JPS5864368A - 化学メツキ方法 - Google Patents

化学メツキ方法

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JPS5864368A
JPS5864368A JP56160893A JP16089381A JPS5864368A JP S5864368 A JPS5864368 A JP S5864368A JP 56160893 A JP56160893 A JP 56160893A JP 16089381 A JP16089381 A JP 16089381A JP S5864368 A JPS5864368 A JP S5864368A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、化学メッキ方法、特に種々の複雑なパターン
を格別表マスキングなしにパターンの化学メッキをする
方法、或いはｔ九複雑な形状の面にも均一なメッキを施
し得るよ゛うにした化学メッテ方法に関する。
凹凸に富む璽雑な形状の被メッキ面に均一なメッキを施
すことは寒気メッキ、化学メッキ等のいずれを問わず困
難である。即ち、このような面にメッキを施そうとする
と、突出部、特に鋭角をなして突出する稜部にはメッキ
層が厚く発達するが凹部、溝内或いはその角部や隅部等
にはメッキがほとんど付かないという問題が生ずる。
令また、被メッキ面の一部にメッキを行なうＫは、いち
いち複雑、面倒なマスキング手段を講する必要があシ、
効率的な部分メッキが行なえず、寸法的にも限度があっ
た。
本発明は値上の観点にたってなされたものであって、そ
の目的とするところは、被メッキ面に均一または所望の
厚さのメッキ層或いはさらに所望パターンを施し得るメ
ッキ方法を提供しようとするものである・ 而して、その要旨とするとξろは、化学メッキを施す被
メッキ体の表面に好ましくば所定ビームスポット状の光
線゛を照射し、上記被メッキ体に対する光線の照射局部
を上記被メツキ体上に於いて順次数値制御装置にょ多制
御しつつ移動せしめ、上記被メッキ体の光線照射領域に
選択的に部分化学メッキを施すものである。
以下、図面によシ本発明の詳細を具体的に説明する。
第１図線本発明にががる化学メッキ方法を実施するだめ
の装置の一実施例を示す説明図、第２図、第３図は第１
図の装置に使用されるパイプの一部拡大断面図、第４図
は他の実施例を示す説明図、第５図、第６図は更に他の
実施例を示す説明図である。
まず、第１図、第２図、第３図について説明する。
図中、１は例えば全体が平板状か化学メッキすべき領域
が所定平板状、或はさらに３次元形状の化学メッキすべ
き凹状キャビティを有する被メッキ体、２はメッキ槽、
３．３はメッキ槽２の壁体上に設けられたレール、４は
一対のＩビームを平行に結合して成る車体５、車軸６．
６、車軸７、駆動用モータ８、チェーくホイール９およ
び１０゜チェーン１１等からなるＸ軸方向走行台車、１
２は車体１３、車輪１４．１４、駆動用モータ１５その
他から成シ、パイプ昇降装置１６を塔載してＸ軸方向走
行台車５の上でその長手方向に走行す取シ付けられた透
明若しくは半透明な凸レンズ等の光学素子、１８ｍは透
明若しくは半透明のガラス、】９はレーザ光線源、２ｏ
はレーザ光線源】９の下端に固定して設けられ、パイプ
１７を支承するパイプホルダ、２１はメッキ液供給パイ
プ、２２はメッキ液、２３はあらかじめ定められたプロ
グラムに基づいてそれぞれの駆動条件を一括制御する位
置及び輪郭制御の数値制御装置を含むａ＋御装置である
。
而して、パイプ１７はパイプ昇降装置１６によシ昇降自
在に支承されておジ、同装置１６に内蔵されている図示
されていないモータにょシ被メッキ体】のメッキ中ヤビ
ティ形状や照射光線の集中拡散条件等に応じ昇降制御せ
しめられる。
Ｘ軸方向およびＸ軸方向走行台車４および１２を走行さ
せるモータ８および１５、並びにパイプ１７を昇降させ
るモータは、数値制御を含む制御装置２３によ多制御さ
れるようになっている。
メッキ液２２による腐蝕を防止するために合成樹脂等の
材質で製作されたパイプ１７の先端部分には透明若しく
は半透明な凸レンズ１８が取如付ている。而して、レー
ザ光線源１９からのレーザ光線は、パイプ１７内を通過
して凸レンズ】８で焦点が絞られ、メッキ槽２内に固定
された被メッギ体１のメッキを施す部分に新案のビーム
スポットとして選択的に投光せしめられる。
上記被メッキ体１は、例えばＩＣ用シリカであって、例
えば水洗の後約１０％ＮａＯＨ脱脂液による脱脂処理、
水洗、約３．５％Ｈｅｌ酸灰液による酸洗処理、水洗、
次いで乾燥と言う前処理の後、Ｓ　ｎ　Ｃ１，約１０　
ｇ／ＬトＨＣｌ約２０〜５０ｇ／ｌの組成の感受婦化処
理液によシ感受性化処理し、軽く水洗し、次いでＰ　ｄ
　ＣＪ、、約０．５ｇ／ｌとＰＨ３〜４となるＰＨＩＩ
Ｉ整剤）ＩＣＩ、：との活性化液によシ約５０°Ｃで活
性化処理し、スズ（ａｎ）をパラジウム（Ｐｄ）Ｋ置換
させて化学メッキの際にメッキの核となる物質を被着さ
せ、水洗後乾燥させ、必１’に応じ冷却保持したもので
ある。
而して、本発明方法にょシ化学メッキが行なわれる場合
には、例えば （ＨＣＨＯ’）、ｎ　（但し、＜１ＷＯ＝３３　　　０
．１Ｍ６ｔ／ｃｄＣｕ　８０４０．０５Ｍｏ　ｔ／Ｃｄ ＢＤＴＡ２Ｎａ塩−０，１５Ｍｏｔ／ｃｄ及び、ＰＨを
大兄１２．５とするために必要量のＮａＯＨを添加して
組成し喪メッキ液２２の液温が約５ｃｃ前後のメッキが
極めて遅い速度が、または殆んどメツ中が進行しない不
活性温度に保たれた状態で図示されていないメッキ液供
給装置からメッキ液供給パイプ２１を介してゆっ〈シと
、好ましくは液１１乱が一部らないようにメッキ槽２内
に送り込まれ、送り込まれたメッキ液２２ＦｉメツΦ槽
２内を静かに流動する。
然る後、被メッキ体１のメッキを施す部分にはレーザ光
ｌｓ源１９からのレーザ光線例えば約１５ＷのＡｒガス
レーザ光線がパイプ１７の内部を通過して凸レンズ１８
で約１５μすの大きさの焦点に絞られてその部分に照射
されるので、被メッキ体１の表面または表面近くのメッ
キ液２２の温度はメッキを施すのに最適な温度に加熱さ
れ、従って、当該部分が活性化されて析出効率が向上し
、当該レーザ光線照射部分のみに略選択的にメッキが施
される。即ち、光照射部分のメッキ層析出速度は、での
か出は殆んど行なわれない°）為ら、所望の部分メッキ
となシ任意のパターンメッキ等も可能となる。また、凸
レンズ１８を適宜調節してビームスポットの大きさに応
じた領域に限定してメッキを施すことも可能である。
パイプ１７の先端部分に取）付けられる透明若があまシ
複繍でなくビームスポットの調節等を必要としない場合
には透明若しくは半透明のガラス１８ａ等に変更できる
ものである。゛ また、上記凸レンズ１８等の光学素子は、パイプ１７内
へのメッキ液２２の侵入を先端の透光ガラスや管内供給
圧給気体によって防止するとか、メッキ液２２の液位が
浅く、パイプ１７先端の液中挿入長さが短かい場合には
、上記光学素子をパイプ１７軸方向の適宜な位置に設け
てレーザ光線の集中、拡散、或いはビームスポットの大
きさ等を設定制御するように構成することが可能であシ
、また、パイプ１７内の−ｒ若しくは全部を１本以上の
光学ファイバーブ２スの挿設により導光路とする゛よう
に構成することも推奨される。
なお、上記の場合は、上記の如き組成の化学メッキ液で
鋼（Ｃｕ）の化学メッキ析出を行うものであるため、約
５℃前後またはそれ以下と言うように液及び被メッキ体
の冷却保持（例えば、常時被メッキ体の裏面側からの冷
却温度制御）が必要でら、メッキ液及び被メッキ体を常
温（２０℃）前後に保持して実施することかで゛き、格
別冷却の必要はない。
次に、第４図について説明する。
第４図は被メッキ体に施されたメッキ層の厚さを測定し
つつメッキを施していくものであシ、パイプの駆動方法
、レーザ光線の制御方法等は第１図に示したもの同様で
あって、第４０中ｍ１図と同一な番号を附したものは同
一の構成要素を示し、図中２４は被メッキ体１に施され
たメッキ層の厚さを測定する測定用電極、２５は測定用
電極２４表面を覆っている絶縁性部材、２６は測定用電
極昇降装置である。
而して、測定用電極２４はパイプ１７と同様に測定用電
極昇降装置２６によシ昇降制御自在に支承されており、
同装置２６に内蔵されている図示されていないモータに
よシ設定測定プログラム等によるシーケンス制御の昇降
がせしめられる。
而して、化学メッキが行なわれる場合には、被メツキ体
１０表面のメッキが施された部分に測定用電極２４が所
定の位置よ多接触するまで測定用電極昇降装置゛２６が
駆動し、その移動距離が測定さ糺る。この測定値線数値
制御を含む制御装置２３において基準値となる被メッキ
体ｌの表面にメッキが施される以前の同位置までの測定
用電極２４の移動距離と比較され、この比較値に応じて
あらかじめ定められたプログラムに従ってＸ軸方向およ
びＹ軸方向走行台車４および】２を走行させるモータ８
および１５、並びにパイプ１７および測定用電極２４を
昇降させるモータを制御するので、被メツキ体１０表面
には略均−な厚さのメッキが施される。
測定用電極２４０周壁部は合成樹脂等の部材２５で−わ
れていて、測定用電極２４がメッキ液２２によって腐蝕
するようなことがないようになっている。
次に、第５図について説明する。
第５図は先端部分が開放されているパイプの内−・メッ
キ液が侵入するのを防止するためＫＦｊ：、縮空気を用
いたものであり、パイプの駆動方法、レーザ光線の制御
方法等は第１図に示したものと同様であって、第５図中
第１図と同一な番号を附したものは同一の構成要素を示
し、図中１７ａは画先端部分が開放されているパイプ、
２７は絞シ、２８は調圧弁、２９はコンプレッサーであ
る。
而して、パイプ１７ａはパイプホルダ２０に取υ付けら
れていて、レーザ光線源１９からの光線はパイプ１７ａ
内を通過して被メッキ体１のメッキが施される部分に照
射される。然しなから、第５図に示している実施例にお
いては、パイプ１７ａの先端部分が開放されているので
パイプ１７ａ内にメッキ液２２が侵入することがないよ
うな構造と゛なっている。即ち、パイ２．１７　ａの＠
壁にはパイプ１７ａ内にコンプレッサー２９からの圧縮
空気を送り込むための***が設けられている。而して、
あらかじめ定められたプログラムに従ってパイプ１７ｍ
の先端部分の液圧よυ高い圧縮空気になるように調圧弁
２８を制御してパイプ１７１内にはメッキ液２２が侵入
することがないので、レーザ光線源１９からのレーザ光
線を比較的薄いメッキ液２２の膜を介して被メツキ体１
表面に直接投光せしめることが可能とな乏。
次に、第６図について説明する。
３０は被メッキ体、３１はメッキ槽、３２は主軸の下端
に固定されクセノン光［１３３を支承するクセノン光ｉ
ｆホルダ、３４および３５はメッキ槽３］をそれぞれＸ
軸およびＹ軸方向へ移動させるクロススライドテーブル
、３６はメッキ槽３１に回転運動を与えるためクロスス
ライドテーブル３４上に設けられたターンテーブル、３
７．３８および３９はそれぞれクロススライドテーブル
３４．３５およびターンテーブル３６を駆動するモータ
、４０−はクセノン光線源３３とメッキ槽３１内に固定
された被メッキ体３ｏの相対加工送シ速度やクセノン光
線源３３光度およびクセノン光線のビームスポットの夫
きさ等をあらがじめ定められたプログラムに従って一括
制御する数値制御を含む制御装置、・４１は化学メッキ
液、４２は照射光ビームの軌跡である。
而して、メッキ槽３］内には例えば３次元形状の化学メ
ッキすべき凹状キャビティを有する被メッキ体３０が固
定され、その被メッキ体３ｏの表面上には比較的薄膜状
にメッキ液４１が静止する状態で介在される。
また、クセノン光線源３３とメッキ槽３１内に固定され
た被メツキ体３０間の加工送シＨ１ｘ−Ｙ軸方向の加工
送シをクロススライドテーブル３４・３５により、Ｘ−
Ｙ平面内における回転運動をターンテーブル３６により
それぞれ与えられるようになっている。そしてこれらの
加工送りは被メッキ体３０の形状に合わせてあらかじめ
作成され元プログラムに従って数ｍ’ｅｍａを含む制御
装置。
４０から発せられる制御信号に基づいて実行される。
の 面して、船ヒ学メッキが行なわれる場合には、第１図の
装置で使用したのと同様なメッキ液４１を使用し、その
液温も約５Ｃ前後の低い温度に設定して使用するが、使
用するメッキ液の光感度特性を増すために、ポリビニー
ルアルコールのケイ酸エステル（エステル化約８０％）
ＫＲｕｔ［Ｉｒしたｌ（、ｕ、（ｔ）ｉ）Ｙ）ｓＸｔを
約２．８Ｘ１０”Ｍ’６ｔ／ｌの割合で、またメチルビ
オローゲンを約１．２×１ｆｆ″”Ｍｏｌ／１の割合で
夫々添加混合して用いた。然る後、被メッキ体３ｏのメ
ッキを施すべき部分にクセノン光線源３３からのクセノ
ン光線４２が約３．５μφの焦点となるように制御され
てメッキ液４１を貫通して照射されると、被メッキ体３
０の照射部分、またはその表面近くのメッキ液４１が加
熱され当該クセノン光線照射部分のみに選択的にメッキ
が施される。なお、クセノン光線Ｒ３３の光度およびビ
ームスポットの大きさ等は、あらかじめ定められたプロ
グラムに従って数値制御を含む制御装置４０Ｖｃよって
制御される。この場合、メッキ液に光感側を混入しであ
るためクセノン光源によるメッキ特性は、前述アルゴン
レーザを用い九場合と同程度とすることができたが、ア
ルゴンレーザを用いると析出速度が前述の場合の最高′
３倍近く増大できた。
本発明は成上の如く構成されるので、本発明による時に
は、被メッキ体の表面に選択的に、または全体に短時間
で化学メッキを施すことが可能となるので、通常の化学
メッキは勿論のことプリント配線基板またはＩＣ基板の
製作にも利用できるものである。
なお、本発明は成上の実施例に限定されるものではない
。即ち、例えば、本実施例においては照射する光線とし
てレーザ光線およびクセノジ光線を使用したが、赤外線
等の実質上の熱線を照射するものであれば他のものでも
よく、熱線が通過するパイプ内にオプチカル７アイパを
多数結末してなるものを設は光線源からの光線を別異の
方向へ段鼻せしめるようにするとと′・本可能である。
また・′メッキ液も上記のもののほか、Ｃｕ８０．メッ
キ液にＣｄ８、ＺｎＯ，Ｔｉｅ、　、８ｎＯ，，８ｅ。
５ｂＧａ等の光感無機物若しくはクロロフィル、トリス
ピリジンルテニウム、金属ポリフィル、ポリビニールア
ルコール等の光感有機物を混入したものでもよく、また
、被メッキ体は、その種類や材質及びメッキ金属、或い
は更に液に応じた、前処理、感受性化処理及び活性化処
理が行なわれるもので、本発明はそれらや総てを包摂す
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかる化学メッキ方法を実施するため
の装置の一実施例を示すａ切回、第２図、第３図は第１
図の装置に使用されるパイプの一部拡大断面図、第４図
は他の実施例を示す説明図、第５図、第６図は更に他の
実施例を示す説明図である。 １．３０町旧・・・旧・・被メッキ体 ２．３１・・・川・・・・・・・・・メッキ槽４・・・
・・・・・・・・・・・・・１旧・・Ｘ軸方向走行台車
１２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｙ軸
方向走行台車１６−・・−町・・・旧・・・・・パイプ
昇降装置１７．１７ａ・・・・・・・・・パイプ１８−
・・軸・・・・・・・・・・・・伊…凸レンズ１８　ｍ
−・・・旧・・・・・・・・・・・カラス２２．４１・
旧・パ・・・・・・メッキ液２３．４０・・・・・・・
・・・・・制御装置２４・・・・・・・・・・・・・・
・・旧・・測定用電極２７・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・絞り２８・・・・・・・・・・・・・
旧・・・・・調圧弁２９・・・・・・・１旧・・・・・
・・・コンプレッサ３３・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・クセノン光ｉＩ源４２・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・照射光ビームの軌跡特許出
願人　　株式会社井上ジャパックス研究所代理人　（７
５２４）最上正太部 第３図 第２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）　化学メッキを施す被メッキ体の表ｆｆ１ｆＫ光線
    を照射し、上記被メッキ体に対する光線の照射局部を上
    記被メツキ体上に於いて順次数値制御装置によ抄制費し
    つつ移動せしめ、上記被メッキ体に化学メッキ施す化学
    メッキ方法。 ２）　上記光線がレーザ光線である特許請求の範囲第１
    項記載の化学メッキ方法。 ３）　上記光線がクセノン光線である特許請求の範囲第
    １項記載の′化学メッキ方法。 ４）　上記光線の照射量および移動速度が所望のメッキ
    厚さに基づいて制御される特許請求の範囲第１項記載の
    化学メッキ方法。
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