JPS59144125A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPS59144125A JPS59144125A JP58017339A JP1733983A JPS59144125A JP S59144125 A JPS59144125 A JP S59144125A JP 58017339 A JP58017339 A JP 58017339A JP 1733983 A JP1733983 A JP 1733983A JP S59144125 A JPS59144125 A JP S59144125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- reticle
- scribe
- image
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、縮小投影アライナにより微細パターンを得る
リソグラフィー技術に使用されるレチクルに係り、特に
、半導体装置の製造過程において集積回路や大規模集積
回路等の極微細回路パターンのステップアンドリピート
露光に利用して有効なレチクルに関するものである。
リソグラフィー技術に使用されるレチクルに係り、特に
、半導体装置の製造過程において集積回路や大規模集積
回路等の極微細回路パターンのステップアンドリピート
露光に利用して有効なレチクルに関するものである。
、−C−背景技術〕
一般に、半導体装置の製造過程において集積回路や大規
模集積回路等の極微細回路パターン(以下、回路パター
ンという。)をウェハ上に縮小投影露光装置を用いて転
写する場合、レチクル(拡大マスク)に形成された拡大
回路パターン(以下、パターンという。)が露光位置を
順次積にずらしながら繰り返し露光されて横に整列され
、さらにこれが多数段状に配された状態に転写される。
模集積回路等の極微細回路パターン(以下、回路パター
ンという。)をウェハ上に縮小投影露光装置を用いて転
写する場合、レチクル(拡大マスク)に形成された拡大
回路パターン(以下、パターンという。)が露光位置を
順次積にずらしながら繰り返し露光されて横に整列され
、さらにこれが多数段状に配された状態に転写される。
全ての回路パターンが完成した後、ウニ・・を各単位ご
とのベレットに分断するために、ウェハ上には各ペレッ
トの切断領域になるスクライプ領域が設けられる。この
スクライプ領域は前記レチクルに形成されたスクライプ
領域によってウェハ上に転写されて形成されることがめ
る。
とのベレットに分断するために、ウェハ上には各ペレッ
トの切断領域になるスクライプ領域が設けられる。この
スクライプ領域は前記レチクルに形成されたスクライプ
領域によってウェハ上に転写されて形成されることがめ
る。
一方、前記レチクルには、前記繰り返し露光および多層
回路パターンの重ね合せ露光を正確に実現するために、
ウェハ上の既転写パターン像とこれから重ね合せ露光し
ようとするレチクルパターンとのファインアライメント
(微細な位置合せ)をするためのターゲットパターンが
設けられる。
回路パターンの重ね合せ露光を正確に実現するために、
ウェハ上の既転写パターン像とこれから重ね合せ露光し
ようとするレチクルパターンとのファインアライメント
(微細な位置合せ)をするためのターゲットパターンが
設けられる。
このようなスクライプ領域とターゲットパターンが設け
られたレチクルとして、本発明者は、第1図に示すよう
なものを開発した。
られたレチクルとして、本発明者は、第1図に示すよう
なものを開発した。
すなわち、第1図において、はぼ正方形に形成されたレ
チクル1の基板2の表面上には、その下辺、左辺および
右辺に各スクライブ領域3,4゜5がそれぞれ形成され
ており、下辺のスクライプ領域にはターゲットパターン
6が設けられている。
チクル1の基板2の表面上には、その下辺、左辺および
右辺に各スクライブ領域3,4゜5がそれぞれ形成され
ており、下辺のスクライプ領域にはターゲットパターン
6が設けられている。
図示しないが、各スクライブ領域3,4.5および上辺
で囲まれた基板20表面上には所要の拡大回路パターン
が形成されている′。
で囲まれた基板20表面上には所要の拡大回路パターン
が形成されている′。
このレチクル1を用いた前記繰り返し露光が実施される
と、ウェハ7上には、第2図に示すように、レチクル1
を縮小投影して得られる像1′が繰り返えして多数段に
整列されて転写される。
と、ウェハ7上には、第2図に示すように、レチクル1
を縮小投影して得られる像1′が繰り返えして多数段に
整列されて転写される。
しかし、かかる技術においては、第2図に示すように、
第1段目に整列されたレチクル像1′の上辺にスクライ
プラインが形成されないため、ウェハ7を各ペレットに
分断する際、ダイシングソーにより、第1段目の各ペレ
ットにクラックが入る危険があるという問題点が生ずる
ということが本発明者によってろきらかにされた。
第1段目に整列されたレチクル像1′の上辺にスクライ
プラインが形成されないため、ウェハ7を各ペレットに
分断する際、ダイシングソーにより、第1段目の各ペレ
ットにクラックが入る危険があるという問題点が生ずる
ということが本発明者によってろきらかにされた。
このような問題点を解決するレチクルとしては、第3図
に示すように、ターゲット6が形成された領域3の他に
、上辺および下辺に新たに専用スクライプ領域8,9を
設けられてなるレチクルINが提案され得る。
に示すように、ターゲット6が形成された領域3の他に
、上辺および下辺に新たに専用スクライプ領域8,9を
設けられてなるレチクルINが提案され得る。
このレチクルIAによれば、たしかに第1段目のレチク
ル像にスクライプ領域が得られるが、レチクルIAにお
ける拡大回路パターン領域がその分小さくなるか、また
は、回路パターン領域面積を維持する場合には第4図に
示すように、第1段目のレチクル像I A/においては
、上段の像IN下辺のスクライブ領域9′と下段の像I
A′上辺上辺タスクライプ領域とが隣接することになっ
てスクライブ領域の幅が28になるため、ウェハに設は
得るレチクル像の段数が減小してしまい、結果としてウ
ェハからのペレット取得数が減少してしまうことになる
。
ル像にスクライプ領域が得られるが、レチクルIAにお
ける拡大回路パターン領域がその分小さくなるか、また
は、回路パターン領域面積を維持する場合には第4図に
示すように、第1段目のレチクル像I A/においては
、上段の像IN下辺のスクライブ領域9′と下段の像I
A′上辺上辺タスクライプ領域とが隣接することになっ
てスクライブ領域の幅が28になるため、ウェハに設は
得るレチクル像の段数が減小してしまい、結果としてウ
ェハからのペレット取得数が減少してしまうことになる
。
なお、説明の便宜上、レチクルの上下辺、左右辺は、第
4図に示すように、ウェハ7に対応してウェハ7のオリ
エンテーションフラット7a側に位置する辺を下辺とし
た状態において定められるものとする。以下の説明にお
いても、同様とする。
4図に示すように、ウェハ7に対応してウェハ7のオリ
エンテーションフラット7a側に位置する辺を下辺とし
た状態において定められるものとする。以下の説明にお
いても、同様とする。
本発明の目的は、パターン面積の減少を抑制しつつ、転
写像数(ペレット取得数に対応する。)を増加すること
ができ、かつ第1段目のレチクル像上辺においてもスク
ライブラインを形成させることができるレチクルを提供
するにるる。
写像数(ペレット取得数に対応する。)を増加すること
ができ、かつ第1段目のレチクル像上辺においてもスク
ライブラインを形成させることができるレチクルを提供
するにるる。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば次の通りである。
を簡単に説明すれば次の通りである。
例えば、レチクルの上下2辺にスクライプ領域を形成し
、一方のスクライブ領域にターゲットパターンを設け、
他方のスクライプ領域にターゲットパターン像を保護可
能な保護パターンを設ける。
、一方のスクライブ領域にターゲットパターンを設け、
他方のスクライプ領域にターゲットパターン像を保護可
能な保護パターンを設ける。
この保護パターンをスクライブ可能にすることにより、
第1段目のレチクル像においてスクライブ領域を確保す
ると同時に、上下辺のスクライプ領域を重合露光するこ
とにより転写像数の増加を達成し、かつ重合露光時に保
護パターンによりターゲットパターンを保護することに
よってターゲットパターン像を残し、もって前記目的を
達成するものである。
第1段目のレチクル像においてスクライブ領域を確保す
ると同時に、上下辺のスクライプ領域を重合露光するこ
とにより転写像数の増加を達成し、かつ重合露光時に保
護パターンによりターゲットパターンを保護することに
よってターゲットパターン像を残し、もって前記目的を
達成するものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第5図は本発明によるレチクルの一実施例を示す正面図
、第6図は転写原理を説明する解説図である。
、第6図は転写原理を説明する解説図である。
本実施例において、このレチクル11の基板12の表面
上における上下左右の各辺には、各スクライブ領域13
,14,15.16がそれぞれ形成されている。下辺の
スクライブ領域14には、適当なターゲットパターン1
7が適当な位置に設けられており、上辺のスクライブ領
域13には、ターゲットパターン17を保護するための
保護パターントシテのマスキングパターン18が前記タ
ーゲットパターン17に対応して設けられている。
上における上下左右の各辺には、各スクライブ領域13
,14,15.16がそれぞれ形成されている。下辺の
スクライブ領域14には、適当なターゲットパターン1
7が適当な位置に設けられており、上辺のスクライブ領
域13には、ターゲットパターン17を保護するための
保護パターントシテのマスキングパターン18が前記タ
ーゲットパターン17に対応して設けられている。
各スクライブ領域は、少なくとも、ウエノ・の分断時に
おいてダイシングソーにより各クラックが入ることを防
止できる幅を設定されている。さらに、上下辺のスクラ
イブ領域13.14は前記マスキングパターン18およ
びターゲットパターン17が設は得る幅を設定されてい
る。図示例おいて、上下辺のスクライブ領域13.14
の幅は、左右辺のスクライブ領域15.16の幅よりも
広くなっているが、これに限らず、マスキング、ターゲ
ットパターンが収まるならば、各スクライブ領域の幅は
、クラック発生防止可能な最小幅に揃えてもよい。
おいてダイシングソーにより各クラックが入ることを防
止できる幅を設定されている。さらに、上下辺のスクラ
イブ領域13.14は前記マスキングパターン18およ
びターゲットパターン17が設は得る幅を設定されてい
る。図示例おいて、上下辺のスクライブ領域13.14
の幅は、左右辺のスクライブ領域15.16の幅よりも
広くなっているが、これに限らず、マスキング、ターゲ
ットパターンが収まるならば、各スクライブ領域の幅は
、クラック発生防止可能な最小幅に揃えてもよい。
次に作用を説明する。
前記構成にかかるレチクルを使用して縮小投影露光アラ
イナによりウェハ上吟同−のレチクル像が繰り返えして
露光されていく場合、第6図に示すように、ウェハ7に
おける第1段目のレチクル像21においては、上辺にマ
スキングパターン像28を有する上辺スクライブ領域2
3が、および下辺にターゲットパターン像27を有する
下辺スクライプ領域24がそれぞれ形成される。
イナによりウェハ上吟同−のレチクル像が繰り返えして
露光されていく場合、第6図に示すように、ウェハ7に
おける第1段目のレチクル像21においては、上辺にマ
スキングパターン像28を有する上辺スクライブ領域2
3が、および下辺にターゲットパターン像27を有する
下辺スクライプ領域24がそれぞれ形成される。
続いて、同一のレチクル11を用いて第2段目のレチク
ル像31がウェハ7上に縮小投影露光されるとき、この
レチクル像31はその上辺スクライプ領域33を前記第
1段目のレチクル像21における下辺スクライプ領域2
4に重ね合わされて露光転写される。この両領域33と
24との重ね合せ露光において、第1段目レチクル像2
1のターゲットパターン像27はレチクル11のマスキ
ングパターン18により隠蔽されるので、感光されずに
第1回露光のままの転写状態を維持する。
ル像31がウェハ7上に縮小投影露光されるとき、この
レチクル像31はその上辺スクライプ領域33を前記第
1段目のレチクル像21における下辺スクライプ領域2
4に重ね合わされて露光転写される。この両領域33と
24との重ね合せ露光において、第1段目レチクル像2
1のターゲットパターン像27はレチクル11のマスキ
ングパターン18により隠蔽されるので、感光されずに
第1回露光のままの転写状態を維持する。
このようにして、第2段目のレチクル像31の下に第3
段目のレチクル像が転写されるときにも、ターゲットパ
ターン像37とマスキングパターン18によるマスキン
クが行なわれ、第2段目のターゲットパターン像37も
同様にウェハ7上に残存する。以後、同様にして、すべ
てのレチクル像につきターゲットパターン像が形成され
る。
段目のレチクル像が転写されるときにも、ターゲットパ
ターン像37とマスキングパターン18によるマスキン
クが行なわれ、第2段目のターゲットパターン像37も
同様にウェハ7上に残存する。以後、同様にして、すべ
てのレチクル像につきターゲットパターン像が形成され
る。
以上説明したように、第1段目のレジスト像の上辺にも
、マスキングパターンを有するスクライブ領域によるス
クライブラインが形成されるので、第1段目の各ペレッ
トの分断においても、ダイシングソーによるクラックの
発生は未然に防止される。
、マスキングパターンを有するスクライブ領域によるス
クライブラインが形成されるので、第1段目の各ペレッ
トの分断においても、ダイシングソーによるクラックの
発生は未然に防止される。
各段の間のスクライプラインは上段レジスト像の下辺ス
クライプ領域と下段スクライブ領域とが重なり合うこと
により面積を共用して形成されるので、第6図に示すよ
うに、その重合式したけウェハ7における有効面積が節
約され、当該スクライプ領域が多数采配されることによ
り、レチクルの転写像数、すなわちペレット取得数を増
加させることかできる。
クライプ領域と下段スクライブ領域とが重なり合うこと
により面積を共用して形成されるので、第6図に示すよ
うに、その重合式したけウェハ7における有効面積が節
約され、当該スクライプ領域が多数采配されることによ
り、レチクルの転写像数、すなわちペレット取得数を増
加させることかできる。
そしてターゲットパターンが形成されたスクライブ領域
に他のスクライブ領域が重ね合されても、ターゲットパ
ターンはマスキングパターンで保護されるので、2度目
の露光で消去されることなく残存し、したがって、この
ターゲットパターンにより繰り返し露光および重ね合せ
露光におけるファインアライメントには何らの支障も発
生しない。
に他のスクライブ領域が重ね合されても、ターゲットパ
ターンはマスキングパターンで保護されるので、2度目
の露光で消去されることなく残存し、したがって、この
ターゲットパターンにより繰り返し露光および重ね合せ
露光におけるファインアライメントには何らの支障も発
生しない。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、ターゲットパターンおよびマスキングパター
ンが設けられるスクライブ領域はレチクルの下辺および
上辺に配する場合に限らず、左辺および右辺に配しても
よいし、上下と左右とにそれぞれ一対ずつ配設してもよ
い。
ンが設けられるスクライブ領域はレチクルの下辺および
上辺に配する場合に限らず、左辺および右辺に配しても
よいし、上下と左右とにそれぞれ一対ずつ配設してもよ
い。
また、保護パターンはマスキングパターンに限らず、要
は一度露光されたターゲットパターン像を重ね合せによ
る2度目の露光から保護できるものであればよい。
は一度露光されたターゲットパターン像を重ね合せによ
る2度目の露光から保護できるものであればよい。
スクライプ領域に設けられるパターンはターゲットパタ
ーンに限定されるものではなく、任意であり、たとえば
、回路パターンの形成の良否をテストするために使用さ
れるテストパターン等であってもよく、また、ターゲッ
トパターンとテストパターン等のように複数種類のパタ
ーンを設けてもよい。
ーンに限定されるものではなく、任意であり、たとえば
、回路パターンの形成の良否をテストするために使用さ
れるテストパターン等であってもよく、また、ターゲッ
トパターンとテストパターン等のように複数種類のパタ
ーンを設けてもよい。
以上の説明では本発明者によってなされた発明をその背
景となった利用分野でるる半導体装置のウェハ上に回路
パターンを形成する技術に適用した場合につき説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、1:1
ガラスマスクをレチクルで形成する場合等にも適用する
ことができる。
景となった利用分野でるる半導体装置のウェハ上に回路
パターンを形成する技術に適用した場合につき説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、1:1
ガラスマスクをレチクルで形成する場合等にも適用する
ことができる。
第1図は従来例を示す正面図、
第2図はその使用例を示すウェハの正面図、第3図は他
の従来例を示す正面図、 第4図はその使用例を示す要部の正面図、第5図は本発
明の一実施例を示す正面図、第6図は転写原理を説明す
るための解説図である。 11・・・レチクル、12・・・基板、13,14゜1
5.16・・・スクライプ領域、17・・・任意のパタ
ーン(ターゲットパターン)、18・・・保護パターン
(マスキングパターン)、21.31・・・レチクル像
、27.37・・・ターゲットパターン像。 第 1 図 第 3 図 第 5 図 第 2 図 第 4 図 /A′ 第 6 図
の従来例を示す正面図、 第4図はその使用例を示す要部の正面図、第5図は本発
明の一実施例を示す正面図、第6図は転写原理を説明す
るための解説図である。 11・・・レチクル、12・・・基板、13,14゜1
5.16・・・スクライプ領域、17・・・任意のパタ
ーン(ターゲットパターン)、18・・・保護パターン
(マスキングパターン)、21.31・・・レチクル像
、27.37・・・ターゲットパターン像。 第 1 図 第 3 図 第 5 図 第 2 図 第 4 図 /A′ 第 6 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、スクライプ領域に任意のパターンを設けられるレチ
クルにおいて、前記スクライプ領域が少なくとも対向す
る2辺にそれぞれ形成され、一方のスクライプ領域には
前記任意のパターンが形成され、他方のスクライプ領域
には、前記任意のパターンで形成されるパターン像を保
護する保護パターンが形成されたことを特徴とするレチ
クル。 2、任意のパターンが、合せターゲ1.7)パターンで
るることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレチ
クル。 3、任意のパターンが、テストパターンであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のレチクル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58017339A JPS59144125A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58017339A JPS59144125A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | レチクル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59144125A true JPS59144125A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11941290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58017339A Pending JPS59144125A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | レチクル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59144125A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02135343A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Fujitsu Ltd | マスク |
US11795876B2 (en) | 2019-09-13 | 2023-10-24 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Outlet seal, outlet seal set, and gas turbine |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58017339A patent/JPS59144125A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02135343A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Fujitsu Ltd | マスク |
US11795876B2 (en) | 2019-09-13 | 2023-10-24 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Outlet seal, outlet seal set, and gas turbine |
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