JPS5858781A - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
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- JPS5858781A JPS5858781A JP57135898A JP13589882A JPS5858781A JP S5858781 A JPS5858781 A JP S5858781A JP 57135898 A JP57135898 A JP 57135898A JP 13589882 A JP13589882 A JP 13589882A JP S5858781 A JPS5858781 A JP S5858781A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁電変換素子に関するものであって、特に無刷
子モータ等に適用するのに最適な鼻′り変換素子を提供
するものである。
子モータ等に適用するのに最適な鼻′り変換素子を提供
するものである。
無刷子モータにおいて、ステータコイルに流れる電流を
順次スイッチングするために、磁電変換素子を使用して
回転子の位置検出を行なう事が従来より知られている。
順次スイッチングするために、磁電変換素子を使用して
回転子の位置検出を行なう事が従来より知られている。
(i
この磁電変換素子として例えば、半導体ホール素子、半
導体磁気抵抗素子、プレーナホール孝子、磁性体磁気抵
抗素子等がある。これらのうち半導体を使用した素子は
キャリアの数及び易動度の温度変化が大きくて温度特性
が悪いので、温度補償用の外部回路を必要とする。また
出力信号の大きさが磁場の強さによって変るので、無刷
子モータ[有]く磁界の方向を検知するスイッチング素
子として使用する場合には、信号磁界形成手段の部特性
及び機械的精度を高めるか、外部回路にすsツタ作用を
附与する必要があり、いづれにしてもコストの面で不利
である。
導体磁気抵抗素子、プレーナホール孝子、磁性体磁気抵
抗素子等がある。これらのうち半導体を使用した素子は
キャリアの数及び易動度の温度変化が大きくて温度特性
が悪いので、温度補償用の外部回路を必要とする。また
出力信号の大きさが磁場の強さによって変るので、無刷
子モータ[有]く磁界の方向を検知するスイッチング素
子として使用する場合には、信号磁界形成手段の部特性
及び機械的精度を高めるか、外部回路にすsツタ作用を
附与する必要があり、いづれにしてもコストの面で不利
である。
一方、磁性体を使用した素子では、普通、金属磁性体を
使用するので、抵抗率及び磁気抵抗係数の温度変化は小
さくて、温度特性は夷好である。
使用するので、抵抗率及び磁気抵抗係数の温度変化は小
さくて、温度特性は夷好である。
Iだ磁性体そのものの性質として、信号磁界がある程度
以上となると飽和するので、信号磁界の大音すの変動に
対してリミッタ作用をもっている。
以上となると飽和するので、信号磁界の大音すの変動に
対してリミッタ作用をもっている。
したがって無祠子モータの如り、磁界の方向を検知する
スイッチング素子として利用する場合に+を半導体を使
用した素子よりも磁性体を使用した素子の方が本質的に
有利であるといえる。しかしながら、従来の磁性体を使
用した磁電変換素子のうち、プレーナホール素子は出力
電圧が小さくて、無刷子モータの駆動の様な目的に用い
るには、高利得の増巾器等の特殊な周辺回路を必要とす
るという欠点がある。また磁気抵抗素子は出力電圧を大
きくとれるが、2端子素子であるために出力電力電圧に
較・べて無視できず、このため温度変化による零点ドリ
フトが実用上問題となる。
スイッチング素子として利用する場合に+を半導体を使
用した素子よりも磁性体を使用した素子の方が本質的に
有利であるといえる。しかしながら、従来の磁性体を使
用した磁電変換素子のうち、プレーナホール素子は出力
電圧が小さくて、無刷子モータの駆動の様な目的に用い
るには、高利得の増巾器等の特殊な周辺回路を必要とす
るという欠点がある。また磁気抵抗素子は出力電圧を大
きくとれるが、2端子素子であるために出力電力電圧に
較・べて無視できず、このため温度変化による零点ドリ
フトが実用上問題となる。
本発明は複数の磁気抵抗素子を組合せることによってプ
レーナホール素子の特徴と磁気抵抗素子の特徴とを保持
した才\上述の欠点を除くと共に極めてコンパクトに構
成し得るようにした3端子磁電変換素子に係るものであ
る。
レーナホール素子の特徴と磁気抵抗素子の特徴とを保持
した才\上述の欠点を除くと共に極めてコンパクトに構
成し得るようにした3端子磁電変換素子に係るものであ
る。
次に本発明の磁電変換素子の基本原履及び構成を第1図
及び第2図に付き述べる。
及び第2図に付き述べる。
第1図において、磁電変換素子(1)は磁気抵抗効果を
有する平板状の強磁性体A、Bからなっている。強磁性
体A、Bは互にその長手方向が直交する如く配されかつ
電気的に直列回路を構成する如く接続されている。この
直列回路の両端にはバイアス電流供給用の電流端子12
+、 (3)が、また中点には出力電圧取出し用の出力
端子(4)が夫々設けられている。電流端子(21,(
3)は電源(5)に接続され、その一方の電流端子(3
)はアースされて、全体として磁電変換回路(6)が構
成されている。
有する平板状の強磁性体A、Bからなっている。強磁性
体A、Bは互にその長手方向が直交する如く配されかつ
電気的に直列回路を構成する如く接続されている。この
直列回路の両端にはバイアス電流供給用の電流端子12
+、 (3)が、また中点には出力電圧取出し用の出力
端子(4)が夫々設けられている。電流端子(21,(
3)は電源(5)に接続され、その一方の電流端子(3
)はアースされて、全体として磁電変換回路(6)が構
成されている。
この強磁性体ABを飽和磁化きせるに充分な :)
磁界Hを、強磁性体A、Bのなす平面において強磁性体
Aの長手方向、つまり電流方向に対して角WIL#で交
差する方向に加える。一般に、飽和磁化したとき、強磁
性体の抵抗は磁気械抗の異方性によって変わるので、磁
界Hのなす角度−に応じ1強磁性体A、Bの抵抗pム及
びhは次の式(Voigt −Thomsonの式)で
表わされる。
Aの長手方向、つまり電流方向に対して角WIL#で交
差する方向に加える。一般に、飽和磁化したとき、強磁
性体の抵抗は磁気械抗の異方性によって変わるので、磁
界Hのなす角度−に応じ1強磁性体A、Bの抵抗pム及
びhは次の式(Voigt −Thomsonの式)で
表わされる。
1ie) =戸1Bil + p#cos2θ−・−・
−・−・=−(1)ρ−)=ρ↓cos2#+ρy s
i/ #・・・・・・・・・・・・(2)なお上述の(
1)及び(2)弐において、β上は強磁性体を電流と垂
直方向に飽和磁化したときの抵抗、ρlは強磁性体を電
流と平行方向に飽和磁化したときの抵抗を夫々示してい
る。
−・−・=−(1)ρ−)=ρ↓cos2#+ρy s
i/ #・・・・・・・・・・・・(2)なお上述の(
1)及び(2)弐において、β上は強磁性体を電流と垂
直方向に飽和磁化したときの抵抗、ρlは強磁性体を電
流と平行方向に飽和磁化したときの抵抗を夫々示してい
る。
なお第1図の等価回路は第2図の如くになるので、出力
端子(4)における電圧V(θ)は、となる。この(3
)式に上記(1) (21式を代入して整理すると。
端子(4)における電圧V(θ)は、となる。この(3
)式に上記(1) (21式を代入して整理すると。
(但し△ρ=ρl−ρ上とする〕
となる。この(4)式において右辺第1項は基準電圧V
s(Vs=Vo/2)を、第2項は変化量△V(#)ヲ
夫*示している。今変化量△V(t)+こ着目すると。
s(Vs=Vo/2)を、第2項は変化量△V(#)ヲ
夫*示している。今変化量△V(t)+こ着目すると。
となる0但し2ρローρl+ρ上であり、paは磁界を
加えない状態における抵抗である。
加えない状態における抵抗である。
従って出力端子(4)には磁界Hの方向に応じた出力変
化が表われ、−が0度又は180′度、及び90FII
L又は270度の時に夫々最□大値となる−0但し変化
の方向は反対となるので、#が0度及び90fとなる2
つの磁界を用いると変化量が最大となり、スイッチング
動作をさせるのに最適である事が分る。゛ 上述の(5+式から分るように、出力電圧の変化は磁界
の強さには関係しないので、磁界Hの強ざがその方向に
よって変化したとしても、この変化に関係なく磁界Hの
方向に応じた出力を発生できも但し、磁界Hの強さは強
磁性体A、Bを飽和磁化できるものでなければならない
のは勿論である。
化が表われ、−が0度又は180′度、及び90FII
L又は270度の時に夫々最□大値となる−0但し変化
の方向は反対となるので、#が0度及び90fとなる2
つの磁界を用いると変化量が最大となり、スイッチング
動作をさせるのに最適である事が分る。゛ 上述の(5+式から分るように、出力電圧の変化は磁界
の強さには関係しないので、磁界Hの強ざがその方向に
よって変化したとしても、この変化に関係なく磁界Hの
方向に応じた出力を発生できも但し、磁界Hの強さは強
磁性体A、Bを飽和磁化できるものでなければならない
のは勿論である。
更に、上述の(5)式から分るように、この素子(1)
の磁界方向に対する出力電圧変化を大きくするためには
、強磁性体ム、Bを△ρ/ρ0の大きい磁性材料で構成
する必要がある。例えば常温で△p/p@が211以上
の強磁性金属として次の様なものが知られており、これ
等は本発明の素子の材料として使用し得る。
の磁界方向に対する出力電圧変化を大きくするためには
、強磁性体ム、Bを△ρ/ρ0の大きい磁性材料で構成
する必要がある。例えば常温で△p/p@が211以上
の強磁性金属として次の様なものが知られており、これ
等は本発明の素子の材料として使用し得る。
金属 △り/p〇−金属八ル′へ0チ金属Δ〜’pos
Ni 2ih6 5[Ni−7■五406別1
−31当匹3B[lNi−20Co 448 9ON
i−1片4.60 97Ni−Th 2289(Ni
−100o 5J]2 8ONi−20P1e 3.
55 ?9Ni−IAI 1407圓1−300)
!!L53 7砺益−24胸五79 窟1−四 21
86Wi−400o 5.83 7(Ni−犯h25
0 9ENi−2Mn 2955(Ni−5CIDo5
415 9ONi−1□ 2.60 90Ji−a紬2
.484(IQi−61X)s 430 85Ni−
17R1232?5Ni−5Zn 2jOこの中でも
8ONi −20Co合金は△II/I)oが6.48
1で一喬太き(、シかもNi−Fe合金に比べて耐酸化
性に優れコストも安く、また)\ンダの乗りが良いので
実用上は最も優れた材料である。
Ni 2ih6 5[Ni−7■五406別1
−31当匹3B[lNi−20Co 448 9ON
i−1片4.60 97Ni−Th 2289(Ni
−100o 5J]2 8ONi−20P1e 3.
55 ?9Ni−IAI 1407圓1−300)
!!L53 7砺益−24胸五79 窟1−四 21
86Wi−400o 5.83 7(Ni−犯h25
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415 9ONi−1□ 2.60 90Ji−a紬2
.484(IQi−61X)s 430 85Ni−
17R1232?5Ni−5Zn 2jOこの中でも
8ONi −20Co合金は△II/I)oが6.48
1で一喬太き(、シかもNi−Fe合金に比べて耐酸化
性に優れコストも安く、また)\ンダの乗りが良いので
実用上は最も優れた材料である。
(5)式から分るように、出力電圧変化を大とするため
の他の要件は電源電圧Voで、これを高くすれば材料の
選定と同様に高出力電圧化が可能である。
の他の要件は電源電圧Voで、これを高くすれば材料の
選定と同様に高出力電圧化が可能である。
しかし高い電源電圧で使用すると、一般に素子(1)の
消費電力が増大して発熱するので好ましくなし〜消費電
力WはVoの2乗に比例し、インピーダンスρ0に反比
例する( W =%、 )ので、素子(1)のインピー
ダンスも同時に高くすれば、消費電力を増加させずに出
力電圧を大きくできる。
消費電力が増大して発熱するので好ましくなし〜消費電
力WはVoの2乗に比例し、インピーダンスρ0に反比
例する( W =%、 )ので、素子(1)のインピー
ダンスも同時に高くすれば、消費電力を増加させずに出
力電圧を大きくできる。
本発明の磁電変換素子(1)では、強磁性体A%Bの厚
味を変えなくとも電流通路の巾を狭くできるので、上述
のインピーダンスρ0を害鳥に高くでき、このため従来
のプレーナホール素子の出力電圧よりも1〜2桁大なる
出力電圧を得る事が出来る。
味を変えなくとも電流通路の巾を狭くできるので、上述
のインピーダンスρ0を害鳥に高くでき、このため従来
のプレーナホール素子の出力電圧よりも1〜2桁大なる
出力電圧を得る事が出来る。
また上述の(3)式に2いてρl及びρ」は夫々温度に
依存して変化するが、この変化の際βl及びρlit同
時に変化するので、△p及び/Qの温度変化は極めて小
となって、出力電圧変化量Δ■(θ)はほとんど影響を
受けない。
依存して変化するが、この変化の際βl及びρlit同
時に変化するので、△p及び/Qの温度変化は極めて小
となって、出力電圧変化量Δ■(θ)はほとんど影響を
受けない。
また磁電変換素子(1)は3ya子の素子であるのて電
流端子(3)を出力端子の共通端子としてアースでき、
このため電源回路等の周辺回路を簡単化できる。
流端子(3)を出力端子の共通端子としてアースでき、
このため電源回路等の周辺回路を簡単化できる。
次に本発明による磁電変換素子(1)の具体例を第3図
に示す。
に示す。
磁電変換素子(1)は1表面清浄化処理が施こされたス
ライドガラス又は写真乾板等の絶縁基板(7) Aこの
基板(7)の電画に8ONi−20Co 合金を600
〜1oooXの厚さ番こ蒸着した後に不要部分をエツチ
ング除去して形成きれた折線状若しくはジグザグ状の強
磁性体ム、Bと、これらの強磁性体A、Bのはゾ中間に
形成されている出力端子(4)と1強磁性体A、Bの他
端側に形成されている電流端子(2)。
ライドガラス又は写真乾板等の絶縁基板(7) Aこの
基板(7)の電画に8ONi−20Co 合金を600
〜1oooXの厚さ番こ蒸着した後に不要部分をエツチ
ング除去して形成きれた折線状若しくはジグザグ状の強
磁性体ム、Bと、これらの強磁性体A、Bのはゾ中間に
形成されている出力端子(4)と1強磁性体A、Bの他
端側に形成されている電流端子(2)。
(3)とによって#I成されている。強磁性体A、Bは
夫々16本の主電流通路となる直線部即ち細条要素(8
1、(91と仁れらの直線部(81、(91をその一趨
にて互いに連結している折曲1@SQO,(lυとから
なっていて、I[線部(8) 、 (9)は互いに直交
するように構成されている。そして強磁性体A、Bは全
体として夫夫長刀形の形状に構成されている。なお強磁
性体A、Hの全体形状を%蚤こ夫々正方形とすると、こ
れらの強磁性体A、Bを互にはマ同形にしかつ908回
転した状態で隣接させることによって、2つの強磁性体
A、Hの全体は、長辺と短辺との比が2:1の長方形の
形状となって非常にコンパクトになる。なおili 1
8部(81、(91の1部(8m) 、 (9りにおい
て強磁性体A、Bは互い會こ直列に接続されていて、こ
の接続部分から出力端子(4)が取出されている。
夫々16本の主電流通路となる直線部即ち細条要素(8
1、(91と仁れらの直線部(81、(91をその一趨
にて互いに連結している折曲1@SQO,(lυとから
なっていて、I[線部(8) 、 (9)は互いに直交
するように構成されている。そして強磁性体A、Bは全
体として夫夫長刀形の形状に構成されている。なお強磁
性体A、Hの全体形状を%蚤こ夫々正方形とすると、こ
れらの強磁性体A、Bを互にはマ同形にしかつ908回
転した状態で隣接させることによって、2つの強磁性体
A、Hの全体は、長辺と短辺との比が2:1の長方形の
形状となって非常にコンパクトになる。なおili 1
8部(81、(91の1部(8m) 、 (9りにおい
て強磁性体A、Bは互い會こ直列に接続されていて、こ
の接続部分から出力端子(4)が取出されている。
このように構成したのは、強a性体人、Bの全長を非常
に長くするためである。この結果、強磁性体A、Hの抵
抗を太番こすることが出来て累−j−(1)のインピー
ダンスを高くすることが出来ると共に、*子(1)を小
型化することも可籠となる=従って前述した如く、消費
電力の増加を押えかつ出力電昆を大とすることができる
・ 次に第3図に示す素子(1)の特性を述べる。強磁性体
A、Bの膜厚が例えば600Aである場合には、全抵抗
2ρQは2,5にΩとなり、−tた駆動電圧を8vにす
ればISOmVの出力電圧を発生する。このときの飽和
磁界は500e以上でありかつ消費電力は約26mWで
あって、素子(1)を動作させるに要する磁界の強さは
低くて済み、しかも消費電力も少なくてよい事が分る。
に長くするためである。この結果、強磁性体A、Hの抵
抗を太番こすることが出来て累−j−(1)のインピー
ダンスを高くすることが出来ると共に、*子(1)を小
型化することも可籠となる=従って前述した如く、消費
電力の増加を押えかつ出力電昆を大とすることができる
・ 次に第3図に示す素子(1)の特性を述べる。強磁性体
A、Bの膜厚が例えば600Aである場合には、全抵抗
2ρQは2,5にΩとなり、−tた駆動電圧を8vにす
ればISOmVの出力電圧を発生する。このときの飽和
磁界は500e以上でありかつ消費電力は約26mWで
あって、素子(1)を動作させるに要する磁界の強さは
低くて済み、しかも消費電力も少なくてよい事が分る。
この素子+1)の駆動電圧を12Vにした場合には、出
力電圧は24On++Vとなりかつ消費電力は約58m
Wとなる。また強Il性体人、Bの膜厚が例えば10
00Aである場合には、全抵抗2戸0が14にΩとなり
、駆動電圧を8vにすればISOmVの出力電圧を発生
する。
力電圧は24On++Vとなりかつ消費電力は約58m
Wとなる。また強Il性体人、Bの膜厚が例えば10
00Aである場合には、全抵抗2戸0が14にΩとなり
、駆動電圧を8vにすればISOmVの出力電圧を発生
する。
このときの飽和磁界500@以上でありかつ消費電力は
約47mWである。この素子(2)の駆動電圧を12V
にした場合には出力電圧は270mVとなりかつ消費電
力は約103mWとなる。
約47mWである。この素子(2)の駆動電圧を12V
にした場合には出力電圧は270mVとなりかつ消費電
力は約103mWとなる。
次に膜厚1000Aの素子(1)を3KO*の磁界中に
置いた場合の出力電圧の磁界の角度に対する依存性を第
4図に示す、この図中においては、縦軸に出力電圧の変
化量△■(−)を取りかつ横軸に角度#を堆っている。
置いた場合の出力電圧の磁界の角度に対する依存性を第
4図に示す、この図中においては、縦軸に出力電圧の変
化量△■(−)を取りかつ横軸に角度#を堆っている。
なお角IIl原点は第2図における点からに/4だけず
れている。この第、4図から明らかなように、出力電圧
変化はサインカーブとなり、上述の(5)式が正しい事
が分る。−が−π/4で出力電圧は104mV、−が零
即ち角度原点において出力電圧が零、−がπ/4で出力
電圧が約−103mV、−が′に/2で出力電圧が零、
−が3π/4で出力電圧が104mV、−がπで出力電
圧が零であった。
れている。この第、4図から明らかなように、出力電圧
変化はサインカーブとなり、上述の(5)式が正しい事
が分る。−が−π/4で出力電圧は104mV、−が零
即ち角度原点において出力電圧が零、−がπ/4で出力
電圧が約−103mV、−が′に/2で出力電圧が零、
−が3π/4で出力電圧が104mV、−がπで出力電
圧が零であった。
以上本発明を一実施例に基いて説明したが、本発明の技
術的思想に基いて更に変形が可能であることが理解され
よう。例えば、強磁性体A、Hの配列方向を同一平面で
互いに直角となるようにしたが、素子(2)の特性が不
良とならない範囲で夫々配列方向を任意に、例えば交差
角が70〜80°となるようにしてもよい。Iた不均一
な磁界を加えるときには、例えば強磁性体Bを基板(7
)の裏面側に、強磁性体膜と基板(7)をへだてて対向
する如く設けることも勿論可能である。また第5図に等
価回路図で示す如く、互いに等価の例えば3つの磁、1
電変換素子(1)を並列に接続して電源(5)を共通に
使うことも出来る。この場合、抵抗ρA(#)+βm(
θ)=ρl+ρニー2ρ0、ρ0=一定であるので、各
素子が夫夫具なる動作をしても各素子間の相互干渉を生
じることがない。
術的思想に基いて更に変形が可能であることが理解され
よう。例えば、強磁性体A、Hの配列方向を同一平面で
互いに直角となるようにしたが、素子(2)の特性が不
良とならない範囲で夫々配列方向を任意に、例えば交差
角が70〜80°となるようにしてもよい。Iた不均一
な磁界を加えるときには、例えば強磁性体Bを基板(7
)の裏面側に、強磁性体膜と基板(7)をへだてて対向
する如く設けることも勿論可能である。また第5図に等
価回路図で示す如く、互いに等価の例えば3つの磁、1
電変換素子(1)を並列に接続して電源(5)を共通に
使うことも出来る。この場合、抵抗ρA(#)+βm(
θ)=ρl+ρニー2ρ0、ρ0=一定であるので、各
素子が夫夫具なる動作をしても各素子間の相互干渉を生
じることがない。
なお複数の素子(11を直列に接続することも勿論であ
る。また強磁性体A、BをNi−Co合金以外Ic △
ill / fi 6 カ大である例えば8ONi−2
3Fe等で構成することが出来、この場合は弱い信号磁
界でも磁化され易くなる。更にインピーダンスをより大
きくするために、強磁性体A、Hの直線部(8)。
る。また強磁性体A、BをNi−Co合金以外Ic △
ill / fi 6 カ大である例えば8ONi−2
3Fe等で構成することが出来、この場合は弱い信号磁
界でも磁化され易くなる。更にインピーダンスをより大
きくするために、強磁性体A、Hの直線部(8)。
(9)の幅を更に小ざくする等のように、その形状を様
々に変化させることが出来る。
々に変化させることが出来る。
なお本発明の磁電変換素子は無刷子モータのロータ位置
検出や、他のスイッチング動作、ia界万肉検出等に応
用可能である。
検出や、他のスイッチング動作、ia界万肉検出等に応
用可能である。
更に上述の例では、強磁性体として金属を用%%たが、
一般に磁気抵抗効果及び金属的電気伝導を兼ねそなえた
ものはすべて使用できる。
一般に磁気抵抗効果及び金属的電気伝導を兼ねそなえた
ものはすべて使用できる。
菫た上述の例では、強磁性体A、Bが同じ抵抗を持つよ
うに構成したが、使用目的に応じて互1.%に興なる抵
抗を持つように構成することも可能である。
うに構成したが、使用目的に応じて互1.%に興なる抵
抗を持つように構成することも可能である。
本発明は上述の如く、異方性のある磁気抵抗効果を有す
る強磁性体膜を基板の一面上に形成しているので、磁性
体を使用した磁電変換素子の特徴を有し、このため磁気
飽和特性を示して信号磁界の大きざの変動に対しリミッ
タ作用を有しておへスイッチング特性に極めて優れたも
のとなる。しかも強磁性体膜を一面内く形成しているこ
とかへ飽和磁化したときに磁気抵抗の異方性によって抵
抗が変わり、その面内での磁界の方向を検出することが
できる。
る強磁性体膜を基板の一面上に形成しているので、磁性
体を使用した磁電変換素子の特徴を有し、このため磁気
飽和特性を示して信号磁界の大きざの変動に対しリミッ
タ作用を有しておへスイッチング特性に極めて優れたも
のとなる。しかも強磁性体膜を一面内く形成しているこ
とかへ飽和磁化したときに磁気抵抗の異方性によって抵
抗が変わり、その面内での磁界の方向を検出することが
できる。
蓚た強磁性体膜からなる第1及び第2の電流通路をはゾ
ジグザグ状に配しているので、強磁性体膜の厚みを変え
なくてもその幅を竺りすることによりインピーダンスを
容易に高くでき、しかも電流通路の全長を非常に長くし
てインピーダンスを高くすることができる。従って、出
力電圧を著しく大きくできると共に、消費電力の増加を
抑えやことができる。
ジグザグ状に配しているので、強磁性体膜の厚みを変え
なくてもその幅を竺りすることによりインピーダンスを
容易に高くでき、しかも電流通路の全長を非常に長くし
てインピーダンスを高くすることができる。従って、出
力電圧を著しく大きくできると共に、消費電力の増加を
抑えやことができる。
また、ρ〃及びρ土は夫々@度に依存して同時に変化す
るので、△ρ及びρ0の温度変化は極めて小となリ、出
力電圧の変化量はほとんど影響を受けない。
るので、△ρ及びρ0の温度変化は極めて小となリ、出
力電圧の変化量はほとんど影響を受けない。
更にまた。第1及び第2の電流通路がジグザグ状に接続
された複数の細条要素を夫々有すると共に1これらll
11及びjlI2の電流通路が全体として夫々はり長方
形の形状になるように構成した。従って磁電変換素子全
体を極めてコンパクトな構成とすることが可能であって
極めて実用的である。
された複数の細条要素を夫々有すると共に1これらll
11及びjlI2の電流通路が全体として夫々はり長方
形の形状になるように構成した。従って磁電変換素子全
体を極めてコンパクトな構成とすることが可能であって
極めて実用的である。
ll11WJは本発明の磁電変換素子の概略原理図。
第2図は1lII図に示す素子の等価回路図、#!3図
は磁電変換素子の具体例の平面図、第4図は出力電圧変
化量の磁界角度依存性を示す曲線図、第5図は3つ磁電
変換素子を並列に接続した場合の電源供給方式を示す等
価回路図である。 なおWJ面に用いられている符号において、(1)は磁
電変換素子、(21*(3)は電R端子4(4jは出力
m七ム及びBは磁気抵抗特性を有する強磁性体である。 代理人 土産 勝 〃 常包芳男 l 杉浦俊貴 第1図 第2WJ 第3図
は磁電変換素子の具体例の平面図、第4図は出力電圧変
化量の磁界角度依存性を示す曲線図、第5図は3つ磁電
変換素子を並列に接続した場合の電源供給方式を示す等
価回路図である。 なおWJ面に用いられている符号において、(1)は磁
電変換素子、(21*(3)は電R端子4(4jは出力
m七ム及びBは磁気抵抗特性を有する強磁性体である。 代理人 土産 勝 〃 常包芳男 l 杉浦俊貴 第1図 第2WJ 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (工)、基板の一面上に形成された異方性のある磁気抵
抗効果を有する強磁性体膜から夫々なる第1及び第2の
電流通路、 (b)1、これら第1及び第2の電流通路の一万の端部
に夫々接続された第1の端子、 (C)、前記j11及び第2の電流通路の他方の端部に
夫々接続された第2及び纂3の端子、を夫々具備し、前
記第1及び第2の電流通路は互にジグザグ状に接続され
た複数の細条g!素を夫々有すると共に全体として夫々
はり長方形の形状に構成され、前記第1電流通路の各細
条要素の延びる方向と前記第2電流通路の各細条要素の
延びる方向とは互いにはり直交するように構成され、こ
れによって、磁場の方向の変化に応じた前記第1及び第
2の電流通路の夫々の抵抗値の変化を検出するようにし
たことを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57135898A JPS5858781A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57135898A JPS5858781A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 磁電変換素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7965573A Division JPS575067B2 (ja) | 1973-07-13 | 1973-07-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5858781A true JPS5858781A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15162393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57135898A Pending JPS5858781A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5858781A (ja) |
-
1982
- 1982-08-04 JP JP57135898A patent/JPS5858781A/ja active Pending
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