該粘着面に半導体ウェーハを貼（・１けて個々
の半導体素子に分割する粘着テープと、該粘着テープの
下面側に配置され中央にピックアップすべき半導体素子
のピックアップ領域と該ピックアップ領域の外側に下方
に傾斜する傾斜領域とを有し前記半導体素子のピックア
ップ時に前記ピックアップ領域と傾斜領域で前記粘着テ
ープを吸着するボルダ−とを備える半導体素子のピック
アップ装置において、前記半導体素子のピックアップ時
に前記ピックアップ領域上の前記半導体素子の最下面が
隣接する半導体素子の最上面より上にあるよう前記ピッ
クアップ領域に設けた段差を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図に示すように、ホルダー３．、には中央のピック
アップすべき半導体素子１のビ・ソファ・ンプ領域とし
ての平坦部６ａと平坦部６１の周辺の下方に傾斜した傾
斜部７６との間に段差８を有している。段差８を有する
ほかは前述した第４図の半導体素子のピックアップ装置
とほぼ同構造であり説明を省略する。ＵＶテープ２の吸
着前には、ピックアップする半導体素子１の最下面より
上に隣接する半導体素子１ａが存在している。
アップすべき半導体素子１のビ・ソファ・ンプ領域とし
ての平坦部６ａと平坦部６１の周辺の下方に傾斜した傾
斜部７６との間に段差８を有している。段差８を有する
ほかは前述した第４図の半導体素子のピックアップ装置
とほぼ同構造であり説明を省略する。ＵＶテープ２の吸
着前には、ピックアップする半導体素子１の最下面より
上に隣接する半導体素子１ａが存在している。
第２図はＵＶテープ吸着後の第１図の第１の実施例の断
面図である。
面図である。
第２図に示すように、ＵＶテープ２がホルダー３３の上
面形状に追従しており、そのため隣接する半導体素子１
ａが引き落とされて、ピックアップする半導体素子１の
最下面より下に存在するようになる。
面形状に追従しており、そのため隣接する半導体素子１
ａが引き落とされて、ピックアップする半導体素子１の
最下面より下に存在するようになる。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第３図に示すように、第２の実施例では、上述した第１
図の第１の実施例の平坦部６．を周囲を突出させた上位
平坦部つと上位平坦部９の内側の段差をつけた下位平坦
部９．とて構成している。
図の第１の実施例の平坦部６．を周囲を突出させた上位
平坦部つと上位平坦部９の内側の段差をつけた下位平坦
部９．とて構成している。
このように構成することにより、吸着口５からｔＪ Ｖ
テープ２を吸着するとピックアップする半導体素子１の
最下面より下に隣接する半導体素子１ａが存在すると同
時に、下位平坦部９．の上にあるＵＶテープ２が吸着に
よって下方に引かれて、ピックアップする半導体素子１
からＵＶテープ２が剥される。
テープ２を吸着するとピックアップする半導体素子１の
最下面より下に隣接する半導体素子１ａが存在すると同
時に、下位平坦部９．の上にあるＵＶテープ２が吸着に
よって下方に引かれて、ピックアップする半導体素子１
からＵＶテープ２が剥される。
従って、突き上げピンでピックアップする半導体素子１
を突き上げることなくピックアップする半導体素子１を
ピックアップすることができる。
を突き上げることなくピックアップする半導体素子１を
ピックアップすることができる。
以上説明したように本発明は、ホルダーに段差を設ける
ことにより、突き上げビンを突き上げた際にピックアッ
プする半導体素子が横方向に動いても半導体素子にきす
を発生することを防止できるという効果がある。
ことにより、突き上げビンを突き上げた際にピックアッ
プする半導体素子が横方向に動いても半導体素子にきす
を発生することを防止できるという効果がある。
一実験例を示すと、従来の半導体素子のピックアップ装
置を用いた場合ピックアップ時の半導体素子のきず又は
かけの発生率は３．６％であったのに対し、第１の実施
例ではきず又はかけの発生は皆無であった。
置を用いた場合ピックアップ時の半導体素子のきず又は
かけの発生率は３．６％であったのに対し、第１の実施
例ではきず又はかけの発生は皆無であった。
又、第２の実施例によれば、平坦部を狭くして平坦部と
平坦部の間にピックアップする半導体素子に接しない平
坦部を段差をつけて設けることにより、突き上げビンで
ピックアップする半導体素子を突き上げることなくピッ
クアップできるので、突き上げ機構が不必要になるとと
もに、ＵＶテープを突は上げビンで突き破ることがなく
なるため、突き破ったＵＶテープの破片がピックアップ
する半導体素子にこびりつくことがなく、その結果、半
導体素子をリードフレームへ搭載する際などに良好な搭
載が可能になるという効果がある。
平坦部の間にピックアップする半導体素子に接しない平
坦部を段差をつけて設けることにより、突き上げビンで
ピックアップする半導体素子を突き上げることなくピッ
クアップできるので、突き上げ機構が不必要になるとと
もに、ＵＶテープを突は上げビンで突き破ることがなく
なるため、突き破ったＵＶテープの破片がピックアップ
する半導体素子にこびりつくことがなく、その結果、半
導体素子をリードフレームへ搭載する際などに良好な搭
載が可能になるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２１４はＵ
Ｖテープ吸着後の第１図の第１の実施例の断面図、第３
国は本発明の第２の実施例の断面図、第４図は従来の半
導体素子のピックアップ装置の一例の断面図である。 １・・・ピックアップする半導体素子、１１・・・ピッ
クアップする半導体素子に隣接する半導体素子、２・・
・ＵＶテープ、３，３．ボルダ−１４・・・突き上げビ
ン、５・・・吸着口、６．６．・・・平坦部、７゜７３
・・・傾斜部、８・・・段差、９・・・上位平坦部、９
゜・・・１；位平坦部。 代理人 弁理士 内 原 晋 あｒ呂 与 さび あ４（ト） 烹３囚
Ｖテープ吸着後の第１図の第１の実施例の断面図、第３
国は本発明の第２の実施例の断面図、第４図は従来の半
導体素子のピックアップ装置の一例の断面図である。 １・・・ピックアップする半導体素子、１１・・・ピッ
クアップする半導体素子に隣接する半導体素子、２・・
・ＵＶテープ、３，３．ボルダ−１４・・・突き上げビ
ン、５・・・吸着口、６．６．・・・平坦部、７゜７３
・・・傾斜部、８・・・段差、９・・・上位平坦部、９
゜・・・１；位平坦部。 代理人 弁理士 内 原 晋 あｒ呂 与 さび あ４（ト） 烹３囚
Claims (1)
- 上面に粘着面を有し該粘着面に半導体ウェーハを貼付け
て個々の半導体素子に分割する粘着テープと、該粘着テ
ープの下面側に配置され中央にピックアップすべき半導
体素子のピックアップ領域と該ピックアップ領域の外側
に下方に傾斜する傾斜領域とを有し前記半導体素子のピ
ックアップ時に前記ピックアップ領域と傾斜領域で前記
粘着テープを吸着するホルダーとを備える半導体素子の
ピックアップ装置において、前記半導体素子のピックア
ップ時に前記ピックアップ領域上の前記半導体素子の最
下面が隣接する半導体素子の最上面より上にあるよう前
記ピックアップ領域に設けた段差を有することを特徴と
する半導体素子のピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219311A JPH0266957A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体素子のピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219311A JPH0266957A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体素子のピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266957A true JPH0266957A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16733499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219311A Pending JPH0266957A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体素子のピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266957A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589029A (en) * | 1994-07-21 | 1996-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor chip-supply method and apparatus |
| US6201306B1 (en) * | 1995-12-05 | 2001-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Push-up pin of a semiconductor element pushing-up device, and a method for separating |
| US6824643B2 (en) * | 2001-10-23 | 2004-11-30 | Fujitsu Limited | Method and device of peeling semiconductor device using annular contact members |
| JP2008270417A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Canon Machinery Inc | 半導体装置の製造装置及び製造方法 |
| US11642510B2 (en) | 2012-06-15 | 2023-05-09 | Carefusion 303, Inc. | Fluid flow control by a non-pinching valve |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63219311A patent/JPH0266957A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589029A (en) * | 1994-07-21 | 1996-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor chip-supply method and apparatus |
| US6201306B1 (en) * | 1995-12-05 | 2001-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Push-up pin of a semiconductor element pushing-up device, and a method for separating |
| US6555418B2 (en) | 1995-12-05 | 2003-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for separating a semiconductor element in a semiconductor element pushing-up device |
| US6824643B2 (en) * | 2001-10-23 | 2004-11-30 | Fujitsu Limited | Method and device of peeling semiconductor device using annular contact members |
| JP2008270417A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Canon Machinery Inc | 半導体装置の製造装置及び製造方法 |
| US11642510B2 (en) | 2012-06-15 | 2023-05-09 | Carefusion 303, Inc. | Fluid flow control by a non-pinching valve |
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