JPS59108467A - 固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光電変換作用及び光電荷増幅作用を併有する静
電誘導トランジスタ（ＳＩＴとも称する）を利用して成
る固体撮像素子に関する。

先ず従来技術につき説明する。

静電誘導トランジスタ（以下単にトランジスタと称する
場合もある）を利用した固体撮像素子を具える固体撮像
装置に関しては例えば文献ＩＥＥＥ。

ＦＤ−２６，黒１２，１９７０　（１９７９）において
西沢等によって提案されている。

この従来提案された固体撮像装置は固体撮像素子を二次
元配列させこれら素子は各絵素にそれぞれ対応する構造
となっている。各絵素から信号を取り出丁方法としてＸ
Ｙアドレス方式と信号電荷転送方式とがあるが、静電誘
導トランジスタの特４（・性上ＸＹアドレス方式を採用
している。

第１図はＸＹアドレス方式の固体撮像装置の概略を示Ｔ
図式的路線図で、共通の半導体基板上にマトリックス状
に配列した各絵素１の位置をＸＹ直角座標で表わし、各
絵素をＸ信号選択線２及び）Ｙ信号選択線８にそれぞれ
接続し、これら選択線２及び３を水平走査回路４及び垂
直走査回路５にそれぞれ接続してこれら回路から絵素１
が順次パルスを受は取るように成している。各絵素１は
光電変換機能を有する感光素子、スイッチング素子口１
及び蓄積効果をもたせるための容量から成る。

次にこの方式の固体撮像装置に利用される従来の撮像素
子の具体的構成と動作原理につき第２図及び第８図を参
照して説明Ｔる。

第２図は絵素１に対応する撮像素子を示す断面１）図で
第８図はこの素子に対応する等価回路図であるＯ 第２図に示す従来素子ではｎ＋基板６の表面に沿ってＳ
ｉｎ、等の絶縁物による分離領域１２で周囲をかこまれ
る半導体本体中の領域内に一つの絵素２・・が構成され
ている。図中６で示すｎ＋基板は静電誘導トランジスタ
のドレイン領域として作用し、同様に７で示すｎ＋領領
域ソース領域、８で示すｐ＋領領域ゲート領域及び９で
示すｎ−領域はチャンネル領域として夫々作用する。こ
のｎ−領域９はｎ＋基板上にＣＶＤ法等によって形成さ
れている。

さらに１０は低抵抗ポリシリコン又はＳｎｏ、等の透明
電極材で構成されたソース用電極で容量Ｃを介してソー
ス領域７と結合Ｔると共にＹ信号選択線８を構成してい
る。さらに１０′はｆ／　、　Ｍｏ　、　　１１１Ｗ４
４の高融点金属又は低抵抗ポリシリコンによって構成さ
れる電極で、Ｘ信号選択線２を構成する。

次にこの従来撮像素子の動作につき説明する。

今、Ｘ信号選択線２にクリアパルス電圧ＶＧを印加し静
電誘導トランジスタを導通状態にしておきＮ。

Ｙ信号選択Ｎ８に負電圧−ｖ８を印加する。この場合、
計領域７はほぼ一■８の電位となりトランジスタＳＩＴ
が導通状態になるためｎ＋領域７がらチャンネル領域９
を経てｎ＋領域６に流出してそこに吸収される。その結
果、最終的にｎ＋領域７　・・・、丁なわちソースＳの
電位はｎ＋領域６丁なゎちド　ルーインＤの接地電位子
なゎちｏ■になる。其の後、Ｙ信号選択線３の負電位−
Ｖｓを取り除いて。■とＴるとｎ領域７の電位は＋ｖｓ
となり、この際ソース領域７とソース用電極１０との間
の容ＭＣｊｎに帯電する正電荷の量ＱはＱ＝ＯＶ８とな
る。このような状態で、この素子の基板６とは反対側の
表面から矢印１１で示すように光が入射Ｔると、この入
射光１】の光強度に応じた量の電子−正孔対が生成され
、その電子の多くはソース領域７と１・１ドレイン領域
６との間の電界によって加速されソース領域であるｎ＋
領域７に流れ込み、その結果この領域７の帯電量Ｑ′は
流れ込む電子の総量をΔｎとしかつ電子の電荷量をｑと
するとＱ’＝ＯＶｓ−ｑΔｎとなりその電位Ｖ’　ハＶ
’３＝ｖｓ−ＩｃｑΔｎ１０となる。尚、この総電荷量
Δｎは入射光強度に直線的に比例する。

次にこのような状態においてＸ信号選択線２を経てゲー
）ＧＴなわちｐ＋領域８に読出パルスＶＧを印加しそれ
に基づくＹ信号選択線８の電位変化２・・（４） ΔｖＲを読出子。この場合、電位変化ΔｖＲと前述１し
た電位Ｖ’５＝Ｖｓ−ｑΔｎ／Ｑとの間にはＣＢをＹ信
号選択線の配線蓄積容量とすると の関係があることが知られており、この関係式から入射
ｙＣ強度の増減に応じて電位変化の大きさΔ■、も直線
的に変化することか判かる。ところでこのｎ＋領域７の
電圧はその読出しの際に配線蓄積容量ＣＢにも分圧され
るためＣＢ）Ｃの場合には電位　１・・変化Δ職は非常
に小さな値となってしまう。実際に通常のこの種の撮像
装置ではＣ／ＧＢ−０，Ｏ１〜０．０２であるため、前
述した従来素子のソース又はドレインのような一方の主
電極に蓄積容量を設けこの容量に光によって生じた電荷
を蓄積Ｔるよｌ）うに成した構造では読出されるべき信
号出力が著しく小さいため雑音の影響が大きく後段での
信号処理が極めて困難であるという欠点があった。

本発明の目的は上述した従来の撮像素子の欠点に鑑み、
静電誘導トランジスタを利用するが信号−°・・出力が
大きくて読出し時に雑音の影響の小さくそ１の結果極め
て鮮明な画像が得られるように撮像を可能とした固体撮
像素子を提供することにある。

従って本発明の目的は静電誘導トランジスタの主電極側
に蓄積容量を設ける代わりに副電極に光。

照射に起因する電荷を蓄積しこれに基づく副電極の電位
変化を第−及び第二主電極間を流れる電流の変化として
増幅して読出すことが出来るように構成した所謂信号増
幅機能をもった固体撮像素子を提供することにある。

この目的の達成を図るため本発明に依れば、第−及び第
二主電極領域と、副電極領域と、第−及び第二主電極領
域間のチャンネル領域とを有する静電誘導トランジスタ
を具える固体撮像素子において、前記静電トランジスタ
を半導体本体の基板１・上に設け、前記副電極領域を前
記第一主電極の周囲に浮遊状態で設けられ入射光によっ
て前記チャンネル領域中に発生した少数キャリアを蓄積
する領域として成ることを特徴とする。

或いは又本発明に依れば受光部として静電誘導２・・ト
ランジスタと、スイッチングダイオードをこのＩトラン
ジスタの導通及び非導通の制御を行なうスイッチ部とを
組合わせ利用することも出来る。

この場合には上述した本発明に依る固体撮像素子におい
て静電誘導トランジスタに対し連続的にこのトランジス
タの第一主電極を一方の電極とＴるスイッチングダイオ
ードを設けることが出来る。

以下第４図〜第９図を参照して本発明の実施例につき説
明する。

第４図は共通半導体基板上にマトリックス状に、１゜配
列された撮像素子を示す図式的路線図であって、半導体
本体の表面上に形成された絶縁層及び配線部を除いた平
面図である。第５図及び第６図は第４図のＡ−Ａ線及び
Ｂ−Ｂ線上にそれぞれ取って示した断面図である。さら
に第７図は本発明によ１゜る撮像素子の等価回路図であ
る。

第４図に示すようにマトリックス状に配列された各素子
２０から電荷信号を取り出して外部回路へ送る機構は第
１図に示した従来の固体撮像装置と同様に形成し得る。

　　　　　　　　　　　　　２．。

第４図〜第７図に示す実施例では各絵素２０の１受光部
を光変換かつ電荷増幅素子として静電誘導トランジスタ
２１と、スイッチング素子としてのダイオード２２とを
以って構成する。この受光部は第５図及び第６図に示す
ように半導体本体２３・、の半導体基板２４上に設ける
。今−例として半導体基板２４をｐ形とする。この基板
２４の表面（・形成されたけ領域２５、ｎ−シリコン領
域２６及び副領域２７は、トランジスタＳＩＴの第二主
電極であるドレインＤ１チャンネル領域及び第−主Ｉ・
・電極であるソースＳを構成する。このｎ　領域２７の
周囲にこの領域から離間して又はこの領域と隣接してこ
の領域２７を矩形、円形その池の形状で取り囲むｐ＋領
域２８はトランジスタＳＩＴの副領域であるゲー）４を
構成する。さらに第一主電極１・であるｎ　領域２７内
にはまり込んでいるｐ＋領域２９はスイッチングダイオ
ード２２の一方の電極を形成しこのダイオード２２の能
力の電極はトランジスタＳＩＴの第一主電極の？領域２
７を共用する。さらに同一のＸ１列に属Ｔ′；６Ｙ方向
に配列２・□（８） された受光部群は半導体本体２３の表面８０から１基板
２４に至る５ｉｎ２その池の絶縁物から成る分離領域３
１によってＸｉ列毎に電気的に仕切られていて、このＸ
１列に属する各受光部は表面３０から第二主電極を構成
するｎ　領域２５に至るこの。

分離領域８１によって分離されている。従って第４図〜
第６図に示すように第二電極であるドレイン領域２５は
Ｘ信号選択線２として帯状に各Ｘｉ列方向に沿って個別
的に延在Ｔる。半導体本体２８の表面８０上に存在する
層ａ２は例えば酸化膜をＩｌｌ成長して得られた絶縁層
であってダイオード２２の一方の電極であるｐ　領域２
９に対応する部分に惣８３を有し、この窓８８を介して
ソース電極８４を例えばＡ！、低抵抗ポリシリコン又は
ｓｎｏ。

等の透明電極材料で形成しこれを第４図に仮想線で１−
・示すＹ信号選択線８に接続する。さらにこの絶縁層３
２上であって副電極であるｐ＋アゲート散領域２８に苅
向する箇所にリセット電極３５を設け、これにリセット
選択線８６を接続している。従ってこの副電極２８はリ
セット電極８５に対し電気！・・、的に浮いた浮遊状態
にありその間に容量Ｃが形成１される。半導体本体中の
各領域は従来既知の拡散法、イオン法人法等を所要に応
じて使用してそれぞれ所要の形状配置に形成し得るもの
であり、その池の絶縁層や電極の形成も従来既知の方法
で形。

成し得る。例えばｐ形半導体基板２４の場合にはｎ−シ
リコン領域２６をＯＶＤ法等の手段を用いて形成し得る
。

次に本発明による撮像素子の動作につき説明するＯ Ｘ信号選択線２及びＸ信号選択線３には夫々第７図に示
すようなパルス電圧ｖ２及びｖ８が印加されるが、今、
Ｘ信号選択線２がＯ■状態にあり、Ｘ信号選択線３が正
の電圧状態にあるとする。このＸ信号選択線２の非選択
時のレベルは、Ｙ信号１゜選択線８の正のレベルに対し
てダイオード２２が導通しないようなレベルの値（丁な
わちほぼＸ信号選択線３の電圧レベルかそれ以上の値）
に設定する。チャンネル領域２６の不純物濃度をＮｂ　
。

ゲート領域２８とドレイン領域２５との間の距離、１゜
をｌｄ１相対向するゲート領域２８間の間隔を２ａ及び
電荷をｑとすると、これらと拡散電圧■３との間に 及び ａ　＝　ｌａ ｔ、ｃるＭ係を満たす構造のトランジスタＳＩ’Ｉ’で
あるとする。又副電極であるゲート領域２８とチャンネ
ル領域２６との接合面８７から延びる空乏層が１・・ド
レイン領域２５の近傍にまで到達し相対向する接合［７
８７からの空乏層もドレイン領域２５の近傍にまで到達
し図中点線８８で示すように両空乏層がくつついている
状態にあるとする。この状態は通常チャンネルがピンチ
オフ状態にあるといいζ・ソース領域２７（又はＳ）か
らドレイン領域２５（又はＤ）への電位分布は第８図に
実線４０で示す如くチャンネル領域２６中に高い電位障
壁が生じている。従って電位差■ｓがあってもソース領
域２７（又はＳ）からドレイン領域２５（又はＤ）′・
・（１１少 へ電流は流れない。この状態でチャンネル領域２６に半
導体の禁制帯幅より大きいエネルギーをもった元が照射
されると元の強度に比例した雷、子−正孔対がこの領域
２６中に生成され、そして多数キャリアである電荷この
例では電子が電界によって加速されて電位の低いドレイ
ン領域２５に流れ込み、さらにダイオード２２の接合に
おける拡散電圧ＶＢを越えてＸ信号選択線３へと流れ去
る。

一方生成された少数キャリアである正孔はゲート領域２
５に流れ込みこの領域２５に蓄積される。１屯）これが
ため、この蓄積された電荷この場合正孔の量に比例して
ゲート電位が上昇しその結果電位障壁は第８図に点線４
１で示す如く低下し、これに伴いソース領域２７からド
レイン領域２５へと多数キャリアである電荷この場合電
子が流れ始めるにの状態ではチャンネル領域２６中の空
乏層は第６図に破線８９で示すような位置まで後退しチ
ャンネルが広がりソース領域２７とドレイン領域２５と
の間が電気的に導通状態となる。このときソース領域２
７丁なわちソースＳとドレイン領域！・・（１２ン ２５ＴなわちドレインＤとの間を流れるソース−１ドレ
イン電流工は電位障壁の高さｖｇと工ｏｃｅ−Ｖｇｊ”
　ａ／ｋｔの関係にあり従って元１］の照射によって電
位障壁ｖｇが■ｌに変化すると丁れば電流工は指数関数
的に増加する換言すれば、ゲート電位の変化が大きな電
流変化となって増幅されて取り出されることとなる。こ
の電位変化ΔＶｇ＝Ｖｇ−＊ ｔ　は照射光１１の強度と比例関係にあるからソースＳ
とドレインＤとの間には光強度に応じた電流Ｉが流れる
。その結果、各絵素に対応する撮像１．。

素子のトランジスタＳＩＴのソースＳとドレインＤに対
し垂直走査回路５及び水平走査回路４からそれぞれ対応
するＸ信号選択線８及びＸ信号選択線２を経て第７図に
対応して示すパルス電圧■８及びＶ、をそれぞれ印加す
ることによって、この絵Ｉ。

素２０が受光する光強度に応じたソース−ドレイン電流
工を得ることが出来、この電流を負荷抵抗（図示せず）
を介して出力電圧として読出すことが可能となる。　　
　　゛ 微小入射光の検出をも可能とするためには、ゲ２．。

電圧をＸ、Ｙ選択時にトランジスタＳＩＴ　２１が導通
状態の直前にあるようにゲート電圧を設定しておけばよ
い。このように丁れば微小入射光によるゲート電圧の変
化をソース−ドレイン電流として。

検出可能となる。

ゲート電位のリセット（又はプリセットともいう）は例
えば以下述べるようにして設定Ｔることが出来る。例え
ばリセット選択線８６からリセット電極３５に第９図に
φＲで示すパルス電圧を印１・・加してゲー）％位φＧ
をリセットすることが出来る。丁なわち照射光１１によ
ってゲート領域２８に一旦蓄えられた信号電荷はリセッ
ト電極３５に印加されるパルス電圧φＲの立上り時にチ
ャンネル領域２６を通りドレイン領域２５に排出され（
但ｌ・し、このリセット時にはドレイン電圧は選択時の
レベル丁なわちＯｖにセットされる）、そしてゲート領
域２８の電位はパルス電圧φＲの立下りで元のゲート電
位φＧにリセットされる。そして次のパルス電圧φ、の
立上りまでの間に照射光によ−・・・り少数キャリアが
ゲート領域２８に順次蓄えられするため第６図に斜線を
施して示したゲート電位は徐々に変化する。リセット電
極３５とゲート領域２８との間の容量Ｃすなわちリセッ
ト電極３５の面積はゲート電位の照射光による電位変化
の勾配・。

をどう設定するかに応じて決められる。

肖リセットの方法は上述した方法の池、例えば各絵素毎
にトランジスタを設けて行なうことも出来る。

上述した説明から本究明は少なくとも静電誘導１・・ト
ランジスタの空乏化されたチャンネル領域に光を入射さ
せて、それによって励起された少数キャリアを浮遊状態
のゲート領域に蓄積する構造となっていれば良い。さら
に好適な構成例では上述した構造に追加してソース又は
ドレインの電極側に１スイツチングダイオードを含んだ
構造とし得る。

本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
多くの変更又は変形をなし得る。例えば、固体撮像素子
を構成Ｔる半導体領域の全ての領域の導電形を上述した
実施例に用いられた導電形と！・・（１５］ は反対導電形となし得る。その場合印加電圧の符、号を
反対にする必要がある。さらに上述した実施例では少数
キャリアを正孔としたが所要に応じてこれを電子とする
ことも出来る。

さらに上述した実施例では第一主電極をソース−。

とじ第二主電極をドレインとしたが所要に応じて第一主
電極をドレインとし第二主電極をソースとすることも可
能である。

さらに上述した実施例ではスイッチングダイオードを接
合形ダイオードとしたがショットキダイ１，１オードと
してもよい。例えば、本発明の撮像素子のソース領域の
寸法は通常は２〜５μｍでありこれ以上あまり大きくす
ることが出来ない。接合形ダイオードの場合にはｎ　ソ
ース領域２７中にｐ＋領域２９を形成してはめ込んでい
るが、これには１゜高度の微細加工技術が必要となる。

そこで例えばダイオードをショットキ接合と下れば従来
の微細加工技術で容易に製作することが出来る。この場
合の実施例を第１Ｏ図に示す。この実施例が第５図及び
第６図につき説明した実施例と相違Ｔる点ｌ・・（１６
） は第５図及び第６図ではスイッチングダイオード１の接
合をｎ　領域２７とｐ　領域２９とにより形成するが第
１０図の実施例ではこの接合をソース領域であるｎ　領
域５０に直接ショットキ障壁を形成するような、例えば
７１ｕ　、　ＭＯ＋　Ｗ等の金属を電極８４の材料とし
て用いて、ショットキ接合４３とする点にあり、その能
の構造上の点については第５図及び第６図の実施例の場
合と同様である。

本発明によれば、固体撮像素子の光電変換部にゲート浮
遊型の静電誘導トランジスタを使用し、１．。

さらに所要に応じてこのトランジスタの一方の主電極上
に接合形、又はショットキ形のダイオードをスイッチと
して形成する構造となっている。

本発明はこのような構造により、光電荷を増幅して出力
することが出来るため、光感度が著しく、。

大きくなり丁なわち続出し時の出力信号に対する雑音の
影響を小さくし得、よって出力信号の処理が容易となる
。例えば従来のフォトダイオード或いはＭＯＳダイオー
ドのような増幅機能のない光電変換素子の感度Ｓを出力
電流対入射光強度の比、。

で表わ丁とＳ〈１（μＡ／μＷ）であるのに対し、　１
本発明の固体撮像素子の感度Ｓは５＝１０〜１０５（μ
Ａ／μＷ）となり極めて感度がよいことが判った。

さらに、主電極表面にダイオードを形成するこ。

とによって−絵素の面積を著しく小さくし得、従って同
一チップ面積当りの絵素を多く配列することが出来、よ
ってその分だけ画像の解像度を高めることが出来る。

さらにダイオードをスイッチング素子として各１２、絵
素に設けることによって絵素間の信号の相互作用が少な
くなり、プルーミング、スミア等の画像劣化を低減出来
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の説明に供する固体撮像装置をｊ・示す
部分的平面図、 第２図は従来提案されている静電誘導トランジスタを利
用した固体撮像素子を示す略図的部分的断面図、 第８図は第２図の固体撮像素子の電気的等価回路２・・
図、 第４図は本発明による固体撮像素子をマトリックス状に
配列して成る固体撮像装置の配線部及び絶縁層を取除い
た状態での部分的平面図、第５図及び第６図は本発明に
よる固体撮像素子の一実施例を示す線図であって第５図
は第４図のＡ−入線上に沿って取って示した略図的断面
図及び第６図は第４図のＢ−Ｂｍ上に沿って取って示し
た略図的断面図、 第７図は第５図及び第６図に示す本発明による。１゜固
体撮像素子の電気的等価回路図、 第８図は第５図及び第６図に示す固体撮像素子の半導体
領域の電位状態を表わ丁電位分布図、第９図は本発明の
固体撮像素子に印加されるリセット電圧φＲとゲート電
圧φＧを夫々示す曲線図、１・第１０図は本発明の固体
撮像素子の池の実施例を示す第５図に相当する略図的断
面図である。 １・・・絵素又は撮像素子　２・・・Ｘ信号選択線３・
・・Ｙ信号選択線　　　４・・・水平走査回路５・・・
垂直走査回路　　　　　　　　　　　　　　２・・（１
９） ６・・・ｎ　基板（又はドレイン領域）７・・・ソース
領域（又はｎ　領域） ８・・・ゲート領域（又はｐ＋領領域 ９・・・チャンネル領域（又はｎ−領域）ｌＯ・・・ソ
ース用電極（又はＹ信号選択線）１（１’・・・電極（
又はＸ信号選択線）】ｌ・・・入射光　　　　　１２・
・・分離領域２０・・・固体撮像素子（又は絵素） ２１・・・静電誘導トランジスタ ２２・・・スイッチングダイオード ２８・・・半導体本体　　　２４・・・基板２５．２７
・・・ｎ　領域（又は第−又は第二主電極）２６・・・
ｎ″″″シリコン領域はチャンネル領域）２８・・・ｐ
＋領領域又は副領域） ２９・・・ｐ＋領領域　　　　３０・・・半導体本体の
表面１３８１・・・分離領域　　　　３２・・・絶縁層
８８・・・窓　　　　　　　　３４・・・ソース電極３
５・・・リセツ）［極　　８６・・・リセット選択線８
７・・・ゲート領域とチャンネル領域の接合面８８．８
９・・・空乏層　　４８・・・ショットキ接合　２，１
（２０） 手続補正書 昭和５８年１１　月　４　日 １、事件の表示 昭和５７年特　許　願第２１７７６３号２、発明の名称 固体撮像素子 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 電話（５８１）　２２４１番（代表） 面」 ７、補正の内容　（別紙の通り） １、明細書第１頁第８行〜第２頁第５行を次の通り１訂
正する。 「２特許請求の範囲 １　第−及び第二主電極領域と、副電極領域と、第−及
び第二主電極領域間のチャ・、ン年ル領域とを有する静
電誘導トランジスタを具える固体撮像素子において、前
記静電誘導トランジスタを半導体本体の基板上に設け、
前記副電極領域を工前記第−主電極の周囲に電気的に浮
遊状態で１０設けられ入射光によって前記チャンネル領
域中に発生した少数キャリアを蓄積する領域を以って構
成したことを特徴とする固体撮像素子。 極とするスイッチングダイオードを形成（２） ２明細書第４頁第１２行の「構成される電極」を１１構
成されるゲート＋７（極」と訂正し、同頁第１５行の「
導通状轢」を「導通可能な状態」と訂正し、 同頁第１８行の「ｎ十領域７から」を「ｎ十領域・１７
から電子が」と訂正する。 ８同第５頁第６行の１に帯電する」を「を充電する」と
訂正する。 ４（同第７頁第１５行の「静電トランジスタ」を「静電
誘導トランジスタ」と訂正する。 ５同第９頁第２行の「電荷増幅素子として静電誘導」を
「電荷増幅素子としての静電誘導」と訂正し、 同１第１４行を次の通りに訂正する。 「取り囲み電気的に浮遊状部にあるｐ＋領領域・・２８
はトランジスタＳＩＴの副ｌ！極領」６同第１０頁第５
行の「至るこの」を「至るまでこの」と訂正し、 同頁第１７行の１副電極である」を「副電極領域である
」と訂正し、　　　　　　　　　　　２０同頁第２０行
の１副電極２８」を１ゲート電Ｗ１１領域２８」と訂正
する。 ７同第１１頁第１行の「に浮いた浮遊状態」を「絶縁状
態」と訂正する。 ８、同第１２頁第２行の１電荷」を「キャリアの電。 荷置」と訂正し、 同頁第９行の「副電極である−１を「副ｌｉｔ極領域で
ある」と訂正する。 ９同第１８頁第７〜８行を［れ込み、ざらにＸ信号選択
線２へと流れ去る。」と訂［Ｅし、同頁第１Ｏ行を１領
域２８に流れ込みこの領域２８に蓄積される。」と訂正
し、 同頁第１７行の「破線８９」を「一点鎖線３９」と訂正
する。 １０、同第１６頁第２行を次の通りに訂正する。　　ｌ
）［るため第９図に斜線を施して示したゲート電位φＧ
は］ １１同第２１頁第１４行を次の通り訂正する。 「２８・・ｐ＋領領域又は副ｗ１極領域）」１２、図中
第５図及び第６図を別紙訂正図の通りに　１訂正する。 （５）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　第−及び第二主電極領域と、副電極領域と、第−及
   び第二主電極領域間のチャンネル領域−とを有する静電
   誘導トランジスタを具える固体撮像素子において、前記
   静電誘導トランジスタを半導体本体の基板上に設け、前
   記副電極領域を前記第一主電極の周囲に電気的に浮遊状
   態で設けられ入射光によって前記チャンネル領域中に発
   生した少数キャリアを蓄積する領域として成ることを特
   徴とする固体撮像素子。 ２、　第−及び第二主電極領域と、副電極領域と、第−
   及び第二主電極領域間のチャンネル領域−とを有する静
   電誘導トランジスタを具える固体撮像素子において、前
   記誘導トランジスタを半導体本体の基板上に設け、前記
   副電極領域を前記第一主電極の周囲に電気的に浮遊状態
   で設けられ入射光によって前記チャンネル２．・領域中
   に発生した少数キャリアを蓄積する領ｌ域とし、前記静
   電誘導トランジスタに対し連続的に前記第一主電極を一
   方の電極とするスイッチングダイオードを形成して成る
   ことを特徴とする固体撮像素子。