JP2904180B2 - 電荷転送装置の駆動方法 - Google Patents
電荷転送装置の駆動方法Info
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- JP2904180B2 JP2904180B2 JP9080833A JP8083397A JP2904180B2 JP 2904180 B2 JP2904180 B2 JP 2904180B2 JP 9080833 A JP9080833 A JP 9080833A JP 8083397 A JP8083397 A JP 8083397A JP 2904180 B2 JP2904180 B2 JP 2904180B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電荷転送装置の駆動
方法に関し、特にＣＣＤレジスタの駆動方法に関する。
方法に関し、特にＣＣＤレジスタの駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、電子スティルカメラ、パソコンの
入力として使用されている固体撮像装置は、カメラ一体
型ＶＴＲ用に開発されたものを流用しており、標準テレ
ビ受像機の表示方式（インタレース方式）とパソコン用
モニタとの表示方式（プログレッシブ方式）の違いのた
め、画素数や走査方式を変換する等の信号処理が必要と
なっている。このため、電子スティルカメラ、パソコン
の入力として簡単に使用できる固体撮像装置の必要性が
でてきた。
入力として使用されている固体撮像装置は、カメラ一体
型ＶＴＲ用に開発されたものを流用しており、標準テレ
ビ受像機の表示方式（インタレース方式）とパソコン用
モニタとの表示方式（プログレッシブ方式）の違いのた
め、画素数や走査方式を変換する等の信号処理が必要と
なっている。このため、電子スティルカメラ、パソコン
の入力として簡単に使用できる固体撮像装置の必要性が
でてきた。
【０００３】プログレッシブ方式の固体撮像装置は、１
画素当りに３つの転送電極を備えた３相駆動の電荷転送
装置を使用して実現できる。このようなプログレッシブ
方式の固体撮像装置のうち構造が簡単なものが特開平４
−７２７６２号公報に開示されている。以下、これにつ
いて説明する。
画素当りに３つの転送電極を備えた３相駆動の電荷転送
装置を使用して実現できる。このようなプログレッシブ
方式の固体撮像装置のうち構造が簡単なものが特開平４
−７２７６２号公報に開示されている。以下、これにつ
いて説明する。
【０００４】図４（ａ）はプログレッシブ方式の固体撮
像装置を概略的に示すブロック図、図４（ｂ）は画素を
示す平面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）のＸ−Ｘ線断面図
である。
像装置を概略的に示すブロック図、図４（ｂ）は画素を
示す平面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）のＸ−Ｘ線断面図
である。
【０００５】この固体撮像装置は、Ｐ型シリコン基板１
（シリコン基板の表面部に形成されたＰウェルでもよ
い）の表面部にストライプ状に形成されたＮ型拡散層２
でなる埋込チャネル領域の表面を絶縁膜３−１，３−
２，３−３（同一厚さに設計）を介してそれぞれ横断し
て第１の電荷転送電極Ｇ１（読出ゲート電極を兼ねてい
る）、第２の電荷転送電極Ｇ２及び第３の電荷転送電極
Ｇ３が設けられ、それぞれ転送パルスφ１，φ２及びφ
３が印加される。第３の電荷転送電極Ｇ３は１層目の多
結晶シリコン膜、第１の電荷転送電極Ｇ１は２層目の多
結晶シリコン膜でなり、絶縁膜４を介して第３の電荷転
送電極Ｇ３と一部でオーバラップしている。第２の電荷
転送電極Ｇ２はアルミニウム膜でなり絶縁膜５を介して
Ｇ１，Ｇ３を被覆しＮ型拡散層２とその近傍のＰ+ 型チ
ャネルストッパ８に光が入射するのを防止する遮光膜を
兼ねている。６は表面にＰ+ 型拡散層を有するＮ型拡散
層でなるフォトダイオード（列状に配置されて光電変換
部１０１をなす）、７は読出ゲート領域である。
（シリコン基板の表面部に形成されたＰウェルでもよ
い）の表面部にストライプ状に形成されたＮ型拡散層２
でなる埋込チャネル領域の表面を絶縁膜３−１，３−
２，３−３（同一厚さに設計）を介してそれぞれ横断し
て第１の電荷転送電極Ｇ１（読出ゲート電極を兼ねてい
る）、第２の電荷転送電極Ｇ２及び第３の電荷転送電極
Ｇ３が設けられ、それぞれ転送パルスφ１，φ２及びφ
３が印加される。第３の電荷転送電極Ｇ３は１層目の多
結晶シリコン膜、第１の電荷転送電極Ｇ１は２層目の多
結晶シリコン膜でなり、絶縁膜４を介して第３の電荷転
送電極Ｇ３と一部でオーバラップしている。第２の電荷
転送電極Ｇ２はアルミニウム膜でなり絶縁膜５を介して
Ｇ１，Ｇ３を被覆しＮ型拡散層２とその近傍のＰ+ 型チ
ャネルストッパ８に光が入射するのを防止する遮光膜を
兼ねている。６は表面にＰ+ 型拡散層を有するＮ型拡散
層でなるフォトダイオード（列状に配置されて光電変換
部１０１をなす）、７は読出ゲート領域である。
【０００６】図５は転送パルスφ１，φ２及びφ３を示
すタイムチャート、図６は電荷転送について説明するた
めのポテンシャル図である。
すタイムチャート、図６は電荷転送について説明するた
めのポテンシャル図である。
【０００７】まず、水平ブランキング期間のタイミング
ｔ１において、φ１が読出ゲートを導通させるレベル
（以下“Ｔ”レベルと記す）、φ２が“Ｈ”レベル、φ
３が“Ｌ”レベルになると、任意の画素列における各画
素のフォトダイオード６に蓄積されている信号電荷Ｑ
１，Ｑ２，Ｑ３…，は読出ゲート領域７を通って各電荷
転送装置の第１の電荷転送電極Ｇ１下のＮ型拡散層２に
移る。
ｔ１において、φ１が読出ゲートを導通させるレベル
（以下“Ｔ”レベルと記す）、φ２が“Ｈ”レベル、φ
３が“Ｌ”レベルになると、任意の画素列における各画
素のフォトダイオード６に蓄積されている信号電荷Ｑ
１，Ｑ２，Ｑ３…，は読出ゲート領域７を通って各電荷
転送装置の第１の電荷転送電極Ｇ１下のＮ型拡散層２に
移る。
【０００８】次にタイミングｔ２において、φ１が
“Ｈ”レベルになると信号電荷Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，…，
の一部は隣接する第２の電荷転送電極Ｇ２下へ移り、タ
イミングｔ３でφ１が“Ｌ”レベルになると信号電荷Ｑ
１，Ｑ２，Ｑ３の第２の電荷転送電極下への移動が完了
する。
“Ｈ”レベルになると信号電荷Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，…，
の一部は隣接する第２の電荷転送電極Ｇ２下へ移り、タ
イミングｔ３でφ１が“Ｌ”レベルになると信号電荷Ｑ
１，Ｑ２，Ｑ３の第２の電荷転送電極下への移動が完了
する。
【０００９】タイミングｔ４において、φ３を“Ｈ”レ
ベル、φ２を“Ｌ”レベルにすると、信号電荷Ｑ１，Ｑ
２，Ｑ３，…，は隣接する画素の第１の電荷転送電極下
へ移る。各光電変換部１０１最終段のフォトダイオード
からの信号電荷６１，６２，…，６３は水平電荷転送部
１０３へ転送される。
ベル、φ２を“Ｌ”レベルにすると、信号電荷Ｑ１，Ｑ
２，Ｑ３，…，は隣接する画素の第１の電荷転送電極下
へ移る。各光電変換部１０１最終段のフォトダイオード
からの信号電荷６１，６２，…，６３は水平電荷転送部
１０３へ転送される。
【００１０】次に、垂直ブランキング期間に一水平ライ
ン分の信号電荷は水平電荷転送部１０３内を転送されて
出力回路１０４により信号電圧として検出され増幅され
て出力電圧Ｖｏｕｔとして順次に出力される。
ン分の信号電荷は水平電荷転送部１０３内を転送されて
出力回路１０４により信号電圧として検出され増幅され
て出力電圧Ｖｏｕｔとして順次に出力される。
【００１１】タイミングｔ２〜ｔ６のサイクルを繰返す
ことによって１フィールド分の映像信号を得る。
ことによって１フィールド分の映像信号を得る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の電荷
転送装置を垂直電荷転送部に有する固体撮像装置の駆動
方法は、第１及び第３の電荷転送電極を構成する多結晶
シリコン膜の抵抗値（膜厚０．４μｍの場合、約３０Ω
／□程度）と、遮光膜を兼ねる第２の電荷転送電極を構
成する金属膜（たとえばアルミニウム膜）の抵抗値（膜
厚１μｍの場合、約０．０３Ω／□）と非常に異なるた
め、時定数の相違により、各電極間に異なる波形のなま
り、遅延が発生すると行った問題が生じ、パルスのタイ
ミングが合わず垂直電荷転送部での信号電荷の転送効率
の劣化、および取扱電荷量の低下が発生し、特に転送周
波数の速い場合に於いては、電荷転送自体が困難になる
と言う問題が発生するという欠点があった。
転送装置を垂直電荷転送部に有する固体撮像装置の駆動
方法は、第１及び第３の電荷転送電極を構成する多結晶
シリコン膜の抵抗値（膜厚０．４μｍの場合、約３０Ω
／□程度）と、遮光膜を兼ねる第２の電荷転送電極を構
成する金属膜（たとえばアルミニウム膜）の抵抗値（膜
厚１μｍの場合、約０．０３Ω／□）と非常に異なるた
め、時定数の相違により、各電極間に異なる波形のなま
り、遅延が発生すると行った問題が生じ、パルスのタイ
ミングが合わず垂直電荷転送部での信号電荷の転送効率
の劣化、および取扱電荷量の低下が発生し、特に転送周
波数の速い場合に於いては、電荷転送自体が困難になる
と言う問題が発生するという欠点があった。
【００１３】本発明の目的は、このような欠点のない、
高速転送可能な、３つの転送電極の組を繰返し単位とし
て有する電荷転送装置の駆動方法を提供することにあ
る。
高速転送可能な、３つの転送電極の組を繰返し単位とし
て有する電荷転送装置の駆動方法を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の電荷転送装置の
駆動方法は、半導体基板表面部の第１導電型半導体層の
表面部のチャネル領域の表面を絶縁膜を介してそれぞれ
横断して第１の電荷転送電極，第２の電荷転送電極及び
第３の電荷転送電極でなる複数の組を順次に配列してな
り、前記第２の電荷転送電極が第１の電荷転送電極及び
第３の電荷転送電極より電気抵抗が低く前記チャネル領
域に光が入射するのを防ぐ遮光膜を兼ねる電荷転送装置
の駆動方法であって、前記第２の電荷転送電極に所定の
定電圧を印加し、前記第１の電荷転送電極及び第３の電
荷転送電極に互いに位相差のある転送パルスを印加して
前記チャネル領域内で信号電荷を転送するというもので
ある。
駆動方法は、半導体基板表面部の第１導電型半導体層の
表面部のチャネル領域の表面を絶縁膜を介してそれぞれ
横断して第１の電荷転送電極，第２の電荷転送電極及び
第３の電荷転送電極でなる複数の組を順次に配列してな
り、前記第２の電荷転送電極が第１の電荷転送電極及び
第３の電荷転送電極より電気抵抗が低く前記チャネル領
域に光が入射するのを防ぐ遮光膜を兼ねる電荷転送装置
の駆動方法であって、前記第２の電荷転送電極に所定の
定電圧を印加し、前記第１の電荷転送電極及び第３の電
荷転送電極に互いに位相差のある転送パルスを印加して
前記チャネル領域内で信号電荷を転送するというもので
ある。
【００１５】この場合、第１の電荷転送電極及び第３の
電荷転送電極に互いに９０度の位相差のある転送パルス
を印加するのが好ましい。
電荷転送電極に互いに９０度の位相差のある転送パルス
を印加するのが好ましい。
【００１６】又、信号電荷の転送時に第２の電荷転送電
極下のチャネル領域の電位がその両側の第１又は第２の
電荷転送電極下のチャネル領域の電位の中間になるよう
に定電圧を設定するのが好ましい。
極下のチャネル領域の電位がその両側の第１又は第２の
電荷転送電極下のチャネル領域の電位の中間になるよう
に定電圧を設定するのが好ましい。
【００１７】更に、第１の電荷転送電極、第２の電荷転
送電極及び第３の電荷転送電極の組あたりに１つの光電
変換部が設けられて固体撮像装置を構成していてもよ
い。
送電極及び第３の電荷転送電極の組あたりに１つの光電
変換部が設けられて固体撮像装置を構成していてもよ
い。
【００１８】更に又、第１の電荷転送電極及び第３の電
荷転送電極が層次の異なる多結晶シリコン膜でなり、第
２の電荷転送電極が金属膜でなるものであってもよい。
荷転送電極が層次の異なる多結晶シリコン膜でなり、第
２の電荷転送電極が金属膜でなるものであってもよい。
【００１９】電気抵抗の低い第２の電荷転送装置の電位
を固定しておくので、転送パルスを印加する第１，第３
の電荷転送電極の時定数の相違が小さくなる。
を固定しておくので、転送パルスを印加する第１，第３
の電荷転送電極の時定数の相違が小さくなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の発明の実施の形態
について説明する。
について説明する。
【００２１】図１（ａ）は本発明の一実施の形態につい
て説明するためのプログレッシブ方式の固体撮像装置を
概略的に示すブロック図で、光電変換部１０１，垂直電
荷転送部１０２でなる画素列を複数有する撮像部と、水
平電荷転送部１０３，出力回路部１０４で構成されてい
ることは、図４の従来例と同じである。垂直電荷転送部
には、２相転送パルスと所望の定電圧ＶS が印加され
る。光電変換部の構成単位（フォトダイオード）に対し
て垂直電荷転送部の１段が対応して配置されている。
て説明するためのプログレッシブ方式の固体撮像装置を
概略的に示すブロック図で、光電変換部１０１，垂直電
荷転送部１０２でなる画素列を複数有する撮像部と、水
平電荷転送部１０３，出力回路部１０４で構成されてい
ることは、図４の従来例と同じである。垂直電荷転送部
には、２相転送パルスと所望の定電圧ＶS が印加され
る。光電変換部の構成単位（フォトダイオード）に対し
て垂直電荷転送部の１段が対応して配置されている。
【００２２】このような電荷転送装置を垂直電荷転送部
に有する固体撮像装置の駆動方法の概略について説明す
る。
に有する固体撮像装置の駆動方法の概略について説明す
る。
【００２３】まず、平面上に配置された光電変換部１０
１にて入射光の光量に応じて信号電荷が蓄積される。
１にて入射光の光量に応じて信号電荷が蓄積される。
【００２４】次に、すべての光電変換部１０１の信号電
荷１１，１２，１３，２１，２２，２３，３１，３２，
３３，４１，４２，４３，５１，５２，５３，６１，６
２，６３が対応する垂直電荷転送部１０２へと読み出さ
れる。次に、垂直電荷転送部を構成する第１の電荷転送
電極と第３の電荷転送電極にそれぞれ９０度位相の異な
る転送パルスφ１ａ，φ２ａを、第２の電荷転送電極に
所望の定電圧ＶS を印加することにより、信号電荷１
１，１２，１３，２１，２２，２３，３１，３２，３
３，４１，４２，４３，５１，５２，５３，６１，６
２，６３は、各垂直電荷転送部１０２中を垂直方向に転
送され、水平の１ライン毎に水平電荷転送部１０３へ送
られ、水平電荷転送部１０３中を水平方向に転送され出
力回路部１０４を介して出力される。
荷１１，１２，１３，２１，２２，２３，３１，３２，
３３，４１，４２，４３，５１，５２，５３，６１，６
２，６３が対応する垂直電荷転送部１０２へと読み出さ
れる。次に、垂直電荷転送部を構成する第１の電荷転送
電極と第３の電荷転送電極にそれぞれ９０度位相の異な
る転送パルスφ１ａ，φ２ａを、第２の電荷転送電極に
所望の定電圧ＶS を印加することにより、信号電荷１
１，１２，１３，２１，２２，２３，３１，３２，３
３，４１，４２，４３，５１，５２，５３，６１，６
２，６３は、各垂直電荷転送部１０２中を垂直方向に転
送され、水平の１ライン毎に水平電荷転送部１０３へ送
られ、水平電荷転送部１０３中を水平方向に転送され出
力回路部１０４を介して出力される。
【００２５】これによって１フレームすなわち、全フォ
トダイオードの信号電荷が読み出されることになる。
トダイオードの信号電荷が読み出されることになる。
【００２６】次に、垂直電荷転送部の構造と動作につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２７】図１（ｂ）は、固体撮像装置のセル部（画
素）を示す平面図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＸ−Ｘ
線断面図であり、Ｐ型シリコン基板１、Ｎ型拡散層２、
１層目の多結晶シリコン膜で形成された第３の電荷転送
電極Ｇ３、２層目の多結晶シリコン膜で形成された第１
の電荷転送電極Ｇ１、金属遮光膜を兼ねる第２の電荷転
送電極Ｇ２を有し、構造上は図４のものと同じである
が、第１〜第３の電荷転送電極にφ１ａ，ＶS ，φ２ａ
を印加する点で相違がある。
素）を示す平面図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＸ−Ｘ
線断面図であり、Ｐ型シリコン基板１、Ｎ型拡散層２、
１層目の多結晶シリコン膜で形成された第３の電荷転送
電極Ｇ３、２層目の多結晶シリコン膜で形成された第１
の電荷転送電極Ｇ１、金属遮光膜を兼ねる第２の電荷転
送電極Ｇ２を有し、構造上は図４のものと同じである
が、第１〜第３の電荷転送電極にφ１ａ，ＶS ，φ２ａ
を印加する点で相違がある。
【００２８】図２は本発明の一実施の形態について説明
するためのタイムチャート、図３は電荷転送について説
明するためのポテンシャル図である。
するためのタイムチャート、図３は電荷転送について説
明するためのポテンシャル図である。
【００２９】水平ブランキング期間のタイミングｔ１に
おいてφ２ａが“Ｌ”レベル、φ１ａが“Ｔ”レベルに
なり、任意の光電変換部１０１より同じ画素列の垂直電
荷転送部１０２にそれぞれ読み出された信号電荷Ｑ１
ａ，Ｑ２ａ，Ｑ３ａ，…，は、読み出し電圧ＶT が印加
されている第１の電荷転送電極Ｇ１下に蓄積される。次
にタイミングｔ２において、φ１ａが“Ｈ”レベルにな
っても信号電荷Ｑ１ａ，Ｑ２ａ，Ｑ３ａ，…，は、ハイ
電圧ＶH が印加されている第１の電荷転送電極Ｇ１下に
蓄積されたままである。以下同様にしてタイミングｔ３
において、φ１ａが“Ｌ”レベルになると、信号電荷Ｑ
１ａ，…，は、定電圧ＶS が印加されている第２の電荷
転送電極Ｇ２下に移動し、第３の電荷転送電極Ｇ３下に
移動し、タイミングｔ５において、φ１ａが“Ｈ”レベ
ルになると第３の電荷転送電極Ｇ３と隣りの画素の第１
の電荷転送電極Ｇ１下に移動し、タイミングｔ６におい
てφ２ａが“Ｌ”レベルになると第１の電荷転送電極Ｇ
１下に順次移動する。
おいてφ２ａが“Ｌ”レベル、φ１ａが“Ｔ”レベルに
なり、任意の光電変換部１０１より同じ画素列の垂直電
荷転送部１０２にそれぞれ読み出された信号電荷Ｑ１
ａ，Ｑ２ａ，Ｑ３ａ，…，は、読み出し電圧ＶT が印加
されている第１の電荷転送電極Ｇ１下に蓄積される。次
にタイミングｔ２において、φ１ａが“Ｈ”レベルにな
っても信号電荷Ｑ１ａ，Ｑ２ａ，Ｑ３ａ，…，は、ハイ
電圧ＶH が印加されている第１の電荷転送電極Ｇ１下に
蓄積されたままである。以下同様にしてタイミングｔ３
において、φ１ａが“Ｌ”レベルになると、信号電荷Ｑ
１ａ，…，は、定電圧ＶS が印加されている第２の電荷
転送電極Ｇ２下に移動し、第３の電荷転送電極Ｇ３下に
移動し、タイミングｔ５において、φ１ａが“Ｈ”レベ
ルになると第３の電荷転送電極Ｇ３と隣りの画素の第１
の電荷転送電極Ｇ１下に移動し、タイミングｔ６におい
てφ２ａが“Ｌ”レベルになると第１の電荷転送電極Ｇ
１下に順次移動する。
【００３０】以後ｔ２〜ｔ６のタイミングを繰り返すこ
とにより信号電荷は、垂直電荷転送部を転送されてい
く。
とにより信号電荷は、垂直電荷転送部を転送されてい
く。
【００３１】抵抗値の低い第２の電荷転送電極には定電
圧ＶS （ＶL ＜ＶS ＜ＶH ）を印加し、多結晶シリコン
膜でなり、比較的電気抵抗の高い第１，第３の電荷転送
電極に転送パルスφ１ａ，φ２ａを印加するので時定数
の相違があまりなく、タイミングが取り易い。従って、
転送効率や取扱電荷量（転送可能な最大電荷量）の低下
を回避でき、高速転送が可能となる。又、２相駆動であ
るので駆動回路が簡単になる。
圧ＶS （ＶL ＜ＶS ＜ＶH ）を印加し、多結晶シリコン
膜でなり、比較的電気抵抗の高い第１，第３の電荷転送
電極に転送パルスφ１ａ，φ２ａを印加するので時定数
の相違があまりなく、タイミングが取り易い。従って、
転送効率や取扱電荷量（転送可能な最大電荷量）の低下
を回避でき、高速転送が可能となる。又、２相駆動であ
るので駆動回路が簡単になる。
【００３２】なお、第１，第３の電荷転送電極は各行
（水平）方向に連結され、第２の電荷転送電極は各列毎
に分割されている（実際には一端で共通接続されてＶS
を印加する）場合を図示したが、第２の電荷転送電極も
各行方向に連結してもよい。
（水平）方向に連結され、第２の電荷転送電極は各列毎
に分割されている（実際には一端で共通接続されてＶS
を印加する）場合を図示したが、第２の電荷転送電極も
各行方向に連結してもよい。
【００３３】又、埋込チャネル型の垂直電荷転送部を有
する場合について説明したが、表面チャネル型にも本発
明を適用しうることはいうまでもない。更に、固体撮像
装置に限らず、単なる電荷転送装置に本発明を適用する
ことができる。
する場合について説明したが、表面チャネル型にも本発
明を適用しうることはいうまでもない。更に、固体撮像
装置に限らず、単なる電荷転送装置に本発明を適用する
ことができる。
【００３４】なお、パルスの位相差は９０度が最も好ま
しいが、１８０度未満で０を超える任意の値ならば電荷
転送は可能なので特性上の許容範囲と製造上のばらつき
などを考慮して所望の値に設計すればよいことは改めて
詳細に説明をするまでもなく明らかなことである。
しいが、１８０度未満で０を超える任意の値ならば電荷
転送は可能なので特性上の許容範囲と製造上のばらつき
などを考慮して所望の値に設計すればよいことは改めて
詳細に説明をするまでもなく明らかなことである。
【００３５】
【発明の効果】本発明の電荷転送装置の駆動方法は、抵
抗値の低い遮光膜を兼ねる第２の電荷転送電極に、定電
圧を印加し、抵抗値の高い第１及び第３の電荷転送電極
に互いに位相のずれた転送パルスを印加するので、転送
パルスを印加とするので転送パルスを印加する電荷転送
電極の時定数の差が小さくなり、タイミングを合せ易く
なり転送効率及び転送可能最大電荷量の低下を防止し、
高速転送が可能となるという効果がある。
抗値の低い遮光膜を兼ねる第２の電荷転送電極に、定電
圧を印加し、抵抗値の高い第１及び第３の電荷転送電極
に互いに位相のずれた転送パルスを印加するので、転送
パルスを印加とするので転送パルスを印加する電荷転送
電極の時定数の差が小さくなり、タイミングを合せ易く
なり転送効率及び転送可能最大電荷量の低下を防止し、
高速転送が可能となるという効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態について説明するための
プログレッシブ方式の固体撮像装置を概略的に示すブロ
ック図（図１（ａ））、画素を示す平面図（図１
（ｂ））、及び図１（ｂ）のＸ−Ｘ線断面図（図１
（ｃ））。
プログレッシブ方式の固体撮像装置を概略的に示すブロ
ック図（図１（ａ））、画素を示す平面図（図１
（ｂ））、及び図１（ｂ）のＸ−Ｘ線断面図（図１
（ｃ））。
【図２】本発明の一実施の形態について説明するための
タイムチャート。
タイムチャート。
【図３】本発明の一実施の形態について説明するための
ポテンシャル図。
ポテンシャル図。
【図４】従来例について説明するためのプログレッシブ
方式の固体撮像装置を概略的に示すブロック図（図４
（ａ））、画素を示す平面図（図４（ｂ））及び図４
（ｂ）のＸ−Ｘ線断面図（図４（ｃ））。
方式の固体撮像装置を概略的に示すブロック図（図４
（ａ））、画素を示す平面図（図４（ｂ））及び図４
（ｂ）のＸ−Ｘ線断面図（図４（ｃ））。
【図５】従来例について説明するためのタイムチャー
ト。
ト。
【図６】従来例について説明するためのポテンシャル
図。
図。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ型拡散層 ３−１，３−２，３−３，４，５ 絶縁膜 ６ フォトダイオード ７ 流出ゲート領域 ８ Ｐ+ 型チャネルストッパ １１〜６１，１２〜６２，…，１３−６３ 信号電荷 １０１ 光電変換部（フォトダイオード列） １０２ 垂直電荷転送部 １０３ 水平電荷転送部 １０４ 出力回路部 φ１，φ１ａ，φ２，φ２ａ，φ３ 転送パルス ＶS 定電圧
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板表面部の第１導電型半導体層
の表面部のチャネル領域の表面を絶縁膜を介してそれぞ
れ横断して第１の電荷転送電極，第２の電荷転送電極及
び第３の電荷転送電極でなる複数の組を順次に配列して
なり、前記第２の電荷転送電極が第１の電荷転送電極及
び第３の電荷転送電極より電気抵抗が低く前記チャネル
領域に光が入射するのを防ぐ遮光膜を兼ねる電荷転送装
置の駆動方法であって、前記第２の電荷転送電極に所定
の定電圧を印加し、前記第１の電荷転送電極及び第３の
電荷転送電極に互いに位相差のある転送パルスを印加し
て前記チャネル領域内で信号電荷を転送することを特徴
とする電荷転送装置の駆動方法。 - 【請求項２】 第１の電荷転送電極及び第３の電荷転送
電極に互いに９０度の位相差のある転送パルスを印加す
る請求項１記載の電荷転送装置の駆動方法。 - 【請求項３】 信号電荷の転送時に第２の電荷転送電極
下のチャネル領域の電位がその両側の第１又は第２の電
荷転送電極下のチャネル領域の電位の中間になるように
定電圧を設定する請求項１又は２記載の電荷転送装置の
駆動方法。 - 【請求項４】 第１の電荷転送電極、第２の電荷転送電
極及び第３の電荷転送電位の組あたりに１つの光電変換
部が設けられて固体撮像装置を構成する請求項１，２又
は３記載の電荷転送装置の駆動方法。 - 【請求項５】 第１の電荷転送電極及び第３の電荷転送
電極が層次の異なる多結晶シリコン膜でなり、第２の電
荷転送電極が金属膜でなる請求項１，２，３又は４記載
の電荷転送装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9080833A JP2904180B2 (ja) | 1996-03-29 | 1997-03-31 | 電荷転送装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-76086 | 1996-03-29 | ||
| JP7608696 | 1996-03-29 | ||
| JP9080833A JP2904180B2 (ja) | 1996-03-29 | 1997-03-31 | 電荷転送装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321270A JPH09321270A (ja) | 1997-12-12 |
| JP2904180B2 true JP2904180B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=26417238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9080833A Expired - Fee Related JP2904180B2 (ja) | 1996-03-29 | 1997-03-31 | 電荷転送装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904180B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020141029A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP9080833A patent/JP2904180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09321270A (ja) | 1997-12-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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