JPH032839A - 反射型液晶ライトバルブ素子 - Google Patents
反射型液晶ライトバルブ素子Info
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- JPH032839A JPH032839A JP1138450A JP13845089A JPH032839A JP H032839 A JPH032839 A JP H032839A JP 1138450 A JP1138450 A JP 1138450A JP 13845089 A JP13845089 A JP 13845089A JP H032839 A JPH032839 A JP H032839A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高品位テレビ映像などを表示するためのビデ
オプロジェクタに用いて有効な、反射型液晶ライトバル
ブ素子に関するものである。
オプロジェクタに用いて有効な、反射型液晶ライトバル
ブ素子に関するものである。
従来の技術
従来民生用ビデオプロジェクタとして実用されているも
のはＣＲＴを用いた方式のものである。
のはＣＲＴを用いた方式のものである。
しかしＣＲＴは、その管面輝度と解像度とを同時に高め
ることが困難であるため、これを用いたビデオプロジェ
クタは画面が暗（、また、大口径投射レンズなどの高価
な光学系が必要となるほか、寸法、重量も大きくなるな
どの問題点を有している。これらの問題点は、現行のＮ
ＴＳＣ方式のテレビの場合はある程度許容されると考え
られるが、今後の高品位テレビの表示用としては、重大
な障害となる。
ることが困難であるため、これを用いたビデオプロジェ
クタは画面が暗（、また、大口径投射レンズなどの高価
な光学系が必要となるほか、寸法、重量も大きくなるな
どの問題点を有している。これらの問題点は、現行のＮ
ＴＳＣ方式のテレビの場合はある程度許容されると考え
られるが、今後の高品位テレビの表示用としては、重大
な障害となる。
ＣＲＴ方式に代わるものとして、すでにライトバルブ方
式のプロジェクタかい（つか堤案されているが、いずれ
も性能或いは価格の点で民生レベルでの実用化には至っ
ていない、近年、液晶を利用したライトパル〕゛、特に
、アクティフ゛マトリンクス駆動の液晶ライトバルブが
注目を集めている。アクチイブマトリックス駆動とは従
来の単純マトリックス駆動に対比して言われる駆動方式
で、マトリックス上に配置された絵素電極にそれぞれス
イッチ素子を設け、それらのスイッチ素子を介して各絵
素電極に液晶の光学特性を制御する電気信号を独立に供
給する方式である。従って、従来の単純マトリックス方
式のようなりロストークがなく、大容量の表示を行って
も高いコントラストが保たれるという特徴を持つ。しか
しこれまでに提案されているほとんどの液晶ライトバル
ブ方式ビデオプロジェクタは、例えば特開昭５９−２３
０３８３号公報に示されているように、透過型の液晶ラ
イトバルブを用いたものである。このような透過型の液
晶ライトバルブを用いたプロジェクタの場合、各絵素の
開口率の点で絵素密度に限界がある。各絵素毎に形成さ
れるスイッチ素子の領域が絵素面積を制限するからであ
る。また、透過型のプロジェクタの場合、ライトバルブ
を透過する強力な光が絵素スイッチ素子の光伝導を誘起
し、画質を劣化させる恐れがある。
式のプロジェクタかい（つか堤案されているが、いずれ
も性能或いは価格の点で民生レベルでの実用化には至っ
ていない、近年、液晶を利用したライトパル〕゛、特に
、アクティフ゛マトリンクス駆動の液晶ライトバルブが
注目を集めている。アクチイブマトリックス駆動とは従
来の単純マトリックス駆動に対比して言われる駆動方式
で、マトリックス上に配置された絵素電極にそれぞれス
イッチ素子を設け、それらのスイッチ素子を介して各絵
素電極に液晶の光学特性を制御する電気信号を独立に供
給する方式である。従って、従来の単純マトリックス方
式のようなりロストークがなく、大容量の表示を行って
も高いコントラストが保たれるという特徴を持つ。しか
しこれまでに提案されているほとんどの液晶ライトバル
ブ方式ビデオプロジェクタは、例えば特開昭５９−２３
０３８３号公報に示されているように、透過型の液晶ラ
イトバルブを用いたものである。このような透過型の液
晶ライトバルブを用いたプロジェクタの場合、各絵素の
開口率の点で絵素密度に限界がある。各絵素毎に形成さ
れるスイッチ素子の領域が絵素面積を制限するからであ
る。また、透過型のプロジェクタの場合、ライトバルブ
を透過する強力な光が絵素スイッチ素子の光伝導を誘起
し、画質を劣化させる恐れがある。
そこで、特開昭６２−６２９２２号公報に示されている
ように、絵素スイッチ素子の上に絶縁層を介して絵素電
極を絵素スイッチ素子を覆うように形成した反射構造の
液晶ライトバルブを用いたビデオプロジェクタが提案さ
れている。このような構成の場合、透過型構造での問題
点であった絵素開口率や光伝導の改善が可能となり高密
度化に適している。
ように、絵素スイッチ素子の上に絶縁層を介して絵素電
極を絵素スイッチ素子を覆うように形成した反射構造の
液晶ライトバルブを用いたビデオプロジェクタが提案さ
れている。このような構成の場合、透過型構造での問題
点であった絵素開口率や光伝導の改善が可能となり高密
度化に適している。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記の様な構成では走査線や信号線の近傍に絵
素電極が形成される構造となるため、これらの線からの
電圧が絵素部の電界分布に影響を及ぼしやすくなり、結
果として表示品質を低下させるという課題があった。
素電極が形成される構造となるため、これらの線からの
電圧が絵素部の電界分布に影響を及ぼしやすくなり、結
果として表示品質を低下させるという課題があった。
そこで本発明は上記課題に鑑み、反射構造のアクティブ
マトリックス方式液晶ライトバルブにおいて、その課題
である走査線や信号線電位の絵素電極部への影響を低減
し、高品質の表示が可能となる反射型液晶ライトバルブ
素子を提供するものである。
マトリックス方式液晶ライトバルブにおいて、その課題
である走査線や信号線電位の絵素電極部への影響を低減
し、高品質の表示が可能となる反射型液晶ライトバルブ
素子を提供するものである。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するために本発明の反射型液晶ライトバ
ルブ素子は、複数の走査線（ゲート線）と信号線（ソー
ス線）及び、各交差点に対応してマトリックス状に配置
された逆スタガー構造の薄膜トランジスタアレイ上に絶
縁層を形成し、前記絶縁層に形成されたコンタクト穴を
介して、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記絶
縁層上に形成された絵素電極とを接続した反射型構造の
薄膜トランジスタアレイを含む第一の基板と、可視光を
透過する電極を有する第二の基板と、前記基板間に液晶
層を存する反射構造の液晶ライトバルブ素子において、
前記第一の基板上の絵素、電極の膜厚が、前記液晶層の
厚みに対して、１１５以上としたものである。
ルブ素子は、複数の走査線（ゲート線）と信号線（ソー
ス線）及び、各交差点に対応してマトリックス状に配置
された逆スタガー構造の薄膜トランジスタアレイ上に絶
縁層を形成し、前記絶縁層に形成されたコンタクト穴を
介して、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記絶
縁層上に形成された絵素電極とを接続した反射型構造の
薄膜トランジスタアレイを含む第一の基板と、可視光を
透過する電極を有する第二の基板と、前記基板間に液晶
層を存する反射構造の液晶ライトバルブ素子において、
前記第一の基板上の絵素、電極の膜厚が、前記液晶層の
厚みに対して、１１５以上としたものである。
作用
反射型の液晶ライトバルブ素子は、隣接絵素電極間を電
気的に分離するための隙間以外を絵素部として利用する
ものであり、前記隣接絵素電極間に絶縁層を介して走査
線、信号線が存在する構成である。従って、走査線及び
信号線電位の影響により、絵素部の液晶電界分布が変化
しやすくなるが、本発明の構造とすることにより絵素部
の液晶電界分布への影響を十分低減することができ、ラ
イトバルブとしてのコントラスト比を低下することなく
高品位表示を可能とするものである。
気的に分離するための隙間以外を絵素部として利用する
ものであり、前記隣接絵素電極間に絶縁層を介して走査
線、信号線が存在する構成である。従って、走査線及び
信号線電位の影響により、絵素部の液晶電界分布が変化
しやすくなるが、本発明の構造とすることにより絵素部
の液晶電界分布への影響を十分低減することができ、ラ
イトバルブとしてのコントラスト比を低下することなく
高品位表示を可能とするものである。
実施例
第１図は、本発明に関わる実施例の反射型液晶ライトバ
ルブ素子の構造である。第り図（Ａ）はその断面構造図
であり、（Ｂ）は反射型薄膜トランジスタアレイ部の平
面図を示したものである。第１図において、１０１はガ
ラス基奢反、１０２．１０３はそれぞれ走査線、信号線
を示している。１０４はトランジスタ部である。１０５
は絵素電極、１０６は液晶層を示しており、走査線１０
２で選択されたトランジスタを動作させることによって
、信号線１０３の電圧を絵素電極１０５を通して液晶層
１０６に与える。１０７は対向側ガラス基板を示してお
り、１０日はその上に形成された透明１掻である。また
、１０９は、上記ガラス基板１０１上に形成された走査
線、信号線１０２，１０３に対応して、対向基板１０７
上に形成された光遮蔽層である。
ルブ素子の構造である。第り図（Ａ）はその断面構造図
であり、（Ｂ）は反射型薄膜トランジスタアレイ部の平
面図を示したものである。第１図において、１０１はガ
ラス基奢反、１０２．１０３はそれぞれ走査線、信号線
を示している。１０４はトランジスタ部である。１０５
は絵素電極、１０６は液晶層を示しており、走査線１０
２で選択されたトランジスタを動作させることによって
、信号線１０３の電圧を絵素電極１０５を通して液晶層
１０６に与える。１０７は対向側ガラス基板を示してお
り、１０日はその上に形成された透明１掻である。また
、１０９は、上記ガラス基板１０１上に形成された走査
線、信号線１０２，１０３に対応して、対向基板１０７
上に形成された光遮蔽層である。
第１図に示しているように、絵素？ＨＦ１１０５は絶縁
層１１０を介してトランジスタ部１０４の上に形成され
、コンタクト穴１１１によってトランジスタ部と接続さ
れている。これにより隣接絵素電極間を電気的に分離す
るための隙間以外を絵素部として利用するものである。
層１１０を介してトランジスタ部１０４の上に形成され
、コンタクト穴１１１によってトランジスタ部と接続さ
れている。これにより隣接絵素電極間を電気的に分離す
るための隙間以外を絵素部として利用するものである。
このように、薄膜トランジスタアレイを反射型の構成と
した場合、透過型とは異なり、高密度にしても開口率を
低下させないという大きな利点がある。従って、反射型
構造は、高密度化に極めて適した構造であると言える。
した場合、透過型とは異なり、高密度にしても開口率を
低下させないという大きな利点がある。従って、反射型
構造は、高密度化に極めて適した構造であると言える。
しかし、第１図に示した本発明の反射型構造においても
、密度を高くしていくと、信号線及び、走査線からの電
圧の影響を受け、絵素電極内の液晶層に電界の不均一が
生じるようになる。特に、液晶を駆動する場合、第２図
に示すように、信号線は、１フレームごとに電圧の極性
を反転して駆動するため、表示画面の上部（信号線の電
圧の反転後比較的早く選択される絵素）と、表示画面の
下部（信号線電圧の極性反転後遅くに選択される絵素）
では、保持される絵素電圧と信号線電圧の極性の関係が
異なる。つまり、画面上部では、保持される絵素電圧と
信号線電圧の極性はほとんどの時間同極性であるのに対
し、画面下部ではほとんどの時間逆極性となる。このこ
とによって、画面上部と下部とで液晶層の電界分布が異
なり、表示特性、特に、画面上部と下部でのコントラス
トに差が生じる。第３図は、第１図に示した本発明の反
射型液晶ライトバルブ素子の構成において、液晶層とし
て厚さ５（μｍ）のツイスティッドネマテインク（ＴＮ
）液晶、絶縁層１１０として膜厚１ （μｍ）のａ−３
ｉＮｘを用い、絵素？ｉｌｔ極の膜厚を変化させたとき
の画面上部と下部とのコントラスト比の差をプロットし
たものである。横軸に絵素電極の膜厚、縦軸に画面上部
のコントラスト比を１としたときの画面下部でのコント
ラスト比を示している。また、本実験で用いた絵素のサ
イズは、３０（μｍ）ピッチである。第３図から解るよ
うに、絵素電極の膜厚が１（μｍ）以下では、画面上部
のコントラストに対して下部のコントラストが悪くなっ
ていくことが解る。第４図は、絵素電極の膜厚を１．２
（μｍ）とし、絶縁層１１０の膜厚を変化させたときの
画面上下でのコントラスト差をプロットしたものである
。この結果から、絶縁層の膜厚に対するコントラスト差
の影響は少ないことが解る。また、液晶層の厚みに対す
る絵素電極の膜厚に関しては、約０．２以上であれば画
面上下でのコントラスト差の影響はほとんど無視できる
ことも明らかとなった。
、密度を高くしていくと、信号線及び、走査線からの電
圧の影響を受け、絵素電極内の液晶層に電界の不均一が
生じるようになる。特に、液晶を駆動する場合、第２図
に示すように、信号線は、１フレームごとに電圧の極性
を反転して駆動するため、表示画面の上部（信号線の電
圧の反転後比較的早く選択される絵素）と、表示画面の
下部（信号線電圧の極性反転後遅くに選択される絵素）
では、保持される絵素電圧と信号線電圧の極性の関係が
異なる。つまり、画面上部では、保持される絵素電圧と
信号線電圧の極性はほとんどの時間同極性であるのに対
し、画面下部ではほとんどの時間逆極性となる。このこ
とによって、画面上部と下部とで液晶層の電界分布が異
なり、表示特性、特に、画面上部と下部でのコントラス
トに差が生じる。第３図は、第１図に示した本発明の反
射型液晶ライトバルブ素子の構成において、液晶層とし
て厚さ５（μｍ）のツイスティッドネマテインク（ＴＮ
）液晶、絶縁層１１０として膜厚１ （μｍ）のａ−３
ｉＮｘを用い、絵素？ｉｌｔ極の膜厚を変化させたとき
の画面上部と下部とのコントラスト比の差をプロットし
たものである。横軸に絵素電極の膜厚、縦軸に画面上部
のコントラスト比を１としたときの画面下部でのコント
ラスト比を示している。また、本実験で用いた絵素のサ
イズは、３０（μｍ）ピッチである。第３図から解るよ
うに、絵素電極の膜厚が１（μｍ）以下では、画面上部
のコントラストに対して下部のコントラストが悪くなっ
ていくことが解る。第４図は、絵素電極の膜厚を１．２
（μｍ）とし、絶縁層１１０の膜厚を変化させたときの
画面上下でのコントラスト差をプロットしたものである
。この結果から、絶縁層の膜厚に対するコントラスト差
の影響は少ないことが解る。また、液晶層の厚みに対す
る絵素電極の膜厚に関しては、約０．２以上であれば画
面上下でのコントラスト差の影響はほとんど無視できる
ことも明らかとなった。
発明の効果
以上述べたように、本発明に関わる反射型液晶ライトバ
ルブ素子の構成において、反射絵素電極の膜厚を、液晶
層の厚みの１１５以上とすることによって、表示絵素を
非常に高密度とした場合においてもコントラストを低下
させない液晶ライトバルブを提供することができる。ま
た、その実現手段も膜厚を制御するだけで実現でき、そ
の実用上の価値も大きいものがある。
ルブ素子の構成において、反射絵素電極の膜厚を、液晶
層の厚みの１１５以上とすることによって、表示絵素を
非常に高密度とした場合においてもコントラストを低下
させない液晶ライトバルブを提供することができる。ま
た、その実現手段も膜厚を制御するだけで実現でき、そ
の実用上の価値も大きいものがある。
第１図は本発明にかかわる反射型液晶ライトバルブ素子
の構造説明図であり、第１図（Ａ）はその断面図、第１
図（Ｂ）は反射型薄膜トランジスタアレイの平面図であ
る。第２図は１膜トランジスタの典型的駆動方法の説明
図、第３図、第４図は薄膜トランジスタの絵素電極膜厚
、絶縁石膜厚を変化させたときの表示特性を示すグラフ
である。 １０１・・・・・・ガラス基板、１０２・・・・・・走
査線、１０３・・・・・・信号線、１０４・・・・・・
トランジスタ部、１０５・・・・・・絵素電極、１０６
・・・・・・液晶層、１０７・・・・・・対向ガラス基
板、ｌＯ８・・・・・・透明電極、１０９・・・・・・
光遮蔽層、１１０・・・・・・絶縁層、１１１・・・・
・・コンタクト穴。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名ｒｏｒ−−
−ガラス冨伍 ｌ０２−一一乏 ｉ １４ ＪＯ３・・−層 ｇ 趨 １０６・・−清晶１
の構造説明図であり、第１図（Ａ）はその断面図、第１
図（Ｂ）は反射型薄膜トランジスタアレイの平面図であ
る。第２図は１膜トランジスタの典型的駆動方法の説明
図、第３図、第４図は薄膜トランジスタの絵素電極膜厚
、絶縁石膜厚を変化させたときの表示特性を示すグラフ
である。 １０１・・・・・・ガラス基板、１０２・・・・・・走
査線、１０３・・・・・・信号線、１０４・・・・・・
トランジスタ部、１０５・・・・・・絵素電極、１０６
・・・・・・液晶層、１０７・・・・・・対向ガラス基
板、ｌＯ８・・・・・・透明電極、１０９・・・・・・
光遮蔽層、１１０・・・・・・絶縁層、１１１・・・・
・・コンタクト穴。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名ｒｏｒ−−
−ガラス冨伍 ｌ０２−一一乏 ｉ １４ ＪＯ３・・−層 ｇ 趨 １０６・・−清晶１
Claims (1)
- 複数の走査線（ゲート線）と信号線（ソース線）及び、
各交差点に対応してマトリックス状に配置された逆スタ
ガー構造の薄膜トランジスタアレイ上に絶縁層を形成し
、前記絶縁層に形成されたコンタクト穴を介して、前記
薄膜トランジスタのドレイン電極と前記絶縁層上に形成
された絵素電極とを接続した反射型構造の薄膜トランジ
スタアレイを含む第一の基板と、可視光を透過する電極
を有する第二の基板と、前記基板間に液晶層を有する反
射構造の液晶ライトバルブ素子において、前記第一の基
板上の絵素電極の膜厚が、前記液晶層の厚みに対して、
１／５以上であることを特徴とする反射型液晶ライトバ
ルブ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138450A JPH032839A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 反射型液晶ライトバルブ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138450A JPH032839A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 反射型液晶ライトバルブ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032839A true JPH032839A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15222294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138450A Pending JPH032839A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 反射型液晶ライトバルブ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH032839A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527230A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| EP0635840A2 (en) * | 1993-07-21 | 1995-01-25 | Philips Electronics Uk Limited | Opto-electronic memory system |
| JPH10268340A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US6600534B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective liquid crystal display device |
| JP2007193267A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法及び薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ |
| JP2012252361A (ja) * | 2012-08-29 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138450A patent/JPH032839A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527230A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| EP0635840A2 (en) * | 1993-07-21 | 1995-01-25 | Philips Electronics Uk Limited | Opto-electronic memory system |
| EP0635840A3 (en) * | 1993-07-21 | 1995-04-26 | Philips Electronics Uk Ltd | Opto-electronic memory system. |
| JPH10268340A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US6600534B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective liquid crystal display device |
| JP2007193267A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法及び薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ |
| JP2012252361A (ja) * | 2012-08-29 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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