JPS5897853U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5897853U JPS5897853U JP19278981U JP19278981U JPS5897853U JP S5897853 U JPS5897853 U JP S5897853U JP 19278981 U JP19278981 U JP 19278981U JP 19278981 U JP19278981 U JP 19278981U JP S5897853 U JPS5897853 U JP S5897853U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor equipment
- insulator
- semiconductor film
- region
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来のn+pn+ダイオードの断面図、第2図
から第4図までは本考案による三つの異な−った種類の
半導体装置の製造工程を示す断面図セある。 1.20・・・シリコン基板、2・・・絶縁膜、3,5
・・・高不純物濃度領域、4・・・低不純物濃度領域、
6゜23・・・ポリシリコン膜、?、 15. 26
・・・高濃度p型頭域、8. 9. 16. 17.
24. 25・・・n型領禄、10.11・・・低濃度
p型頭域、12゜13、 18. 19. 27. 2
8・・・電極、14・・・p型ポリシリコン膜、21・
・・p型層、22・・・熱酸化膜、29・・・保護膜。 第3図 第4図
から第4図までは本考案による三つの異な−った種類の
半導体装置の製造工程を示す断面図セある。 1.20・・・シリコン基板、2・・・絶縁膜、3,5
・・・高不純物濃度領域、4・・・低不純物濃度領域、
6゜23・・・ポリシリコン膜、?、 15. 26
・・・高濃度p型頭域、8. 9. 16. 17.
24. 25・・・n型領禄、10.11・・・低濃度
p型頭域、12゜13、 18. 19. 27. 2
8・・・電極、14・・・p型ポリシリコン膜、21・
・・p型層、22・・・熱酸化膜、29・・・保護膜。 第3図 第4図
Claims (1)
- 絶縁物上に形成された半導体膜に形成された異なる導電
型から成る2端子素子にお(−)で、絶縁物と半導体膜
との界面を含む領域に高不純物濃度の領域を有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19278981U JPS5897853U (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19278981U JPS5897853U (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5897853U true JPS5897853U (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=30106175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19278981U Pending JPS5897853U (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5897853U (ja) |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP19278981U patent/JPS5897853U/ja active Pending
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