JPS5875382A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS5875382A JPS5875382A JP56113382A JP11338281A JPS5875382A JP S5875382 A JPS5875382 A JP S5875382A JP 56113382 A JP56113382 A JP 56113382A JP 11338281 A JP11338281 A JP 11338281A JP S5875382 A JPS5875382 A JP S5875382A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 108010074506 Transfer Factor Proteins 0.000 abstract 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241000276457 Gadidae Species 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送素子を用いて構成された固体撮像装置
に関し、より詳細には、改良された構造を有し、垂直電
荷転送部に於ける転送効率が改善されたインターライン
転送型固体撮像装置を提供するものである。
に関し、より詳細には、改良された構造を有し、垂直電
荷転送部に於ける転送効率が改善されたインターライン
転送型固体撮像装置を提供するものである。
電荷結合素子(チャージ舎カップルド・ディバイス、以
下CODと呼ぶ)等の電荷転送素子を用いた固体撮像装
置には、大別して、フレーム転送型とインターライン転
送型とがあり、夫々、その長所を有効に生かすべく使い
分けられている。
下CODと呼ぶ)等の電荷転送素子を用いた固体撮像装
置には、大別して、フレーム転送型とインターライン転
送型とがあり、夫々、その長所を有効に生かすべく使い
分けられている。
例えば、インターライン転送型固体撮像装置された複数
列の垂直転送部と、受光部と垂直転送部との間に形成さ
れた読出ゲート部とを含んで成る受光・垂直転送部と、
この受光拳垂直転送部に結合された別のCCD群で形成
された水平転送部と、水平転送部に結合した出力部とか
ら構成され、出力部からは信号出力端子が導出される。
列の垂直転送部と、受光部と垂直転送部との間に形成さ
れた読出ゲート部とを含んで成る受光・垂直転送部と、
この受光拳垂直転送部に結合された別のCCD群で形成
された水平転送部と、水平転送部に結合した出力部とか
ら構成され、出力部からは信号出力端子が導出される。
垂直転送部及び水平転送部には、夫々、所定の転送電極
が配され、これらに垂直転送りロック信号及び水平転送
りロック信号が供給されて電荷転送動作が行われるよう
にされる。そして、受光部は受光により信号電荷を蓄積
し、この信号電荷が読出ゲート部を介して垂直転送部へ
読み出され、垂直転送部の電荷転送動作によシ各水平帰
線期間に相当する期間ごとに順次水平転送部へ転送され
ていく。
が配され、これらに垂直転送りロック信号及び水平転送
りロック信号が供給されて電荷転送動作が行われるよう
にされる。そして、受光部は受光により信号電荷を蓄積
し、この信号電荷が読出ゲート部を介して垂直転送部へ
読み出され、垂直転送部の電荷転送動作によシ各水平帰
線期間に相当する期間ごとに順次水平転送部へ転送され
ていく。
水平転送部には信号電荷が受光工部の/水平列で得られ
る信号電荷ごとに順次転送−され、これが各水平映像期
間に相当する期間に出力部へ水平転送されていき、信号
出力端子に撮像出力信号が得られる。
る信号電荷ごとに順次転送−され、これが各水平映像期
間に相当する期間に出力部へ水平転送されていき、信号
出力端子に撮像出力信号が得られる。
従来のインターライン転送型CCD撮像装置の受光・垂
直転送部に於ける単位側°素構成部分の一例は図面の第
1図に示される如くの構造となっている。lは受光部、
コは垂直転送部、3は読出ゲート部、そして、す・はオ
ーバーフロー・トレイ/で、夫々、半導体基体上に形成
されている3、さらに、受光部lと垂直転送部コとの間
には読出ゲート部3につながるチャンネル・ストップ領
域! 。
直転送部に於ける単位側°素構成部分の一例は図面の第
1図に示される如くの構造となっている。lは受光部、
コは垂直転送部、3は読出ゲート部、そして、す・はオ
ーバーフロー・トレイ/で、夫々、半導体基体上に形成
されている3、さらに、受光部lと垂直転送部コとの間
には読出ゲート部3につながるチャンネル・ストップ領
域! 。
隣接する2つの受光部/の間には受光部間チャンネル・
ストップ領域6、受光部lとオーバーフロー・ドレイン
リドの間にはオーバーフロー・コントロール・ゲート部
を形成する垂直方向に延びるチャンネル・ストップ領域
7が配されている。ざは受光部間チャシネル・ストップ
領域6とチャンネル・ストップ領域りとが重なる部分で
ある。tた、オーバーフロー・ドレイ/qのチャ/ネル
−ストップ領域りの側とは反対側には垂直方向に延びる
チャンネル・ストップ領域ワが配されている。
ストップ領域6、受光部lとオーバーフロー・ドレイン
リドの間にはオーバーフロー・コントロール・ゲート部
を形成する垂直方向に延びるチャンネル・ストップ領域
7が配されている。ざは受光部間チャシネル・ストップ
領域6とチャンネル・ストップ領域りとが重なる部分で
ある。tた、オーバーフロー・ドレイ/qのチャ/ネル
−ストップ領域りの側とは反対側には垂直方向に延びる
チャンネル・ストップ領域ワが配されている。
そして、上述の垂直転送部a上に垂直転送電極が設けら
れている。この垂直転送電極は、垂直転送部2のうちの
チャ/ネル・ストップ領域Sに隣接する部分及びチャ/
ネル・ストップ領域Sを覆って全体として水平方向に延
びる第一電極10と垂直転送電極のうちの読出ゲート部
3に隣接する部分及び読出ゲート部3を覆って全体とし
て水平方向に延びる第二電極//とから成っており、こ
の第二電極//は読出ゲート電極を兼ねている。また、
受光部間チャンネル・ストップ領域を上及びその水平方
向の延長上では第一電極lOと第二電極l/とが重なっ
ている。斯かる輌−電極10及び−二電極l/が垂直方
向に延びる垂直転送部コ上に交互に設けられており、こ
れらに所定の垂直転送りロック信号が供給される。
れている。この垂直転送電極は、垂直転送部2のうちの
チャ/ネル・ストップ領域Sに隣接する部分及びチャ/
ネル・ストップ領域Sを覆って全体として水平方向に延
びる第一電極10と垂直転送電極のうちの読出ゲート部
3に隣接する部分及び読出ゲート部3を覆って全体とし
て水平方向に延びる第二電極//とから成っており、こ
の第二電極//は読出ゲート電極を兼ねている。また、
受光部間チャンネル・ストップ領域を上及びその水平方
向の延長上では第一電極lOと第二電極l/とが重なっ
ている。斯かる輌−電極10及び−二電極l/が垂直方
向に延びる垂直転送部コ上に交互に設けられており、こ
れらに所定の垂直転送りロック信号が供給される。
ここで、受光部lの電位をV / s’垂垂直転送ココ
電位をV2、読出ゲート部3の電位をvg・チャ/ネル
・ストップ領域りの電位をvs、チャンネル・ストップ
領域7の電位をv7及び部分gの電位をvgとすると、
これら電位間には次の如くの制約がある。即ち、受光部
lが受光し信号電荷を蓄積する受光時には、 (1)、過剰電荷t−オーバーフロー・ドレインダへ排
出させてプルーミングを抑制するため、V/>V?>V
、?・・・・・・・・・・・・・・(1)(2)、垂直
転送部コでの垂直電荷転送をするため、V2>V、?
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ (コ)
(3)、各単位画素間の分離をするため、Vq>Vs、
V7>Vg・・・・・・・(3)また、受光部/に蓄積
された信号電荷が受光部lから垂直転送部コヘ読み出さ
れる読出時には、(p)、(l電荷ヲオーバーフロー・
ドレインlへ流出させないため、 V2>Vs>V7 ・−・・・・・・・・・・・・(す
0)、各単位画素間分離をするため、 Vs>Vs、vg〉vg°゛°°・°・(S)の各不等
式が成立する必要がある。
電位をV2、読出ゲート部3の電位をvg・チャ/ネル
・ストップ領域りの電位をvs、チャンネル・ストップ
領域7の電位をv7及び部分gの電位をvgとすると、
これら電位間には次の如くの制約がある。即ち、受光部
lが受光し信号電荷を蓄積する受光時には、 (1)、過剰電荷t−オーバーフロー・ドレインダへ排
出させてプルーミングを抑制するため、V/>V?>V
、?・・・・・・・・・・・・・・(1)(2)、垂直
転送部コでの垂直電荷転送をするため、V2>V、?
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ (コ)
(3)、各単位画素間の分離をするため、Vq>Vs、
V7>Vg・・・・・・・(3)また、受光部/に蓄積
された信号電荷が受光部lから垂直転送部コヘ読み出さ
れる読出時には、(p)、(l電荷ヲオーバーフロー・
ドレインlへ流出させないため、 V2>Vs>V7 ・−・・・・・・・・・・・・(す
0)、各単位画素間分離をするため、 Vs>Vs、vg〉vg°゛°°・°・(S)の各不等
式が成立する必要がある。
もし、読出ゲート部3と部分gとが同一の不純物濃度を
もって形成されてい石とすと、読出時で第二電極//に
読出電圧が供給される時に於いて、上記の(&)式が成
立せずv3=vgとなってしまい、信号電荷の一部が部
分ざを介してオーバーフロー・ドレインリへ流出してし
まうことになる。
もって形成されてい石とすと、読出時で第二電極//に
読出電圧が供給される時に於いて、上記の(&)式が成
立せずv3=vgとなってしまい、信号電荷の一部が部
分ざを介してオーバーフロー・ドレインリへ流出してし
まうことになる。
このため通常は、読出時に読出ゲート部3の電位v3が
部分Sの電位vgより高く(深く)なるように、読出ゲ
ート部3を部分ざとは不純物濃度条件を異ならしめて形
成せざるを得ない。飼えば、部分gがP型不純物層電位
障壁形成部とされている場合には、読出ゲート部3は表
面型電位障壁形成部とされる。このように、読出ゲート
部3を部分g及びチャ/ネル−ストップ領域S及び7と
は異なった不純物濃度とすると、上記の(り式及び(り
)式の制約から、垂直転送部λ、読出ゲート部3及びチ
ャンネル・ストップ領域夕を、夫々、互いに異なった不
純物濃度で形成することになシ、垂直転送部コとチャン
ネル・ストップ領域夕との境界線(第1図に於けるa
−b及びc −d )と、垂直転送部2と読出ゲート部
3;との境界線(第1図に於けるb −c )とは一致
しなくなる。そのため、垂直転送部コのチャンネル・ス
トップ領域!で規制される幅(第1図に於けるW/)と
読出ゲート部3で規制される幅(第1図に於けるW2)
とに差ができ、この差に伴う狭チャンネル効果により第
1図に於けるa−a’二bり−bで囲まれる部分とb−
b′−C′−Cで囲まれる部分との間に電位差が生ずる
ようになる。また、仮に、極めて高精度なマスク合せ技
術が用いられ、上述の境界線a転送部の幅W/とW2と
が等しくなって吟るとしても、読出ゲート部3とチャン
ネル・ストップ領域!との間の不純物濃度差により、上
述のa −a’−b’−bで囲まれる部分とb −b”
−c’ −cで囲まれる部分との間には電位差が存在す
る結果となる。
部分Sの電位vgより高く(深く)なるように、読出ゲ
ート部3を部分ざとは不純物濃度条件を異ならしめて形
成せざるを得ない。飼えば、部分gがP型不純物層電位
障壁形成部とされている場合には、読出ゲート部3は表
面型電位障壁形成部とされる。このように、読出ゲート
部3を部分g及びチャ/ネル−ストップ領域S及び7と
は異なった不純物濃度とすると、上記の(り式及び(り
)式の制約から、垂直転送部λ、読出ゲート部3及びチ
ャンネル・ストップ領域夕を、夫々、互いに異なった不
純物濃度で形成することになシ、垂直転送部コとチャン
ネル・ストップ領域夕との境界線(第1図に於けるa
−b及びc −d )と、垂直転送部2と読出ゲート部
3;との境界線(第1図に於けるb −c )とは一致
しなくなる。そのため、垂直転送部コのチャンネル・ス
トップ領域!で規制される幅(第1図に於けるW/)と
読出ゲート部3で規制される幅(第1図に於けるW2)
とに差ができ、この差に伴う狭チャンネル効果により第
1図に於けるa−a’二bり−bで囲まれる部分とb−
b′−C′−Cで囲まれる部分との間に電位差が生ずる
ようになる。また、仮に、極めて高精度なマスク合せ技
術が用いられ、上述の境界線a転送部の幅W/とW2と
が等しくなって吟るとしても、読出ゲート部3とチャン
ネル・ストップ領域!との間の不純物濃度差により、上
述のa −a’−b’−bで囲まれる部分とb −b”
−c’ −cで囲まれる部分との間には電位差が存在す
る結果となる。
従来の撮像装置に於ける斯かる垂直転送部内の電位差は
、垂直転送部に於ける電荷転送効率を劣化させることに
なり、また、この電荷転送効率の劣化が、装置全体の小
型化や感度を向上させるだめの垂直転送部の縮小化に際
して大きな問題となって装置の設計限界を規定する要因
ともなυ、従来の撮像装置に伴う欠点を生せしめるもの
となっていた。
、垂直転送部に於ける電荷転送効率を劣化させることに
なり、また、この電荷転送効率の劣化が、装置全体の小
型化や感度を向上させるだめの垂直転送部の縮小化に際
して大きな問題となって装置の設計限界を規定する要因
ともなυ、従来の撮像装置に伴う欠点を生せしめるもの
となっていた。
そこで本発明は、垂直転送部を同一の不純物濃度を有し
その一部で読出ゲート部を形成するチャンネル・ストッ
プ領域で包囲するとともに垂直転送電極構造を改良して
、垂直転送部内に望ましくない電位差を生ぜしめること
なく各部に要求させる上述の(1)〜(5)式の如くの
電位関係を作シ出すようにして、従来の撮像装置に伴う
欠点を解消したインターライン転送型固体撮像装置を提
供する。以下、図面の第2図以降を参照して本発明の実
施例について説明する。
その一部で読出ゲート部を形成するチャンネル・ストッ
プ領域で包囲するとともに垂直転送電極構造を改良して
、垂直転送部内に望ましくない電位差を生ぜしめること
なく各部に要求させる上述の(1)〜(5)式の如くの
電位関係を作シ出すようにして、従来の撮像装置に伴う
欠点を解消したインターライン転送型固体撮像装置を提
供する。以下、図面の第2図以降を参照して本発明の実
施例について説明する。
本発明に係るインターライン転送型固体撮像装置は、基
本的には、従来と同様に受光・垂直転送部と、水平転送
部と、出力部とから構成されており、その受光・垂直転
送部の構造及び動作に特徴を有すものである。第2図は
本発明に係る固体撮像装置の受光・垂直転送部に於ける
単位画素構成部の一例を示す。21は受光部;、22は
垂直転送部、23は読出ゲート部及び2IIはオーバー
フロー・ドレイ゛/であって、夫々、半導体基体上に形
成されており、これら各部の機能は、第1図に示される
受光・垂直転送部の単位画素構成部分に於ける対応する
各部、即ち、受光部11垂直転送部コ、読出ゲート部3
及びオーバーフロー命ドレインダと同様である。上述の
受光部21は、一部で読出ゲート部23を形成する、受
光部21と垂直転送部ココとの間のチャンネル・ストッ
プ領域コS1受光部間チャンネル・ストップ領域2A及
び受光部21とオーバーフロー・ドレイ72’lとノ間
ノオーバーフローQコ/トロール・ケ)部を形成するチ
ャ/ネル・ストップ領域27で包囲されている。これら
各チャンネルーストップ領域コ!、26及び27は読出
ゲート部23も含めて同一不純物濃度で形成されている
。従って、受光部間チャンネル・ストップ領域2Aとチ
ャンネル・ストップ領域27が重なる部分2gも読出ゲ
ート部コ3と同一不純物濃度となっている。29はオー
バーフロm−ドレイ72’lのチャンネル・ストップ領
域27の側とは反対側に配された垂直方向に延びるチャ
ンネル・ストップ領域である。
本的には、従来と同様に受光・垂直転送部と、水平転送
部と、出力部とから構成されており、その受光・垂直転
送部の構造及び動作に特徴を有すものである。第2図は
本発明に係る固体撮像装置の受光・垂直転送部に於ける
単位画素構成部の一例を示す。21は受光部;、22は
垂直転送部、23は読出ゲート部及び2IIはオーバー
フロー・ドレイ゛/であって、夫々、半導体基体上に形
成されており、これら各部の機能は、第1図に示される
受光・垂直転送部の単位画素構成部分に於ける対応する
各部、即ち、受光部11垂直転送部コ、読出ゲート部3
及びオーバーフロー命ドレインダと同様である。上述の
受光部21は、一部で読出ゲート部23を形成する、受
光部21と垂直転送部ココとの間のチャンネル・ストッ
プ領域コS1受光部間チャンネル・ストップ領域2A及
び受光部21とオーバーフロー・ドレイ72’lとノ間
ノオーバーフローQコ/トロール・ケ)部を形成するチ
ャ/ネル・ストップ領域27で包囲されている。これら
各チャンネルーストップ領域コ!、26及び27は読出
ゲート部23も含めて同一不純物濃度で形成されている
。従って、受光部間チャンネル・ストップ領域2Aとチ
ャンネル・ストップ領域27が重なる部分2gも読出ゲ
ート部コ3と同一不純物濃度となっている。29はオー
バーフロm−ドレイ72’lのチャンネル・ストップ領
域27の側とは反対側に配された垂直方向に延びるチャ
ンネル・ストップ領域である。
そして、垂直転送部22に於ける垂直電荷転送のための
垂直転送電極が配されるが、この垂直転送電極は、垂直
転送部22のうちのチャ/ネル・ストップ領域23に隣
接する部分及びチャンネル・ストップ領域25を覆って
全体として水平方向に延びる第一電極30と、垂直転送
部22のうちの読出ゲート部23に隣接する部分及び読
出ゲ−ト部23を覆って全体として水平方向に延びる第
二電極31とから成っている。ここで、第二電極31は
読出ゲート電極を兼ねており、受光部間チャンネル・ス
トップ領域26上及びその水平方向の延長上では第一電
極30上に第二電極31が重なっている。特に、受光部
間チャンネル・ストップ領域26上では、第一電極30
0幅がその上に配される第二電極31の幅よシ大とされ
ていて、第二電極31はその全幅に亘って第一電極3o
上に配置されておシ、受光部間チャンネル・ストップ領
域26及び部分2gに対し、て第一電極3oによるシー
ルド効果を受けるようにされている。斯かる第一電極3
0及び第二電極31が垂直方向に延びる垂直転送部22
上に交互に設けられておシ、これらに所定の垂直転送り
ロック信号が供給される。また、チャンネル・ストップ
領域27上にはオーバーフロー・コントロール−ケ−)
電極カ配され、所定のバイアス電圧が供給される。
垂直転送電極が配されるが、この垂直転送電極は、垂直
転送部22のうちのチャ/ネル・ストップ領域23に隣
接する部分及びチャンネル・ストップ領域25を覆って
全体として水平方向に延びる第一電極30と、垂直転送
部22のうちの読出ゲート部23に隣接する部分及び読
出ゲ−ト部23を覆って全体として水平方向に延びる第
二電極31とから成っている。ここで、第二電極31は
読出ゲート電極を兼ねており、受光部間チャンネル・ス
トップ領域26上及びその水平方向の延長上では第一電
極30上に第二電極31が重なっている。特に、受光部
間チャンネル・ストップ領域26上では、第一電極30
0幅がその上に配される第二電極31の幅よシ大とされ
ていて、第二電極31はその全幅に亘って第一電極3o
上に配置されておシ、受光部間チャンネル・ストップ領
域26及び部分2gに対し、て第一電極3oによるシー
ルド効果を受けるようにされている。斯かる第一電極3
0及び第二電極31が垂直方向に延びる垂直転送部22
上に交互に設けられておシ、これらに所定の垂直転送り
ロック信号が供給される。また、チャンネル・ストップ
領域27上にはオーバーフロー・コントロール−ケ−)
電極カ配され、所定のバイアス電圧が供給される。
ここで、受光部21の電位を■コバ垂直転送部22の電
位をv22、読出ゲート部23の電位を■23、チャン
ネル・ストップ領域2Sの電位をv2k、チャンネル・
ストップ領域27の電位をV27及び部分λgの電位を
72g、!、すると、前述した第1図に示される例の場
合と同様にして、受光部21が受光し信号電荷を蓄積す
る受光時には、 V、2/>V、2?>V、2.7 ==°°°°°=
(/’)■22〉■2311111゛°°°°°°(
2′)V2t>V2sz V:iq>V2g =°°°
(3’)また、受光部21に蓄積された信号電荷が受光
部21から垂直転送部22へ読み出される読出時には、 V22> V23> V2q ・・・−・”・・(F
’)■23〉■2!;1V23〉72g11°(S′)
の各不等式が成立する必要がある。
位をv22、読出ゲート部23の電位を■23、チャン
ネル・ストップ領域2Sの電位をv2k、チャンネル・
ストップ領域27の電位をV27及び部分λgの電位を
72g、!、すると、前述した第1図に示される例の場
合と同様にして、受光部21が受光し信号電荷を蓄積す
る受光時には、 V、2/>V、2?>V、2.7 ==°°°°°=
(/’)■22〉■2311111゛°°°°°°(
2′)V2t>V2sz V:iq>V2g =°°°
(3’)また、受光部21に蓄積された信号電荷が受光
部21から垂直転送部22へ読み出される読出時には、 V22> V23> V2q ・・・−・”・・(F
’)■23〉■2!;1V23〉72g11°(S′)
の各不等式が成立する必要がある。
上述の第2図に示される如くの本発明に係る例の構成に
あっては、第二電極3/に所定の電圧がかかる時に於い
て、第二電極3/は、受光部間チャンネル・ストップ領
域26及び部分λgに対しては、第一電極3θによるシ
ールド効果を受けるので、第二電極31に印加される電
圧による電界がチャンネル・ストップ領域26及び部分
2gには作用しないか、あるいは、極めて微弱に作用す
るにすぎない。従って、読出ゲート部23と部分2gと
が同一の不純物濃度をもって形成されてい電位とに対し
て独立の電位設定ができ、上記の(l′)〜0りの式に
加え0′)式をも成立させることができる。但し、第一
電極3θと第二電極31とは読出時には別個の電圧が供
給、されている必要があり、垂直転送りロック信号がダ
相信号の場合には問題ないが、2相信号である場合には
、垂直電荷転送時にのみ第一電極30及び第二電極31
に共通のクロック信号を印加し、読出時には第一電極3
0と第二電極3〆とには互いに異なる電圧を印加するよ
うになす。
あっては、第二電極3/に所定の電圧がかかる時に於い
て、第二電極3/は、受光部間チャンネル・ストップ領
域26及び部分λgに対しては、第一電極3θによるシ
ールド効果を受けるので、第二電極31に印加される電
圧による電界がチャンネル・ストップ領域26及び部分
2gには作用しないか、あるいは、極めて微弱に作用す
るにすぎない。従って、読出ゲート部23と部分2gと
が同一の不純物濃度をもって形成されてい電位とに対し
て独立の電位設定ができ、上記の(l′)〜0りの式に
加え0′)式をも成立させることができる。但し、第一
電極3θと第二電極31とは読出時には別個の電圧が供
給、されている必要があり、垂直転送りロック信号がダ
相信号の場合には問題ないが、2相信号である場合には
、垂直電荷転送時にのみ第一電極30及び第二電極31
に共通のクロック信号を印加し、読出時には第一電極3
0と第二電極3〆とには互いに異なる電圧を印加するよ
うになす。
第3図は、第2図に示された受光・垂直転送部に於ける
単位画素構成部の例を有す本発明に係る固体撮像装置に
供給される垂直転送りロック信号の例を示す。第3図A
はl相りロック信号の一例であシ、φ/〜φグのq相り
ロック信号は、連続する2つの垂直転送電極の各々の第
二電極31、第一電極30、第二電極3/、第一電極3
0に夫々対応して供給される。クロック信号φl〜φダ
は、夫々、l水平期間・/Hごとに発生するり相の転送
りロックパルスψl〜ψすを含み、クロック信号φlは
奇数フィールドF/に於いて、また、クロック信号φ3
は偶数フィールドF2に於いて、夫々の読出期間trで
読出電圧Vrを有すものとなってりる。第3図Bはコ相
クロック信号の一例であり、φ′l及びφ′コのコ相ク
ロック信号は、夫々、クロック信号φ’//とφ’/2
及びφ’2/とφ′22とで構成され、クロック信号φ
′/ハφ′12、φ′2ハφ′22は連続する2つの垂
直転送電極の各々の第二電極3/、第一電極30、第二
電極3/、第一電極30に夫々対応して供給される。ク
ロック信号///とφ’/2はl水平期間・/’[(ご
とに発生する転送りロックパルスψ′lを含み、また、
クロック信号φ’2/とφ′22はl水平期間・/Hご
とに発生する、転送りロックパルスψ′lとは逆相の、
転送りロックパルスψ′λを含んでおシ、クロック信号
φ’//のみが奇数フィールドF/に於ける読出期間t
、で読出電圧vrを有し、また、クロック信号φ′、2
1のみが偶数フィールドF2に於ける読出期間trで読
出電圧vrを有している。これらのV相りロック信号φ
l〜φす又はコ相クロック信号φ′l及びφ′コが垂直
転送電極を構成する第一電極30及び第二電極31に、
上述の如くの対応関係をもって、供給されることによシ
、いずれの場合も読出時には信号読出しに係る単位画素
部、の第一電極30と第二電極31に別個の電圧が印加
されて、信号電荷の受光部2/から垂直転送部22への
読出しがされ、さらに、それに続く垂直転送部22に、
於ける転送が行われる。
単位画素構成部の例を有す本発明に係る固体撮像装置に
供給される垂直転送りロック信号の例を示す。第3図A
はl相りロック信号の一例であシ、φ/〜φグのq相り
ロック信号は、連続する2つの垂直転送電極の各々の第
二電極31、第一電極30、第二電極3/、第一電極3
0に夫々対応して供給される。クロック信号φl〜φダ
は、夫々、l水平期間・/Hごとに発生するり相の転送
りロックパルスψl〜ψすを含み、クロック信号φlは
奇数フィールドF/に於いて、また、クロック信号φ3
は偶数フィールドF2に於いて、夫々の読出期間trで
読出電圧Vrを有すものとなってりる。第3図Bはコ相
クロック信号の一例であり、φ′l及びφ′コのコ相ク
ロック信号は、夫々、クロック信号φ’//とφ’/2
及びφ’2/とφ′22とで構成され、クロック信号φ
′/ハφ′12、φ′2ハφ′22は連続する2つの垂
直転送電極の各々の第二電極3/、第一電極30、第二
電極3/、第一電極30に夫々対応して供給される。ク
ロック信号///とφ’/2はl水平期間・/’[(ご
とに発生する転送りロックパルスψ′lを含み、また、
クロック信号φ’2/とφ′22はl水平期間・/Hご
とに発生する、転送りロックパルスψ′lとは逆相の、
転送りロックパルスψ′λを含んでおシ、クロック信号
φ’//のみが奇数フィールドF/に於ける読出期間t
、で読出電圧vrを有し、また、クロック信号φ′、2
1のみが偶数フィールドF2に於ける読出期間trで読
出電圧vrを有している。これらのV相りロック信号φ
l〜φす又はコ相クロック信号φ′l及びφ′コが垂直
転送電極を構成する第一電極30及び第二電極31に、
上述の如くの対応関係をもって、供給されることによシ
、いずれの場合も読出時には信号読出しに係る単位画素
部、の第一電極30と第二電極31に別個の電圧が印加
されて、信号電荷の受光部2/から垂直転送部22への
読出しがされ、さらに、それに続く垂直転送部22に、
於ける転送が行われる。
以上の本発明の詳細な説明から理解される如く、本発明
に係る固体撮像装置にあっては、受光部と垂直転送部と
の間に位置する読出ゲート部及びそれに続くチャンネル
・ストップ領域が同一不純物濃度で形成されていること
になるので、垂直転送部のうちの読出ゲート部に隣接す
る部分と読出ゲート部に続くチャンネル・ストップ領域
に隣接する部分とでその幅が変化することもなく、これ
らの部分の間で転送時に不所望な電位差が生ずることが
ない。従って、垂直転送部に於ける電荷転送効率が著る
しく改善される。また、この電荷転送効率が改善される
結果、垂直転送部の幅の縮小が可能となり、装置全体の
小型化、高感度化、あるいは、単位画素数の増大による
高解像度化が実現できる。
に係る固体撮像装置にあっては、受光部と垂直転送部と
の間に位置する読出ゲート部及びそれに続くチャンネル
・ストップ領域が同一不純物濃度で形成されていること
になるので、垂直転送部のうちの読出ゲート部に隣接す
る部分と読出ゲート部に続くチャンネル・ストップ領域
に隣接する部分とでその幅が変化することもなく、これ
らの部分の間で転送時に不所望な電位差が生ずることが
ない。従って、垂直転送部に於ける電荷転送効率が著る
しく改善される。また、この電荷転送効率が改善される
結果、垂直転送部の幅の縮小が可能となり、装置全体の
小型化、高感度化、あるいは、単位画素数の増大による
高解像度化が実現できる。
第1図は従来のイ/ターライ/転送型CCD撮像装置の
部分を示す部分拡大平面図、第2図は本発明に係る固体
撮像装置の一例の部分を示す部分拡大平面図、第3図は
本発明に係る固体撮像装置に供給される垂直転送りロッ
ク信号の例を示す波形図である。 : 図中、21は受光部、コ2は垂直転送部、23は読出ゲ
ート部、2tiはオーバーフロー・ドレイン、2S%
24.27及びコ9はチャ/ネル・ストップ領域、30
は第一電極、31は第二電極である。 第■図 第3図 A 手続補正書 昭和S7年1り月/2日 1、事件の表示 昭和36年特許願第1/33g2号 2、発明の名称固体撮像装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 6、補正により増加す、る発明の数 な し7、補正の
対象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面(1)明細書中
、第3頁73行「垂直転送部」とある金「受光部」に訂
正する。 (2)図面中、第1図、第3図A及びBを添付図面の通
り補正する。 以上 第 −図 第3図 手続補正音 昭和57年12月6日 1、事件の表示 昭和S乙年特許願第1/33g2号− 2、発明の名称 固体撮像装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者大賀典雄 6、補正によシ増加する発明の数 8な し以上 第1図 3184
部分を示す部分拡大平面図、第2図は本発明に係る固体
撮像装置の一例の部分を示す部分拡大平面図、第3図は
本発明に係る固体撮像装置に供給される垂直転送りロッ
ク信号の例を示す波形図である。 : 図中、21は受光部、コ2は垂直転送部、23は読出ゲ
ート部、2tiはオーバーフロー・ドレイン、2S%
24.27及びコ9はチャ/ネル・ストップ領域、30
は第一電極、31は第二電極である。 第■図 第3図 A 手続補正書 昭和S7年1り月/2日 1、事件の表示 昭和36年特許願第1/33g2号 2、発明の名称固体撮像装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 6、補正により増加す、る発明の数 な し7、補正の
対象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面(1)明細書中
、第3頁73行「垂直転送部」とある金「受光部」に訂
正する。 (2)図面中、第1図、第3図A及びBを添付図面の通
り補正する。 以上 第 −図 第3図 手続補正音 昭和57年12月6日 1、事件の表示 昭和S乙年特許願第1/33g2号− 2、発明の名称 固体撮像装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者大賀典雄 6、補正によシ増加する発明の数 8な し以上 第1図 3184
Claims (1)
- 受光により信号電荷を蓄積する受光部と、上記信号電荷
を転送する垂直転送部と、上記信号電荷を上記受光部か
ら上記垂直転送部へ読み出す読出ゲート部と、上記受光
部を包囲して配されその一部に於いて上記読出ゲート部
を形成するチャンネル拳ストップ領域とを含んで単位画
素が構成され、各単位画素の上記垂直転送部のシ一部分
及び上記チャンネル・ストップ領域のうちの隣接する2
つの受光部間に配された受光部間チャ/ネルΦストップ
領域上に第一の転送電極が配されるとともに、上記各単
位画素の上記垂直転送部の他の一部分、上記読出ゲート
部及び上記受光部間チャ/ネル・ストップ領域上に第二
の転送電極が配され、上記第二の転送電極は上記垂直転
送部の他の一部分及び読出ゲート部上、を除く他の部分
に於いて上記第一の電極上に位置せしめられて、該第−
の電極による上記単位画素に対してのンールド効果を受
けるようにされて成る固体撮像装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56113382A JPS5875382A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 固体撮像装置 |
GB08220175A GB2103875B (en) | 1981-07-20 | 1982-07-12 | Solid state image sensors |
CA000407461A CA1173543A (en) | 1981-07-20 | 1982-07-16 | Solid state image sensor |
DE19823226732 DE3226732A1 (de) | 1981-07-20 | 1982-07-16 | Bildwandler in festkoerpertechnik |
US06/399,894 US4518978A (en) | 1981-07-20 | 1982-07-19 | Solid state image sensor |
FR8212684A FR2509909B1 (fr) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Detecteur d'image a l'etat solide |
NL8202932A NL194655C (nl) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56113382A JPS5875382A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5875382A true JPS5875382A (ja) | 1983-05-07 |
JPS634751B2 JPS634751B2 (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=14610877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56113382A Granted JPS5875382A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4518978A (ja) |
JP (1) | JPS5875382A (ja) |
CA (1) | CA1173543A (ja) |
DE (1) | DE3226732A1 (ja) |
FR (1) | FR2509909B1 (ja) |
GB (1) | GB2103875B (ja) |
NL (1) | NL194655C (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952873A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JPS60263459A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-26 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ccd画像感知器 |
JP2002124659A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS58210663A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
JPS5916472A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JPS5931056A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
US4638345A (en) * | 1983-06-01 | 1987-01-20 | Rca Corporation | IR imaging array and method of making same |
JPH0666914B2 (ja) * | 1984-01-10 | 1994-08-24 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
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JPS6153766A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Hitachi Ltd | インタ−ライン型電荷転送撮像素子 |
JPH0642723B2 (ja) * | 1984-11-13 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子の駆動方法 |
JPS62126667A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
KR900007234B1 (ko) * | 1986-07-07 | 1990-10-05 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 전하이송형 고체촬상소자 |
US4908518A (en) * | 1989-02-10 | 1990-03-13 | Eastman Kodak Company | Interline transfer CCD image sensing device with electrode structure for each pixel |
EP0455803A1 (en) * | 1989-11-29 | 1991-11-13 | Eastman Kodak Company | Non-interlaced interline transfer ccd image sensing device with simplified electrode structure for each pixel |
JP3042042B2 (ja) * | 1991-06-21 | 2000-05-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US5237422A (en) * | 1991-08-14 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | High speed clock driving circuitry for interline transfer ccd imagers |
JP2910394B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JPH0785502B2 (ja) * | 1993-01-22 | 1995-09-13 | 日本電気株式会社 | カラーリニアイメージセンサ |
JPH06252373A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Sony Corp | Ccd型固体撮像素子 |
JP2541470B2 (ja) * | 1993-08-26 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
KR100541712B1 (ko) * | 1996-01-18 | 2006-06-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 선형ccd촬상소자 |
JP4049248B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2008-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
NL1026486C2 (nl) * | 2004-06-23 | 2005-12-28 | Oce Tech Bv | Inkjetsysteem, werkwijze om dit systeem te maken en toepassing van dit systeem. |
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JPS5518064A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Sony Corp | Charge trsnsfer device |
JPS5685981A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Sharp Corp | Solid image pickup apparatus |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113382A patent/JPS5875382A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-12 GB GB08220175A patent/GB2103875B/en not_active Expired
- 1982-07-16 CA CA000407461A patent/CA1173543A/en not_active Expired
- 1982-07-16 DE DE19823226732 patent/DE3226732A1/de active Granted
- 1982-07-19 US US06/399,894 patent/US4518978A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-20 NL NL8202932A patent/NL194655C/nl active Search and Examination
- 1982-07-20 FR FR8212684A patent/FR2509909B1/fr not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0680811B2 (ja) * | 1984-06-01 | 1994-10-12 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ccd画像感知器 |
JP2002124659A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4518978A (en) | 1985-05-21 |
DE3226732C2 (ja) | 1993-09-16 |
FR2509909B1 (fr) | 1985-08-23 |
DE3226732A1 (de) | 1983-02-10 |
GB2103875B (en) | 1985-08-21 |
GB2103875A (en) | 1983-02-23 |
CA1173543A (en) | 1984-08-28 |
JPS634751B2 (ja) | 1988-01-30 |
NL194655C (nl) | 2002-10-04 |
NL8202932A (nl) | 1983-02-16 |
NL194655B (nl) | 2002-06-03 |
FR2509909A1 (fr) | 1983-01-21 |
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