JPS5897853U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5897853U
JPS5897853U JP19278981U JP19278981U JPS5897853U JP S5897853 U JPS5897853 U JP S5897853U JP 19278981 U JP19278981 U JP 19278981U JP 19278981 U JP19278981 U JP 19278981U JP S5897853 U JPS5897853 U JP S5897853U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
insulator
semiconductor film
region
semiconductor
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Pending
Application number
JP19278981U
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English (en)
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岡部　健明
功 吉田
永田　穣
成雄 大高
伊藤　秀史
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のｎ＋ｐｎ＋ダイオードの断面図、第２図
から第４図までは本考案による三つの異な−った種類の
半導体装置の製造工程を示す断面図セある。 １．２０・・・シリコン基板、２・・・絶縁膜、３，５
・・・高不純物濃度領域、４・・・低不純物濃度領域、
６゜２３・・・ポリシリコン膜、？、　　１５．　２６
・・・高濃度ｐ型頭域、８．　９．　１６．　１７．　
２４．　２５・・・ｎ型領禄、１０．１１・・・低濃度
ｐ型頭域、１２゜１３、　１８．　１９．　２７．　２
８・・・電極、１４・・・ｐ型ポリシリコン膜、２１・
・・ｐ型層、２２・・・熱酸化膜、２９・・・保護膜。 第３図 第４図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁物上に形成された半導体膜に形成された異なる導電
    型から成る２端子素子にお（−）で、絶縁物と半導体膜
    との界面を含む領域に高不純物濃度の領域を有すること
    を特徴とする半導体装置。
JP19278981U 1981-12-25 1981-12-25 半導体装置 Pending JPS5897853U (ja)

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JP19278981U JPS5897853U (ja) 1981-12-25 1981-12-25 半導体装置

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JPS5897853U true JPS5897853U (ja) 1983-07-02

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ID=30106175

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