JPS5869229A - 光架橋性ポリシロキサン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は新規な光架橋性ポリシロキサン、その製造方
法およびそれから得られる架橋されたポリシロキサンに
関するものである。

ドイツ公告公報第２５５７９４号にはフェニルマレ拳ホ
イミド基を有するポリシロキサンおよびその光硬化性フ
ィルムとコーティングの製造に対する用途が記載されて
いる。２−位および３−位が芳香族またはへテＯ環基で
置換されたマレインイミド基を有する類似のポリシロキ
サン、およびその印刷版の製造に対する用途が日本特許
公開公報昭５２−１０６８６４号および同昭５２−１０
５００２号に記載されている。

この発明の対象は、平均分子量が７５０〜１．５００，
０００で、式■ で示される繰返し構成要素１０〜１００　ｍｏ１％と式
■ で示される繰返し構成要素Ｏ〜９０　ｍｏｔ％とからな
り、１分子につき式ｌの構成要素が平均少なくとも３％
存在する感光性の高い新規な光架橋性ポリシロキサンで
ある。７ 上式中、Ａは一〇ｐＨ２ｐ−基（基中、ｐは２〜１０で
ある。）を表わし、その主鎖は一〇−、−ＮＨ−または
−ＮＨ−Ｃ，−４−アルキル基により遮断されていても
よいものとし、Ｒ１は水素、メチル・フェニルまたはビ
ニル基を表わし、Ｒ２はメチルまたはフェニル基を表わ
しｓ　Ｒ３およびＲ４は互に独立して、Ｃ１−４−アル
キル基または一緒になってメチル基により置換されてい
てもよいトリメチレンまたはテトラメチレン基を表わす
。

式・Ｉおよび弐Ｈの種々の構成要素において、複数のＡ
　＋　”１　＋　Ｒ２＋　Ｒ３およびＲ４はそれぞれ同
一の基であってもよいし、異なる基であってもよい。好
ましいのはそれぞれが同一の基を表わすものであるＯ Ａによって表わされる一〇ｐＨ２Ｐ−基は直鎖状でも分
岐状でもよい。基Ａの例としては以下のものが挙げられ
るニ ー（ｃｕ２）ｐ　−（ｐ＝２〜１０）　、−ＣＨ，ＣＨ
２０ＣＨ，ＣＨ，−。

−ＣＨ２ＣＨ，ＮＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＩ（２ＣＨ２
ＮＨＣＨ２ＣＨ，ＮＨＣＨ，ＣＨ２−。

−ＣＨ２ＣＨ，ＮＨ（ＣＩ−１２＋３．−　ＣＨ２ＣＨ
２Ｎ（ＣＨ３）　ＣＨ，ＣＨ，−。

−ＣＨ，ＣＨ（Ｃ）ｔ３）　−、−ＣＨ２ＣＨ，ＣＨ（
ＣＨ，）　−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｃ１（Ｃ１，）　ＣＨ２
ＣＨ２−および−ＣＨ２０Ｍ（ＣＩ（３）　ＣＨ（ＣＨ
３）　ＣＨ２−０Ｒ１は水素またはメチル基が好ましい
。Ｒ２はメチル基が好ましい。アルキル基Ｒ３およびＲ
４は直鎖状でも分岐状でもよいが、好ましいのは直鎖状
のものである。Ｒ８およびＲ４はそれぞれメチル基が好
ましい。

平均分子量は公知の方法、例えば光散乱法または蒸気圧
浸透圧法によって測定することができる（重量平均また
は数平均）。

好ましいのは、式■の繰返し構成要素１５〜１００　ｍ
ｏｔ％と式■の繰返し構成要素θ〜８５　ｍｏ１％とか
らなり、Ａが−（ＣＨ２）Ｐを表わす平均分子量が７５
０〜１２００００の光架橋性ポリシロキサンであり。特
に好ましいのは式Ｉの繰返し構成要素２５〜９６　ｍａ
ｔ％と式■の繰返し構成要素４〜７５ｍｏｔ％とからな
り、Ａが−（ＣＨ２）２−または−（ＣＨ２）ｓ　−を
表わし、−Ｒ１が水素またはメチル基を表わし、Ｒ２＋
Ｒ３およびＲ６がそれぞれメチル基を表わす、平均分子
量が７５０〜１０００００の光架橋性ポリシロキサンで
ある。

本発明の光架橋性ポリシロキサンは公知の方法、例えば ａ）　式■ 亀 Ｃ１−８ｉ　−ＣＬ　　　　　（ＩＩ）２ で示される化合物を式■ で示される化合物１０〜１００　ｍｏｔ％と共に加水分
解し、次いで平衡状態にするか、またはｂ）式■ で示されるポリ−Ｈ−シロキサンを式■で示される化合
物１０〜１００　ｍｏｔ％と反応させるかすることによ
って製造することができる。

上記の式中、Ａ　、　Ｒ，、Ｒ３および電は式■および
弐■の場合と同じ意味を表わ、Ｌｌ　、Ａｌは−ＣＰＨ
ｔｐ−を基（基中、ｐは２〜１０である。）を表わし、
その主鎖は一〇−、−Ｎｆ（−または−ＮＨＣｔ−４−
アル、キル基によって遮断されていてもよいものとし、
Ｒ，７は水素、メチルまたはフェニル基を表わし、式■
の構成要素の少なくとも１０　ｍｏｔ％に水素があるこ
とを条件とする。

本発明のポリシロキサンは、式■ａ （式中、少なくともＸのうちの１個は か、またはＲ＋を表わし、Ｒ１ｒ　Ｒ２＋　Ｒ３＋　Ｒ
４およびＡは前記と同じ意咋を表わす。） で示されるシクロテトラシロキサンを、所望により式■
ｂ ′ｆＬ２ （式中、Ａ　＊　Ｒ１＋　Ｒ２＋　Ｒ３および電は前記
と同じ意味を表わす。） で示されるシクロテトラシロキサンの適当量と共に平衡
状態にすることによっても得ることができるＯ 更に他の方法として、本発明のポリシロキサンは、式■
ａ で示される繰返し構成要素１０〜１００　ｍｏｔ％とで
示される繰返し構成要素０〜９０　ｍｏｔ％とからなる
ポリシロキサンを式Ｖ で示される無水物１０〜１００　ｍｏ１％と反応させる
ことによっても製造することができる。式■ａ。

ｍｂ　、■ａおよび■ｂ　中、Ａ　＋　Ｒ１＋　Ｒ２、
Ｒ３および曳は上記と同じ意味を表わす。

弐■の化合物と式■の化合物とを共に加水分解する際、
変法ａ）によれば、オリゴマー状あるいはポリマー状の
線形ポリシロキサンまたは環状ポリシロキサンが生成す
る。共加水分解は水中で、または好−ましくは水−有機
溶媒中で行うのが好都合である。適当な溶媒は、例えば
脂肪族エーテル、特にジエチルエーテル、メチルエチル
エーテルおよびジイソプロピルエーテルのようなジアル
キルエーテル、並びに１，２−ジメトキシエタンである
。次いで行う平衡化では、線状および環状の種々の分子
量を有するシロキサレの混合物を、５ｉＯ−結合の位置
を変えることによって、より分子量が大きく、かつ均一
な平均分子量の線状シロキサンの混合物に変換する。こ
の平衡化反応は熱的に、または酸あるいは塩基の触媒作
用を受けて進行する。好ましくは平衡化は酸性触媒、特
に濃硫酸または酸性土類の存在下に、所望により不活性
有機溶媒の存在下で行われる。

式■のマレイミドの式■のポリ−Ｈ−シロキサンへの付
加は不活性有機溶媒および触媒の存在下で行うのがよい
。溶媒としては、例えばベンゼン、トルエンおよびキシ
レンのような芳香族炭化水素、１．２−ジメトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエチルおよびジエチ
レングリコールジエチルエーテルが適当である。触媒と
しては一般に貴金属触媒、特に例えば白金黒、Ｈ，ｐｔ
Ｃｔ６・酢酸パラジウムおよびＯジウムホスフイン錯体
のような白金、パラジウムおよびロジウム触媒が使用さ
れる。好ましくは触媒としてＨ２ＰｔＣｌ４が使用され
る。この反応は温度を上げて行うのが有利である。

アミノ基を有するポリシロキサンと式■の無水物との反
応は、トルエン、キシレン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミドまたはＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドのような不
活性有機溶媒の存在下にて高温で、そして（または）無
水酢酸のような脱水剤を添加して行うのが好都合である
。

この発明は、また先に述べた架橋性ポリシロキサンを式
Ｘ （Ｘ） （式中、Ａ　、Ｒ１＋　Ｒ２＋　Ｆ’ｓおよびＲ４は式
ｌおよび■の場合と同じ意味を表わし、２は１〜２０，
０００の整数である。） で示される化合物Ｏ〜３０　ｍｏｔ％、好ましくはθ〜
１５　ｍｏ１％の存在下で光を作用させながら架橋させ
ることによって得られる新規な架橋されたポリシロキサ
ンに関する。

式Ｘの化合物は新規であって、これも本発明の対象であ
る。繰返し構成要素中のＲ１およびＲ２はそれぞれ同一
の基であっても異なる基であってもよい。Ｒ８とＲ２は
各構成要素中では同一の意味を表わすものが好ましい。

Ａ　＋　Ｒ１＋　Ｒ２ｔ　Ｒ３およびＲ６の好ましい意
味に関しても上記と同様である。人が−（ＣＨ２）Ｐ−
（ｐ＝２−ｔｏ）を表わし、２が１〜２０の整数を表わ
す式Ｘの化合物が好ましい。特に好ましいのは、Ａか−
（ＣＨ２）２−または−（ＣＨ２）３−を表わし、Ｒ１
が水素またはメチル基を表わし、Ｒ２＋Ｒ３およびＲ４
がそれぞれメチル基を表わし、２が１〜２０の整数を表
わす式Ｘの化合物である。

式Ｘの化合物は公知の方法、例えば Ａ）　　　ｚが少なくとも１である式Ｘで示される化合
物を式■ｂ ２ で示される化合物と平衡状態にするか、Ｂ）　弐■ で示される化合物を式■ で示される化合物と１：２のモル比て反応させるか〜 Ｃ）　弐■ で示される化合物を加水分解して相当するジシロキサン
とし、所望により適当なシクロシロキサンと平衡状態に
するか、または式ｘ■ は Ｄ）式ＸＩＶ で示される化合物を弐Ｖの無水物と１：２のモル比で反
応させることによって製造することができる。

この際、Ｚ　＋　Ａ　＋　ＦＬＩ　＋　Ｒ２＋　Ｒ３お
よびＲ４は上記の式の場合と同じ意味を表わし、Ａ１は
−ＣｐＨ２ｐ−ｒ基（基中、ｐ＝２〜１０である。）を
表わし、その主鎖は一〇−、−ＮＨ−または−Ｎ）（−
Ｃ，−、−アルキル基で遮断されていてもよいものとし
、Ｒ１′はメチルまたはフェニル基′を表わす。

式■ｂ　の化合物の平衡化に対しては上述と同じ条件が
適用される。式■の化合物の弐ηの化合物への付加は、
式Ｖのポリ−Ｈ−シロキサンへの付加について先述した
のと同様の条件下で行うことができる。式Ｘ■　のシロ
キサンジオールと弐■のクロルシリル化合物との縮合は
、例えばトリエチルアミンまたはピリジンのような塩基
の存、′Ｅ下で行うのが好都合である。式ＸＩＶ　のジ
アミンと式Ｖの無水物との反応は、アミノ基含有ポリシ
ロキサンと式Ｖの無水物との反応について先に述べたよ
うにして行われる。

式■〜■およびＸｔ〜ＸＩＶ　の原料化合物は公知であ
るか一公知の方法によって製造することができる。

添加混入されるシランおよびシロキサンに関しては例え
ばＮｏ１ｌ　　の　Ｃｈｅｍｉｅ　ｕｎｄ　Ｔｅｅｈｎ
ｏｌｏｇｉｅｄｅｒ　５ｉｌｉｃｏｎｅ　（シリコンの
化学と技術）〔化学出版社（Ｖｅｒｌａｇ　Ｃｈｅｍｉ
ｅ　Ｇｍｂｈ　Ｗｅｉｎｈａｉｍ　、　１９６８３を参
照されたい。

本発明のポリシロキサンの、所望により式Ｘの架橋剤と
混合しての架橋には、任意の光源例えば日光、炭素アー
ク、キセノンランプ、ハロゲン化金属蒸気ランプおよび
特に水銀高圧ランプが使用される。露光は場合により増
感剤、例えばベンゾフェノンまたはチオキサントン誘導
体を添加して行われる。

本発明のポリシロキサンにより得られる架橋された生成
物は高いコロナ耐性と良好な酸素透過性を有する。本発
明による光架橋性ポリシロキサンは例えば感光性ラッカ
ー（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ　ｒｅｓｉｓｔ　）
または高温で安定な絶縁材料の製造および特にコンタク
トレンズのような成型品、シール材、フィルム、袋、お
よび種々の材料、例えばガラス、セラミック、合成材料
（ポリエステルやポリイミド等）、セルロース材料、と
りわけアルミニウムや銅のような金属材料のコーチイン
クの製造に適している。本発明の架橋性ポリシロキサン
から、架橋密度によってそれぞれ弾性のあるものから丈
夫で柔軟性のあるものまで、特にアルミニウムや銅のよ
うな金属に対し接着性のよい膜を得ることができる。

実施例１ Ｎ−（３−＃ｆルシクロルシリルプロピル）−２，３−
ジメチルマレイミド１１．２　ｔ　（０，０４ｍｏｔ）
、ジメチルジクロルシラン１６．５９　（０，１２８ｍ
ｏｂ　）およびジエチルエーテル１００−の混合物を氷
水２５〇−中に激しくかきまぜながら滴下する。加水分
解終了後、エーテル層を分け、蒸留水で中性になるまで
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して約２０
−にする。この溶液に濃Ｈ２Ｓｏ、　ｊ５−を加えて、
室温で２４時間振盪する。

ジエチルエーテル３０−で′希釈後洗浄して中性にし、
硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで高真空にして溶剤を除
去する。収量１４．５　ｆ　（理論量の７７％）、粘度
（９３：　４，６　ａｔ／ｌ　（１−ルエン中で２５℃
にて測定）、窒素含量３．２５％。

実施例２ １．２，３．４−テトラメチル−シクロテトラシロキサ
ン１部と１，１，２，２，３，３，４゜４−オクタメチ
ルシクロテトラシロキサンとの、いる平衡化によって下
記の特性を有するポＩＪ　−１（−シロキサンを得る：
固有粘度０．８８７　Ｐａ　ａ／２５℃（η）　＝　１
６．７　ｒａｔ／ｆＳＨ−Ｓｉ基の含量：　３．４？Ｆ
Ｌ等量／ｆ０ このようにして得たポリシロキサン２０．Ｏｆ（Ｓｔ　
−ＨＯ，０６８等量に相当）をトルエン１０〇−に溶か
した溶液に、窒素ガス雰囲気下９０℃でＮ−アリル−２
，３−ジメチルマレ弁中イミド（０，０７ｍｏｔ）、Ｈ
２ＰｔＣｔ、−溶液（０，０５ｍ２−プロパツール溶液
）０．３−およびトルエン５０−の混合液を滴下する。

滴下終了後６０分間還流加熱し、次いで活性炭１ｆとフ
ラー土２ｆとを用いて濾過する。揮発性成分を全て除去
した後（最終的には高真空にする。）、粘稠な油状物２
８．６　ｆ　（理論量の９１％）を得る。（η）　＝　
２６．３　ｍｌ／ｌ＜　トルエン中、２５℃）；窒素含
量２．７６％；平均分子量（光散乱法により岬定）二〜
７００００゜実施例３ 淵１２と同様にしてポリーＨ−ジ、ｂ゛キサン６．６６
ｆ　（Ｓｉ　−ＨＯ，０２２５等量に相当）をＮ−ビニ
ル−２，３−ジメチルマレイミド２．Ｏｆ　（０，０１
４ｍｏｔ）と反応させ、例２と同じように後処理を行う
。収量７．７　ｔ　（理論量の８９％）；窒素含量１．
９５％；平均分子量：〜７００００　（光散乱法により
測定）；Ｈ−８ｉ含量１．６ｍ等量／１゜ 実施例４ チル−ハイドロジエンシロキサン（Ｓｉｌｇｅｌ　Ｗ　
。

商品名、ワンカーヒエミー、Ｂｕｒｇｈａｕｓｅｎ　、
***）１０　ｆ　（８ｉＨＯ，１５６等量に和尚）をＮ
−アリル−２，３−ジメチル−マレイミド２５，７　ｔ
　（０，１５６ｍａｔ　）と反応させる。発熱反応がお
さまった後、反応混合液を更に５時間還流加熱する。得
られたポリシロキサンは触媒を除去した後、反応溶液を
ｎ−ヘキサンｌｔ中で沈澱させることによって暎華する
＝粘稠な生成物を８０℃１０．ｏ　１　’３３　ｐａ　
　で２４時間乾燥する。収量：３２ｔ（理論量の９２％
）；分子量〜１０，３００（蒸気圧浸透圧法によりＣＨ
Ｃｔ。

中で測定）；窒素含量６％、珪素含量１３．８％、置換
度の計算値９６％。

実施例５ Ｎ−アリル−２，３−ジメチルマレイミド５゜Ｆ　（０
，３ｍｏｌ　）および０．０５　ｍ　ＨｔＰＬＣｌａ　
−２−プａパノール溶液０．８−の混合液に、窒素ガス
雰囲気下６０℃にてテトラメチルジシロキサン２０．１
５９（０，１５ｍｏｔ）を滴下する。反応混合液の温度
は一時的に１４０℃まで上昇し、次いで更に１時間１１
０℃に保持する。得られた油状物は高真空下で蒸留後結
晶化する。１３，３−ビス−（３−（２゜３−ジメチル
マレイミジル）−プロピル〕−１゜１．３．３−テトラ
メチル−ジシロキサン；沸点２２０−２２２℃１０．２
ｍバール；融点５５−５７℃、窒素含量６．０３％。

実施例６ １．３−ビス−（３−（２，３−ジメチルマレイミジル
）プロピルツー１．１，３．３−テトラメチル−ジシロ
キサン４．６５　ｆ　（０，０１ｍｏｔ）、オクタメチ
ル−シクロテトラシロキサン１４．８．０（０，０５ｍ
ｏｔ）、ジメトキシエタン３０−および濃Ｈ２Ｓ０４３
−の混合物を２４時間室温で振盪する。

得られた油状物をジエチルエーテル１００−で希釈し、
水で中性になるまで洗浄し、硫酸ナトリウ重量が一定に
なるまで乾燥する。収量１７．７　ｔ　。

固有粘度０．０３６３Ｐａ　ｓ、（η］−２．２ＩＩ！
７／ｆ（トルエン中、２５℃）。ｙ（平均分子量、ＣＨ
Ｃｌ５中で蒸気圧浸透圧法により測定）１８７４−２０
９６：　Ｚ＝１９−２１；窒素含量１．５７％。

実施例７ ３−（２，３−ジメチルマレイミジル）プロピル基を有
するポリ−ジメチルシロキサンの光化学的架橋。

例２で得たポリシロキサンの２０％トルエン溶液を回転
ディスク上の遠心力アプリケータによりアルミニウムシ
ートの粗面に塗布する。次にコーティングしたシートを
９０℃で１５分間乾燥する。

高圧水銀ランプ（７００Ｗ）を５分間照射して液状層の
硬化を行う。透明で強固なコーティングが得られる。照
射を行わない面の液状のポリシロキサンは、トリクロル
エチレン、アセトン、テトラヒドロフランまたはシクロ
ヘキサ１、ンのような有機ご 溶媒で除去することができ、金属□はＨＣ／、／Ｈ，０
２ＡＩ、０によりコーティングを破壊せずにエツチング
（腐食）することができる。

実施例８−１０ 例７に記載した操作と同様にして、例２および例３で調
製したポリシロキサンを増感剤のベンゾフェノンを同時
に用いるか用いずに架橋する。ハロゲン化金属蒸気ラン
プ（ｓｏｏｏｗ　）を使用して照射を行う。結果を次表
に示す。

実施例１１ 例７に記載した操作に従って、例４で調製したポリシロ
キサンｌＯ２と３−クロルチオキサントン−１−カルボ
ン酸−ｎ−オクチルエステルとの混合物を銅シート上に
塗布し、照射を行う。硬く、機械的強度のあるコーティ
ングが得られる。

実施例１２ 例７と同様にして例２で調製したポリシロキサン１０ｆ
と例６で調製したポリシロキサンの混合物を銅板上に塗
布し、照射を行う。強固で弾性のあるコーティングが得
られる。金属銅は露光していない面をトリクロルエチレ
ンで処理した後ＦｅＣｔ３溶液でエツチングすることが
できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式■ 〔式中、Ａは−ＣｐＨ２ｐ−基（基中、ｐは２〜１０で
   ある。）を表わし、その主鎖は一〇−、−ＮＨ−または
   −ＮＨ−Ｃ、−、−アルキル基によって遮断されていて
   もよいものとし、Ｒ２はメチルまたはフェニル基を表わ
   し、Ｒ３およびＲ４は互に独立してＣ１−６−アルキル
   基、または−緒になってメチル基によって置換されてい
   てもよいトリメザレンまたはテトラメチレン基を表わす
   。〕 で示される繰返し構成要素１０〜１００ｍ０５と式■ 〔式中、Ｒ１は水素、メチル、フェニルまたはビニル基
   を表わし、Ｒ２は式Ｉの場合と同じ意味を表わす。〕 で示される繰返し構成要素０〜９０　ｍｏｔ％とからな
   り、１分子につき式１の構成要素が平均して少なくとも
   ３個存在する、平均分子量が７５０〜１，５００，００
   ０　　の光架橋性ポリシロキサン。 ２゜式■の繰返し構成要素１５〜１００　ｍｏｔ％と式
   ■の繰返し構成要素θ〜８５　ｍｏｔ％とからなり、人
   が−（ＣＨ２）ｐ−基を表わす、平均分子量が７５０〜
   １２０，０００である特許請求の範囲第１項に記載のポ
   リシロキサン。 ３、式Ｉの繰返し構成要素２５〜９６　ｍｏ１％と式■
   の繰返し構成要素４〜７５　ｍｏＡ％とからなり、Ａが
   −（ＣＨ２）！−または−（ｃＨｔ　）ｓ−基を表わし
   、Ｒ１が水素またはメチル基を表わし、Ｒ２１Ｒ３およ
   びＲ，がそれぞれメチル基を表わす、平均分子量が７５
   ０〜１００，０００である特許請求の範囲第１項に記載
   のポリシロキサン。 ４．８）　　弐■ １ ｃｔ　−Ｓｉ　−ｃｔ　　　　　（ＩＩＩ）２ 〔式中、Ｒ８およびＲ２、特許請求の範囲第１項の記載
   と同じ意味を表わす。〕 で示される化合物を式■ 〔式中、Ａ＋　Ｒ２＋　Ｒ１１およびＲ４は特許請求の
   範囲第１項の記載と同じ意味を＾わす。〕 で示される化合物１０〜１００　ｍｏ１％と共に加水分
   解して平衡状態にするか、または ｂ）　式Ｖ 〔式中、Ｒ２は前記と同じ意味を表わし、Ｒ１’は水素
   、メチルまたはフェニル基を表わす。〕で示されるポリ
   −Ｈ−シロキサンを式■〔式中％　Ｒ２は前記と同じ意
   味を表わし、Ｒ，’は水型、メチルまたはフェニル基を
   表わす。〕で示されるポリ−Ｈ−シロキサンを式■〔式
   中、Ａ、は−ＣＰＨ２ｐ−ｒ−基（基中、ｐは２−１０
   である。）を表わして、その主鎖は一〇−２−Ｎｕ−ま
   たは−ＮＨ−Ｃ，、−アルキル基（こより遮断されてい
   てもよいものとし、Ｒ３および電は前記と同じ意味を表
   わす。〕 で示される化合物１０〜１００　ｍｏｔ％と、式Ｖの繰
   返し構成要素が少なくとも１０　ｍｏ１％存在するよう
   に反応させるかすることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項に記載の光架橋性ポリシロキサンの製造方法。 ５、特許請求の範囲第１項に記載の光架橋性ポリシロキ
   サンを、式Ｘ 〔式中、Ａ　ｓ　Ｒ１ｓ　Ｒ２＋　ＲＪおよびＲ４は特
   許請求の範囲第１項の記載と同じ意味を表わし、２は１
   〜２０，０００の整数である。〕 で示される化合物θ〜３０　ｍｏｔ％、好ましくは０〜
   １５　ｍｏｔ％の存在下で光を作用させながら架橋させ
   ることによって得られる架橋性ポリマー〇 ６、式Ｘ 〔式中、Ａは−ＣＩ）Ｈ３Ｐ−基（基中、ｐは２〜１０
   である。）を表わし、その主鎖は一〇−、−ＮＨ−また
   ば−ＮＨ−Ｃ１−４−アルキル基により遮断されていて
   もよいものきし％　Ｒ，は水素、メチル、フェニル、ま
   たはビニル基を表わし、Ｒ２はメチルまたはフェニル基
   を表わし、Ｒ３およびＲ４は互に独立したものであって
   、Ｃ１−４−アルキル基を表わすか、または−緒になっ
   てメチル基により置換されていてもよいトリメチレンも
   しくはテトラメチレン基を表わし、２は１〜２０．００
   ０の整数を表わす。〕 で示される化合物。 ７、　　Ａが−（ＣＨｔ）ｐ−基（基中、ｐは２〜１０
   である。）を表わし、２が１〜２０の整数を表わす特許
   請求の範囲第６項に記載の式Ｘで示される化合物。 ８．　　Ａが−（ＣＨ２）２−または−（ＣＨ２）３−
   基を表わし、Ｒ，が水素またはメチル基を表わし、Ｒ２
   ｓ　”３およびＲ４がそれぞれメチル基を表わし、２が
   １−２０の整数を表わす特許請求の範囲第６項に記載の
   式Ｘで示される化合物。 ９゜Ａ）　　ｚが少なくとも１である式Ｘの化合物を式
   ■ｂ Ｒ。 ２ 〔式中、Ｒ１およびＦＬ２、特許請求の範囲第６項の記
   載と同じ意味を表わす。〕 で示されるシクロテトラシロキサンと平衡状態にするか
   、 Ｂ）　弐η 〔式中、Ｒ１′は水素、メチルまたはフェニル基を表わ
   し、２、特許請求の範囲第６項の記載と同じ意味を表わ
   す。〕 で示される化合物を式■ 〔式中、Ａ、は−ＣｐＨ２ｐ−１基（基中、ｐは２〜１
   ０である。）を表わし、その主鎖は一〇−１−ＮＨ−ま
   たは−ＮＨ−Ｃ，，−アルキル基により遮断されていて
   もよいものとし、Ｒ３およびＲ４は特許請求の範囲第６
   項の記載と同じ意味を表わす。〕で示される化合物と１
   ：２のモル比で反応させるか、 Ｃ）　弐■ 〔式中、Ａ＋　Ｒ１ｔ　Ｒ２ｓ　Ｒ３およびＲ４は特許
   請求の範囲第６項の記載と同じ意味を表わす。〕で示さ
   れる化合物を加水分解して相当するジシロキサンにし、
   所望により適当なシクロシロキサンと平衡状態にするか
   、あるいは式Ｘ■〔式中、ｚ、Ｒ１およびＲ２、特許請
   求の範囲第６項の記載と同じ意味を表わ・す。〕 で示される化合物と２：１のモル比で反応させ”るか、
   または Ｄ）式ＸＩＶ 〔式中、ｚ　、　Ａ　、　Ｒ１およびＲ２は前記と同じ
   意味を表わす。〕 で示される化合物を式仄 〔式中、Ｒ３およびＲ４は前記と同じ意味を表わす。〕
   で示される無水物とｌ：２のモル比で反応させるかする
   ことを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の式Ｘで
   示される化合物の製造方法。 １０、特許請求の範囲第１項または第５項に記載の光架
   橋性ポリシロキサンを用いることを特徴とする成型製品
   、フィルム製品、袋状製品およびコーティング製品の製
   造方法。