JPS5847377A - フレ−ム・トランスフア−型撮像装置 - Google Patents

フレ−ム・トランスフア−型撮像装置

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JPS5847377A
JPS5847377A JP56146586A JP14658681A JPS5847377A JP S5847377 A JPS5847377 A JP S5847377A JP 56146586 A JP56146586 A JP 56146586A JP 14658681 A JP14658681 A JP 14658681A JP S5847377 A JPS5847377 A JP S5847377A
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JP
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Application number
JP56146586A
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English (en)
Inventor
Takao Kinoshita
貴雄 木下
Nobuyoshi Tanaka
田中 信義
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to FR8212083A priority patent/FR2513053B1/fr
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Priority to CA000408902A priority patent/CA1226668A/en
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/72Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフレーム・トランス・ファー・タイプの固体撮
像素子(以下CCDと略す)に関するものであり、特に
高解像静止画と動画の両撮影に共用できる固体撮像素子
構造に関するものである。
従来フレーム転送型の、エリア・センサでは撮像部の縦
方向のセル数はNTSC方式の場合走査線本数525本
の約半分の245セルからなり、またそれぞれの各セル
は感光と転送の機能をもたせている関係上一度に蓄積で
きる絵素数は245、すなわち1フイ一ルド分であり、
この1フイ一ルド分の信号電荷を読み出したあと各セル
の有効な感光領域を移動して撮像し、この1フイ一ルド
分を次に読み出すという、インクレース動作をさせて、
1フレ一ム分の画像を得ていた。
この様な方式はNTSCのテレビジョン方式ときわめて
マツチしたものであり、セル数は少な(・にもかかわら
ず解像力の優れた画質が得られる特徴を有する。
一方近年になってビデオ・スチル・カメラあるいはビデ
オ・フォトグラフィーと呼ばれる従来の銀塩フィルムの
代わりにCCD等撮像素子を用いて撮像し、それを磁気
記録しようという研究、開発が行なわれる様になった。
この様なシステムに従来のフレーム転送型のエリア・セ
ンサを使用した場合には、高画質を得るために1フレー
ム記録しようとすると時間的に少しずつずれた、テレビ
信号レートで考えると1760秒ずれた2つのフィール
ドから構成されることになり動きのある被写体を撮像し
た場合には、見苦しい画像しか得られず、この様な現象
をさげて1フイールド記録にすると、垂直方向の解像度
が約半分に落ちてしまうという欠点を有していた。
本発明は、従来のその様な欠点を改善し、ビデオ・スチ
ル・カメラに適したフレー・ム記録が可能であり、かつ
通常のテレビ動作も可能としたCCD等撮像装置の構造
を提供するものである。
以下、本発明を図面を用いて実施例と共に説明する。第
1図は、本発明に係るフレーム転送型CCDの構成を示
す図である。図中の1はフレーム転送型CCDの撮像部
である。この撮像部は、例えば、NTSC方式の場合、
垂直方向のセル数は、走査線本数とほぼ等しい数、49
0程度に設定される。すなわち従来のフレーム転送型C
CDの約倍のセル数を有している。水平方向のセル数は
、通常390あるいは570程度と、カラーサブキャリ
ア周波数に対応した数が採用される。
第1図では、その内のそれぞれ9素子および4素子だけ
を示している。又、図中2は、この撮像部に、受光、転
送をさせるための電圧を加えるための電極である。3は
蓄積部であり垂直方向のセル数は撮像部の1/2程度よ
りなり、また水平方向のセル数は撮像部と等しくなって
いる。したがってこの蓄積部は従来のフレーム転送型C
ODと略同等の数より構成されている。4は電荷を転送
するための電圧が印加される電極である。5は水平転部
として構成されている。6はこの水平転送レジスタ5の
電荷を転送するための電圧を印加する電極である。7は
水平転送レジスタ5より転送された電荷を電圧出力に変
換するアンプである。
電荷の転送方法には、従来より、単相駆動、2相駆動、
3相駆勧、4相駆動等い(つかの方法があり、本発明の
CCDの構成では、そのいずれをも採用し得るものであ
るが、単相駆動方法としては例えば特開昭55−113
94号公報に記載されている様な方法であれば良い。
第2図は本発明に係る撮像装置の平面模式図で図中20
は水平方向のセル間の電荷もれを防止するためのチャネ
ル・ストップ、斜線部21は撮像部のポリ・シリコン電
極を示し、この電極はシリコン中のポテンシャル状態の
異なる第1の領域(1)と第2の領域(II)とから成
っている。
22はシリコン中に形成されている仮想電極であ([1
)およ偽(lV)の領域を形成している。
この第1〜第4領域から垂直方向の1セルが構成されて
いる。
24.25はそれぞれ撮像部の21 、、22と同様に
構成されている。
第3図は、第2図に示した構成のCCDの内部のポテン
シャル状態を示した図である。
30は、第2図中21に相当する撮像部のポリシリコン
電極であり、撮像部のポリシリコン′醒極は全て共通に
接続され、電荷転送のための電圧が印加される様になっ
ている。このポリシリコン電極30の下は第2・図で説
明したごとく第1.第2のポテンシャル領域に分かれて
おり、第1の領域は第2の領域よりポテンシャル状態が
高くなっているO 図における実線はポリシリコン電極30が負電位の高い
状態を示し、点線は、ポリシリコン電極30の電位がわ
ずかに負または正の状態のポテンシャルをそれぞれ示す
第2図の仮想電極部22のポテンシャルは、第3図に示
すごとく第3の領域の方が第4の領域よりわずかにポテ
ンシャルが高くなっている。またこの部分のポテンシャ
ルは電極30にかける電圧には依存せず、常に一定に保
たれている。したがってポリシリコン電極に一定の電圧
を印加すれば電荷が蓄積され、パルス状の電圧を印加す
る事によって電荷は順次転送されていく。
第6図中52は蓄積部のポリシリコン電極を示している
。この蓄積部の内部ポテンシャルは撮像部と略同様に形
成されている。
尚、撮像部のポテンシャルの第1〜第4鎮域に対応して
I’、n’、■’、IV’と示す。
第3図中33は水平転送レジスタを示し、チャネル・ス
トップで片側がと・じられている。
第3図中34はチャネル・ストップ部のポテンシャル状
態を示している。
次に第1〜第5図に基づき電荷の動きについて説明する
撮像部で蓄積された電荷は、ポリシリコン電極30にパ
ルス電圧を印加することにより転送され第2図中25の
第4のポテンシャル領域に入る。
このときポリシリコン電極30にわずかに負または正の
電位が印加されると、第3図の実線で示すポテンシャル
状態となり、第4の領域の電荷は第1の領域を通じて第
2の領域に入る。次いで、この電極30に負の高い電位
を印加すると、第2の領域にあった電荷はm′領領域通
じて■′領領域転送される。このとき蓄積部のポリシリ
コン電極32に)わずかに負または、正の電位が印加さ
れると、との■′領領域り、1′、n′領領域ポテンシ
ャルが下がり■′領領域あった電荷は■′領領域転送さ
れることになる。これを順次くりかえして蓄積部に転送
された電荷は蓄積部のポリシリコン電極32にパルス状
の電圧を印加することにより水平転送レジスタまで転送
され、次いで同様な機構で水平転送レジスタを通じて外
部に読み出すことが可能である0 次いで、実際のカメラとして動作させるときの動作につ
いて、第4図(a) 、 (b)を用いて説明する。
第4図(a)は、静止画を得る為のビデオスチル・カメ
ラとして動作させるときの動作状態図、第4図(b)は
、従来の連続画を撮る為のビデオ・カメラとして動作さ
せるときの状態図をそれぞれ示す。
第4図(a)の(a−1)の状態は露光動作直前に暗電
流等により蓄積されていた不要電荷をアンチブルーミン
グ・ドレインを通じて、または、高速でCCDを動作さ
せてクリアするオール・クリアの状仲を示している。次
いで不図示のシャッタが開き、露光状態または撮像部の
蓄積状態(a−2)の状態に移る。
シャッタが閉じた後、(a−3)の状態に5つり蓄積電
荷は例えば、第1図中(1、1)、(1,2)。
(1,3)、(1,4)に蓄積された信号電荷は[4、
1)。
[4,2)、(4,3)、(4,4)へ、(2,1)、
(2゜2)、(2,3)、(2,4)に蓄積された信号
電荷は(1,1)、(1,2)、(1,3)、(1,4
)へ他の絵素に蓄積された信号電荷も同様にシフトされ
る。これを順次(りかえし、水平レジスタより(1,1
)。
(1,2)、(1,3)、(1,4);(2,1)、(
2,2)。
(2,3)・・・・・、(8,3)、(8,4);(9
,1)、(9゜2)、(9,3)、(9,4)の順で信
号電荷は時系列信号として出力することができる。この
場合(1゜1)から(4,4)までの信号電荷が(1,
1)から[4,4)へ移動するまでは読み出し周波数と
は異なる周波数で転送することも可能である。
以上のような動作により、同一の蓄積時点での1フレ一
ム分の静止画像信号を得ることができる。
次いで−この素子を通常の連続撮影用のビデオ・カメラ
として動作させるときの動作について説明する。第4図
(b)の(b−1)の状態は(a)の(a−1)の動作
に相当するオール・クリア状態を示す。
しかしこの動作は必要不可欠のものではない。
又、この場合はシャッタは必要なく、蓄積と読み出しを
交互に(り返す動作となる。(b−2) 。
(b−2)’・・・は蓄積状態をそれぞれ示し、ダラシ
記号は第2フイールド目を示している。すなわち(b−
2)で蓄積された電荷(b−3)で読み出され、(b−
2)’で蓄積された電荷は(b−3)’でそれぞれ読み
出されるわけである。
(b−4)の状態は、撮像部に蓄積された電荷が蓄積部
へ転送される状態を示す。
この本発明によるフレーム転送型CCDは撮像部の垂直
方向のセル数が490あり、蓄積部のセル数が245な
ので通常のフレーム転送型CCl) トはこの撮像部か
ら蓄積部へ移すときの動作およびインターレス方法が、
異なっている。この動作について第1図を用いて説明す
る。
先ず最初のフィールドでは、(1,1)、(1,2)。
(1,3)、(1,4)  に蓄積された電荷が蓄積部
3の(4,1)、(4,2)、(4,3)、(4,4)
  へ転送される。次いで(2,1)、(2,2)、(
2,3)、(2゜4)の電荷が同様にして(4,1)、
[4,2]、(4゜3)、(4,4)へ転送される。こ
のとき蓄積部へはパルス電圧位印加せず、前のものがそ
のまま残っている様にすれば、このセルにおいて撮像部
の2列が加算されることになる。次いで蓄積部を一行、
転送してから前述したのと同様、撮像部の2行分を転送
する。この様にして最初のフィールドを読み出したあと
、次のフィールドを読み出す際には、加算するセルを一
行ずらし、(2,1)と(3,1)。
(4,1)と(5,1)  がそれぞれ加算される様に
動作させれば、前のフィールドとインターレスされた信
号を得ることができるわけである。
以上説明した様に、本発明の撮像装置によれば通常の連
続撮り用のビデオ・カメラとしても従来のものとまった
く同様の動作が可能である。
又本発明のフレーム転送型のCODは、ビデオ・スチル
・カメラ動作においては1フレ一ム分の画像信号が高品
質で得られるという優れた機能を有している。
また、被写体が動かない様な場合には、従来の様に1つ
のセル内でフィールド毎に絵素を移動させるという動作
をさせれば、2フレ一ム分の信号をとり出すことも可能
である。
又、各画素に対応する画像情報を複数の光電変換部の電
荷を組み合わせる事によって得ているので複数のフィー
ルドによリーフレームを形成する場合に画像の細部迄滑
らかなラインを得る事ができる。従ってインターライン
法による撮像が可能となるので1つの撮像素子によりス
チル画像と連続画像とを共に撮像する事ができる効果を
有する。
尚、本発明の実施例では2つずつの光電変換部の電荷を
単に加算しているが重みを付けて加えても良い。又加算
以外の演算を行なう様にしても良い。
又組み合わされるべき光電変換部は2つに限るものでは
なく複数の隣接したものであっても良い事は言5迄もな
い。
以上説明したように、本発明に係る固体撮像素子構造t
−用いるト、ノン・インターレース・1フレーム出力か
ら成る高品位静止画撮影とインターレース・2フイール
ド出力から成る一般動画撮影のどちらにも対応できると
いう画期的な効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1同社本発明の実施例の構成概略図、第2図は本発明
の実施例の構成例を示す模式図、第3図は本発明の実施
例の内部ポテンシャル模式第4図(al (b)は本発
明を静止画及び動画撮影に用いた場合のシーケンス例を
示す図で(a)社静止画撮影の場合のシーケ/スlD%
(bJt′i動画撮影時のシーケンス図である。 1・Φ゛・・・撮像部 3e・・・・蓄積部 511・・・・水平レジスター 手続補正書(方式) 昭和57年28(θ蟻 ・、) 特許庁長官 島 田春 樹  殿 1、事件の表示 昭和56年 特許願  第 146586   号2、
発明の名称 フレーム・トランスファー型撮像装置 3、補正をする者 事件との関係       特許出願大佐 所 東京都
大田区下丸子3−30−26、補正の対象 明細書(全文) 7、補正の内容 明細書の浄書(内容に変更なし)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の光電変換部の電荷を組み合わせて蓄積する
    事により一画素分の画像信・号を形成する様ニシタフレ
    ーム・艷ランスファー型撮像装置。
  2. (2)前記画素を形成する複数の光電変換部とは少なく
    −とも一部が異なる複数の光電変換部の電荷を組み合わ
    せて蓄積する事により異なる画素の画像信号を得る事を
    特徴とする特許請求の範囲第(1) 項記載のフレーム
    ・トランスファー型撮像装置。
  3. (3)複数フィールドの画像情報によリーフレーム分の
    画像を得る様にし、各フィールドによって各画素を形成
    する光電変換部の組み合わせを変える様にした事を特徴
    とする特許請求の範囲第(1) 項記載のフレーム・ト
    ランスファー型撮像装置。
JP56146586A 1981-09-17 1981-09-17 フレ−ム・トランスフア−型撮像装置 Pending JPS5847377A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56146586A JPS5847377A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 フレ−ム・トランスフア−型撮像装置
US06/390,055 US4499496A (en) 1981-09-17 1982-06-18 Solid state image sensing device
DE19823223849 DE3223849A1 (de) 1981-09-17 1982-06-25 Festkoerper-bildabtastvorrichtung
NL8202747A NL8202747A (nl) 1981-09-17 1982-07-07 Beeldwaarneemorgaan in vaste-stofuitvoering.
FR8212083A FR2513053B1 (ja) 1981-09-17 1982-07-09
GB08219958A GB2109655B (en) 1981-09-17 1982-07-09 Solid state image sensor
CA000408902A CA1226668A (en) 1981-09-17 1982-08-06 Solid state image sensing device
CA000525940A CA1325268C (en) 1981-09-17 1986-12-19 Solid state image sensing device

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56146586A JPS5847377A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 フレ−ム・トランスフア−型撮像装置

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JPS5847377A true JPS5847377A (ja) 1983-03-19

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ID=15411055

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JP56146586A Pending JPS5847377A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 フレ−ム・トランスフア−型撮像装置

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JP (1) JPS5847377A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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