JPS5867031A - 半導体集積回路とその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路とその製造方法Info
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- JPS5867031A JPS5867031A JP57164797A JP16479782A JPS5867031A JP S5867031 A JPS5867031 A JP S5867031A JP 57164797 A JP57164797 A JP 57164797A JP 16479782 A JP16479782 A JP 16479782A JP S5867031 A JPS5867031 A JP S5867031A
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐電圧強度および電気シールド性を高めるた
めに半導体集積回路の機能ユニットを体膜と、この半絶
縁半導体膜上に設けられた絶縁膜とを有する半導体集積
回路とその製造方法に関するものである。
めに半導体集積回路の機能ユニットを体膜と、この半絶
縁半導体膜上に設けられた絶縁膜とを有する半導体集積
回路とその製造方法に関するものである。
雑誌” IBEETransaction on El
ectronDevicesII、Vol、EI)−2
3、A8 、August 1976゜826〜830
ページにより、表面バシベーショ/のために半絶縁多結
晶シリコン膜を用いれば、大きな耐電圧強度および従っ
て大きな信頼性を有する高圧トランジスタが得られると
いうことは公知である。その場合、化学的にガス相から
析出され、酸素または窒素原子でドーピングされた多結
晶シリコン膜が用いられる。この多結晶シリコン膜の上
には、高電圧動作時の絶縁破壊を防止するために、酸化
シリコン膜を設けることができる。
ectronDevicesII、Vol、EI)−2
3、A8 、August 1976゜826〜830
ページにより、表面バシベーショ/のために半絶縁多結
晶シリコン膜を用いれば、大きな耐電圧強度および従っ
て大きな信頼性を有する高圧トランジスタが得られると
いうことは公知である。その場合、化学的にガス相から
析出され、酸素または窒素原子でドーピングされた多結
晶シリコン膜が用いられる。この多結晶シリコン膜の上
には、高電圧動作時の絶縁破壊を防止するために、酸化
シリコン膜を設けることができる。
〜
しかし、このような多結晶シリコン膜は、多結晶状態に
基づいて粒界効果を有する導電性クリスタリットが存在
することから、電気抵抗の再生性が悪いという欠点を持
っている。また、この種の多結晶膜は、多結晶シリコン
膜を載置している単結晶半導体基体の表面にまで湿気が
浸入するのを防止するのに十分な程の緻密さは持ってい
ないOしかも前記刊行物の提案によれば、感湿性を低下
させるために窒素によるドーピングが考慮されている−
0しかし、それは比較的コストがかかる0というのは、
多結晶シリコン膜の電気抵抗を確定するための酸素ドー
ピングと共に、感湿性を低下させるためのもう一つのド
ーピングが必要になるからである。
基づいて粒界効果を有する導電性クリスタリットが存在
することから、電気抵抗の再生性が悪いという欠点を持
っている。また、この種の多結晶膜は、多結晶シリコン
膜を載置している単結晶半導体基体の表面にまで湿気が
浸入するのを防止するのに十分な程の緻密さは持ってい
ないOしかも前記刊行物の提案によれば、感湿性を低下
させるために窒素によるドーピングが考慮されている−
0しかし、それは比較的コストがかかる0というのは、
多結晶シリコン膜の電気抵抗を確定するための酸素ドー
ピングと共に、感湿性を低下させるためのもう一つのド
ーピングが必要になるからである。
本発明の目的は、半導体集積回路の耐電圧強度を高める
改良された可能性を提供することにある。
改良された可能性を提供することにある。
この目的は本発明によれば、初めに述べた型の半導体集
積回路において、半絶縁半導体膜をアモルファス半導体
材料から成る膜とすることによって達成される。
積回路において、半絶縁半導体膜をアモルファス半導体
材料から成る膜とすることによって達成される。
さらに本発明によれば、機能ユニットの製造のだめのド
ーピング工程の後、半導体基体の表面から、ドーピング
工程の際に利用された酸化膜を全表面にわたって除去す
る半導体集積回路の製造方法において、機能ユニットを
含む半導体基体上にアモルファス半導体材料から成る膜
を設け、次いでこの膜をナンバ処理する。
ーピング工程の後、半導体基体の表面から、ドーピング
工程の際に利用された酸化膜を全表面にわたって除去す
る半導体集積回路の製造方法において、機能ユニットを
含む半導体基体上にアモルファス半導体材料から成る膜
を設け、次いでこの膜をナンバ処理する。
本発明のその他の実施態様については特許請求の範囲第
1項、第7項以外の項に記載されている。
1項、第7項以外の項に記載されている。
次に図面に示す実施負を参照して本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
図は、回路の機能ユニットとしてトランジスタを有する
バイポーラ半導体集積回路の要部を示すものである。
バイポーラ半導体集積回路の要部を示すものである。
図に略示されている半導体集積回路は通常のように単結
晶半導体材料、特に−導電型のシリコンから成る基板1
を持っている。この基板1の上に第2の導電型の層2が
エピタキシャル成長によって構成されている。基板1と
同一の導電型の通常の絶縁拡散領域3によって、絶縁さ
れたおけ状領域2Iが形成されている。この領域2′は
機能ユニット、ここでは半導体集積回路のトランジスタ
、を収める6に用いられる。その場合、トランジスタは
、埋込み層4、コレクタとしての絶縁されたおけ状領域
2′、ペースとしての領域5、およびエミッタとしての
領域6によって形成される。高ドーピング領域7はコレ
クタ接続領域として用いられる。
晶半導体材料、特に−導電型のシリコンから成る基板1
を持っている。この基板1の上に第2の導電型の層2が
エピタキシャル成長によって構成されている。基板1と
同一の導電型の通常の絶縁拡散領域3によって、絶縁さ
れたおけ状領域2Iが形成されている。この領域2′は
機能ユニット、ここでは半導体集積回路のトランジスタ
、を収める6に用いられる。その場合、トランジスタは
、埋込み層4、コレクタとしての絶縁されたおけ状領域
2′、ペースとしての領域5、およびエミッタとしての
領域6によって形成される。高ドーピング領域7はコレ
クタ接続領域として用いられる。
以上の半導体集積回路の表面上に、本発明に従い、この
集積回路の耐電圧強度および電気シールド性を高めるた
めに、アモルファス半導体材料、特にアモルファスシリ
コンから成る半導体膜8が設けられている。このアモル
ファス半導体膜8は好ましくは電子ビーム蒸着またはス
パッタリングによって設けられる。このアモルファス半
導体膜8は、好ましくは、酸素含有量が10チ以下、導
電率が10−10 程度、厚さが1(+−500nm程
度、特に好捷しくは5Qnmである。
集積回路の耐電圧強度および電気シールド性を高めるた
めに、アモルファス半導体材料、特にアモルファスシリ
コンから成る半導体膜8が設けられている。このアモル
ファス半導体膜8は好ましくは電子ビーム蒸着またはス
パッタリングによって設けられる。このアモルファス半
導体膜8は、好ましくは、酸素含有量が10チ以下、導
電率が10−10 程度、厚さが1(+−500nm程
度、特に好捷しくは5Qnmである。
アモルファス半導体膜8の上に絶縁膜、例えば窒化シリ
コン膜9が設けられ、この窒化シリコン膜9を貫通して
半導体集積回路の機能ユニットが図にはトランジスタの
接触形成のためエミッタ端子10、ベース端子11、お
よびコレクタ端子12が略示されている。
コン膜9が設けられ、この窒化シリコン膜9を貫通して
半導体集積回路の機能ユニットが図にはトランジスタの
接触形成のためエミッタ端子10、ベース端子11、お
よびコレクタ端子12が略示されている。
このような半導体集積回路は本発明に従って次のように
して作られる。
して作られる。
エミッタ6のための拡散が終わると、その拡散の際半導
体基体1.2の表面上に適用された酸化物が全表面にわ
たって除去され、次いでアモルファスシリコン膜8が好
ましくは蒸着またはスパッタリングによって半導体基体
1,2の温度を100〜350℃、特に200’eにし
て設けられる。続いて、このアモルファスシリコン膜8
が好ましくは250〜500℃程度の温度でテンバ処理
される。次いで例えば酸化シリコンまたは窒化シリコン
の形の絶縁膜9が公知の方法により5oo℃以下の温度
で析出される。製造の他のプロセス、例えば接触電極1
0,11.12の製造プロセスは半導体集積回路の通常
の製造方法に従って行われる。
体基体1.2の表面上に適用された酸化物が全表面にわ
たって除去され、次いでアモルファスシリコン膜8が好
ましくは蒸着またはスパッタリングによって半導体基体
1,2の温度を100〜350℃、特に200’eにし
て設けられる。続いて、このアモルファスシリコン膜8
が好ましくは250〜500℃程度の温度でテンバ処理
される。次いで例えば酸化シリコンまたは窒化シリコン
の形の絶縁膜9が公知の方法により5oo℃以下の温度
で析出される。製造の他のプロセス、例えば接触電極1
0,11.12の製造プロセスは半導体集積回路の通常
の製造方法に従って行われる。
上述のHF方法はすべてのバイポーラ半導体集積回路、
特[npn)ランジスタやラテラルおよびバーチカルp
np)ランジスタに一般的に適用できるものである。さ
らに本発明の方法はMO8回路にも適しているが、その
場合、MOS)ランジスタのゲート酸化膜は酸化膜エツ
チングの際フォト技術を用いて残しておかなければなら
ない。
特[npn)ランジスタやラテラルおよびバーチカルp
np)ランジスタに一般的に適用できるものである。さ
らに本発明の方法はMO8回路にも適しているが、その
場合、MOS)ランジスタのゲート酸化膜は酸化膜エツ
チングの際フォト技術を用いて残しておかなければなら
ない。
本発明に従って構成された半導体集積回路およびその製
造方法は次のような利点を持っている。
造方法は次のような利点を持っている。
例えば絶縁膜9上を走る導体路(図示せず)によって形
成される寄生MOSチャンネルは300Vという非常に
高い動作電圧を持っている。さらに、安定した高い阻止
電圧を有する。それによって、信頼度が高く、高阻止性
の集積回路の製造が可能となす、1−かもその場合、素
子の能動領域は被覆膜の影響に対して完全にシールドさ
れる。
成される寄生MOSチャンネルは300Vという非常に
高い動作電圧を持っている。さらに、安定した高い阻止
電圧を有する。それによって、信頼度が高く、高阻止性
の集積回路の製造が可能となす、1−かもその場合、素
子の能動領域は被覆膜の影響に対して完全にシールドさ
れる。
図は本発明の一実施例の断面図である。
1・・・基板、 2・・・基板とは異なる導電型の層、
2′・・・絶縁されたおけ状領域、 3・・・絶縁拡散
領域−4・・・埋込み層、 5・・・ペース領域、 6
・・・エミッタ領域、 7・・・高ドーピング領域(コ
レクタ接続領域)、 8・・・アモルファス半導体材料
暎、 9・・・絶縁膜。
2′・・・絶縁されたおけ状領域、 3・・・絶縁拡散
領域−4・・・埋込み層、 5・・・ペース領域、 6
・・・エミッタ領域、 7・・・高ドーピング領域(コ
レクタ接続領域)、 8・・・アモルファス半導体材料
暎、 9・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)耐電圧強度および電気シールド性を高めるために回
路の機能ユニットを含む単結晶半導体基体上に設けられ
た半絶縁半導体膜と、この半絶縁半導体膜上に設けられ
た絶縁膜とを有する半導体集積回路において、前記半絶
縁半導体膜がアモルファス半導体材料から成る膜である
ことを特徴とする半導体集積回路。 2)半絶縁半導体膜の半導体材料はシリコンであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回
路。 3)半絶縁半導体膜の酸素含有量は10チ以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載
の半導体集積回路。 4)半絶縁半導体膜の導電率は107〜108程度であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項
のいずれかに記載の半導体集積回路。 5)半絶縁半導体膜の厚さは10〜5001m程度であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項
のいずれかに記載の半導体集積回路。 6)半絶縁半導体膜の厚さは5″Qnmであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれか
に記載の半導体集積回路。 7)回路の機能ユニットを含む単結晶半導体基体上に設
けられたアモルファス半導体材料から成る半絶縁半導体
膜と、この半絶縁半導体膜上に設けられた絶縁膜とを有
する半導体集積回路の製造に際して、機能ユニットの製
造のためのドーピング工程の後°、半導体基体の表面か
らドーピング工程の際に利用された酸化膜を全表面にわ
たって除去する半導体集積回路の製造方法において、機
能ユニットを含む半導体基体上にアモルファス半導体材
料から成る膜を設け、次いでこの膜をテンノ(処理する
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。 8)アモルファス半導体材料から成る膜は蒸着またはス
パッタリングにエリ半導体基体の温度100〜350℃
、特に200℃で設けることを特徴とする特許請求の範
囲第7項記載の製造方法。 9)・+7fぎ処l¥を250〜500℃の温度で行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第7項または第8項記
載のl!!造方法。 10)アモルファス半導体材料から成る膜上に絶縁膜、
好捷しくけ窒化シリコン嘆、を500℃以下の温度で析
出させることを特徴とする特許請求の範囲第7項ないし
第9項のいずれかに記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813138324 DE3138324A1 (de) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | Integrierter halbleiterschaltkreis |
DE31383246 | 1981-09-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5867031A true JPS5867031A (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=6142660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57164797A Pending JPS5867031A (ja) | 1981-09-25 | 1982-09-21 | 半導体集積回路とその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0075892A3 (ja) |
JP (1) | JPS5867031A (ja) |
DE (1) | DE3138324A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59194441A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-05 | Toshiba Corp | プレ−ナ型半導体装置 |
JPS6066856A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Matsushita Electronics Corp | 半導体素子の製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4714518A (en) * | 1987-01-14 | 1987-12-22 | Polaroid Corporation | Dual layer encapsulation coating for III-V semiconductor compounds |
EP0400178B1 (de) * | 1989-05-31 | 1994-08-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht |
EP0564467B1 (fr) * | 1991-10-25 | 1997-03-12 | Thomson S.A. | Circuit de protection d'un instrument a semi-conducteurs contre la tension produite par les decharges d'electricite statique |
DE4424420A1 (de) * | 1994-07-12 | 1996-01-18 | Telefunken Microelectron | Kontaktierungsprozeß |
US5869869A (en) * | 1996-01-31 | 1999-02-09 | Lsi Logic Corporation | Microelectronic device with thin film electrostatic discharge protection structure |
WO2004085567A2 (en) | 2003-03-05 | 2004-10-07 | Electrochromix, Inc | Electrochromic mirrors and other electrooptic devices |
Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JPS51130171A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-12 | Sony Corp | Semiconductor device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1184178B (de) * | 1960-02-20 | 1964-12-23 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zum Stabilisieren der Oberflaeche von Halbleiterkoerpern mit pn-UEbergaengen durch Vakuumbedampfen |
US4134125A (en) * | 1977-07-20 | 1979-01-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Passivation of metallized semiconductor substrates |
DE2836911C2 (de) * | 1978-08-23 | 1986-11-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Passivierungsschicht für Halbleiterbauelemente |
DE2922005A1 (de) * | 1979-05-30 | 1980-12-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit passiviertem halbleiterkoerper |
-
1981
- 1981-09-25 DE DE19813138324 patent/DE3138324A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57164797A patent/JPS5867031A/ja active Pending
- 1982-09-24 EP EP82108853A patent/EP0075892A3/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51130171A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-12 | Sony Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS59194441A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-05 | Toshiba Corp | プレ−ナ型半導体装置 |
JPH0129057B2 (ja) * | 1983-04-20 | 1989-06-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JPS6066856A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Matsushita Electronics Corp | 半導体素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0075892A2 (de) | 1983-04-06 |
DE3138324A1 (de) | 1983-04-14 |
EP0075892A3 (de) | 1984-11-28 |
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