JPS5898941A - ウエ−ハ・チヤツク - Google Patents
ウエ−ハ・チヤツクInfo
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- JPS5898941A JPS5898941A JP57191748A JP19174882A JPS5898941A JP S5898941 A JPS5898941 A JP S5898941A JP 57191748 A JP57191748 A JP 57191748A JP 19174882 A JP19174882 A JP 19174882A JP S5898941 A JPS5898941 A JP S5898941A
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- wafer
- chuck
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
- B25B11/005—Vacuum work holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S269/00—Work holders
- Y10S269/903—Work holder for electrical circuit assemblages or wiring systems
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野〕
この発明は、半導体ウェーへのための保持装置に関し、
特に、ウェーハ上の粒子状物体の作用を最小にするよう
なウェーハ保持のためのウェーハ・チャックおよびロー
ディング装置に関する。
特に、ウェーハ上の粒子状物体の作用を最小にするよう
なウェーハ保持のためのウェーハ・チャックおよびロー
ディング装置に関する。
[発明の背11
半導体工業においては、半導体集積回路を製造するため
の原材料として、通常、シリコン、サファイヤまたは同
様の材料が用いられている。これらの材料は、f14g
l的には5.04C鵬(2インチ)から12.7cm(
5インチ)までの直径を有する、はぼ円筒状のインゴッ
トとして製造されている。
の原材料として、通常、シリコン、サファイヤまたは同
様の材料が用いられている。これらの材料は、f14g
l的には5.04C鵬(2インチ)から12.7cm(
5インチ)までの直径を有する、はぼ円筒状のインゴッ
トとして製造されている。
このインゴットは、ダイヤモンドホイールンーによりス
ライスされて1000分の数ミリ(1000分の数イン
チ)の厚みを有するウェーハにされる0通常は、ウェー
ハは半剛体であり、すなわち自己支持強度を有するもの
であるが、物理的外力によって変形され得るものである
。ウェーハをスライスした場合には直ちに、ウェーハの
バッキング、取扱いおよび製造のためのクリーンルーム
を用いて、ウェーハを粒子状物体の汚染を免れるように
維持することが行なわれている。それにも関わらず、現
在入手可能な最も強力な清浄能力をもってしても、つI
−ハはウェーハの表面、Fの付着する粒子状物体にさら
されることになる。
ライスされて1000分の数ミリ(1000分の数イン
チ)の厚みを有するウェーハにされる0通常は、ウェー
ハは半剛体であり、すなわち自己支持強度を有するもの
であるが、物理的外力によって変形され得るものである
。ウェーハをスライスした場合には直ちに、ウェーハの
バッキング、取扱いおよび製造のためのクリーンルーム
を用いて、ウェーハを粒子状物体の汚染を免れるように
維持することが行なわれている。それにも関わらず、現
在入手可能な最も強力な清浄能力をもってしても、つI
−ハはウェーハの表面、Fの付着する粒子状物体にさら
されることになる。
ウェーハの製造・検査の閤つェーへを適切な位置に保持
するために、真空ウェーハ・チャックとして知られてい
る半導体つI−ハ用保持装■が、考案されてきた。T、
オノたちに対して発行されたアメリカ合衆国特許第4.
131.267号において例示的に示されているような
このようなチャックは、平坦な表面内に形成された様々
な大きさの環状溝または放射状溝を有している。つ1−
八がこの平坦な表面上に配置されかつウェーハの一方表
面により覆われる溝に対して真空が与えられると、ウェ
ーハは真空が保持されている限りその位置に保持される
。
するために、真空ウェーハ・チャックとして知られてい
る半導体つI−ハ用保持装■が、考案されてきた。T、
オノたちに対して発行されたアメリカ合衆国特許第4.
131.267号において例示的に示されているような
このようなチャックは、平坦な表面内に形成された様々
な大きさの環状溝または放射状溝を有している。つ1−
八がこの平坦な表面上に配置されかつウェーハの一方表
面により覆われる溝に対して真空が与えられると、ウェ
ーハは真空が保持されている限りその位置に保持される
。
従来の真空チャックにおいて遭遇した1つの同一点は、
真空が加えられたとき、ウェーハの下側すなわち真空チ
ャックと接触する側の粒子状物体が、わずかではあるが
測定可能な変形をウェーハの反対側に発生させることで
ある。このような変形すなわち***がウェーハ中に生じ
ると、平坦試験の閤、露出したウェーハ表面が信鎖性の
ないデータを与えることになる。平坦性はウェーハ表面
の品質において重要なW41Iである。なぜならば、フ
ォトリソグラフィーは全表面がステップ−繰返し処理の
ために同一焦点面内に存在することを要諭し、それによ
って多数の同一のパターンがウェーハ上に配置されるこ
とを確保するものだからである。いくつかのパターンで
たとえわずかでも焦点が外れているならば、写真パター
ンに基づく品質の劣る集積回路チップが生じるであろう
。
真空が加えられたとき、ウェーハの下側すなわち真空チ
ャックと接触する側の粒子状物体が、わずかではあるが
測定可能な変形をウェーハの反対側に発生させることで
ある。このような変形すなわち***がウェーハ中に生じ
ると、平坦試験の閤、露出したウェーハ表面が信鎖性の
ないデータを与えることになる。平坦性はウェーハ表面
の品質において重要なW41Iである。なぜならば、フ
ォトリソグラフィーは全表面がステップ−繰返し処理の
ために同一焦点面内に存在することを要諭し、それによ
って多数の同一のパターンがウェーハ上に配置されるこ
とを確保するものだからである。いくつかのパターンで
たとえわずかでも焦点が外れているならば、写真パター
ンに基づく品質の劣る集積回路チップが生じるであろう
。
この発明の目的は、半導体ウェーハまたは同様の商品の
裏面上の粒子状物体の影響を最小にし得るウェーハ・チ
ャックを提供することである。
裏面上の粒子状物体の影響を最小にし得るウェーハ・チ
ャックを提供することである。
[発明の開示]
上述の目的は、等しい高さの複数個のピークと谷とを有
する剛性のウェーハ支持表面を有するウェーハ・チャッ
クにより達成される。これらのピークは、ウェーハを変
形させることなく支持するための最小接触表面を形成す
る。このピークは、ウェーハのローディング方向に平坦
な端縁を′有する先端が切断されたような台形である。
する剛性のウェーハ支持表面を有するウェーハ・チャッ
クにより達成される。これらのピークは、ウェーハを変
形させることなく支持するための最小接触表面を形成す
る。このピークは、ウェーハのローディング方向に平坦
な端縁を′有する先端が切断されたような台形である。
f)x−八がこの端縁を横切ってローディングされると
き、この端縁は端縁を横切って通過する粒子状物体をこ
すり取ろうとし、そのためピークにより支持されたウェ
ーハ上の領域には粒子が存在しなくなる。他方、ピーク
により支持されていないウェー八領域は粒子汚染を有す
るが、平坦性に対するn1liは発生しない。なぜなら
ば、これらの領域は変形を引き起こす部分に接触されな
いからである。、 最小面積のピークおよび谷すなわち支持表面のための好
ましいパターンは、四辺形の上面を有する台形の直交行
列からなる格子である。
き、この端縁は端縁を横切って通過する粒子状物体をこ
すり取ろうとし、そのためピークにより支持されたウェ
ーハ上の領域には粒子が存在しなくなる。他方、ピーク
により支持されていないウェー八領域は粒子汚染を有す
るが、平坦性に対するn1liは発生しない。なぜなら
ば、これらの領域は変形を引き起こす部分に接触されな
いからである。、 最小面積のピークおよび谷すなわち支持表面のための好
ましいパターンは、四辺形の上面を有する台形の直交行
列からなる格子である。
−作において好ましいモードでは、ウエーノ\は支持表
向上の位置までコンベアにより移動される。
向上の位置までコンベアにより移動される。
ウェーハが支持表面を横切りてコンベアにより移lII
されると、つI−八が支持表面を横切ってスライドする
につれていくらかの粒子状物体が除去されるように弱い
真空が与えられる。ウェーハがつI−ハ・チャックの支
持表面の約80ないし90%を冒うとき、コンベアの動
きは停止し、かつ真空圧が遮断される。つI−ハ押動部
材がウェーハ支持表面上の所望の位置にウェーハを整列
させるようにウェーへの端縁に接触する閣、ウェーハは
緩和された位置にある。この押動操作の閣、台形の端縁
はウェーハ表面から粒子状物体を除去する機会を再度有
する。ウェーハが所望の位置に達すると、最大真空圧力
が加えられ、その結果ウェーハはチャックに確実に保持
される。
されると、つI−八が支持表面を横切ってスライドする
につれていくらかの粒子状物体が除去されるように弱い
真空が与えられる。ウェーハがつI−ハ・チャックの支
持表面の約80ないし90%を冒うとき、コンベアの動
きは停止し、かつ真空圧が遮断される。つI−ハ押動部
材がウェーハ支持表面上の所望の位置にウェーハを整列
させるようにウェーへの端縁に接触する閣、ウェーハは
緩和された位置にある。この押動操作の閣、台形の端縁
はウェーハ表面から粒子状物体を除去する機会を再度有
する。ウェーハが所望の位置に達すると、最大真空圧力
が加えられ、その結果ウェーハはチャックに確実に保持
される。
[この発明を実施するための最適の寅m態Ill第1図
および12図を参照して、ウェーハ・チャック11の支
持表面が承される。一般的には、このチャックはガラス
または金属のような固体材料から構成される。この材料
の好ましいものとしては、パイレックス(―品名)が、
その小さな熱膨張特性ゆえに推奨される。チャック11
は剛性の支持ti面13含有しており、この支持表面1
3は溝のj!#虞に先立ち、成る波長の光の一部分内で
平坦である。支持表面13の全面積が一般的には支持さ
れるべきウェーハ15の領域に適合されているが、この
支持表EIi13はつI−ハ15の領域よりも大きくて
もよい。このことは、支持*Iliが主平坦端縁17お
よび多分副平坦端締19.21を有することを**する
であろう。この明細−中で説明されるウェーハのローデ
ィング操作において有益であるけれども、支持表面がウ
ェーハの領域と一致することは必須ではない。必須では
ないが、ウェーハのローディングに有用である部材は、
直立したウェーハ停止部材23であり、これは7戸スナ
25によりチャックに連結されている。停止部材23は
、ローディング動作の関ウェーへの移動を制限するため
に、支持表面13から垂直方向に突出する端$127を
有している。
および12図を参照して、ウェーハ・チャック11の支
持表面が承される。一般的には、このチャックはガラス
または金属のような固体材料から構成される。この材料
の好ましいものとしては、パイレックス(―品名)が、
その小さな熱膨張特性ゆえに推奨される。チャック11
は剛性の支持ti面13含有しており、この支持表面1
3は溝のj!#虞に先立ち、成る波長の光の一部分内で
平坦である。支持表面13の全面積が一般的には支持さ
れるべきウェーハ15の領域に適合されているが、この
支持表EIi13はつI−ハ15の領域よりも大きくて
もよい。このことは、支持*Iliが主平坦端縁17お
よび多分副平坦端締19.21を有することを**する
であろう。この明細−中で説明されるウェーハのローデ
ィング操作において有益であるけれども、支持表面がウ
ェーハの領域と一致することは必須ではない。必須では
ないが、ウェーハのローディングに有用である部材は、
直立したウェーハ停止部材23であり、これは7戸スナ
25によりチャックに連結されている。停止部材23は
、ローディング動作の関ウェーへの移動を制限するため
に、支持表面13から垂直方向に突出する端$127を
有している。
この発明の重要な特Ikは、支持ll&向上に形成され
た複数−のピークおよび谷(ある。相互に直交する方向
に浅い溝を形成することにより、ピークおよび谷が形成
される。ウェーハ接触11面を最小にするように、ピー
クの表面を最小にすることが好ましり、W4時に真空が
溝に与えられるときつ工−ハに支持を与える鴎、この溝
がウェーハを平坦な基準平面に接触する位置に保持する
。ピークの好ましい形状は、多角形の端縁を有する上面
を有する先端が切断された円筒であり、台形を形作るピ
ークが先に述べた切断により形成されると、各台形のI
i面形状は四辺形であり、好ましくは長方形または正方
形であるであろう。ウェーハと接触するピークの総面積
のビーク閤の谷すなわち通りの総員−に対する比率が、
10対1以下、好ましくは3対1ないし1対1もしくは
それ以下であるように、ピークを形成する溝すなわち通
りが充分広くされるべきである。
た複数−のピークおよび谷(ある。相互に直交する方向
に浅い溝を形成することにより、ピークおよび谷が形成
される。ウェーハ接触11面を最小にするように、ピー
クの表面を最小にすることが好ましり、W4時に真空が
溝に与えられるときつ工−ハに支持を与える鴎、この溝
がウェーハを平坦な基準平面に接触する位置に保持する
。ピークの好ましい形状は、多角形の端縁を有する上面
を有する先端が切断された円筒であり、台形を形作るピ
ークが先に述べた切断により形成されると、各台形のI
i面形状は四辺形であり、好ましくは長方形または正方
形であるであろう。ウェーハと接触するピークの総面積
のビーク閤の谷すなわち通りの総員−に対する比率が、
10対1以下、好ましくは3対1ないし1対1もしくは
それ以下であるように、ピークを形成する溝すなわち通
りが充分広くされるべきである。
この溝は鋸歯により切断されて形成される必要はないが
、エツチングされていない領域を保護するためのマスク
iIc用いて化学的にエツチングにより形成されてもよ
い、この溝の深さはそんなに揮い必要はない。一般的な
深さは、0.3−霧のような1ミリメータの何分の1で
ある。
、エツチングされていない領域を保護するためのマスク
iIc用いて化学的にエツチングにより形成されてもよ
い、この溝の深さはそんなに揮い必要はない。一般的な
深さは、0.3−霧のような1ミリメータの何分の1で
ある。
第2!lは、ウェーハ15がそこから除去されており、
それによって中央開口33を取り囲む満すなわち谷に対
して真空圧を与える中央開口33を示す点を除き、第1
aiと同様の図である。中央−口を用いることは必須の
構成ではない。真空ポートが、他の位置に設けられても
よい。谷に真空圧を与えることにより、ピーク上に支持
されたウェーハはチャック表面の方に引張られ、かつそ
の位置に保持される。
それによって中央開口33を取り囲む満すなわち谷に対
して真空圧を与える中央開口33を示す点を除き、第1
aiと同様の図である。中央−口を用いることは必須の
構成ではない。真空ポートが、他の位置に設けられても
よい。谷に真空圧を与えることにより、ピーク上に支持
されたウェーハはチャック表面の方に引張られ、かつそ
の位置に保持される。
第3allないし第3d図を参照して、この発明の真空
チャック上へのつI−ハのローディングが明らかとなる
であろう@ 13Ji @Iでは、真空開口33が11
1135に接続されていることが示されている。1対の
フランジ37.39を支持するスプールが、春雪35を
真空装置に接続しており、伯方チャックに機械的な支持
を**に与えている。
チャック上へのつI−ハのローディングが明らかとなる
であろう@ 13Ji @Iでは、真空開口33が11
1135に接続されていることが示されている。1対の
フランジ37.39を支持するスプールが、春雪35を
真空装置に接続しており、伯方チャックに機械的な支持
を**に与えている。
このスプールはチャックに結合されており、かつ停止部
材のためのブラケットがこれにねじ込められている。
材のためのブラケットがこれにねじ込められている。
第3b@lでは、矢印A、Bにより示す方向に、ウェー
ハ15がチャック上にローディングされる。
ハ15がチャック上にローディングされる。
ローディング開始時においては、弱い真空が導管35を
通じて与えられる。この弱い真空は、ウェーハまたはチ
ャック11面のいずれかから空気伝達され得るすべての
粒子を除去しようとする。ウェーハが第3C図に示す位
置に達したとき、真空圧が解除されるが、ウェーハはピ
ーク表面に緊密に接触し続ける。停止部材23がチャッ
クを横切るウェーハを停止するまで、押一部材が矢印C
で示す方向に力を加える。この移動距離は、通り一通り
の大きさの数倍である。この方法では、ウェーハの裏側
が、ピークの端縁によりつI−ハ表面から変位された粒
子を有する谷の上方に存在するウェーハ表面上の領域は
、そこに付着しているいくらかの粒子状物体を有してい
るかもしれないが、これらの領域は支持領域と接触しな
りため、ウェーハ表面の反対側での賓形は発生しない。
通じて与えられる。この弱い真空は、ウェーハまたはチ
ャック11面のいずれかから空気伝達され得るすべての
粒子を除去しようとする。ウェーハが第3C図に示す位
置に達したとき、真空圧が解除されるが、ウェーハはピ
ーク表面に緊密に接触し続ける。停止部材23がチャッ
クを横切るウェーハを停止するまで、押一部材が矢印C
で示す方向に力を加える。この移動距離は、通り一通り
の大きさの数倍である。この方法では、ウェーハの裏側
が、ピークの端縁によりつI−ハ表面から変位された粒
子を有する谷の上方に存在するウェーハ表面上の領域は
、そこに付着しているいくらかの粒子状物体を有してい
るかもしれないが、これらの領域は支持領域と接触しな
りため、ウェーハ表面の反対側での賓形は発生しない。
第4a図ないし第4d図を参照して、ローディングのシ
ーケンスは、より詳細に示される。ウェーハチャック1
1がアーム41により支持されているように示されてお
り、このアーム41はウェーハコンベア45のベルト4
3により作られる水平方向に対する角度よりもやや小さ
い角度で、チャック支持表面13を傾斜させる。ウェー
ハ15は、コンベア上を衝動し、コンベアベルトホイー
ル46上で回転するにつれて、矢印Eで示す方向にやや
傾斜する。弱い真空はアーム41を介してチャック11
に与えられる。
ーケンスは、より詳細に示される。ウェーハチャック1
1がアーム41により支持されているように示されてお
り、このアーム41はウェーハコンベア45のベルト4
3により作られる水平方向に対する角度よりもやや小さ
い角度で、チャック支持表面13を傾斜させる。ウェー
ハ15は、コンベア上を衝動し、コンベアベルトホイー
ル46上で回転するにつれて、矢印Eで示す方向にやや
傾斜する。弱い真空はアーム41を介してチャック11
に与えられる。
第4b図では、ウェーハが支持表rIJ13の少なくと
も75%を覆うまで、コンベア45が矢印Fで示すよう
にチャック上で押動し統ける。このとき、真空圧が解除
され、1840図では、ウェーハがつI−ハ停止部材2
3と接触するに至るまで、ウェーハ端縁に接触する弾性
ホイール53を有するウェーハ押動手段51がウェーハ
を矢印Gにより示す方向に押動する。ホイール53が、
直立部材57により支持される軸55上に取付けられて
おり、この直立部材57はクランク61および連結ロッ
ド63により旋回点59で回転される。クランク61は
、特に図示しない光学スイッチにより起動され、この光
学スイッチはウェーハのローディングの終了を示す。代
わりに、クランクはコンベア上でのウェーハの移動の終
了を示す一タイマにより起−されてもよい。このクラン
クの連続運動は、ウェーハ押動部材、特にホイール53
を、第4d図に示すように、ウェーハおよびウェーハ支
持表面との接触から引き離す。直立部材57が矢印Jで
示す方向に引き込むにつれて、高度の真空がウェーハ1
5に与えられ、それによってチャックの支持表面にウェ
ーハを強固に同定する。次に、固定物り内での処理すな
わち測定のために、このチャックは第4e図の矢印にで
示すように移動されてもよい。ホイール53はコンベア
の経路の下方の位置まで引き込まれ、そのためチャック
が空になれば、他のウェーハがコンベアによりチャック
上にもたらされてもよい。
も75%を覆うまで、コンベア45が矢印Fで示すよう
にチャック上で押動し統ける。このとき、真空圧が解除
され、1840図では、ウェーハがつI−ハ停止部材2
3と接触するに至るまで、ウェーハ端縁に接触する弾性
ホイール53を有するウェーハ押動手段51がウェーハ
を矢印Gにより示す方向に押動する。ホイール53が、
直立部材57により支持される軸55上に取付けられて
おり、この直立部材57はクランク61および連結ロッ
ド63により旋回点59で回転される。クランク61は
、特に図示しない光学スイッチにより起動され、この光
学スイッチはウェーハのローディングの終了を示す。代
わりに、クランクはコンベア上でのウェーハの移動の終
了を示す一タイマにより起−されてもよい。このクラン
クの連続運動は、ウェーハ押動部材、特にホイール53
を、第4d図に示すように、ウェーハおよびウェーハ支
持表面との接触から引き離す。直立部材57が矢印Jで
示す方向に引き込むにつれて、高度の真空がウェーハ1
5に与えられ、それによってチャックの支持表面にウェ
ーハを強固に同定する。次に、固定物り内での処理すな
わち測定のために、このチャックは第4e図の矢印にで
示すように移動されてもよい。ホイール53はコンベア
の経路の下方の位置まで引き込まれ、そのためチャック
が空になれば、他のウェーハがコンベアによりチャック
上にもたらされてもよい。
第4e図を参照して、チャックのアンローディングの方
法が示される。アーム41は、低い位置まで矢印Mで示
す方向に引き戻され、それによって真空の解除および低
圧の空気の導入により、ウェーハが矢印Nで示す方向に
支持表面13からスライドするであろう。第2のコンベ
ア65が起−し、かつ支持表向かうウェーハ15を移動
させる。
法が示される。アーム41は、低い位置まで矢印Mで示
す方向に引き戻され、それによって真空の解除および低
圧の空気の導入により、ウェーハが矢印Nで示す方向に
支持表面13からスライドするであろう。第2のコンベ
ア65が起−し、かつ支持表向かうウェーハ15を移動
させる。
この発明の譲受人に対して譲渡された先行特許出願第2
65.412号において、他のウェーハ押―手段が開示
されていた。そこでは1対のホイールが配向を検出する
ための所望の位置までウェーハを押動するために鋏状の
−きにより移−される。
65.412号において、他のウェーハ押―手段が開示
されていた。そこでは1対のホイールが配向を検出する
ための所望の位置までウェーハを押動するために鋏状の
−きにより移−される。
この出liは、つI−ハ配向装置を開示していた。
このような装置は、ウェーハの平坦側を整列させングす
るのに先立ちウェーハはコンベアベルトから移−するで
あろう。この明細書中で説明したローディング方法を実
施する場合には、ウェーへの配崗を保持することがII
II!である。
るのに先立ちウェーハはコンベアベルトから移−するで
あろう。この明細書中で説明したローディング方法を実
施する場合には、ウェーへの配崗を保持することがII
II!である。
第4a図ないし第4allでは、1−のホイールが側面
図で示される。2個の類似のホイールが必費であり、ウ
ェーハを所望の位置に押動するためにはチャックの一方
側に1個のホイールが必要であることを理解すべきであ
ろう。211の押動部材の占めるスペースは、アンロー
ディングのためにウェーハを支持するチャックのリムが
第4C図に示すように、2個の部材間を通過することを
許容するのに充分な大きさを有するべきである。
図で示される。2個の類似のホイールが必費であり、ウ
ェーハを所望の位置に押動するためにはチャックの一方
側に1個のホイールが必要であることを理解すべきであ
ろう。211の押動部材の占めるスペースは、アンロー
ディングのためにウェーハを支持するチャックのリムが
第4C図に示すように、2個の部材間を通過することを
許容するのに充分な大きさを有するべきである。
1111111は、この発明のウェーハ・チャックの斜
視図である。第2図は、第1図に示されたチャックのウ
ェーハ支持表面の平面図である。第3a図は、第2図に
示されたウェーハ・チャックの側面断面図であり、#1
2図の纏3−3に沿う断面図である。13b図ないし第
3d図はこの発明のチャック上にウェーハをローディン
グする好ましい方法を示す図である。第48図ないし第
4d図は、真空チャック上にウェーハをローディングす
るのに用いられるウェーハコンベアおよびつI−ハ押動
手段を示す図である。第4e図は、真空チャックからウ
ェーハをアンローディングする方法を示す図である。 図において、11はチャック、13はウェーハ支持表面
、15はウェーハ、17は主平坦端縁、19.21は副
平坦端縁、23は停止部材゛、25はファスナ、27は
支持表面から垂直に突出する端縁、33は中央関口、3
5は導管、37.39は1対の7ランジ、41はアーム
、43はベルト、45はコンベア、46はコンベアベル
トホイール、51はウェーハ押動手段、53は弾性ホイ
ール、55は軸、57は直立部材、59は旋回点、61
はクランクおよび63は連結ロンドを示す。 二Tk?、Ic =〃チJe
視図である。第2図は、第1図に示されたチャックのウ
ェーハ支持表面の平面図である。第3a図は、第2図に
示されたウェーハ・チャックの側面断面図であり、#1
2図の纏3−3に沿う断面図である。13b図ないし第
3d図はこの発明のチャック上にウェーハをローディン
グする好ましい方法を示す図である。第48図ないし第
4d図は、真空チャック上にウェーハをローディングす
るのに用いられるウェーハコンベアおよびつI−ハ押動
手段を示す図である。第4e図は、真空チャックからウ
ェーハをアンローディングする方法を示す図である。 図において、11はチャック、13はウェーハ支持表面
、15はウェーハ、17は主平坦端縁、19.21は副
平坦端縁、23は停止部材゛、25はファスナ、27は
支持表面から垂直に突出する端縁、33は中央関口、3
5は導管、37.39は1対の7ランジ、41はアーム
、43はベルト、45はコンベア、46はコンベアベル
トホイール、51はウェーハ押動手段、53は弾性ホイ
ール、55は軸、57は直立部材、59は旋回点、61
はクランクおよび63は連結ロンドを示す。 二Tk?、Ic =〃チJe
Claims (20)
- (1) 支持されるべきウェーハの面積と少なくとも同
等の広さの総面積を有する剛性のウェーハ支持表面を備
えており、前記表面は複数個のピークおよび谷を有して
おり、前記ピークは同一の^さであり、それによってウ
ェーハの支持表面を形成しており、ウェーハに接触する
前記ピークの総面積の前記ビーク閤の谷の総面積に対す
る比率が10対1以下であり、かつ 前記谷に真空圧力を通じるための手段をさらに備える、
ウェーハ・チャック。 - (2) 前記ピークは、先端が切断された形状の部材で
あり、前記支持表面内で多角形の端縁を有する台形を形
づくる、特許請求の範囲第1項記載のウェーハ・チャッ
ク。 - (3) 各台形は、4個の多角形端縁を有しtおり、前
記端縁の境界は四辺形を形作る、特許請求のwW!A第
2項記載のウェーハ・チャック。 - (4) 各四辺形は正方形である、特許請求の範囲第3
項記載のチャック。 - (5) 各台形は直交行列となる配列に斂べられており
、前記谷は台間の直交溝を特徴する特許請求の範囲第3
項記載のウェーハ・チャック。 - (6) ウェーハに接触する前記ピークの総面積の前記
ビーク関に存在する谷の総面積に対する比率が、2対1
以下である、特許請求の範囲第1項記載のチャック。 - (7) 前記支持1lIIiiは支持されるべきウェー
への面積にほぼ適合する面積を有する、特許請求の範囲
第1項記載のチャック。 - (8) 支持表面の前記適合領域はウェーハ支持表面の
上方の^さに延びる直立の剛性ウェーハ停止部材を有す
るコーダル嶋総領域を含んでおり、支持平函のピークは
前記コーダル端縁に平行な前記支持表面中に多角形の端
縁を有する台形を形作る、特許請求の範囲第7項記載の
チャック。 - (9) 前記ウェーハ押一手段は、前記支持表面に適合
するように配向されたウェーハを前記支持表向に重なり
合うように移動するために前記支持表面に隣接して配置
されており、かつ前記真空圧導入手段は、台形を横切る
ように前記ウェーハを解除するために変化し得る、特許
請求の範囲第8項記載のチャック。 - (10) 前記ウェーハ押動手段は、直立アームの上面
に取付けられた1対の弾性ローラを備えており、前記ア
ームの底部は、前記ローラを第1の位置で前記支持平面
の下方に運び、かっ1lIII2の位置で前記ローラを
支持平面内に配置ヒンジ結合されている、特許請求の範
囲第9項記載のウェーハ・チャック。 - (11) 前記平坦端縁が特定の領域に存在するように
平坦端縁を有するウェーハを配向させるための配向手段
と、 ウェーハを受入れかつ移動するために前記配向手段に隣
接して入口を有しており、他方ウェーへの配向を保持し
かつ出口を有する、ウェーハ搬送手段と、 前記ウェーハ搬送手段の出口からのウェーハを受入れる
ように配置された剛性のウェーハ支持表面とを讃えてお
り、前記支持表面は支持されるべきウェーハの領域にほ
ぼ一致する領域を有しており、前記表面は複数個のピー
クおよび谷を有しており、前記ピークは同一の^さであ
り、それによってウェーハのための支持11面を形成し
、ウェーハに接触する前記ピークの総面積のビーク聞に
存在する谷の総面積に対する比率が10対1以下であり
、前記支持表面は直立した剛性のウェーハ停止部材を有
するコーダル端縁領域を有しており、前記支持ll1面
の前記谷に対して真空圧を導入するための手段と、 前記ウェーへ判像手段および前記支持表向に隣接するウ
ェーハ押動手段とをさらに備えており、前記つI−ハ押
動手段は、支持表1iiに一致するように配向されたウ
ェーハをそれに重なる関係に移動し、かつ前記真空圧尋
人手段は支持表面を横切るように前記ウェーハを前記支
持表面に一致する関係に解除するために可変にされてい
る、ウェーハ・チャックおよびチャックローディング@
胃。 - (12) 前記ピークは、先端が切断された部材であり
、前記支持表面内で多角形端縁を有する台形を形作る、
特許請求の範囲第11項記載のウェーハ・チャック。 - (13) 各台形は四角形の端縁を有しており、前記端
縁の境界は四辺形を形作る、特許請求の範囲第12項記
載のウェーハ・チャック。 - (14) 前記四辺形は正方形である、特許請求の範囲
第13項記執のウェーハ・チャック。 - (15) 各台形は直交行列を有する配列に整列されて
おり、前記谷は台形間の直交溝を形作る、特許請求のI
I!II第13項記載のウェーハ・チャック。 - (16) ウェーハに接触する前記ピークの総面積の前
記ピーク閤に存在する谷の総面積に対する比率は2対1
以下である、特許請求の範囲第11項記載のウェーハ・
チャック。 - (17) 前記ウェーハ押動手段μ、つI−ハリム部
分に選択的に接触するために回転アーム上に取付けられ
た1対の11閲された弾性部材を備えており、前記ウェ
ーハを前記ウェーハ支持表面に適合する方向に移動する
、特許請求の範囲第11項記載のウェーハ・チャック。 - (18) 前記回転アームは、クランクディスクおよび
連結ロンドにより駆動される、特許請求の[S第17項
記載のウェーハ・チャック。 - (19) ウェーへ専入コンベアは、前記ウェーハ支持
表面に対して垂直な角度で整列されており、それによっ
てウェーハは前記支持表面に隣接するコンベアの端部に
おいて前記支持表向上に落下する、特許請求の範囲第1
1項記載のウェーハ・チャック。 - (20) ウェーハ排出コンベアは、ウェーハを受入れ
るためのウェーへ導入コンベアの下方に配置されており
、かつウェーハの高さを変更するための手段が前記ウェ
ーハ支持表面のために設けられており、それによって成
る高さでつI−ハが導入され他の高さでウェーハが排出
されることを特徴とする特fFa求の範囲第19項記載
のウエ−ハ・チャック。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/325,688 US4433835A (en) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | Wafer chuck with wafer cleaning feature |
US325688 | 1981-11-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5898941A true JPS5898941A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=23268984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57191748A Pending JPS5898941A (ja) | 1981-11-30 | 1982-10-28 | ウエ−ハ・チヤツク |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4433835A (ja) |
JP (1) | JPS5898941A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950537A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Hitachi Ltd | ウエハチヤツク |
JPS609125A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Hitachi Ltd | パターン焼付け装置 |
JPS61174734A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Hoya Corp | 基体吸着法 |
Families Citing this family (9)
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---|---|---|---|---|
JPS6099538A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-06-03 | 横河・ヒュ−レット・パッカ−ド株式会社 | ピンチヤツク |
US4921564A (en) * | 1988-05-23 | 1990-05-01 | Semiconductor Equipment Corp. | Method and apparatus for removing circuit chips from wafer handling tape |
US4934112A (en) * | 1989-03-29 | 1990-06-19 | Libbey-Owens-Ford Co. | Multiple head abrasive cutting of glass |
US5240546A (en) * | 1991-04-26 | 1993-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for peeling semiconductor substrate |
US5199483A (en) * | 1991-05-15 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling wafers |
FR2835242A1 (fr) * | 2002-01-28 | 2003-08-01 | Karl Suss France | Dispositif pour le support avec maintien de plaquettes |
US7357115B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-04-15 | Lam Research Corporation | Wafer clamping apparatus and method for operating the same |
US9718164B2 (en) * | 2012-12-06 | 2017-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing system and polishing method |
CA2909157C (en) * | 2014-10-23 | 2023-04-18 | Luke Woloszczuk | Tile cutting and dust collection system |
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JPS54120585A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-19 | Western Electric Co | Method of placing and smoothing substrate wafer having front and rear surfaces |
JPS5646526A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Wafer supporting and pushing apparatus in ion implantation |
-
1981
- 1981-11-30 US US06/325,688 patent/US4433835A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-10-28 JP JP57191748A patent/JPS5898941A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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JPS6330781B2 (ja) * | 1983-06-29 | 1988-06-21 | Hitachi Ltd | |
JPS61174734A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Hoya Corp | 基体吸着法 |
JPH0152898B2 (ja) * | 1985-01-30 | 1989-11-10 | Hoya Corp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4433835A (en) | 1984-02-28 |
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