NL194655C - Halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type. - Google Patents
Halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type. Download PDFInfo
- Publication number
- NL194655C NL194655C NL8202932A NL8202932A NL194655C NL 194655 C NL194655 C NL 194655C NL 8202932 A NL8202932 A NL 8202932A NL 8202932 A NL8202932 A NL 8202932A NL 194655 C NL194655 C NL 194655C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- transfer
- charge
- area
- region
- period
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
1 194655
Halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type
De onderhavige uitvinding betreft een halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type omvattende: 5 - een eerste overdrachtselektrode is aangebracht op een eerste deel van een eerste ladingsoverdrachts-gebied en op het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden; en - een van de eerste overdrachtselektrode geïsoleerde tweede overdrachtselektrode is aangebracht op een tweede deel van overdrachtsgebied, op het overdrachtspoortgebied en op het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden.
10 Een dergelijke halfgeleiderbeeldopneeminrichting is bekend uit de Nederlandse octrooiaanvrage 7905798.
Bij de bekende halfgeleiderbeeldopneeminrichting overlappen de eerste overdrachtselektrode en de tweede overdrachtselektrode elkaar gedeeltelijk op het deel van het kanaalstopgebied, dat grenst aan de tegenover elkaar gelegen delen van de lichtopneemgebieden van de opeenvolgende halfgeleiderbeeldop-15 neemelementen. Hierdoor wordt door aan een de tweede overdrachtselektrode toegevoerde spanning een. elektrisch veld in het kanaalstopgebied tussen de naburige lichtopneemgebieden opgewekt, dat een verstorende invloed heeft op de werking van de halfgeleiderbeeldopneeminrichting. Deze verstorende invloed verhindert een op een grotere gevoeligheid van de halfgeleiderbeeldopneeminrichting gerichte verkleining van de eerste ladingsoverdrachtsgebieden.
20 De uitvinding beoogt te voorzien in een halfgeleiderbeeldopneeminrichting, waarbij geen hinderlijke elektrische velden worden opgewekt als tijdens bedrijf spanning wordt toegevoerd aan de tweede overdrachtselektrode.
Daarvoor heeft een halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type van de in de aanhef beschreven soort volgens de uitvinding het kenmerk, dat de tweede overdrachtselektrode ter plaatse 25 van het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden zodanig op de eerste overdrachtselektrode is aangebracht, dat de tweede overdrachtselektrode van het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden is afgeschermd.
Bij een beeldopneeminrichting met deze opbouw worden de gewenste relaties tussen afzonderlijke potentialen verzekerd, zodat een goede werking van de beeldopneeminrichting is verzekerd.
30 In een uitvoeringsvorm van de halfgeleiderbeeldopneeminrichting volgens de uitvinding is het kanaalstopgebied zodanig aangebracht, dat deze het lichtopneemgebied geheel omringt, waarbij het overdrachtspoortgebied een in hoofdzaak onder de tweede overdrachtselektrode gelegen deel van het kanaalstopgebied tussen het lichtopneemgebied en het ladingsoverdrachtsgebied omvat. Bij voorkeur heeft het als overdrachtspoortgebied dienende gedeelte van het kanaalstopgebied eenzelfde doteringsstofconcentratie of 35 verontreinigingsdichtheid als een hier tegenover gelegen deel van het kanaalstopgebied, zodat geen breedteverschil optreedt tussen een aan het overdrachtspoortgebied grenzend deel en een aan het kanaalstopgebied grenzend gedeelte van het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende overdrachtsgebied. Als gevolg kan in het overdrachtsgebied tijdens de periode van ladingsoverdracht geen ongewenst potentiaalverschil worden geïnduceerd, zodat het ladingsoverdrachtsrendement bij de ladings-40 overdracht in verticale richting aanzienlijk wordt verbeterd, hetgeen mogelijk maakt de breedte van het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende overdrachtsgebied zodanig klein te maken, dat de beeldopneeminrichting zeer veel kleiner kan worden uitgevoerd. In een beeldopneeminrichting met een groter aantal kleinere lichtopneemgebieden en ladingsoverdrachtsgebieden zal de resolutie relatief hoog zijn, hetgeen een aanvullend voordeel vormt.
45 In een verdere uitvoeringsvorm van de halfgeleiderbeeldopneeminrichting volgens de uitvinding, is een gedeelte van de eerste overdrachtselektrode tussen naburige lichtopneemgebieden breder dan een overeenkomend gedeelte van de tweede overdrachtselektrode tussen de twee overdrachtsgebieden. In een dergelijke configuratie kunnen de eerste en de tweede overdrachtselektrode op zeer eenvoudige wijze worden aangebracht, hetgeen een aanmerkelijke vereenvoudiging van het vervaardigingsproces met zich 50 meebrengt.
De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van de tekening. In de tekening tonen: figuur 1, op grotere schaal, een bovenaanzicht op een gedeelte van bekende halfgeleiderbeeldopneemin-richting van het ladinggekoppelde type met een ladingsoverdrachtsgebied van overdracht in de verticale 55 richting, figuur 2, schematisch, een bovenaanzicht op een uitvoeringsvorm van een halfgeleiderbeeldopneemin-richting, 194655 2 figuur 3, op grotere schaal, een aanzicht op een gedeelte van een uitvoeringsvorm van een halfgeleider-beeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type, waarbij de tweede overdrachtselektrode is afge-schermd, en figuur 4A en 4B enige golfvormen van voor verticale ladingsoverdracht aan de uitvoeringsvorm volgens 5 figuur 3 toegevoerde klokimpulsen.
Ter vergemakkelijking van een goed begrip van de uitvinding zal eerst aan de hand van figuur 1 een bekende halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type met een ladingsoverdrachts-gebied van overdracht in de verticale richting worden beschreven. Figuur 1 toont op vergrote schaal een 10 gedeelte van een dergelijke inrichting met een lichtopneemgebied 1, een voor ladingsoverdracht in verticale richting dienend overdrachtsgebied 2, een overdrachtspoortgebied 3 en een overloopafvoergebied 4, welke op een gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam of -substraat zijn gevormd. Voorts strekken zich een aan het overdrachtspoortgebied 3 grenzend, eerste kanaalstopgebied 5, een tweede kanaalstopgebied 6 en een derde kanaalstopgebied 7, dat zich in de verticale richting uitstrekt voor vorming van een overloopbesturing-15 spoortgebied, respectievelijk uit tussen het lichtopneemgebied 1 en het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende overdrachtsgebied 2, tussen iedere twee aangrenzende lichtopneemgebieden 1 en tussen het lichtopneemgebied 1 en de overloopafvoer 4. Op de plaats, waar het tweede en het derde kanaalstopgebied 6, 7 elkaar kruisen, bevindt zich een gedeelte 8. Een zich in de verticale richting uitstrekkend, vierde kanaalstopgebied 9 strekt zich aan de tegenover het derde kanaalstopgebied 7 gelegen zijde van de 20 overloopafvoer 4 uit.
Op het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende overdrachtsgebied of -gedeelte 2 zijn overdrachtselektroden aangebracht. Deze bestaan uit een eerste overdrachtselektrode 10, welke zich in horizontale richting in figuur 1 uitstrekt en van het ladingsoverdrachtsgebied 2 een aan het eerste kanaalstopgebied 5 grenzend gedeelte benevens dit kanaalstopgebied 5 zelf bedekt, en uit een tweede 25 overdrachtselektrode 11, welke zich eveneens in de horizontale richting uitstrekt en een aan het overdrachtspoortgebied 3 grenzend gedeelte van het ladingsoverdrachtsgebied 2 benevens het overdrachtspoortgebied 3 zelf bedekt. De tweede overdrachtselektrode 11 dient tevens als overdrachtspoortelektrode. De eerste en de tweede overdrachtselektroden 10 en 11 overlappen elkaar op het tweede kanaalstopgebied 6 en het zich vandaar uit in horizontale richting uitstrekkende gebied. De eerste en de tweede overdrachts-30 elektroden 10 en 11 wisselen elkaar in de verticale richting boven het ladingsoverdrachtsgebied 2 af en krijgen ene geschikt overdrachtskloksignaal voor ladingsoverdracht in verticale richting toegevoerd.
Wanneer de potentiaal van het lichtopneemgebied 1, de potentiaal van het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende overdrachtsgebied 2, de potentiaal van het overdrachtspoortgebied 3, de potentiaal van het eerste kanaalstopgebied 5, de potentiaal van het derde kanaalstopgebied 7 en de 35 potentiaal van het gedeelte 8 respectievelijk worden weergegeven door V,, V2, V3, V5, V7 en Ve, gelden de volgende randvoorwaarden of beperkingen voor de verschillende relaties tussen deze potentialen.
Tijdens een lichtontvangstperiode, waarin het lichtopneemgebied licht ontvangt en een lading vormt en in opslag neemt, dient aan de volgende ongelijkheden te worden voldaan: 1. Teneinde overtollige lading naar de overloopafvoer 4 te doen wegvloeien en op die wijze een wel als 40 "blooming" aangeduid verschijnsel tegen te gaan, dient te gelden: V,>V7>V3 (1) 2. Teneinde binnen het ladingsoverdrachtsgebied 2 ladingsoverdracht in verticale richting te verkrijgen, dient te gelden: V2 > V3 (2) 45 3. Teneinde een goede scheiding tussen de verschillende beeldopneemeeriheden te verkrijgen, dient te gelden: V7 > V5, V7 > Ve (3)
Tijdens een poortoverdrachtsperiode, waarin de in het lichtopneemgebied 1 opgeslagen signaallading via het overdrachtspoortgebied 3 naar het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende ladings-50 overdrachtsgebied 2 wordt overgebracht, dient bovendien aan de volgende ongelijkheden te worden voldaan: 4. Teneinde te verhinderen, dat de signaallading naar de overloopafvoer 4 wegvloeit, dient te gelden: V2 > V3 > V7 (4) 5. Teneinde een goede scheiding tussen de verschillende beeldopneemeenheden te verkrijgen, dient te 55 gelden: V3 > V5, V3 > V8 (5)
Indien het overdrachtspoortgebied 3 en het gedeelte 8 eenzelfde verontreinigingsdichtheid hebben, zal, 3 194655 wanneer tijdens de poortoverdrachtsperoide een poortoverdrachtsspanning aan de tweede overdrachts-elektrode 11 wordt toegevoerd, aan de laatste ongelijkheid (5) niet worden voldaan, doch zal de potentiaal V3 gelijk aan de potentiaal V8 worden, zodat een deel van de signaallading via het gedeelte 8 naar de overloopafvoer 4 wegvloeit. In verband daarmede wordt in de praktijk aan het overdrachtspoortgebied 3 een 5 van dié in het gedeelte 8 verschillende verontreinigingsdichtheid gegeven, zodat de potentiaal V3 van het overdrachtsgebied 3 tijdens de poortoverdrachtsperiode hoger (dieper) wordt dan de potentiaal V8 van het gedeelte 8. Wanneer het gedeelte 8 bijvoorbeeld is gevormd in het een potentiaalbarrière vormende gedeelte van een laag met een verontreiniging van het P-type, dan wordt het overdrachtspoortgebied 3 gevormd in een gedeelte, dat een potentiaalbarrière van het type ’’surface barrier” vormt. Wanneer het 10 overdrachtspoortgebied 3 een van dié van het gedeelte 8 en voorts ten opzichte van dié van het eerste en het derde kanaalstopgebied 5, 7 verschillende verontreinigingsdichtheid heeft, waarbij de beide laatstgenoemde verschillen verband houden met de hiervoor genoemde ongelijkheden (4) en (5) en wanneer het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende overdrachtsgebied 2, het overdrachtspoortgebied 3 en het eerste kanaalstopgebied eveneens onderling verschillende verontreinigingsdichtheden vertonen, zal als 15 gevolg daarvan de grenslijn tussen overdrachtsgebied 2 en het eerste kanaalstopgebied 5 (a - b of c - d in figuur 1) niet komen samen te vallen met de grenslijnen tussen het overdrachtsgebied 2 en het overdrachtspoortgebied 3 (b - c in figuur 1). Dit wil zeggen, dat een verschil in breedte optreedt tussen het door het eerste kanaalstopgebied 5 begrensde gedeelte van het overdrachtsgebied 2 (breedte w, in figuur 1) en het door het overdrachtspoortgebied 3 begrensde gedeelte van het overdrachtsgebied 2 (breedte w2 in figuur 1); 20 het uit dit breedteverschil resulterende effect van een ’’nauw kanaal” heeft weer tot gevolg, dat tussen een door de gesloten lijn a - a' - b' - b - a in figuur 1 omringd gedeelte van het overdrachtsgebied 2 en een door de gesloten lijn b - b' - c - c' - b in figuur 1 omringd gedeelte van het overdrachtsgebied 2 een potentiaalverschil optreedt.
Zelfs indien de grenslijn a - b of c - d door toepassing van een uiterst fijne maskertechniek tijdens de bij 25 de vervaardiging van de beeldopneeminrichting toegepaste verontreinigingsdiffusie tot samenvallen met de grenslijn b - c wordt gebracht, zodat de breedte w1 gelijk wordt aan de breedte w2, zal tussen het door de gesloten lijn a - a' - b' - b - a omringde gedeelte en het door de gesloten lijn b - b' - o' - c - b omringde gedeelte een potentiaalverschil optreden als gevolg van het verschil in verontreinigingsdichtheid tussen het overdrachtspoortgebied 3 en het eerste kanaalstopgebied 5.
30 Het optreden van een dergelijk ongewenst potentiaalverschil tussen het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende overdrachtsgebied 2 vermindert het ladingsoverdrachtsrendement van het overdrachtsgebied 2 en vormt een belangrijk nadeel van deze beeldopneeminrichting.
Teneinde dit nadeel weg te nemen, dienen het overdrachtspoortgebied en het daaraan grenzende kanaalstopgebied tussen het lichtopneemgebied en het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende 35 overdrachtsgebied eenzelfde verontreinigingsdichtheid te vertonen, terwijl voorts de verticale overdrachts-elektrode zodanig wordt gewijzigd, dat aan de hiervoor vermelde ongelijkheden (1) - (5) wordt voldaan zonder dat tijdens bedrijf in het voor verticale ladingsoverdracht dienende overdrachtsgebied het beschreven, ongewenste potentiaalverschil optreedt.
Zoals figuur 2 laat zien, bevat de beeldopneeminrichting met ladingsoverdrachtsgebieden voor het in 40 verticale en horizontale richting overdragen van slgnaalladingen een voor lichtopname, ladingsaccumulatie en ladingsoverdracht in verticale richting dienend gedeelte L met een aantal volgens horizontale beeldregels en verticale rijen gerangschikte lichtopneemeenheden 21, zich langs de verticale rijen met lichtopneem-eenheden 21 uitstrekkende ladlngsoverdrachtselementen 22 voor ladingsoverdracht in verticale richting en tussen de lichtopneemeenheden 21 en de respectievelijk bijbehorende ladlngsoverdrachtselementen 22 45 gevormde overdrachtspoortgebieden 23, terwijl met het gedeelte L een voor ladingsoverdracht in horizontale richting dienend schuifregister M is gekoppeld, dat via een uitgangsgedeelte N op soortgelijke wijze als bij bekende beeldopneeminrichtingen van dit type een uitgangssignaal afgeeft.
Figuur 3 toont voor een uitvoeringsvorm van een beeldopneeminrichting met ladingsoverdrachtsgebieden van het overdragen van signaalladingen in verticale en horizontale richting enige details van een dergelijke 50 combinatie van de hiervoor genoemde componenten 21-23, zoals een hiervoor als "eenheid” aangeduid ladingsoverdrachtsgebied 22 voor ladingsoverdracht in verticale richting, een overdrachtspoortgebied 23 en een overloopafvoer 24, welke op een gemeenschappelijk halfgeleidersubstraat zijn gevormd. De functies van deze verschillende gebieden komen overeen met dié van de respectieve componenten 1-4 in figuur 1. Het lichtopneemgebied 21 wordt achtereenvolgens omringd door een eerste kanaalstopgebied 25 dat in een 55 gedeelte het overdrachtspoortgebied 23 vormt en tussen het lichtopneemgebied 21 en het ladingsoverdrachtsgebied 22 ligt, een tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden 1 aanwezig, tweede kanaalstopgebied 26 en een tussen het lichtopneemgebied 21 en de overloopafvoer 24 een overloop- 194655 4 besturingspoortgebied vormend, derde kanaalstopgebied 27. De kanaalstopgebieden 25, 26 en 27, met inbegrip van het overdrachtspoortgebied 23, vertonen eenzelfde verontreinigingsdichtheid. Een gedeelte 28, waar het tweede en het derde kanaalstopgebied 26, 27 elkaar overlappen, heeft derhalve eveneens dezelfde verontreinigingsdichtheid als het overdrachtspoortgebied 23. Voorts strekt zich langs de overloop-5 afvoer 24 doch aan de tegenover het derde kanaalstopgebied 27 gelegen zijde daarvan in verticale richting een vierde kanaalstopgebied 29 uit.
Voor het bewerkstelligen van ladingsoverdracht in verticale richting binnen het ladingsoverdrachtsgebied 22 zijn overdrachtselektroden aanwezig. Deze bestaan uit een eerste overdrachtselektrode 30, welke zich in horizontale richting uitstrekt en een aan het eerste kanaalstopgebied 25 grenzend gedeelte van het 10 ladingsoverdrachtsgebied 22 en het eerste kanaalstopgebied 25 zelf bedekt, en uit een tweede overdrachtselektrode 31, welke zich eveneens in de horizontale richting uitstrekt en een aan het overdrachtspoortgebied 23 grenzend gedeelte van het ladingsoverdrachtsgebied 22 benevens het overdrachtspoortgebied 23 zelf bedekt. De tweede overdrachtselektrode 31 dient tevens als overdrachtspoortelektrode; de beide overdrachtselektroden 30 en 31 overlappen elkaar in het tweede kanaalstopgebied 26 en in een zich van 15 daaruit in horizontale richting uitstrekkend gebied. Meer in het bijzonder heeft de eerste overdrachtselektrode 30 boven het tweede kanaalstopgebied 26 een grotere breedte dan de tweede overdrachtselektrode 31, welke op de eerste overdrachtselektrode 30 is gevormd, zodat de tweede overdrachtselektrode 31 niet buiten de eerste overdrachtselektrode 30 uitsteekt en daardoor van het tweede kanaalstopgebied 26 en het gedeelte 28 wordt afgeschermd. De beide overdrachtselektroden 30 en 31 20 wisselen elkaar in de verticale richting af en krijgen voor ladingsoverdracht in verticale richting geschikte overdrachtskloksignalen toegevoerd. Bovendien is op het derde kanaalstopgebied 27 een overloopbestu-ringspoortelektrode gevormd, waaraan een geschikte instelspanning wordt aangelegd.
Op dezelfde wijze als bij de reeds aan de hand van figuur 1 beschreven beeldopneeminrichting volgens figuur 3 dat wanneer de potentiaal in het lichtopneemgebied 21, de potentiaal in het voor ladingsoverdracht 25 in verticale richting dienende overdrachtsgebied 22, de potentiaal in het overdrachtspoortgebied 23, de potentiaal in het eerste kanaalstopgebied 25, de potentiaal in het derde kanaalstopgebied 27 en de potentiaal in het gedeelte 28 respectievelijk als V21, V^, V23, V2S, V27 en V28 worden weergegeven, de hiernavolgende randvoorwaarden voor de onderlinge relaties tussen deze potentialen gelden.
Tijdens een lichtontvangstperiode, waarin het lichtopneemgebied 21 van een beeld afkomstig licht 30 ontvangt, een lading vormt en deze als signaallading in opslag neemt, dient aan de volgende ongelijkheden te worden voldaan: V2i > V27 > V23 O') > v23 (20 V27 > V25, V27 > V28 (30 35 Tijdens een poortoverdrachtsperiode, waarin de in het lichtopneemgebied 21 opgeslagen signaallading via het overdrachtspoortgebied 23 naar het overdrachtsgebied 22 wordt overgebracht, dient aan de volgende ongelijkheden te worden voldaan: V22 > V23 > V27 (4) V23 > V25, V23 > V28 (50 40 Aangezien bij de in figuur 3 weergegeven uitvoeringsvorm de tweede overdrachtselektrode 31 door de eerste overdrachtselektrode 30 ten opzichte van het kanaalstopgebied 26 en het gedeelte 28 wordt afgeschermd, zal het door de aan de tweede overdrachtselektrode 31 toegevoerde spanning opgewekte, elektrische veld niet of slechts in zeer geringe mate het tweede kanaalstopgebied 26 en het gedeelte 28 beïnvloeden. Hoewel het overdrachtspoortgebied 23 en het gedeelte 28 eenzelfde verontreinigingsdichtheid 45 vertonen, zullen derhalve, wanneer tijdens de poortoverdrachtsperiode een poortoverdrachtsspanning aan de tweede overdrachtselektrode 31 wordt toegevoerd, de potentiaal van het overdrachtspoortgebied 23 en de potentiaal van het gedeelte 28 zodanig onafhankelijk van elkaar kunnen worden bepaald, dat aan de door de ongelijkheden (1')-(5') voorgeschreven relaties tussen de potentialen V21, V23, V25, V27 en V28 wordt voldaan. Daarbij is het echter noodzakelijk, dat aan de eerste overdrachtselektrode 30 en de tweede 50 overdrachtselektrode 31 tijdens de poortoverdrachtsperiode onderling verschillende spanningen worden toegevoerd. Hoewel dit geen probleem vormt in het geval, waarin het voor ladingsoverdracht in verticale richting dienende kloksignaal een 4-fasig signaal is, dient bij toepassing van een 2-fasig signaal als overdrachtskloksignaal tijdens de periode van ladingsoverdracht in verticale richting, waarin de naar het overdrachtsgebied 22 overgebrachte signaallading naar het voor ladingsoverdracht in horizontale richting 55 dienende schuifregister M wordt overgebracht, aan de beide overdrachtselektroden 30 en 31 een gemeenschappelijk overdrachtskloksignaal te worden toegevoerd, terwijl tijdens de poortoverdrachtsperiode aan de beide overdrachtselektroden 30 en 31 onderling verschillende overdrachtskloksignalen dienen te worden
Claims (3)
1. Halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type, omvattende een halfgeleiderlichaam 50 met een matrix van halfgeleiderbeeldopneemelementen voor het opvangen van invallende straling en het verzamelen en opslaan van door de invallende straling vrijgemaakte ladingsdragers, eerste ladings-overdrachtsgebieden voor het in verticale richting overdragen van de uit de opgeslagen pakketten ladingsdragers bestaande signaalladingen en tweede ladingsoverdrachtsgebieden voor het in de horizontale richting overdragen van de signaalladingen die zijn overgedragen naar de einden van de eerste ladings-55 overdrachtsgebieden, waarbij ieder halfgeleiderbeeldopneemelement is voorzien van een lichtopneemgebied voor vorming en opslag van de signaallading, een overdrachtspoortgebied voor overdracht van de signaallading uit het lichtopneemgebied naar een eerste ladingsoverdrachtsgebied, de lichtopneemgebieden 194655 6 van twee opeenvolgende halfgeleiderbeeldopneemelementen naast een eerste ladingsoverdrachtsgebied van elkaar zijn gescheiden door een aan de tegenover elkaar gelegen delen van de lichtopneemgebieden grenzend deel van een kanaalstopgebied, - een eerste overdrachtselektrode is aangebracht op een eerste deel van een eerste ladingsoverdrachts-5 gebied en op het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden; en - een van de eerste overdrachtselektrode geïsoleerde tweede overdrachtselektrode is aangebracht op een tweede deel van overdrachtsgebied, op het overdrachtspoortgebied en op het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden, met het kenmerk, dat de tweede overdrachtselektrode ter plaatse van het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende 10 lichtopneemgebieden zodanig op de eerste overdrachtselektrode is aangebracht, dat de tweede overdrachtselektrode van het deel van het kanaalstopgebied tussen twee aangrenzende lichtopneemgebieden is afgeschermd.
2. Halfgeleiderbeeldopneeminrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het kanaalstopgebied zodanig is aangebracht, dat deze het lichtopneemgebied geheel omringt, waarbij het overdrachtspoortgebied 15 een in hoofdzaak onder de tweede overdrachtselektrode gelegen deel van het kanaalstopgebied tussen het lichtopneemgebied en het ladingsoverdrachtsgebied omvat.
3. Halfgeleiderbeeldopneeminrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een gedeelte van de eerste overdrachtselektrode tussen naburige lichtopneemgebieden breder is dan een overeenkomend gedeelte van de tweede overdrachtselektrode tussen de twee overdrachtsgebieden. Hierbij 3 bladen tekening
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56113382A JPS5875382A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 固体撮像装置 |
JP11338281 | 1981-07-20 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8202932A NL8202932A (nl) | 1983-02-16 |
NL194655B NL194655B (nl) | 2002-06-03 |
NL194655C true NL194655C (nl) | 2002-10-04 |
Family
ID=14610877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8202932A NL194655C (nl) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4518978A (nl) |
JP (1) | JPS5875382A (nl) |
CA (1) | CA1173543A (nl) |
DE (1) | DE3226732A1 (nl) |
FR (1) | FR2509909B1 (nl) |
GB (1) | GB2103875B (nl) |
NL (1) | NL194655C (nl) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5838081A (ja) * | 1981-08-29 | 1983-03-05 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPS58210663A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
JPS5916472A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JPS5931056A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JPS5952873A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
US4638345A (en) * | 1983-06-01 | 1987-01-20 | Rca Corporation | IR imaging array and method of making same |
JPH0666914B2 (ja) * | 1984-01-10 | 1994-08-24 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JPS60183881A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
US4866497A (en) * | 1984-06-01 | 1989-09-12 | General Electric Company | Infra-red charge-coupled device image sensor |
JPS6153766A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Hitachi Ltd | インタ−ライン型電荷転送撮像素子 |
JPH0642723B2 (ja) * | 1984-11-13 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子の駆動方法 |
JPS62126667A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
KR900007234B1 (ko) * | 1986-07-07 | 1990-10-05 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 전하이송형 고체촬상소자 |
US4908518A (en) * | 1989-02-10 | 1990-03-13 | Eastman Kodak Company | Interline transfer CCD image sensing device with electrode structure for each pixel |
EP0455803A1 (en) * | 1989-11-29 | 1991-11-13 | Eastman Kodak Company | Non-interlaced interline transfer ccd image sensing device with simplified electrode structure for each pixel |
JP3042042B2 (ja) * | 1991-06-21 | 2000-05-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US5237422A (en) * | 1991-08-14 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | High speed clock driving circuitry for interline transfer ccd imagers |
JP2910394B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JPH0785502B2 (ja) * | 1993-01-22 | 1995-09-13 | 日本電気株式会社 | カラーリニアイメージセンサ |
JPH06252373A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Sony Corp | Ccd型固体撮像素子 |
JP2541470B2 (ja) * | 1993-08-26 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
KR100541712B1 (ko) * | 1996-01-18 | 2006-06-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 선형ccd촬상소자 |
JP2002124659A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP4049248B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2008-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
NL1026486C2 (nl) * | 2004-06-23 | 2005-12-28 | Oce Tech Bv | Inkjetsysteem, werkwijze om dit systeem te maken en toepassing van dit systeem. |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4194213A (en) * | 1974-12-25 | 1980-03-18 | Sony Corporation | Semiconductor image sensor having CCD shift register |
US4117514A (en) * | 1977-02-14 | 1978-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device |
JPS5518064A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Sony Corp | Charge trsnsfer device |
JPS5685981A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Sharp Corp | Solid image pickup apparatus |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113382A patent/JPS5875382A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-12 GB GB08220175A patent/GB2103875B/en not_active Expired
- 1982-07-16 CA CA000407461A patent/CA1173543A/en not_active Expired
- 1982-07-16 DE DE19823226732 patent/DE3226732A1/de active Granted
- 1982-07-19 US US06/399,894 patent/US4518978A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-20 NL NL8202932A patent/NL194655C/nl active Search and Examination
- 1982-07-20 FR FR8212684A patent/FR2509909B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4518978A (en) | 1985-05-21 |
DE3226732C2 (nl) | 1993-09-16 |
FR2509909B1 (fr) | 1985-08-23 |
DE3226732A1 (de) | 1983-02-10 |
GB2103875B (en) | 1985-08-21 |
GB2103875A (en) | 1983-02-23 |
CA1173543A (en) | 1984-08-28 |
JPS634751B2 (nl) | 1988-01-30 |
NL8202932A (nl) | 1983-02-16 |
NL194655B (nl) | 2002-06-03 |
JPS5875382A (ja) | 1983-05-07 |
FR2509909A1 (fr) | 1983-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL194655C (nl) | Halfgeleiderbeeldopneeminrichting van het ladinggekoppelde type. | |
US4694316A (en) | Multilinear charge transfer array and analysis process | |
US4322753A (en) | Smear and/or blooming in a solid state charge transfer image pickup device | |
US4032976A (en) | Smear reduction in ccd imagers | |
NL8502270A (nl) | Ladingoverdracht beeldinrichting van het interlijn-type. | |
JPS6117152B2 (nl) | ||
JP3363089B2 (ja) | タップ付きccdアレイ構造 | |
US6541805B1 (en) | Solid-state image pickup device | |
US4353084A (en) | Readout circuit for a monolithically integrated circuit for linear image scanning | |
EP0593922B1 (en) | Solid state imaging device having dual-H-CCD with a compound channel | |
NL8800627A (nl) | Ladingsgekoppelde inrichting. | |
EP0008673B1 (de) | Anordnung und Verfahren zur Farbbildabtastung | |
EP0523781B1 (en) | Charge-coupled imaging device | |
JPH0416950B2 (nl) | ||
JPH05283666A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH0377715B2 (nl) | ||
EP0603877A2 (en) | Electronic color snapshot technique and structure using very high resolution monochrome full frame CCD imagers | |
US6392260B1 (en) | Architecture for a tapped CCD array | |
EP0705029B1 (en) | Solid state imaging device | |
US6618088B1 (en) | Charge transfer device having three pixel rows arranged adjacently to each other | |
US4604652A (en) | CCD imagers with pixels at least thirty microns long in the direction of charge transfer | |
Heyns et al. | The resistive gate CTD area-image sensor | |
JPH01111376A (ja) | 電荷結合装置 | |
NL8602617A (nl) | Beeldopneeminrichting. | |
JPS63294080A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed |