JPS5910265A - 光センサアレイ装置 - Google Patents
光センサアレイ装置Info
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- JPS5910265A JPS5910265A JP57118587A JP11858782A JPS5910265A JP S5910265 A JPS5910265 A JP S5910265A JP 57118587 A JP57118587 A JP 57118587A JP 11858782 A JP11858782 A JP 11858782A JP S5910265 A JPS5910265 A JP S5910265A
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- film
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光センサアレイ装置に係わり、特にファクシミ
リ送信装置などの密着形光センザアレイ装置に用いられ
るラインセンサの構造の改良に関するものである。
リ送信装置などの密着形光センザアレイ装置に用いられ
るラインセンサの構造の改良に関するものである。
近年、ファクシミリ送信装置の小形化、高速度化および
高信頼化を目的として密着形読み取り方式の光センサア
レイ装置が提案されている。この光センサアレイ装置は
、透光性ガラス基板上に光電変換機能を有する、例えば
アモルファスシリコン薄膜ダイオードを８本／、、（約
１２５μＷＬ）程度のピッチで多数本並列配置して形成
したラインセンサを送信原稿に密着させて１：１の比率
で読み取るようにしたものである。この場合、送信原稿
がＡ４サイズ（約２２０ｍｍ）では、ライセ／すは約１
７６０本のアルファスシリコン薄膜ダイオードと、この
ダイオードに直列接続されて光電変換信号の廻シ込みに
よって生じるクロストークを防止するブロッキングダイ
オードと、その読み出し信号を外部へ引き出すマトリッ
クス配線が必要となる。
高信頼化を目的として密着形読み取り方式の光センサア
レイ装置が提案されている。この光センサアレイ装置は
、透光性ガラス基板上に光電変換機能を有する、例えば
アモルファスシリコン薄膜ダイオードを８本／、、（約
１２５μＷＬ）程度のピッチで多数本並列配置して形成
したラインセンサを送信原稿に密着させて１：１の比率
で読み取るようにしたものである。この場合、送信原稿
がＡ４サイズ（約２２０ｍｍ）では、ライセ／すは約１
７６０本のアルファスシリコン薄膜ダイオードと、この
ダイオードに直列接続されて光電変換信号の廻シ込みに
よって生じるクロストークを防止するブロッキングダイ
オードと、その読み出し信号を外部へ引き出すマトリッ
クス配線が必要となる。
第１図は密着形光センサアレイ装置に係わるラインセン
サの一例を示す要部断面構成図である。
サの一例を示す要部断面構成図である。
同図において、１は図示しない送信原稿が密着される透
光性ガラス基板、２は基板１上に例えば配列方向に１２
５μｍピッチで約１７６０組形成されかつ一組が直線方
向に所定間隔で配列して形成されたＡｔ電極であり、２
ａは共通電極、２ｂは中継電極、２ｃは個別電極、３は
中継を極２ｂの一端上に仮Ｍ形成されたアモルファスシ
リコンからなる光電変換用フォトダイオード、４は中継
電極２ｂの他端上に被着形成されたアモルファスシリコ
ンからなるクロストーク防止用ブロッキングダイオード
、５はフォトダイオード３およびブロッキングダイオー
ド４の断面部分を保護する５ｉＯｚなどカラするパッシ
ベーション膜、ｓｒａパッシベーション膜５上に被着形
成されかつフォトダイオード３と共通電惜２ａとを電気
的に接続する透明導電膜からなる透明電極、Ｉはパッシ
ベーション膜５上に被着形成されかつブロッキングダイ
オード４と個別電極２ａとを電気的に接続するＡｔ蒸着
膜からなる上部電極、８は個別電極２ｃ上に被着形成さ
れたＡｔ蒸着膜からなるマトリックス配線、９はその接
続部である。
光性ガラス基板、２は基板１上に例えば配列方向に１２
５μｍピッチで約１７６０組形成されかつ一組が直線方
向に所定間隔で配列して形成されたＡｔ電極であり、２
ａは共通電極、２ｂは中継電極、２ｃは個別電極、３は
中継を極２ｂの一端上に仮Ｍ形成されたアモルファスシ
リコンからなる光電変換用フォトダイオード、４は中継
電極２ｂの他端上に被着形成されたアモルファスシリコ
ンからなるクロストーク防止用ブロッキングダイオード
、５はフォトダイオード３およびブロッキングダイオー
ド４の断面部分を保護する５ｉＯｚなどカラするパッシ
ベーション膜、ｓｒａパッシベーション膜５上に被着形
成されかつフォトダイオード３と共通電惜２ａとを電気
的に接続する透明導電膜からなる透明電極、Ｉはパッシ
ベーション膜５上に被着形成されかつブロッキングダイ
オード４と個別電極２ａとを電気的に接続するＡｔ蒸着
膜からなる上部電極、８は個別電極２ｃ上に被着形成さ
れたＡｔ蒸着膜からなるマトリックス配線、９はその接
続部である。
このように構成されたラインセンサにおいては、図示し
ない送信原稿からの反射光を検出して光電変換させるフ
ォトダイオード３とマトリックス配線８のクロストーク
を防止するブロッキングダイオード４とが分離して形成
されているため、ダイオード３，４の断面を短絡防止す
る手段として必要があった。この場合、このパッシベー
ションＭ５上に上部電極７を設けるにはこのパッシベー
ション膜５にスルホールを形成しなければならず、この
ためにはパッシベーション膜５とブロッキングダイオー
ド４との選択エツチングを高精度で行なう必要があり、
したがってラインセンサの歩留シを犬１−に低下させる
という問題があった。
ない送信原稿からの反射光を検出して光電変換させるフ
ォトダイオード３とマトリックス配線８のクロストーク
を防止するブロッキングダイオード４とが分離して形成
されているため、ダイオード３，４の断面を短絡防止す
る手段として必要があった。この場合、このパッシベー
ションＭ５上に上部電極７を設けるにはこのパッシベー
ション膜５にスルホールを形成しなければならず、この
ためにはパッシベーション膜５とブロッキングダイオー
ド４との選択エツチングを高精度で行なう必要があり、
したがってラインセンサの歩留シを犬１−に低下させる
という問題があった。
したがって本発明は、前述した欠点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、フォトダイオード
とブロッキングダイオードとを一体的に構成することに
よって、パッシベーション膜を不要とさせるとともに、
ダイオードの断面の短絡を防止させたラインセンサを有
する元センサアレイ装置を提供することにある。以下、
図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
のであり、その目的とするところは、フォトダイオード
とブロッキングダイオードとを一体的に構成することに
よって、パッシベーション膜を不要とさせるとともに、
ダイオードの断面の短絡を防止させたラインセンサを有
する元センサアレイ装置を提供することにある。以下、
図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図および第３図は本発明による光センサアレイ装置
に係わるラインセンサの一例を示す図で、第２図は要部
平面構成図、第３図はそのＡ−Ａ’断面図であり、第１
図と同記号は同一要素となるのでその説明は省略する。
に係わるラインセンサの一例を示す図で、第２図は要部
平面構成図、第３図はそのＡ−Ａ’断面図であり、第１
図と同記号は同一要素となるのでその説明は省略する。
これらの図において、透光性ガラス基板１上に形成され
た共通電極２ａと個別電極２ｃとの対向端間には島状に
ｐ、ｉ、ｎ形アモルファスシリコン膜１０が被着形成さ
れ、さらにこのシリコン膜１００周縁部を除く中央部分
にはＡｔ蒸着膜からなる上部電極７が被着形成されてい
る。そして、共通電極２ａの対向端上に形成されたシリ
コン膜１０および上部電極Ｉ上には透明４電膜からなる
光入射用の透明電極６が被着形成されてこの透明電極６
．上部１極７と共通電極２ａ間には光を検出して光電変
換信号なうフ第１・ダイオード１１が構成され、一方シ
リコン膜１０の個別電４ｍ２ｃと上部電極７との間には
マトリックス配線８からの光電変換信号の７Ａ＃）込み
によって生じるクロストーク防止用ブロッキングダイオ
ード１２が構成されている。なお、この場合、シリコン
Ｍ１０の上部中央部分に形成された上部電極７は、フォ
トダイオード１１とブロッキングダイオード１２とを電
気的に直列接続する尋電機能を有し、この両ダイオード
１１．１２は一体的に構成されている。
た共通電極２ａと個別電極２ｃとの対向端間には島状に
ｐ、ｉ、ｎ形アモルファスシリコン膜１０が被着形成さ
れ、さらにこのシリコン膜１００周縁部を除く中央部分
にはＡｔ蒸着膜からなる上部電極７が被着形成されてい
る。そして、共通電極２ａの対向端上に形成されたシリ
コン膜１０および上部電極Ｉ上には透明４電膜からなる
光入射用の透明電極６が被着形成されてこの透明電極６
．上部１極７と共通電極２ａ間には光を検出して光電変
換信号なうフ第１・ダイオード１１が構成され、一方シ
リコン膜１０の個別電４ｍ２ｃと上部電極７との間には
マトリックス配線８からの光電変換信号の７Ａ＃）込み
によって生じるクロストーク防止用ブロッキングダイオ
ード１２が構成されている。なお、この場合、シリコン
Ｍ１０の上部中央部分に形成された上部電極７は、フォ
トダイオード１１とブロッキングダイオード１２とを電
気的に直列接続する尋電機能を有し、この両ダイオード
１１．１２は一体的に構成されている。
このようにして構成されたラインセンサによれば、フォ
トダイオード１１とブロッキングダイオード１２との接
続配線において、Ａｔ蒸着膜からなる上部電極７がシリ
コン膜１０の断面に接触しない構成となり、したがって
フォトダイオード１１およびブロッキングダイオード１
２を短絡させることがなくなる。また、フォトダイオー
ド１１とブロッキングダイオード１２との間隔を１解以
上距離を離間させて構成することによって、シリコン膜
１０のドーピングｊ−１つまり共通電極２ａおよび個別
電極２ｃ上に最初に形成されるシリコン膜１０のｐ層を
流れる電θＩＬも、この両軍物２ａ＋２ｃ間のリーク抵
抗が数ＭΩとなるので、極めて少なくなシ、実用土何ら
全く問題はない。この結果、シリコン膜１０と上部電極
７との間に８１０２などのパッシベーション膜５（第１
図参照）を設ける必要性が全くなくなり、したがって構
造の簡単なラインセンサが生産性良く得られる。
トダイオード１１とブロッキングダイオード１２との接
続配線において、Ａｔ蒸着膜からなる上部電極７がシリ
コン膜１０の断面に接触しない構成となり、したがって
フォトダイオード１１およびブロッキングダイオード１
２を短絡させることがなくなる。また、フォトダイオー
ド１１とブロッキングダイオード１２との間隔を１解以
上距離を離間させて構成することによって、シリコン膜
１０のドーピングｊ−１つまり共通電極２ａおよび個別
電極２ｃ上に最初に形成されるシリコン膜１０のｐ層を
流れる電θＩＬも、この両軍物２ａ＋２ｃ間のリーク抵
抗が数ＭΩとなるので、極めて少なくなシ、実用土何ら
全く問題はない。この結果、シリコン膜１０と上部電極
７との間に８１０２などのパッシベーション膜５（第１
図参照）を設ける必要性が全くなくなり、したがって構
造の簡単なラインセンサが生産性良く得られる。
以上説明したように本発明による光センサアレイ装置に
よれば、光電変換機能を有するフォトダイオードとクロ
ストーク防止用ブロッキングダイオードとを一体的に構
成したことによって、このダイオードと、両ダイオード
相互間を電気的に接続配縁する電極との絶縁膜としての
パッシベーションが不要となるとともに、ダイオードと
パッシベーション膜との高精度な選択エツチング工程が
不要となるので、ダイオードの断面方向の短絡が皆無と
なるとともに、ラインセンサの歩留りを大幅に向上させ
ることができるなどの極めて優れた効果が得られる。
よれば、光電変換機能を有するフォトダイオードとクロ
ストーク防止用ブロッキングダイオードとを一体的に構
成したことによって、このダイオードと、両ダイオード
相互間を電気的に接続配縁する電極との絶縁膜としての
パッシベーションが不要となるとともに、ダイオードと
パッシベーション膜との高精度な選択エツチング工程が
不要となるので、ダイオードの断面方向の短絡が皆無と
なるとともに、ラインセンサの歩留りを大幅に向上させ
ることができるなどの極めて優れた効果が得られる。
第１図は機業されている密層形光センサアレイ装置に係
わるラインセンサの一例を示す要部断面図、第２図およ
び第３図は本発明による密着形光センサアレイ装置に係
わるラインセンサの一例を示す袂部平面構成図およびそ
のＡ−Ａ’断面図である。 １・・・・透光性ガラス基板、２ａ・・・・共通電極、
２ｃ・・・・個別電極、６・・・・透明電極、７・・・
・上部電極、８・・・・マトリックス配線、９・・・・
接続部、１０・・・・アモルファスシリコン膜、１１・
・・参フォトダイオード、１２＠−・・ブロッキングダ
イオード。
わるラインセンサの一例を示す要部断面図、第２図およ
び第３図は本発明による密着形光センサアレイ装置に係
わるラインセンサの一例を示す袂部平面構成図およびそ
のＡ−Ａ’断面図である。 １・・・・透光性ガラス基板、２ａ・・・・共通電極、
２ｃ・・・・個別電極、６・・・・透明電極、７・・・
・上部電極、８・・・・マトリックス配線、９・・・・
接続部、１０・・・・アモルファスシリコン膜、１１・
・・参フォトダイオード、１２＠−・・ブロッキングダ
イオード。
Claims (1)
- 透光性ガラス基板上に多数個形成配置された光電変換機
能を有するフォトダイオードと、前記フォトダイオード
に直列接続されて光電変換信号のクロストークを防止す
るブロッキングダイオードと、前記光電変換信号を外部
へ引き出すマトリックス配線とからなるラインセンサを
具備してなる光センサアレイ装置において、前記フォト
ダイオードと前記ブロッキングダイオードとを一体構成
したことを特徴とする光センサアレイ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118587A JPS5910265A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 光センサアレイ装置 |
| US06/511,333 US4607168A (en) | 1982-07-09 | 1983-07-06 | Photosensor array devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118587A JPS5910265A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 光センサアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910265A true JPS5910265A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14740272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118587A Pending JPS5910265A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 光センサアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7671435B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57118587A patent/JPS5910265A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7671435B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US10249677B2 (en) | 2005-09-29 | 2019-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US11094732B2 (en) | 2005-09-29 | 2021-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US11152419B2 (en) | 2005-09-29 | 2021-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US11862660B2 (en) | 2005-09-29 | 2024-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
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