JPS584688B2 - エチニルベンゼン誘導体の製法 - Google Patents

エチニルベンゼン誘導体の製法

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JPS584688B2
JPS584688B2 JP54089167A JP8916779A JPS584688B2 JP S584688 B2 JPS584688 B2 JP S584688B2 JP 54089167 A JP54089167 A JP 54089167A JP 8916779 A JP8916779 A JP 8916779A JP S584688 B2 JPS584688 B2 JP S584688B2
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、次の一般式■ で表わされるエチニルベンゼン誘導体の新規製造方法に
関する。
上記式に於いて、Yは水素、ハロゲン、炭素原子数1乃
至3の低級アルキルまたは炭素原子数1乃至3の低級ア
ルコキシであり、 Rはンクロヘキシル基または式 (式中Y′は水素、塩素もしくは弗素、または炭素原子
数1乃至3の低級アルキルであり、Y″は水素または塩
素もしくは弗素であり、Y″′は水素または塩素もしく
は弗素である。
但し、Y、Y″及びY″′のすべてが水素になることは
ない。
)で表わされる環である。
上記式■で表わされる化合物は抗炎症特性を持つと共に
望ましい鎮痛及び下熱特性を示すことが知られている。
本発明にかかる上記式■で表わされる化合物の製造方法
は次の工程を含んでなる。
まず、一般式■ で表わされるベンジルアルコールを好ましくは三級アミ
ン塩基の存在下に、式R′SO2Clで表わされる塩化
スルホニルと反応せしめて、式■で表わされる対応する
スルホニル化合物を生成する。
上記各式に於いて、R及びYは前に定義した通りであり
、R′はアルキル、アリール若しくはアルキル置換低級
アルキル基である。
上記式、R′SO2Clで表わされる塩化スルホニルに
は、例えば、塩化メタンスルホニル、塩化ベンゼンスル
ホニル、塩化p−トルエンスルホニルなどがある次に、
式■で表わされる化合物を亜鉛または亜鉛と塩化アンモ
ニウムの存在下に還元して式■で表わされるβ−クロロ
スチレンを生成する。
最後に、上記β−クロロスチレンをアルカリ金属アルコ
キシドで脱ハロゲン化水素して式■で表わされる所望エ
チニルベンゼン誘導体とする。
アルカリ金属アルコキンドとしては、例えば、カリウム
t−ブトキシドを用いることができる。
ベンジルアルコール■と塩化スルホニルとの反応は塩化
メチレンのような不活性溶剤中でピリジン、トリエチル
アミンなどのような3級アミン塩基の存在下に行うこと
ができる。
式■で表わされる出発ベンゼンアルコールは米国特許3
952067(1976年4月20日特許)に記載され
るように置換アセトフエノンから調製することができる
本発明方法により得られる最終生成物は、抗炎症剤とし
て、また所望の鎮痛及び下熱剤として有用であって、ベ
ルギー特許809147に記載されている。
本発明方法は高価な試薬及び設備を必要とせず、手間が
かからない点で有利である。
以下、本発明を実施例について説明するが、本発明の範
囲はこれらによって限定されるものではない。
実施例1 3−クロロ−4−シクロへキンル−1−エチニルベンゼ
ンの合成 工程1:4−シクロヘキシルアセトフエノンの調製 攪拌器を備えた5リットル丸底フラスコ中に塩化メチレ
ン(2l)及び無水塩化アルミニウム(485g、3.
64モル)を装入した。
この混合物を水浴中で5℃以下に冷却し、攪拌及び冷却
を行いながら塩化アセチル(286g、3.64モル)
を35分間に亘って添加した。
添加する間に温度は9℃に上昇した。
温度を3℃に低下して、激しく攪拌しながらシクロヘキ
シルベンゼン(500g、3.12モル)を徐々に加え
た。
その間温度は5℃以下に保持した。
この添加は3.5時間に亘って行い、その後攪拌及び冷
却を1時間継続した。
次いで、氷(4000g)及び濃塩酸(800ml)中
へ上記混合物を注入し、1時間攪拌した。
層分離せしめた後、水槽を塩化メチレン(500ml)
で洗浄した。
塩化メチレン抽出物を集めて1リットルに濃縮し、エー
テル(2l)で希釈し、10%塩酸(300ml)で3
回洗浄し、さらに水(各回300ml)で3回洗浄した
このエーテル抽出物を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過
し、蒸発して淡黄固体結晶を得た。
m.p.61−67℃。この粗生成物を熱メタノール(
1500ml)に溶解し、この溶液をろ過し、次いで氷
中で2時間冷却した。
固体沈殿を沢過し、氷冷メタノール(1l)で洗浄した
固体を2時間に亘って真空(0.5ml)乾燥し、一夜
風乾した。
第1の生成物(m.p.66.3−67.5℃)の収量
は412.2gであった。
ろ液を濃縮して800mlとし、次いで一夜に亘って−
22℃に冷却した。
第2の生成物をろ別し氷冷メタノール(300ml)で
洗浄した。
乾燥後第2の生成物(m.p.66.8−68℃)11
6.5gを得た。
合計収量は528.7g(収率87%)であった。
GC分析の結果、各生成物いずれも純度は99%より大
であった。
工程2:4−シクロへキンル−α・α−ジクロロアセト
フエノンの調製 攪拌器、ガス取入管(液面下)及び温度計を取けた3リ
ットル丸底フラスコ中に、4−シクロへキシルアセトフ
エノン(202.3g、1モル)の氷酢酸(1300m
l)溶解液を装入した。
攪拌を開始すると共にガス取入管から塩素ガスを導入し
た。
反応温度が上昇して45℃に達した時、フラスコの外側
を水道水の流れで冷却して温度を40乃至45℃に調製
し、この温度で残りの反応を行った。
50分後に溶液は黄色に変じたが、この時点で塩素15
0gを消費した。
塩素の添加を止め(溶液は黄色のままであった)反応混
合物をエーレンマイヤーフラスコ(4l)に移した。
溶液が冷却するに伴い、生成物は晶出し始めた。
混合物を氷中で冷却した状態で攪拌しなから水(130
0l)を15分間に亘って添加した。
沈殿した結晶を氷浴中で30分間攪拌し、次いでろ過し
た。
得られた固体を水(1l)で洗浄し、次いで水(2l)
中に懸濁して再びろ過した。
さらに水(4l)で洗浄して白色固体結晶を得、真空乾
燥して最終生成物とした。
合計収量265.2g、収率98%、m.p.92.5
−94℃。
GC分析の結果、純度は99%より大であった。
工程3:中間生成物の分離及び精製を行うことなく次の
3つの反応を行うことができる。
a.4−シクロヘキンル−α・α・3−トリクロロアセ
トフエノンの調製 攪拌器、液面下ガス取入管、ガス排出管(ドライアイス
/アセトンで冷却せるジュワーコンデンサーに連結)、
及び温度計を備えた5l丸底フラスコ中で4−シクロヘ
キンル−α・α−ジクロロアセトフエノン(623.7
g、2.30モル)を塩化メチレン(3120ml)に
溶解した。
この溶液中にヨウ素(29.2g、0.115モル)を
加え、混合物を30分間攪拌した。
次いで、反応混合物中に塩素ガス(249.1g、3.
51モル)を1時間15分間に亘って吹き込んだ。
この間温度を20−26℃に保持した。4時間45分攪
拌した後(この時点に於いて、60MCNMRスペクト
ルに於いて6.70δ、7.23δ及び7.37δに於
けるシグナルの消失及び6.73δ、7.30δ及び7
.45δに於けるシグナルの出現から反応が完了したと
判断される)、氷冷した重亜硫酸ナトリウム(145g
水(1000ml)溶液中に混合物を注入した。
この間氷浴で冷却しながら攪拌した。
30分間攪拌した後、層分離せしめ、水槽を塩化メチレ
ン(540ml)で抽出した。
有機溶液を集め、冷水で6回(675ml)洗浄した。
次いで、有機溶液を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ
過し、透明溶液を減圧濃縮して2875mlとし、塩化
メチレン中0.80モル溶液を得た。
この溶液は次の反応に使用した。
最終生成物が3−クロロ置換基を持たない場合及び出発
原料中にすでに3−置換基が存在する場合には上述の塩
素化工程が必要でないことは理解されよう。
b,4−シクロヘキシル−α−ヒドロキシ−β・β・3
−トリクロロエチルベンゼルの調製4−シクロへキシル
−α・α・3−トリクロロアセトフエノン(上記反応に
より得た塩化メチレン中0.80モル溶液2360ml
、18.9モル)を6lエーレンマイヤーフラスコ中に
装入し、氷浴で冷却した。
この溶液に水素化ほう素ナトリウム(21.4g、0.
566モル)を加えた。
この混合物を氷浴中で30分間攪拌した。次いで、この
混合物に水(500ml)を加え、さらにペンジルトリ
−n−ブチルアンモニウムクロリド(14.7g、0.
047モル)を加えた。
得られた混合物を氷浴中で30分間激しく攪拌した。
層分離せしめ、水槽を塩化メチレンで2度(各回200
ml)抽出した。
有機溶液を集め1%硫酸(400ml)、水(400m
l)次いで飽和塩化ナトリウム溶液(400ml)で順
次洗浄した。
次いで有機溶液を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、沢過
し、得られた塩化メチレンろ液は次の反応に使用した。
c.4−シクロヘキシル−α−ヒドロキシ−β・β・3
−トリクロロエチルベンゼン・メンレートの調製 攪拌器、温度計、添加ロート及び乾燥管を備えた5リッ
トル丸底フラスコ中に上記反応で得られた塩化メチレン
溶液を移した。
この溶液を0℃に冷却し、塩化メタンスルホニル(23
7.9g、2.08モル)を加えた。
冷却及び攪拌をコンスタントに続けながらトリエチルア
ミン(228.8g、2.27モル)を1.5時間に亘
って加えた。
この間温度は5℃以下に保持した。反応混合物をさらに
1時間攪拌した。
混合物を冷水で2回(各回500ml)洗浄し、冷5%
塩酸(500ml)、冷5%重炭酸ナトリウム水溶液(
500ml)及び飽和塩化ナトリウム水溶液(500m
l)で順次洗浄した。
次いで、この塩化メチレン溶液を無水硫酸ナトリウム上
で乾燥し、ろ過し、またろ液は約45℃で真空蒸発せし
めた。
得られた粘性油を2Bエタノール(1200ml)と共
に16時間攪拌した。
得られた固体を沢過して集め、冷2Bエタノールで洗浄
し、真空乾燥して白色固体560gを得た(m.p.1
01−102℃、収率77%)。
GC分析の結果純度は99%より大であった。
工程[4:4−シクロヘキシル−β・3−ジクロロスチ
レンの調製 攪拌器及びコンデンサーを備えた3リットリ丸底フラス
コ中で4−シクロヘキンル−α−ヒドロキシ−β・β・
3−トリクロロエチルベンゼン・メシレート(350.
0g、0.907モル)を2Bエタノール(1400m
l)に懸濁した。
懸濁液を加熱してゆるやかに還流し、塩化アンモニウム
(53.49g、1.00モル)を加えた。
次いで、亜鉛ダスト(118.6g、1.81グラム原
子)を4回に分けて20分間に亘って加えた。
その際熱源を手早く取除いて、添加中に激しく沸騰が起
こらないようにした。
反応混合物を22.5時間還流した。
混合物を冷却し、塩をろ過して除去した。ろ液を真空蒸
発し、得られた残渣をエーテル(1400ml)と5%
塩酸(1500ml)に分配した。
層分離の後、有機層を水で4回(各回1000ml)洗
浄した。
有機溶液を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過し、ま
たろ液を真空蒸発して粘性油(226.3g、収率98
%)を得た。
この粘性油はガスクロマトグラフィー分析の結果4−シ
クロヘキシル−β・3−ジクロロスチレンのトランス異
性体を62.7%、シス異性体を35.6%含有してい
た。
工程5:3−クロロ−4−シクロヘキンル−1−エチニ
ルベンゼンの調製 攪拌器、窒素取入管、コンデンサー及び添加ロートを備
えた5l丸底フラスコ中でカリウム・t−ブトキシド(
106.0g、0.944モル)をトルエン(1800
ml)中に懸濁した。
懸濁液を窒素雰囲気中で加熱還流した。
熱源な除き、激しく攪拌しながら4−シクロヘキシル−
β・3−ジクロロスチレン(200.0g、0.784
モル)を15分間に亘って加えた。
添加する間に混合物は粘稠化してゲルとなったが、添加
の終了間近に稀釈した。
反応混合物は攪拌しながら2.5時間還流し、次いで冷
却した。
混合物を1.5%塩酸(1000ml)、水で4回(各
回1.000ml)及び飽和塩化ナトリウム水溶液(5
00ml)で順次洗浄した。
有機層を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、ろ過し、そし
てろ液を45−60℃で真空蒸発した。
残渣を真空蒸溜し、3−クロロ−4−シクロヘキシル−
1−エチニルベンゼンの主留分144.2gを得た(b
.p.87−95℃/0.03ml、収率84%)。
GC分析の結果純度は99%より大であった。
実施例2 p−シクロヘキンルアセトフエノンを3−メトキシ−4
−フエニルアセトフエノンで置換して実施例1の手法を
繰り返し、3−メトキシ−4−フエニル−1−エチニル
ベンゼン(b.p.133−134℃/0.2mm)を
得た。
実施例3 p−シクロヘキシルアセトフエノンを4−(2−クロロ
フエニル)アセトフエノンで置換して実施例1の手法を
繰り返し、4−(2−クロロフエニル)−1−コチニル
ベンゼン(b.p.101−106℃/0.1mm)を
得た。
実施例4 p−シクロヘキシルアセトフエノンを3−メチル−4−
フエニルアセトフエノンで置換して実施例1の手法を繰
り返し、3−メチル−4−フエニル−1−エチニルベン
ゼン(m.p.57−59℃)を得た。
実施例5 p−シクロヘキシルアセトフエノンを3−クロロ−4−
フエニルアセトフエノンで置換して実施例1の手法を繰
り返し、3−クロロ−4−フエニル−1−エチニルベン
ゼン(b.p.97−100℃/0.09mm)を得た
実施例6 p−シクロヘキシルアセトフエノンを3−フルオロ−4
−フエニルアセトフエノンで置換して実施例1の手法を
繰り返し、3−フルオロ−4−フエニル−1−エチニル
ベンゼン(b.p.103℃/0.6mm)を得た。
実施例7 p−シクロへキシルアセトフエノンを4−(2−フルオ
ロフエニル)アセトフエノンで置換して実施例1の手法
を繰り返し、4−(2−フルオロフエニル)−1−エチ
ニルベンゼン(b.p.94−97℃/0.2mm)を
得た。
実施例8 p−シクロへキシルアセトフエノンを4−(2・4−ジ
フルオロフエニル)アセトフエノンで置換して実施例1
の手法を繰り返し、4−(2・4−ジフルオロフエニル
)−1−エチニルベンゼン(b.p.95−101℃/
0.1mm)を得た。
実施例9 p−シクロヘキシルアセトフエノンを4−(2・6−ジ
フルオロフエニル)アセトフエノンで置換して実施例1
の手法を繰り返し、4−(2・6−ジフルオロフエニル
)−1−エチニルベンゼン(m.p.81−83℃)を
得た。
実施例10 p−シクロヘキシルアセトフエノンを4−(o−トリル
)アセトフエノンで置換して実施例1の手法を繰り返し
、4−(o−トリル)−1−エチニルベンゼン(b.p
.29−30℃)を得た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 で表わされるベンジルアルコールを式R′SO2C1で
    表わされる塩化スルホニルと反応せしめて式で表わされ
    る対応するスルホニル化合物を生成し、該スルホニル化
    合物を亜鉛の存在下に還元して式 で表わされる対応するクロロスチレン化合物を生成し、 次いで該クロロスチレン化合物をアルカリ金属アルコキ
    シドで処理して脱塩素化することを特徴とする一般式 で表わされるエチニルベンゼン誘導体を製造する方法。 上記各式に於いて、 Yは水素、ハロゲン、炭素原子数1乃至3の低級アルキ
    ルまたは炭素原子数1乃至3の低級アルコキシであり; Rはシクロヘキシル基または次式 (式中、Y′は水素、塩素もしくは弗素原子、または炭
    素原子数1乃至3の低級アルキルであり、Y″は水素ま
    たは塩素もしくは弗素原子であり、Y″′は水素または
    塩素もしくは弗素原子である。 但し、Y、Y′、Y″及びY″′のうち少くとも1つは
    水素ではない。 )で表わされる環であり、R′はアルキル、アリールま
    たは低級アルキル置換アルキルである。 2 各式中のRがシクロヘキシルであり、Yが塩素であ
    り、R′がメチルであって、得られる生成物が3−クロ
    ロ−4−シクロヘキシル−1−エチニルベンゼンである
    特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 各式中のRがフエニルであり、Y′、Y″及びY″
    ′が水素であり、Yがメトキシであり、R′がメチルで
    あって、得られる生成物が3−メトキシ−4−フエニル
    −1−エチニルベンゼンである特許請求の範囲第1項記
    載の方法。 4 各式中のRがフエニルであり、Y′が塩素であり、
    Y、Y″及びY″′が水素であり、R′がメチルであっ
    て、得られる生成物が4−(2−クロロ−フエニル)−
    1−エチニルベンゼンである許請求の範囲第1項記載の
    方法。 5 各式中のRがフエニルであり、Y′、Y″及びY″
    ′が水素であり、Yがメチルであり、R′がメチルであ
    って得られる生成物が3−メチル−4−フエニル−1−
    エチニルベンゼンである特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 6 各式中のRがフエニルであり、Y′、Y″及びY″
    ′が水素であり、Yが塩素であり、R′がメチルであっ
    て、得られる生成物が3−クロロ−4−フエニル−1−
    エチニルベンゼンでアル特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 7 各式中のRがフエニルであり、Y′、Y″及びY″
    ′が水素であり、Yが弗素であり、R′がメチルであっ
    て得られる生成物が3−フルオロ−4−フエニル−1−
    エチニルベンゼンである特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 8 各式中のRがフエニルであり、Y′が弗素であり、
    Y″及びY″′が水素であり、R′がメチルであって、
    得られる生成物が4−(2−フルオロフエニル)−1−
    エチニルベンゼンである特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 9 各式中のRがフエニルであり、Y′及びY″がそれ
    ぞれ弗素であり、Y″′が水素であり、R′がメチルで
    あって得られる生成物が4−(2・4−ジフルオロフエ
    ニル)−1−エチニルベンゼンである特許請求の範囲第
    1項記載の方法。 10 各式中のRがフエニルであり、Y′及びY″′が
    それぞれ弗素であり、Y″が水素であり、R′がメチル
    であって、得られる生成物が4−(2・6−ジフルオロ
    フエニル)−1−エチニルベンゼンである特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 11 各式中のRがフエニルであり、Y′がメチルであ
    り、Y″及びY″′が水素であり、R′がメチルであっ
    て、得られる生成物が4−(o−トリル)−1−エチニ
    ルベンゼンである特許請求の範囲第1項記載の方法。 12 式 で表わされるジクロロアセトフエノンを塩素化して式 で表わされる対応するα・α・3−トリクロロ化合物を
    生成し、 該α・α・3−トリクロロ化合物を還元して式で表わさ
    れるベンジルアルコール化合物を生成し該ベンジルアル
    コール化合物を式;R′SO2Clで表わされる塩化ス
    ルホニルと反応せしめて式で表わされる対応するスルホ
    ニル誘導体を生成し、該スルホニル誘導体を亜鉛の存在
    下に還元して式 で表わされるクロロスチレンを生成し、次いで、該クロ
    ロスチレン化合物をアルカリ金属アルコキシドと反応せ
    しめて脱塩素化することを特徴とする一般式 で表わされるエチニルベンゼン誘導体を製造する方法。 上記各式に於いて、R′はアルキル、アリールまたは低
    級アルキル置換アルキルである。
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