JPS5868718A - 光アイソレ−タ装置 - Google Patents
光アイソレ−タ装置Info
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- JPS5868718A JPS5868718A JP16701781A JP16701781A JPS5868718A JP S5868718 A JPS5868718 A JP S5868718A JP 16701781 A JP16701781 A JP 16701781A JP 16701781 A JP16701781 A JP 16701781A JP S5868718 A JPS5868718 A JP S5868718A
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- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
用できる広帯域で、かつアイソレーションの大きな光ア
イソレータに関するものY゛ある。
イソレータに関するものY゛ある。
従来、波長かO。9μIN’.を下の領域でfIJ.!
II+する光アイソレータには、ファラデイ効宋を有す
るjj’l明な物質として、Tb(テルビウム)を含ん
た′結紙性のファラデイガラスを使用してい′/vo通
常、光アイソレータを構成する場合、ファラデイ素子の
長さをl1ベルデ定数をVとし、外部から印加ず′□る
磁場の強さをHとすると、入り・[光の偏光の回転角θ
=VHlをll.toに定める必要がある。常磁性の物
質はベルデ定数が絶対温度Tの逆数に比例するので、前
記のガラスを便用すると、所佑の回転角ψ50が温度に
より大きく変動する。したがって 1YIG結晶等の強
磁性物質が得らil.t.rいリAj波長用の光アイソ
レータでは、r= IC’k R化でアイソレーション
の値が10 (IB以」二劣化する欠点が免かれなかっ
た。また、半導体レーザを便用したアナログ光伝送では
、レーザに戻る光をなくすため光アイソレータ夕を使用
し°Cいるが、アイソレーションの(+Niが1、2左
〜30 d)3で寸だ十分ではなく、改善する必要があ
った。
II+する光アイソレータには、ファラデイ効宋を有す
るjj’l明な物質として、Tb(テルビウム)を含ん
た′結紙性のファラデイガラスを使用してい′/vo通
常、光アイソレータを構成する場合、ファラデイ素子の
長さをl1ベルデ定数をVとし、外部から印加ず′□る
磁場の強さをHとすると、入り・[光の偏光の回転角θ
=VHlをll.toに定める必要がある。常磁性の物
質はベルデ定数が絶対温度Tの逆数に比例するので、前
記のガラスを便用すると、所佑の回転角ψ50が温度に
より大きく変動する。したがって 1YIG結晶等の強
磁性物質が得らil.t.rいリAj波長用の光アイソ
レータでは、r= IC’k R化でアイソレーション
の値が10 (IB以」二劣化する欠点が免かれなかっ
た。また、半導体レーザを便用したアナログ光伝送では
、レーザに戻る光をなくすため光アイソレータ夕を使用
し°Cいるが、アイソレーションの(+Niが1、2左
〜30 d)3で寸だ十分ではなく、改善する必要があ
った。
本発明は常磁性物質を使用した短波長用の光アイソレー
タにおいて、温度変化によるアイソレーションの劣化ヲ
なくシ、かつアイソレーションの値の改善を図ったもの
である。以下に図面により本発明の詳細な説明する。
タにおいて、温度変化によるアイソレーションの劣化ヲ
なくシ、かつアイソレーションの値の改善を図ったもの
である。以下に図面により本発明の詳細な説明する。
第1図には光アイソレータの原理図を示す。/は入射側
偏光子、2はフ了うデイ素子、3は出射゛側部光子であ
る。光が左下から右上へ第1図に示すように進行する場
合(これを順方向とする)、この光の偏光方向を水平方
向とすると、偏光子/の透過偏光方向は水平方向にして
、偏光子3の偏光方向はファラディ素子で回転されたl
lS0方向の偏光方向に合わせる。この場合、順方向の
光は損失なく光アイソレータを通過する。第1図中では
右回りにり50回転するとしたが、この方向は外部磁場
を逆向きにかげれば変るか、光の41行方向を変えても
変らない。したがって破線で示した逆方向の光がもどる
と、偏光子3で順方向の出力と平1行な偏光方向(水平
から右1リ1リ4Zj’ )のみ通過してファラディ素
子に入射し、それがさらに右回りIISoの回転を受け
るので、偏光子/に入射する時点ではIIIff+方向
に直交した垂直方向の偏光となる。
偏光子、2はフ了うデイ素子、3は出射゛側部光子であ
る。光が左下から右上へ第1図に示すように進行する場
合(これを順方向とする)、この光の偏光方向を水平方
向とすると、偏光子/の透過偏光方向は水平方向にして
、偏光子3の偏光方向はファラディ素子で回転されたl
lS0方向の偏光方向に合わせる。この場合、順方向の
光は損失なく光アイソレータを通過する。第1図中では
右回りにり50回転するとしたが、この方向は外部磁場
を逆向きにかげれば変るか、光の41行方向を変えても
変らない。したがって破線で示した逆方向の光がもどる
と、偏光子3で順方向の出力と平1行な偏光方向(水平
から右1リ1リ4Zj’ )のみ通過してファラディ素
子に入射し、それがさらに右回りIISoの回転を受け
るので、偏光子/に入射する時点ではIIIff+方向
に直交した垂直方向の偏光となる。
したがって偏光子lにより逆方向の光cJ阻屯され光ア
イソレータが構成される。ところで短波長帯で使用する
ファラデイガラスのベルブ定i v lj 。
イソレータが構成される。ところで短波長帯で使用する
ファラデイガラスのベルブ定i v lj 。
温度や波長に依存し、それはv■1/T,v■λ−2・
4で表わされる。したがって波長がず1したり、温度□
が変化すると、同転角θが4’j−0よりΔθ(T,λ
)たけずれ、アイソレーションが sin2Δθに劣化
することがわかる。
4で表わされる。したがって波長がず1したり、温度□
が変化すると、同転角θが4’j−0よりΔθ(T,λ
)たけずれ、アイソレーションが sin2Δθに劣化
することがわかる。
第2図は本発明の原」411を説明する構成図である.
、/,3′および3はそれぞれ偏光分離プリズムであ□
リ、常光に対する角度を水平方向に苅してそれぞれ0度
,ttS(リ, 90度にしである。また一およびグは
ファラデイガラスで使用1する磁石のall J易Hに
対して、回転角がθ、お」:びθ2になるように長さを
lよ,l2に選んである。磁場Hが同じであれば、ll
:72−〇、=02となる。この構成は回転角θが1異
なるアイソレータを2段Gこつなげたものに相当し、そ
の効果を以下に記す。ベルデ定数の波長および温度特性
より、回転角はαを比例定数とし、θ(T,λtl)一
α(To/T)(λ0ハ)2°4 、 tで与えられる
。
、/,3′および3はそれぞれ偏光分離プリズムであ□
リ、常光に対する角度を水平方向に苅してそれぞれ0度
,ttS(リ, 90度にしである。また一およびグは
ファラデイガラスで使用1する磁石のall J易Hに
対して、回転角がθ、お」:びθ2になるように長さを
lよ,l2に選んである。磁場Hが同じであれば、ll
:72−〇、=02となる。この構成は回転角θが1異
なるアイソレータを2段Gこつなげたものに相当し、そ
の効果を以下に記す。ベルデ定数の波長および温度特性
より、回転角はαを比例定数とし、θ(T,λtl)一
α(To/T)(λ0ハ)2°4 、 tで与えられる
。
ただし磁場Hは一定とした。ここで
(l1+ノ2)/2−loとし、T=To,λ=λ。、
l二!。
l二!。
のときθ一+t0(すなわちαlo一’l!;°)とす
ると、第2図のアイソレータの順方向の透過tEllL
f)および逆方向の重過損失(Lr)は、それぞれ以下
のようになる。
ると、第2図のアイソレータの順方向の透過tEllL
f)および逆方向の重過損失(Lr)は、それぞれ以下
のようになる。
Lf−=cos2(θ、(1°,λ,l1)−45°)
・cos (θ、(T,λ,l2)−45°)一cos
α(( To/T ) (λ0/λ)2・4[o+Δl
)−1o)・cos”α(( T O//T ) (λ
/2) 2.4< to−ll)−1。)−−−−−
(1) Lr−S1n2α(−(To/’I’)(λ0ハ)2.
4 (lo+Δl)−1o)・sin2α((To/T
)(λ0ハ)(lo一Δl) −1。)−−−−− (
2) ここで従来のアイソレータの特性は前記のパラメ−夕で
以下のように表わされる。
・cos (θ、(T,λ,l2)−45°)一cos
α(( To/T ) (λ0/λ)2・4[o+Δl
)−1o)・cos”α(( T O//T ) (λ
/2) 2.4< to−ll)−1。)−−−−−
(1) Lr−S1n2α(−(To/’I’)(λ0ハ)2.
4 (lo+Δl)−1o)・sin2α((To/T
)(λ0ハ)(lo一Δl) −1。)−−−−− (
2) ここで従来のアイソレータの特性は前記のパラメ−夕で
以下のように表わされる。
Lf= 0O32α((T o/’f’ ) (λOハ
)2°4−’l) to−−−−−tel+Lr= 5
in2α(LTo/T)(λO/λ)2,4−1) t
o−一−−−−(、i)第3図は従来σ)アイソレータ
σ)逆方向挿入1t1失を波長および1晶度相性につい
てd1算した結果を示す。アイソレーションが30 d
B Iソー]二とれる領域は200人程度で、その中心
波長(,10“Cからso′Cの温LW変化でo、tr
pμmから0.7にμm iでずれてしまう。実際に試
作した例でもはば同し特性(参考文献二パ光ファイバ曲
信用光アイソレータ′″(H学技報OQE 78−13
3 )であ【)。アイソレーションの最大値としては、
結晶や磁界の不メJ−件から35dB以上とることは困
難である。
)2°4−’l) to−−−−−tel+Lr= 5
in2α(LTo/T)(λO/λ)2,4−1) t
o−一−−−−(、i)第3図は従来σ)アイソレータ
σ)逆方向挿入1t1失を波長および1晶度相性につい
てd1算した結果を示す。アイソレーションが30 d
B Iソー]二とれる領域は200人程度で、その中心
波長(,10“Cからso′Cの温LW変化でo、tr
pμmから0.7にμm iでずれてしまう。実際に試
作した例でもはば同し特性(参考文献二パ光ファイバ曲
信用光アイソレータ′″(H学技報OQE 78−13
3 )であ【)。アイソレーションの最大値としては、
結晶や磁界の不メJ−件から35dB以上とることは困
難である。
ところで本発明の逆方向挿入4tJ % 4j、 、式
(2)から第1図に示すJ:うになる。第1図から明ら
かなように、アイソレーションが1106131)J、
十と第1る範囲は、0076μmからOoに7μmまで
のムい波長範囲(こ広がっている。したがって第3図(
、ユ示したように湿度変化により中心波長が±300人
ずれても、本・発明ではアイソレーション110 dB
以上は常に確保できる。従来のアイソレータでは使用す
る磁石の磁場の強度を、使用する波長ではぼll50と
なるように選ぶ必要がある。この設定かずれると中心波
長がずれたことに相当し、たとえは品温側で特性が著し
く劣化するなどの現象が生じる。
(2)から第1図に示すJ:うになる。第1図から明ら
かなように、アイソレーションが1106131)J、
十と第1る範囲は、0076μmからOoに7μmまで
のムい波長範囲(こ広がっている。したがって第3図(
、ユ示したように湿度変化により中心波長が±300人
ずれても、本・発明ではアイソレーション110 dB
以上は常に確保できる。従来のアイソレータでは使用す
る磁石の磁場の強度を、使用する波長ではぼll50と
なるように選ぶ必要がある。この設定かずれると中心波
長がずれたことに相当し、たとえは品温側で特性が著し
く劣化するなどの現象が生じる。
本発明は波長の設定精度は温度によるベルデ定数の変化
を見込んでも0079μmからo31Iμmの間にあれ
ばよく、磁石のほらつきや、磁力の経年的な変動に対し
ても、アイソレータとしての性能劣化は極めて小ざいこ
とがわかる。
を見込んでも0079μmからo31Iμmの間にあれ
ばよく、磁石のほらつきや、磁力の経年的な変動に対し
ても、アイソレータとしての性能劣化は極めて小ざいこ
とがわかる。
本発明は以上説明したように、アイソレータとしての性
能を広帯域で、かつ高いアイソレーションを得るように
工夫したものであるか、中心波長におけるアイソレーシ
ョンを1.2゜SdBよりもつと大きくするには、第2
図に示した結晶長11と!2の比を1に近づければよい
。
能を広帯域で、かつ高いアイソレーションを得るように
工夫したものであるか、中心波長におけるアイソレーシ
ョンを1.2゜SdBよりもつと大きくするには、第2
図に示した結晶長11と!2の比を1に近づければよい
。
第を図にはl工:t、=1:1にしたときの逆方向損失
を破線で示した。第1図よりアイソレーションは原理的
に従来の糸の2倍とれることがわかる・るが、広帯域特
性がlよ・(12の場合より悪くなる。
を破線で示した。第1図よりアイソレーションは原理的
に従来の糸の2倍とれることがわかる・るが、広帯域特
性がlよ・(12の場合より悪くなる。
したがって必要なアイソレーションにルれ\じてl工と
12の比を選べばよい。
12の比を選べばよい。
第S図(a)は本発明の一実施例を示し、/−/は入射
側偏光子(偏光分離プリズム)、J’−/は中間に15
いである偏光子(flilI光分離プリズム)、j−/
は出射側偏光子(偏光分離プリズム〕である。
側偏光子(偏光分離プリズム)、J’−/は中間に15
いである偏光子(flilI光分離プリズム)、j−/
は出射側偏光子(偏光分離プリズム〕である。
ファラデイガラスにの1(ドごは入射側偏光子/−/が
ら中間においである偏光子3′−/ に入るまでq回反
射をしているので、ガラスの長さをlどすると光路長は
Klとなる。偏光子3’−IC1より子方に平行移動さ
れた光はrlびガラスt&こ人射し3回反射、すなわち
リノの光路長を通過して出射側偏光子j−lに入射する
。したかつて7個のファラデイガラスと1個の磁石を使
って、第2図に示した本発明が実施できる。なお光が反
射するガラスの側面には反射膜が施されている(図示せ
ず)。ここで各素子を通過する偏光状卯について考察す
る。
ら中間においである偏光子3′−/ に入るまでq回反
射をしているので、ガラスの長さをlどすると光路長は
Klとなる。偏光子3’−IC1より子方に平行移動さ
れた光はrlびガラスt&こ人射し3回反射、すなわち
リノの光路長を通過して出射側偏光子j−lに入射する
。したかつて7個のファラデイガラスと1個の磁石を使
って、第2図に示した本発明が実施できる。なお光が反
射するガラスの側面には反射膜が施されている(図示せ
ず)。ここで各素子を通過する偏光状卯について考察す
る。
第5図の)には第S図(a)に示したそれぞれの素子を
通る偏光状1心を示した。偏光子の透過偏光は ・ys
o(右手)にしてあり、入射偏光もこれに一致させる。
通る偏光状1心を示した。偏光子の透過偏光は ・ys
o(右手)にしてあり、入射偏光もこれに一致させる。
ガラス乙を通過した後は、通常45°+Δθ回転させて
いる。この例ではtl: 12=5 : 4であるので
、Δθ=5°まわりずきている。偏光子3’−/は水平
方向のみ取り出せるようにして、全反射するどき偏光向
の回転か生じないようにした。偏光子3′−/から折り
返された光は、ガラス乙を再び通過して45°−Δθ−
40°回転する。この光を偏光子3−/で取り出して出
射光の光軸を入射光の光軸と平行にするため、172波
長板7を使用して水平方向の偏光を得る。これは1/2
波長板の光学軸を水平から22.5度傾けて配朧するこ
とにより実現できる。ガラス乙に再入射した先番オθだ
け1(1]転が不足しているが、この大きさが水平方向
からのずれΔθになっている。次に偏光子j−/を水平
方向の偏光が透過して入射ビームと平行なビームが得ら
れる。
いる。この例ではtl: 12=5 : 4であるので
、Δθ=5°まわりずきている。偏光子3’−/は水平
方向のみ取り出せるようにして、全反射するどき偏光向
の回転か生じないようにした。偏光子3′−/から折り
返された光は、ガラス乙を再び通過して45°−Δθ−
40°回転する。この光を偏光子3−/で取り出して出
射光の光軸を入射光の光軸と平行にするため、172波
長板7を使用して水平方向の偏光を得る。これは1/2
波長板の光学軸を水平から22.5度傾けて配朧するこ
とにより実現できる。ガラス乙に再入射した先番オθだ
け1(1]転が不足しているが、この大きさが水平方向
からのずれΔθになっている。次に偏光子j−/を水平
方向の偏光が透過して入射ビームと平行なビームが得ら
れる。
ここで使用する偏光プリズムj−/はローションプリズ
ムやセナルモンプリズムが適する。
ムやセナルモンプリズムが適する。
すなわち方解石を使用して、第6図(a)に示すように
光学軸を選べば、紙面内にある偏yc(水平方向)は、
もとの光学軸と一致させることができろ。
光学軸を選べば、紙面内にある偏yc(水平方向)は、
もとの光学軸と一致させることができろ。
偏光プリズム3′−/については、たとえc、f第6図
(b) 、 Uで示したプリズム〔(b)は平面図、(
C)は側面図〕か使用できる。すなわちげr望σ)偏光
方向(図では紙面に垂直方向)については、光路は平行
移動して折り返す。アイソレータに入射する逆方向の光
については、偏光子j−/によりITIz直方向(紐、
面に垂直に相当)は直進するので、偏光−f/−/がつ
いていないガラス乙の土面を1lTI i/ilhする
。水平方向の成分は順方向と同じ光路をi!Tiす、偏
光子3′−7に入射する所では、第5図(′b)の破線
で示したように、垂面方向からΔθだけ不足した偏光と
/「る。
(b) 、 Uで示したプリズム〔(b)は平面図、(
C)は側面図〕か使用できる。すなわちげr望σ)偏光
方向(図では紙面に垂直方向)については、光路は平行
移動して折り返す。アイソレータに入射する逆方向の光
については、偏光子j−/によりITIz直方向(紐、
面に垂直に相当)は直進するので、偏光−f/−/がつ
いていないガラス乙の土面を1lTI i/ilhする
。水平方向の成分は順方向と同じ光路をi!Tiす、偏
光子3′−7に入射する所では、第5図(′b)の破線
で示したように、垂面方向からΔθだけ不足した偏光と
/「る。
偏光子3′−/に入射する「il?では、第5図(1)
)の破線で示したように、垂内方向がらΔθだケ」り足
した偏光となる。偏光子3′−/では垂面方向の偏光〔
第3図(C)の紙面内の偏光〕は、光路が曲げられるの
で、順方向の光路がら分離される。順方向と同じ水平方
向の偏光のわずかな光は、μ)びガラス乙の中をもどっ
て偏光子/−/に到達するが、偏光方向は入射惧:]偏
光とほぼ直交する45°+Δθの偏光となる。したがっ
てここまで:4;II Mしたわずかのもどり光のはと
んとか耐重される。
)の破線で示したように、垂内方向がらΔθだケ」り足
した偏光となる。偏光子3′−/では垂面方向の偏光〔
第3図(C)の紙面内の偏光〕は、光路が曲げられるの
で、順方向の光路がら分離される。順方向と同じ水平方
向の偏光のわずかな光は、μ)びガラス乙の中をもどっ
て偏光子/−/に到達するが、偏光方向は入射惧:]偏
光とほぼ直交する45°+Δθの偏光となる。したがっ
てここまで:4;II Mしたわずかのもどり光のはと
んとか耐重される。
以上の説明から明らかなように、第5図に示した構成例
では、一つのファラディ素子を使っテ回転角か45°+
Δθと45°−Δθの二つのアイソレータを直列につな
いだ効果が得られる。Δθを変えるには、入射側のプリ
ズムlと最初の反射面の距離を短くするとか、反射回数
nE増減させてn+1:nの値を変えるようにしてもよ
い。たとえば順方向に6間尺射を使えはl工:12=’
/:6にすることができる。
では、一つのファラディ素子を使っテ回転角か45°+
Δθと45°−Δθの二つのアイソレータを直列につな
いだ効果が得られる。Δθを変えるには、入射側のプリ
ズムlと最初の反射面の距離を短くするとか、反射回数
nE増減させてn+1:nの値を変えるようにしてもよ
い。たとえば順方向に6間尺射を使えはl工:12=’
/:6にすることができる。
第5図では入射偏光をグj度としたが、水平方向として
も同様の構成か可能となる。この場合は偏光プリズム3
′−7でグ5°傾いた偏光を取り出せるように、偏光プ
リズム3′−/を第5図の配置から入射光軸を中心軸と
してlljo回転させればよい。
も同様の構成か可能となる。この場合は偏光プリズム3
′−7でグ5°傾いた偏光を取り出せるように、偏光プ
リズム3′−/を第5図の配置から入射光軸を中心軸と
してlljo回転させればよい。
なおこのとき偏光プリズム3−/に接して配置した1/
2波長板7は不要となる。この場合の構成例企第7図に
示した。
2波長板7は不要となる。この場合の構成例企第7図に
示した。
ここでは回転角の異なる二つのアイソレータを直列につ
ないだ効果を得るため、ファラディ素子を通過する光路
長をlよ’12と変えることで実現したが、断しい光路
長l工すなわち4’j lT、I’の回転角が得られる
条件を使J11シて、第2図の原理図に示した第2の偏
光プリズム3′の偏光方向をII3 BがらΔθだけ1
頃けることも実J児できる。このとき第1の偏光プリズ
ムと第2の偏光プリズムの偏光方向のなす角か(45+
Δθ)度、第2と第3のプリズムの偏光方向のなす角が
(45−Δθ)度であれは、第1と第λのプリズムで構
成されるアイソレータ番」、Δθ〉Oのときには!が短
い場合、第2と第3のプリズムで構成されるアイソレー
タはlか長い方に対応する。
ないだ効果を得るため、ファラディ素子を通過する光路
長をlよ’12と変えることで実現したが、断しい光路
長l工すなわち4’j lT、I’の回転角が得られる
条件を使J11シて、第2図の原理図に示した第2の偏
光プリズム3′の偏光方向をII3 BがらΔθだけ1
頃けることも実J児できる。このとき第1の偏光プリズ
ムと第2の偏光プリズムの偏光方向のなす角か(45+
Δθ)度、第2と第3のプリズムの偏光方向のなす角が
(45−Δθ)度であれは、第1と第λのプリズムで構
成されるアイソレータ番」、Δθ〉Oのときには!が短
い場合、第2と第3のプリズムで構成されるアイソレー
タはlか長い方に対応する。
以上説明したように、不発1!11の尤アイソレータ装
置は1個のファラデイガラスと7個の磁石を使って中心
波長を任意の値だけずらした一個のアイソレータを直列
につないたものと同じ効果を有するものであり、短波長
用のアイソレータとして高いアイソレーションが実現て
・きるだけでなく、広帯域の特性か得られる利点がある
。したがって短波長用のアイソレータとして、従来は温
度変化によるアイソレーションの大幅な劣化や、使用す
る磁石の磁場が変化することにより特性劣化が生じてい
たが、本発明により温度変化や磁場の変化に強い高性能
のアイソレータが実現できる。この発明は半導体レーザ
の反射によるS/N劣化を抑えるため、レーザとファイ
バの結合部に挿入してアナログ伝送用のレーザモジュー
ルに使用することができる。
置は1個のファラデイガラスと7個の磁石を使って中心
波長を任意の値だけずらした一個のアイソレータを直列
につないたものと同じ効果を有するものであり、短波長
用のアイソレータとして高いアイソレーションが実現て
・きるだけでなく、広帯域の特性か得られる利点がある
。したがって短波長用のアイソレータとして、従来は温
度変化によるアイソレーションの大幅な劣化や、使用す
る磁石の磁場が変化することにより特性劣化が生じてい
たが、本発明により温度変化や磁場の変化に強い高性能
のアイソレータが実現できる。この発明は半導体レーザ
の反射によるS/N劣化を抑えるため、レーザとファイ
バの結合部に挿入してアナログ伝送用のレーザモジュー
ルに使用することができる。
第1図は従来の光アイソレータの原理図、第2図は本発
明装置の原理を説明する原理図、第3図は従来の短波長
用アイソレータの逆方向挿入損失特性を表わす計算値を
示す図、第1図は本発明装置の逆方向挿入損失特性を表
わす計算値を示す図、第3図(a)は本発明装置の一実
施例の構成を示す斜視図、第S図(b)は第5図(a)
に示したそれぞれの素子を通る偏光状態を示すN、第6
図(a)は本発明装置に使用する偏光プリズムの平面図
、第6図(b目1不発明装置aに使用する他の偏y「′
、プリズムの平面図、第6図(C)は第を図(b)の側
面図、第7図は本発明装置の他の実施例を示す側面図で
ある〇/・・・入射側偏光子(偏光分離ブリズノ、〕、
2・・・ファラデイ素子、3・・・出射側偏光子(偏光
分離ブIJ スA ) 、3’、3’−7・・・中間に
ある偏光分離プリズム、l・・・ファラディ素子、3
、 S−/・・・出射側偏光子(i光分離プリズム)、
乙・・・ファラデイガラス、7・・・1/2波長板。 特許出願人 日本電信′rL話公社 第1Fξ1 第れ HH (EI7)) ¥/JMY#叩伝”? (EIp)¥1ltYψI叩ダ? 1み開昭58− 68ンi8 (6)
明装置の原理を説明する原理図、第3図は従来の短波長
用アイソレータの逆方向挿入損失特性を表わす計算値を
示す図、第1図は本発明装置の逆方向挿入損失特性を表
わす計算値を示す図、第3図(a)は本発明装置の一実
施例の構成を示す斜視図、第S図(b)は第5図(a)
に示したそれぞれの素子を通る偏光状態を示すN、第6
図(a)は本発明装置に使用する偏光プリズムの平面図
、第6図(b目1不発明装置aに使用する他の偏y「′
、プリズムの平面図、第6図(C)は第を図(b)の側
面図、第7図は本発明装置の他の実施例を示す側面図で
ある〇/・・・入射側偏光子(偏光分離ブリズノ、〕、
2・・・ファラデイ素子、3・・・出射側偏光子(偏光
分離ブIJ スA ) 、3’、3’−7・・・中間に
ある偏光分離プリズム、l・・・ファラディ素子、3
、 S−/・・・出射側偏光子(i光分離プリズム)、
乙・・・ファラデイガラス、7・・・1/2波長板。 特許出願人 日本電信′rL話公社 第1Fξ1 第れ HH (EI7)) ¥/JMY#叩伝”? (EIp)¥1ltYψI叩ダ? 1み開昭58− 68ンi8 (6)
Claims (3)
- (1)光アイソレータ装置において、第1.第2および
第3の3個の偏光プリズムと7個のファラデイ素子およ
び磁界を発生する装置を使用し、順方向の光路は第1偏
光ブ1)ズム、ファラデイ素子、第1偏光プリズム、光
路折返し用光学素子、ファラデイ素子および第3偏光プ
リズムのM&こ通過するように構成してあり、第1.第
2および第3偏光プリズムの透過偏光方向は、第1と第
2間でIAS度、第2と第3間で+sgずらしてあり、
第1と第1偏光プリズム間に挿入されたファラディ素子
内では、偏光の回転角が(45+Δθ)度になるように
ファラデイ素子内の光路長!、を定め、第2と第3偏光
プリズム間に挿入されたファラデイ素子内では、偏光の
回転角が(45−Δθ)度になるようにファラディ素子
内の光路長!2を定めてあり(ここに1Δθ1≦10度
)、両者の光路は7個のファラデイ素子内に光路1折返
し用光学素子を用いて分離されて構成されていることを
特徴とする光アイソレータ装置。 - (2) 特許請求の範囲第1項記載の光アイソレータ
装置において、光路長l およびl、は等しくしておき
、第2偏光プリズムの透過偏光方向を第1偏光プリズム
に対して(45+Δθ)度に配置して、二つの光路長l
および12が異なつた場合と同じ効果をもたせること
を特徴とする光アイソレータ装置。 - (3)特許請求の範囲第1項記載の光アイソレータ装置
においてファラディ素子内の光路長l工を形成する第1
の光路■」、は、ファラデイ素子内で多重反射させるこ
とで一平面内にあり、光路長l を形成する第2の光路
L2は、光路]チ1返し用光学素子を月1いて前記ファ
ラディ素子内のイmの平面内に多重反射させて形成され
ていることを1、″1徽とする光アイソレータ装せイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16701781A JPS5868718A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 光アイソレ−タ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16701781A JPS5868718A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 光アイソレ−タ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5868718A true JPS5868718A (ja) | 1983-04-23 |
JPS611731B2 JPS611731B2 (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15841837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16701781A Granted JPS5868718A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 光アイソレ−タ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5868718A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61122624A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ |
JPS61147224A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ |
JPS62189422A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Copal Electron Co Ltd | 光アイソレ−タ |
-
1981
- 1981-10-21 JP JP16701781A patent/JPS5868718A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61122624A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ |
JPS61147224A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ |
JPH0466001B2 (ja) * | 1984-12-20 | 1992-10-21 | Fujitsu Ltd | |
JPS62189422A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Copal Electron Co Ltd | 光アイソレ−タ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS611731B2 (ja) | 1986-01-20 |
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