JPS5860541A - ウエハの加工方法 - Google Patents
ウエハの加工方法Info
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- JPS5860541A JPS5860541A JP15981281A JP15981281A JPS5860541A JP S5860541 A JPS5860541 A JP S5860541A JP 15981281 A JP15981281 A JP 15981281A JP 15981281 A JP15981281 A JP 15981281A JP S5860541 A JPS5860541 A JP S5860541A
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウニへの加工方法に関する。
半導体ウェハは反り及び変形があると製造される半導体
素子に悪影響を及ぼすため、非常に平坦であることが要
求され、鏡面加工又はラッピング加工が行なわれる。
素子に悪影響を及ぼすため、非常に平坦であることが要
求され、鏡面加工又はラッピング加工が行なわれる。
ところで、従来、フェノ１の片面に鏡面加工又はラッピ
ング加工を行なう場合、第１図（ａ）に示す如く、平坦
な円［２（：＝ラフイｙ４を主成分とするワックス２を
塗布し、その上にウニ／％Ｊを載置し、ウェハ押え棒４
でクエへ１を押えて円’１１１に貼り符けた後、鏡面加
工又はラッピング加工が行なわれている。
ング加工を行なう場合、第１図（ａ）に示す如く、平坦
な円［２（：＝ラフイｙ４を主成分とするワックス２を
塗布し、その上にウニ／％Ｊを載置し、ウェハ押え棒４
でクエへ１を押えて円’１１１に貼り符けた後、鏡面加
工又はラッピング加工が行なわれている。
しかしながら、上記従来方法においては、ウェハ３に反
り及び変形がある場合、ウニへ押え欅４ではウェハ３を
平坦に矯正することができないため、第１図（ｂ）に示
す如く、平坦な円盤１上にワックス２を介して貼り付け
られたウェハ３はその加工面が円盤１上面に対して平行
にならない。こうした状態で例えばウニ＾を鏡面加工す
ると、第１図（Ｃ）に示す如く加工後のウェハ３１表面
のみが円盤１上面に対して平行になるため′、ウニ八へ
＠内の厚さにバラツキを惚じる−という欠点があった。
り及び変形がある場合、ウニへ押え欅４ではウェハ３を
平坦に矯正することができないため、第１図（ｂ）に示
す如く、平坦な円盤１上にワックス２を介して貼り付け
られたウェハ３はその加工面が円盤１上面に対して平行
にならない。こうした状態で例えばウニ＾を鏡面加工す
ると、第１図（Ｃ）に示す如く加工後のウェハ３１表面
のみが円盤１上面に対して平行になるため′、ウニ八へ
＠内の厚さにバラツキを惚じる−という欠点があった。
本発明は上記欠点を解消するためＣ二なされたものであ
り、ウェハを均一厚さで鏡面加工又はラッピング加工し
うるウニへの加工方法を提供しようとするものである。
り、ウェハを均一厚さで鏡面加工又はラッピング加工し
うるウニへの加工方法を提供しようとするものである。
すなわち１本発明は平坦な円盤にワックスを使用してウ
ェハを貼り付け、片面を鏡面加工又はラツピンダ加工す
る方法において、ウニへの加工面を真空チャックにより
チャッキングし。
ェハを貼り付け、片面を鏡面加工又はラツピンダ加工す
る方法において、ウニへの加工面を真空チャックにより
チャッキングし。
ウェハを回転させながら１円や！上面に塗布されたワッ
クス上で咳円盤に対して平行に移動させて貼り付けるこ
とを特徴とするものである。
クス上で咳円盤に対して平行に移動させて貼り付けるこ
とを特徴とするものである。
本発明において、真空チャックによりチャッキングした
ウェハを回転させながら１日替上面に塗布されたワック
ス上で該円盤！二対して平行に移動させるのは、ウェハ
と円盤間のワックスを簿く均一：：延ばし、かつウェハ
とワックス間の気泡を除去することにより、ウニへの密
着性をよくするためである。上記の平行移動は円運動あ
るいは直線運動等によって行なわれるが。
ウェハを回転させながら１日替上面に塗布されたワック
ス上で該円盤！二対して平行に移動させるのは、ウェハ
と円盤間のワックスを簿く均一：：延ばし、かつウェハ
とワックス間の気泡を除去することにより、ウニへの密
着性をよくするためである。上記の平行移動は円運動あ
るいは直線運動等によって行なわれるが。
ウェハの密着性をよ（するためＩ：は円運動カー望まし
い、この際、ウニへの移動距離がｌｏＩＥＩ未満である
とワックスの延び及び気泡の除去効果が少ないため、ウ
ニへの移動距離は１０１ｄ以上必要である。
い、この際、ウニへの移動距離がｌｏＩＥＩ未満である
とワックスの延び及び気泡の除去効果が少ないため、ウ
ニへの移動距離は１０１ｄ以上必要である。
以下、本発明の一実施例を第２図（ａ）〜（ｅ）を参照
して説明する。
して説明する。
実施例
まず、反りがＪＩ８ＨＯ６１１の規格で１５及び３０で
４インチ径、厚さ約６５０μ淋のウニ／１１１Ｃ＄２図
（１）図示）を、ウェハ１１より小径の真空チャック１
２によりチャッキングし、クエへ１１を平坦に矯正した
（８２図（ｂ）図示）。
４インチ径、厚さ約６５０μ淋のウニ／１１１Ｃ＄２図
（１）図示）を、ウェハ１１より小径の真空チャック１
２によりチャッキングし、クエへ１１を平坦に矯正した
（８２図（ｂ）図示）。
次（二上面にワックス１１を塗布した円盤１４上面に真
空チャック１２によりチャッキングされたウェハ１１を
１円＠１４上面に対して平行になるように押しつけた。
空チャック１２によりチャッキングされたウェハ１１を
１円＠１４上面に対して平行になるように押しつけた。
つづいて、真空チャック１２上に連結した偏心軸１５に
よりウェハ１１を回転させ、かつ円１１１４に対して平
行に円運動で約２ｏｕ移動させた（＠２図（Ｃ）図示）
。
よりウェハ１１を回転させ、かつ円１１１４に対して平
行に円運動で約２ｏｕ移動させた（＠２図（Ｃ）図示）
。
上記の操作により、ウェハ１１と円１１３４閣のワック
ス１３が薄く均一に延ばされ、かつウェア１１１とワッ
クスＩＪ間の気泡が除去されるため、ウェハ１１の密着
性がよくなる。このため。
ス１３が薄く均一に延ばされ、かつウェア１１１とワッ
クスＩＪ間の気泡が除去されるため、ウェハ１１の密着
性がよくなる。このため。
真空チャック１２を取り除いても、ウニ１１１１は円盤
１４上面に平行に保たれたまま貼り付けられた（＠２図
（ｄ）図示）。つづいて、貼り付けられたウニへの表面
に常法に従って鏡面加工を行ない、集積回路用半導体ウ
ェアｚｌｌ”を得た（８２図・【ｅ）図示）。
１４上面に平行に保たれたまま貼り付けられた（＠２図
（ｄ）図示）。つづいて、貼り付けられたウニへの表面
に常法に従って鏡面加工を行ない、集積回路用半導体ウ
ェアｚｌｌ”を得た（８２図・【ｅ）図示）。
鏡面加工後、得られた９１７１１００枚Ｃ：・つν１て
貼付精度及び加工精度を測にしたところ下記表のように
なった。なお１表中の比較例は従来のウェハ押え棒によ
る方法で円盤Ｃ：貼り付Ｃすて鏡面加工を行なったウニ
６１００枚Ｉ：つ５Ｘて貼付精度及び加工精度を測定し
たものである。
貼付精度及び加工精度を測にしたところ下記表のように
なった。なお１表中の比較例は従来のウェハ押え棒によ
る方法で円盤Ｃ：貼り付Ｃすて鏡面加工を行なったウニ
６１００枚Ｉ：つ５Ｘて貼付精度及び加工精度を測定し
たものである。
ここで、貼付精度はウェハを円＠ｌ二貼り付番すだ際の
＄３図に示すウェハ外周から５ｕの４個所でのウェハと
円盤間のワックス庫を電気マイクロメータで測定したも
ので、下記表中ワックス厚の最大値と最小値の差σ）平
均値Ｘ及びその標準偏差−Ｘを示している。
＄３図に示すウェハ外周から５ｕの４個所でのウェハと
円盤間のワックス庫を電気マイクロメータで測定したも
ので、下記表中ワックス厚の最大値と最小値の差σ）平
均値Ｘ及びその標準偏差−Ｘを示している。
また加工精度は鏡面加工後のウェハ厚をＪ１８ＨＯ６１
１の規格ａ二従い測定したもので、下記表中ウェハ厚の
最大値と最小値との差の平均値ｙ及びその４］＠準偏差
＃ｙを示してｌ／）る。
１の規格ａ二従い測定したもので、下記表中ウェハ厚の
最大値と最小値との差の平均値ｙ及びその４］＠準偏差
＃ｙを示してｌ／）る。
単位μ鷺
上記表から明らかなように、反りが１５及び３０のウニ
へのいずれについても、その貼付精度は平均値、標準偏
差ともに実施例の方が比較例よりも小さい値を示してい
る。このことは本発明方法によってウェハを円ａζ：貼
り付ける方がワックスが均一に延ばされていることを示
し。
へのいずれについても、その貼付精度は平均値、標準偏
差ともに実施例の方が比較例よりも小さい値を示してい
る。このことは本発明方法によってウェハを円ａζ：貼
り付ける方がワックスが均一に延ばされていることを示
し。
ひいてはウェハが平坦であることを示している。
この結果として９反りが１５及び３０のウェハのいずれ
についても、その加工精度は平均値。
についても、その加工精度は平均値。
標準偏差ともに実施例の方が比較例よりも小さい値を示
す。すなわち１本発明方法によって円盤に貼り付け゛ら
れたウェハに鏡面加工を施すと。
す。すなわち１本発明方法によって円盤に貼り付け゛ら
れたウェハに鏡面加工を施すと。
厚木カ均一でバラツキのないウニ八が得られることを示
している。
している。
以上詳述した如く本発明によれば、ウニ八を均一厚さで
鏡面加工又はラツピンダ加工でＩ！！。
鏡面加工又はラツピンダ加工でＩ！！。
ひいてはこのウニ八から品質のバラツキのない半導体装
置を得ることができる等顕著な効果を有する。
置を得ることができる等顕著な効果を有する。
第１図（１）〜（Ｃ）は従来のウェハの加工方法を示す
断面図、１ｇ２図（皇）〜（ｅ）は本発明の実施例にお
けるウニへの加工方法を示す断面図、８３図はワックス
厚の測定個所を示す平面図である。 １１・・・ウニ八％１２・・・真空チャック、１３・・
・ワックス、１４・・・円盤、１５・・・偏心軸。
断面図、１ｇ２図（皇）〜（ｅ）は本発明の実施例にお
けるウニへの加工方法を示す断面図、８３図はワックス
厚の測定個所を示す平面図である。 １１・・・ウニ八％１２・・・真空チャック、１３・・
・ワックス、１４・・・円盤、１５・・・偏心軸。
Claims (1)
- 平坦な円盤にワックスを使用してウェハを貼り付け、片
面を鏡面加工又はラッピング加工する方法ｉ二おいて、
ウェハの加工面を真空チャックによりチャッキングし、
ウェハを回転させながら、円盤上面に塗布されたワック
ス上で該円盤に対して平行に移呻、させ゛て貼り付ける
ことを特徴とするクエへの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15981281A JPS5860541A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | ウエハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15981281A JPS5860541A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | ウエハの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860541A true JPS5860541A (ja) | 1983-04-11 |
| JPH0332212B2 JPH0332212B2 (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=15701785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15981281A Granted JPS5860541A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | ウエハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860541A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263437A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
| JP2011025338A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物固定方法 |
| JP2012049448A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164535A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Toshiba Corp | Manufacture of semicondutor element |
| JPS57147241A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Nec Corp | Bonding method for crystal wafer |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP15981281A patent/JPS5860541A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164535A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Toshiba Corp | Manufacture of semicondutor element |
| JPS57147241A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Nec Corp | Bonding method for crystal wafer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263437A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
| JP2011025338A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物固定方法 |
| JP2012049448A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0332212B2 (ja) | 1991-05-10 |
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