JPS5869947U - マイクロ波半導体回路 - Google Patents

マイクロ波半導体回路

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JPS5869947U
JPS5869947U JP16551281U JP16551281U JPS5869947U JP S5869947 U JPS5869947 U JP S5869947U JP 16551281 U JP16551281 U JP 16551281U JP 16551281 U JP16551281 U JP 16551281U JP S5869947 U JPS5869947 U JP S5869947U
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JP
Japan
Prior art keywords
microwave
semiconductor circuit
semiconductor element
circuit
input
Prior art date
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Pending
Application number
JP16551281U
Other languages
English (en)
Inventor
荻原　朗
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP16551281U priority Critical patent/JPS5869947U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のマイクロ波半導体回路及びバイアス回
路を示す図、第２図は、この考案を実施したマイクロ波
半導体回路の分解図、第３図は、第２図のＡ方向から見
た断面図、第４図は、第２図のＢ方向から見た断面図、
第５図はこの考案のマイクロ波半導体回路の等価回路図
であり、図中、１は半導体素子、２は整合回路、３はパ
ッケージ、４は直列キャパシタ、５は並列インダクタ、
６は並列キャパシタ、７はバイアス回路、８は誘電体平
板、９．１０は誘電体Ａ、１１．１２は分布定数線路、
１３は誘電体Ｂ、　１°４は、直列キャパシタ用導体、
１５は並列キャパシタ用導体、１６は接地導体、１７は
接続用導体、１８は電源供給用導体である。なお、図中
、同一あるいは相当部分には、同一符号を付して示しで
ある。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子と、その半導体素子の入力側及び出力側に設
    けたマイクロ波集積回路基板と、これらを収納するパッ
    ケージとから成るマイクロ波半導体回路において、導体
    が表面に着いた誘電体基板″を積み重ねることにより、
    入力端子及び出力端子に対して、直列にキャパシタを形
    成し、かつ、バイアス電圧供給端子に対して、並列キャ
    パシタ及び、直列インダクタから成るバイアス回路を形
    成するパッケージによって、上記半導体素子と、入出力
    回路基板を収納することを特徴とするマイクロ波半導体
    回路。
JP16551281U 1981-11-06 1981-11-06 マイクロ波半導体回路 Pending JPS5869947U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124746A (ja) * 1982-12-30 1984-07-18 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2021193836A (ja) * 2017-09-20 2021-12-23 クリー インコーポレイテッドCree Inc. バイアスストリップを有するｒｆ増幅器パッケージ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591850A (en) * 1978-12-28 1980-07-11 Fujitsu Ltd Bias circuit module

Patent Citations (1)

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JPS5591850A (en) * 1978-12-28 1980-07-11 Fujitsu Ltd Bias circuit module

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124746A (ja) * 1982-12-30 1984-07-18 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2021193836A (ja) * 2017-09-20 2021-12-23 クリー インコーポレイテッドCree Inc. バイアスストリップを有するｒｆ増幅器パッケージ

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