JPS589372A - 光点弧サイリスタ - Google Patents
光点弧サイリスタInfo
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- JPS589372A JPS589372A JP56106759A JP10675981A JPS589372A JP S589372 A JPS589372 A JP S589372A JP 56106759 A JP56106759 A JP 56106759A JP 10675981 A JP10675981 A JP 10675981A JP S589372 A JPS589372 A JP S589372A
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 15
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- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明αN4電圧回路に使用する光点弧サイリスタtt
C@丁心ものでるる。
C@丁心ものでるる。
#g1図、及びg2#Aは従来の光点弧サイリスタ0@
造を示す図で、図におiて、(1)に光点弧サイリスメ
エレメン訃、u)rcP形シリコン、(組はn形シリコ
ン、 (4)はP形シリコン、(5Jはn形りリコンで
、よ起1形シリコン(8)Kαモリブデンによる陽極(
6)がろう付され、上記n形7リコン(6)にはアルミ
による暎極(7ンがろう付けされてお多、また、電惚(
6)〜(7)閾(2)シリ” ” /I iZ) t
F8) t (4)、及び(5) [fl K uクリ
コンゴ^(8)によってその表向が保護されている。し
かして、(9)はこの光点弧サイリスタに光点弧1t4
t″尋人する光ファイバで、スイッチ叫の閉成時にグー
1(−1罵源(2)の供紺を受けて発光する発光ダイオ
ード四の光点弧信号【導入し、この時1g m L6)
〜(7)閣が導通されることによつ1王電源四〇%源電
圧t*荷島に供給するよりになっている。
造を示す図で、図におiて、(1)に光点弧サイリスメ
エレメン訃、u)rcP形シリコン、(組はn形シリコ
ン、 (4)はP形シリコン、(5Jはn形りリコンで
、よ起1形シリコン(8)Kαモリブデンによる陽極(
6)がろう付され、上記n形7リコン(6)にはアルミ
による暎極(7ンがろう付けされてお多、また、電惚(
6)〜(7)閾(2)シリ” ” /I iZ) t
F8) t (4)、及び(5) [fl K uクリ
コンゴ^(8)によってその表向が保護されている。し
かして、(9)はこの光点弧サイリスタに光点弧1t4
t″尋人する光ファイバで、スイッチ叫の閉成時にグー
1(−1罵源(2)の供紺を受けて発光する発光ダイオ
ード四の光点弧信号【導入し、この時1g m L6)
〜(7)閣が導通されることによつ1王電源四〇%源電
圧t*荷島に供給するよりになっている。
なお、光点弧ff1号【4人する土紀元ファイバ(9)
に、第1図1l−1ILにおいてに、エレメント(1)
上で哲ジ曲けられたものt示し、また第2図構造におい
てに、垂直に固定されている5Ot−示してい心。
に、第1図1l−1ILにおいてに、エレメント(1)
上で哲ジ曲けられたものt示し、また第2図構造におい
てに、垂直に固定されている5Ot−示してい心。
上記4遺におい工、スイッチ四七閉としてゲート備考1
1L#(ロ)よシ殆光ダイオード(胸に′電流を流すと
、発光ダイオード(膓に例えば、9ooo&X@度の光
を発生する。このycμ元ファイバ(Q) t: 通し
てす(Uスタエレメント(1)に入射され、00元エネ
ルギーによp光励起電流がテイリスタエレメント(1ン
に訛れ、エレメント(1)は4fi状惑となって点弧す
ることKなり、これによって王%#A四より陽極(6)
から臨−(γ)を逼して負荷(4)に電源電圧を供給す
ることができる。
1L#(ロ)よシ殆光ダイオード(胸に′電流を流すと
、発光ダイオード(膓に例えば、9ooo&X@度の光
を発生する。このycμ元ファイバ(Q) t: 通し
てす(Uスタエレメント(1)に入射され、00元エネ
ルギーによp光励起電流がテイリスタエレメント(1ン
に訛れ、エレメント(1)は4fi状惑となって点弧す
ることKなり、これによって王%#A四より陽極(6)
から臨−(γ)を逼して負荷(4)に電源電圧を供給す
ることができる。
しPるに、M1凶の健米の光点弧サイリスタa。
光点弧信号の導入mKsmL九元ファイバを便用してい
るので曲けられた部分での元エネルギーの損失が大龜く
、このため十分な点弧エネルギーを侍ることがで龜なか
つた。また、第2図の従来の光点弧サイリスタは、直−
状のファイバtサイリスタエレメント(1)に無直にな
るよ5眩けているので、元エネルギーの損失は少ないが
光点弧サイリスタtIl数スタックする場合Kに光点弧
信号の導入構造が蟻しくなるなどの欠点がめつk。
るので曲けられた部分での元エネルギーの損失が大龜く
、このため十分な点弧エネルギーを侍ることがで龜なか
つた。また、第2図の従来の光点弧サイリスタは、直−
状のファイバtサイリスタエレメント(1)に無直にな
るよ5眩けているので、元エネルギーの損失は少ないが
光点弧サイリスタtIl数スタックする場合Kに光点弧
信号の導入構造が蟻しくなるなどの欠点がめつk。
本殉@区よ記のような従来Oものの欠点を除去丁47t
JC)Kなされ7t%ので、元エネルギーの損失が少な
く、ま九複数便用する場合も鬼気信号にて点弧するサイ
リスタとpI3様な簡単な構造で使用できる光点弧サイ
リスタを提供することt目的として^る。
JC)Kなされ7t%ので、元エネルギーの損失が少な
く、ま九複数便用する場合も鬼気信号にて点弧するサイ
リスタとpI3様な簡単な構造で使用できる光点弧サイ
リスタを提供することt目的として^る。
以下、本発明の一実厖匈【図について説明する。
43図におりて、(ロ)は光点弧サイリスタエレメント
上に当直に設けられ7を光電変換系子で、この光iti
換素子に、直線状の光ファイバ(9)からの光点弧1!
号の照射によって元を流を生じるようになってお9、光
電変換系子の受光面は直線状の光ファイバ(9)の照射
口に垂直状朧で同図するようになっている。即ち、第4
図による本発明の光点弧サイリスタの外観を示す糾祝図
のように元ファイバ(9)と接続される元コネクタS−
は、直線状0光ファイバ+j) を元1に変換素子に)
の受光lに酒直状感で対回するよう、本体lI向に設け
られている。−f:の他は従来と同様でおる。
上に当直に設けられ7を光電変換系子で、この光iti
換素子に、直線状の光ファイバ(9)からの光点弧1!
号の照射によって元を流を生じるようになってお9、光
電変換系子の受光面は直線状の光ファイバ(9)の照射
口に垂直状朧で同図するようになっている。即ち、第4
図による本発明の光点弧サイリスタの外観を示す糾祝図
のように元ファイバ(9)と接続される元コネクタS−
は、直線状0光ファイバ+j) を元1に変換素子に)
の受光lに酒直状感で対回するよう、本体lI向に設け
られている。−f:の他は従来と同様でおる。
したがって、第6,4図#成において、スイッチ四を閉
とじゲー)fir考電源(ロ)より発光ダイオード四に
電流を流せば、発光ダイオード(至)はyt?発生し、
この元エネルギーはif!i状のファイバ(9)t−通
してサイリスタエレメントに嶺硯された光電変*素子(
ロ)に入射され、この元エネルギーによp光励起電流は
光電変換系子に)から9イリスタエレメントに流れティ
リスタエレメントri導壇状態となり、圧電源U印よp
陽極(6)から陰極(7)を鳩して負荷に)に電fiが
流れるのは従来と同様でめる。
とじゲー)fir考電源(ロ)より発光ダイオード四に
電流を流せば、発光ダイオード(至)はyt?発生し、
この元エネルギーはif!i状のファイバ(9)t−通
してサイリスタエレメントに嶺硯された光電変*素子(
ロ)に入射され、この元エネルギーによp光励起電流は
光電変換系子に)から9イリスタエレメントに流れティ
リスタエレメントri導壇状態となり、圧電源U印よp
陽極(6)から陰極(7)を鳩して負荷に)に電fiが
流れるのは従来と同様でめる。
し〃ゝして1よ紀夷2iIiMにおける光点弧サイリス
タにa、光雇弧備考O尋人鄭に光電変換系子に)【設は
九ので、従来1fIIOよう−に外部からの光点弧信号
を伝送す4t元ファイバ(9)を博聞させて用いる必賛
がなく、5eフアイバ(9)とO徴絖角Kit自由なも
のとしてIEIil状の元ファイバを用いることができ
、したがって、受光効率が良く、ま7t、厖5図のよ5
に、光点弧サイリスタ1c複数スタツクする場合に%、
九点弧サイリスタの接続体に刈し、不体側国コネクメQ
4kTIRけて元ファイバ(9)に通続する4底とする
ことができるので、光点弧信号の導入構造が簡単なtの
となる。なお、第5図において、(ロ)は冷却片を示し
てiる。
タにa、光雇弧備考O尋人鄭に光電変換系子に)【設は
九ので、従来1fIIOよう−に外部からの光点弧信号
を伝送す4t元ファイバ(9)を博聞させて用いる必賛
がなく、5eフアイバ(9)とO徴絖角Kit自由なも
のとしてIEIil状の元ファイバを用いることができ
、したがって、受光効率が良く、ま7t、厖5図のよ5
に、光点弧サイリスタ1c複数スタツクする場合に%、
九点弧サイリスタの接続体に刈し、不体側国コネクメQ
4kTIRけて元ファイバ(9)に通続する4底とする
ことができるので、光点弧信号の導入構造が簡単なtの
となる。なお、第5図において、(ロ)は冷却片を示し
てiる。
なお、上記夷1M例でに、元ファイバと光電変換系子を
個別にしてI/に4が元ファイバに直接光電変aX子を
設けてtよ−、さらに、上記夷)1例では横方I’iA
K光7アイパを接続するように設けたが、自由な角板に
設けることもできるのに勿繊でめ々。
個別にしてI/に4が元ファイバに直接光電変aX子を
設けてtよ−、さらに、上記夷)1例では横方I’iA
K光7アイパを接続するように設けたが、自由な角板に
設けることもできるのに勿繊でめ々。
以上のように不発明によれば、元電変俟素子tサイリス
タエレメント上に取付けたので、元ファイバを直線状に
して元エネルギーの損失を少なくすることができ、サイ
リスタエレメ・ントに対して横方向にも元ファイバを接
続することかで@るので、a数スタックする場合に針通
なものが得られるという効朱鷺擬する。
タエレメント上に取付けたので、元ファイバを直線状に
して元エネルギーの損失を少なくすることができ、サイ
リスタエレメ・ントに対して横方向にも元ファイバを接
続することかで@るので、a数スタックする場合に針通
なものが得られるという効朱鷺擬する。
第1図と第2図にそれぞれ従来の光点弧サイリスタの構
造を示す@−断面図、第5図は本発明の一夷2iliI
I例による光点弧サイリスタの構造を示す側面明向図、
第4図は本発明による光点弧サイリスタの外観を示すf
M伐図、第5図に、本発明による光点弧サイリスタta
叙情スタックとした場合の−xm例を示す外観図でるる
。 (1):サイリスタエレメント ”):p形シリコン +8) : 、El形シリコン
(4) : P形シリコン (5) : n形シリコ
ンto) : 陽1iシリコン (7) : 1M1
極シリコン(9):元ファイバ (ロ)二元゛(変
換索子(至):コネクタ なお、図中、同一符号は同一、又a相当部分を示す。 代理人 葛 野 偏 − 第1FIA
造を示す@−断面図、第5図は本発明の一夷2iliI
I例による光点弧サイリスタの構造を示す側面明向図、
第4図は本発明による光点弧サイリスタの外観を示すf
M伐図、第5図に、本発明による光点弧サイリスタta
叙情スタックとした場合の−xm例を示す外観図でるる
。 (1):サイリスタエレメント ”):p形シリコン +8) : 、El形シリコン
(4) : P形シリコン (5) : n形シリコ
ンto) : 陽1iシリコン (7) : 1M1
極シリコン(9):元ファイバ (ロ)二元゛(変
換索子(至):コネクタ なお、図中、同一符号は同一、又a相当部分を示す。 代理人 葛 野 偏 − 第1FIA
Claims (1)
- (1)元点弧備考の照射によって44する光点弧サイリ
スタにおいて1元点弧゛l@号の尋人鄭に元電斌m累子
を収は九ことt特徴とする光点弧サイリスタ。 (:A)jt、A弧II号を伝送する光ファイバに厳絖
されるコネクタを本体ill向に設けて複数スタックす
るmgとし尺ことtq#倣とす4荷軒−累の範囲第1項
記載の光点弧サイリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56106759A JPS589372A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 光点弧サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56106759A JPS589372A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 光点弧サイリスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS589372A true JPS589372A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14441835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56106759A Pending JPS589372A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 光点弧サイリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS589372A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6134453U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-03 | 電気化学計器株式会社 | 標準ガス発生用装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4949587A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-05-14 | ||
JPS5311839A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-02 | Nippon Packaging Kk | Surface treatment of carbon steel and alloyed steel for cold working |
JPS5548977A (en) * | 1978-10-05 | 1980-04-08 | Toshiba Corp | Photo-thyristor stack |
JPS5552259A (en) * | 1978-10-12 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Phototrigger controlled rectifying semiconductor device |
JPS5552261A (en) * | 1978-10-12 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Photoignition type semiconductor controlling rectifier |
JPS5656683A (en) * | 1979-10-13 | 1981-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Light-igniting thyristor device |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP56106759A patent/JPS589372A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS4949587A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-05-14 | ||
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6134453U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-03 | 電気化学計器株式会社 | 標準ガス発生用装置 |
JPH039001Y2 (ja) * | 1984-07-31 | 1991-03-06 |
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