JPS5833310A - 表面弾性波装置 - Google Patents
表面弾性波装置Info
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- JPS5833310A JPS5833310A JP13010481A JP13010481A JPS5833310A JP S5833310 A JPS5833310 A JP S5833310A JP 13010481 A JP13010481 A JP 13010481A JP 13010481 A JP13010481 A JP 13010481A JP S5833310 A JPS5833310 A JP S5833310A
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- Japan
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- substrate
- filter
- acoustic wave
- single crystal
- surface acoustic
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明拡、無線通信機、ＦＭ放送受信機、テレビジョン
放送受信機などに使翔する表面弾−波を利用した帯域通
過！！ｌフィルタなどの一面弾性波装置の基板材料に関
する。
放送受信機などに使翔する表面弾−波を利用した帯域通
過！！ｌフィルタなどの一面弾性波装置の基板材料に関
する。
表面弾性波（以下ＳＡＷと略す）は、共振を、非共振＃
１（通過塁）に大別されるが、共−臘は低損失化が可能
であ）、種々の構造が素案されている。共振器ｍフィル
タの帯域幅は反射器の帯域幅で決まり、′特にすだれ状
鑞極短絡形反射器を用いると、その比帯域は基板材料の
電気機械結合係数に２に比例する。二般に圧電表面すベ
シ波（以下ＳＳＷと略す）モードは、Ｖ−ν波モードに
比べてｌ（ｌが大きいので、広帯域ＳＡＷフィルタには
ＳＳＷモードを利用するのが有利である。
１（通過塁）に大別されるが、共−臘は低損失化が可能
であ）、種々の構造が素案されている。共振器ｍフィル
タの帯域幅は反射器の帯域幅で決まり、′特にすだれ状
鑞極短絡形反射器を用いると、その比帯域は基板材料の
電気機械結合係数に２に比例する。二般に圧電表面すベ
シ波（以下ＳＳＷと略す）モードは、Ｖ−ν波モードに
比べてｌ（ｌが大きいので、広帯域ＳＡＷフィルタには
ＳＳＷモードを利用するのが有利である。
従来、比帯域がａ、５〜＆０％、共ｆＲｅｍｓ人Ｗフィ
ルタ廟基板としては、ＳＳＷモードを利用したＬ ｓ
Ｔ’ＪＩ Ｏａ単結晶３６°回転Ｙ−ｃｕｔ板（表面波
：Ｘ軸方向伝播、以下３６９Ｙ−Ｘ−板と略ｔ）が研究
されてｌ。これは、ＬｉＴａ０．単結晶上のＳＳＷモー
ドは擬似表面波であるが、３６０回転Ｙ−ｃｕｔ近傍で
、導体被膜表面の伝播損失が極小になるとす石温論計算
（岩橋、山之内、柴山：電子通信学会諌術研究機告ＵＳ
７７−４３．１９７７）に基づＩ／％九ものである。を
九３６・Ｙ −Ｘ″板は、ｋｌが〜α０４５、周波数の
温度係数十・Ｉが〜ａ ｓ ｐｐｍ／Ｃであシ、上記フ
ィルタの設計が可能なためでらる。しかし３６”Ｙ−Ｘ
−板よｐ 、ｋ１上記比帯域がα５〜３％の共振４１１
４フイルタの設計自由度が増大する。さらに、結晶育成
の面から考えると１後述するように３６°回転Ｙ方向は
成長容易軸ではなく、容易軸近傍の基板が使用できるな
らば、実用上有利となる。ここでａ明のためにＬｉＴａ
０．回転ｙ −ｃｕｔ板の鵬方位をＡ１１図に示す、同
図において、ｘ、ｙ、ｚは結晶基準軸から決められた軸
であ如、所祷工几Ｅ標準にもとづいておシ、建２−指数
で表示するとｘ、ｙ、ｚ軸はそれぞれ、［２１１０］、
（０１１０）。
ルタ廟基板としては、ＳＳＷモードを利用したＬ ｓ
Ｔ’ＪＩ Ｏａ単結晶３６°回転Ｙ−ｃｕｔ板（表面波
：Ｘ軸方向伝播、以下３６９Ｙ−Ｘ−板と略ｔ）が研究
されてｌ。これは、ＬｉＴａ０．単結晶上のＳＳＷモー
ドは擬似表面波であるが、３６０回転Ｙ−ｃｕｔ近傍で
、導体被膜表面の伝播損失が極小になるとす石温論計算
（岩橋、山之内、柴山：電子通信学会諌術研究機告ＵＳ
７７−４３．１９７７）に基づＩ／％九ものである。を
九３６・Ｙ −Ｘ″板は、ｋｌが〜α０４５、周波数の
温度係数十・Ｉが〜ａ ｓ ｐｐｍ／Ｃであシ、上記フ
ィルタの設計が可能なためでらる。しかし３６”Ｙ−Ｘ
−板よｐ 、ｋ１上記比帯域がα５〜３％の共振４１１
４フイルタの設計自由度が増大する。さらに、結晶育成
の面から考えると１後述するように３６°回転Ｙ方向は
成長容易軸ではなく、容易軸近傍の基板が使用できるな
らば、実用上有利となる。ここでａ明のためにＬｉＴａ
０．回転ｙ −ｃｕｔ板の鵬方位をＡ１１図に示す、同
図において、ｘ、ｙ、ｚは結晶基準軸から決められた軸
であ如、所祷工几Ｅ標準にもとづいておシ、建２−指数
で表示するとｘ、ｙ、ｚ軸はそれぞれ、［２１１０］、
（０１１０）。
［０００１］で６る。ｘ／ 、ｙ／ 、ｚｌはＸ軸を回
転軸として、反時計回９に０だけ回転して作られたもの
である。
転軸として、反時計回９に０だけ回転して作られたもの
である。
本発明の目的は、ＳＳＷの伝播する基板材料として、Ｌ
：Ｔａｏｓｌ！を晶の回転Ｙ−Ｃｕｔ板を考え、れを用
いて低損失かつ広帯域な周波数特性を有する８ＡＷ装置
を提供することである。
：Ｔａｏｓｌ！を晶の回転Ｙ−Ｃｕｔ板を考え、れを用
いて低損失かつ広帯域な周波数特性を有する８ＡＷ装置
を提供することである。
上記の目的を達成するため、本発明においてＳＡＷ装置
の圧電体基板として、Ｌｉ７ａＯｓ単結晶回転ｙ −ｃ
ｕｔ板でちゃ１回転角０が３００≦０≦３４０の範囲の
基板を用いる。声に上記０として：１９３’の基板を用
−ると良い。
の圧電体基板として、Ｌｉ７ａＯｓ単結晶回転ｙ −ｃ
ｕｔ板でちゃ１回転角０が３００≦０≦３４０の範囲の
基板を用いる。声に上記０として：１９３’の基板を用
−ると良い。
以下、本発明を詳述する。
まずＬｉＴａ０．単結晶回転Ｙ−Ｃｕｔ基板における伝
播遺失、表面波音速、電気機械結合係数そして周波数の
＠度係数の回転角−依存性のＡ１１ｌ！！ｆ釆について
述べる。これより低損失なＳＡＷ装置用基板として最適
な本発明の回転角０の範囲を説明する。
播遺失、表面波音速、電気機械結合係数そして周波数の
＠度係数の回転角−依存性のＡ１１ｌ！！ｆ釆について
述べる。これより低損失なＳＡＷ装置用基板として最適
な本発明の回転角０の範囲を説明する。
４２図はＬｉＴａ０．単結晶０Ｒ回転ｙ −ｃｕｔ基板
の１田表面および導体被膜表面を、Ｘ−軸方向に伝播す
る８８Ｗの伝播損失αｔ、α、の実測値である。この結
果、伝播損失は６ｇ、ｇ、ともθ＝３０”から４０°の
４囲でほとんど変わらないことがわかる。これは、伝播
損失が自由表面の場合θ＝３５０で、導体被膜表面の場
合＃ −３６”で極小値をとるとする前記柴山氏らの運
論針算結果と異なる。従来この環鍮績果をもとに０−３
５・または３６°の基板以外は瀘われてｉなかったが、
第２図の結果よシ、伝播損失に関しては、回転角θが３
０°≦−≦４０・の範囲の基板が使用可能である。しか
し、＃＜１０’では、伝播損失が増加し、低損失ＳＡＷ
フィルタ用基板基板ては不適でおる。
の１田表面および導体被膜表面を、Ｘ−軸方向に伝播す
る８８Ｗの伝播損失αｔ、α、の実測値である。この結
果、伝播損失は６ｇ、ｇ、ともθ＝３０”から４０°の
４囲でほとんど変わらないことがわかる。これは、伝播
損失が自由表面の場合θ＝３５０で、導体被膜表面の場
合＃ −３６”で極小値をとるとする前記柴山氏らの運
論針算結果と異なる。従来この環鍮績果をもとに０−３
５・または３６°の基板以外は瀘われてｉなかったが、
第２図の結果よシ、伝播損失に関しては、回転角θが３
０°≦−≦４０・の範囲の基板が使用可能である。しか
し、＃＜１０’では、伝播損失が増加し、低損失ＳＡＷ
フィルタ用基板基板ては不適でおる。
第３図は、自由表面および導体被膜表面をＸ軸方向に伝
播する８８Ｗの音速Ｖ″？ ＠ ｖ−ｗａの実測値であ
る。Ｖ］は３０・≦０≦４０・の範囲でほとんど変化し
な−のに対して、Ｖ″；はθ−ｇ ｏ’から４０°で増
加することがわか′る。これは前記理論値（第３図破線
）とよい一致を示して−る。
播する８８Ｗの音速Ｖ″？ ＠ ｖ−ｗａの実測値であ
る。Ｖ］は３０・≦０≦４０・の範囲でほとんど変化し
な−のに対して、Ｖ″；はθ−ｇ ｏ’から４０°で増
加することがわか′る。これは前記理論値（第３図破線
）とよい一致を示して−る。
ＳＡＷフィルタのすだれ状電極のピッチは中心周波数に
反比例する。またこのピッチはは譬ｖ１に依存する。８
００ＭＨ！以上の高周波フィルタの場合には、このピッ
チは２ｎｍ（電極ストライプ幅は１μｍ）以下となるの
で、回転角が３０°に近づくほど、作製プロセス上有利
となる。
反比例する。またこのピッチはは譬ｖ１に依存する。８
００ＭＨ！以上の高周波フィルタの場合には、このピッ
チは２ｎｍ（電極ストライプ幅は１μｍ）以下となるの
で、回転角が３０°に近づくほど、作製プロセス上有利
となる。
第４図は、第３図のｖｌ、マ１の実測値から算出シた電
気機械結合係数ｋｌ（ｋｌ＝２（ｖ−、−ｖ−、）／Ｖ
′″Ｍ）である。０が４０＠から３００まで減少するに
したがってｌ（ｌは増大する。また前記理論値（ｇ４１
５ｉ０破線）トハ３０°≦０≦ａ ５ｅ ｏ範囲テはよ
く一致するが、３５０く一≦４０’では異なっている。
気機械結合係数ｋｌ（ｋｌ＝２（ｖ−、−ｖ−、）／Ｖ
′″Ｍ）である。０が４０＠から３００まで減少するに
したがってｌ（ｌは増大する。また前記理論値（ｇ４１
５ｉ０破線）トハ３０°≦０≦ａ ５ｅ ｏ範囲テはよ
く一致するが、３５０く一≦４０’では異なっている。
これよシ広帝域ＳＡＷフィルタ用基板（ｋｇ大）として
は０≦３４°の範囲が有利であ値である０回転角θが４
０°から３００まで減少するにしたがって温度係数も減
少することがわかる。これは、前記理論値（′ｓ５図破
線）傾向と一致する。３０°≦０≦３４°では、温度係
数が小さくなシ、８人Ｗフィルタの設計自由度が増大し
有利となる。
は０≦３４°の範囲が有利であ値である０回転角θが４
０°から３００まで減少するにしたがって温度係数も減
少することがわかる。これは、前記理論値（′ｓ５図破
線）傾向と一致する。３０°≦０≦３４°では、温度係
数が小さくなシ、８人Ｗフィルタの設計自由度が増大し
有利となる。
以上、従来Ｌｔ’ｒａｏ、単結晶のｓｓｗモードを利用
する場合０＝３５０または３６・゛の基板以外は使用さ
れなかったが、上記実測結果よ、９３０’≦０≦４００
の範囲の基板が直用可能であることがわかった。特に低
損失、広帯域ＳＡＷフィルタ用基板基板ては、３０°≦
θ≦３４°が有利であることか判明した。
する場合０＝３５０または３６・゛の基板以外は使用さ
れなかったが、上記実測結果よ、９３０’≦０≦４００
の範囲の基板が直用可能であることがわかった。特に低
損失、広帯域ＳＡＷフィルタ用基板基板ては、３０°≦
θ≦３４°が有利であることか判明した。
つき゛にＬｉＴｌ０．単結晶の育成について考える。
従来ａＡＷ用ＬｉＴａ０．率結晶はＸ−軸方向に成長さ
せたものが大部分である。これよｊ１３５゜Ｙ−Ｘ−板
、３６８Ｙ−Ｘ−板に加工する場合、Ｘ−面を有する同
筒形ボウルから、Ｘ−軸方向に平行に切断して用−てい
た、この場合、基板形状が長方形とな〕、フィルタ作製
プロセス、特に７オトレジエ橘での歩留９が円形基板に
比べて悪化する。上記Ｘ−面を有する円筒形ボウルから
円形の３５９Ｙ−Ｘ−板、３６’Ｙ−Ｘ″板に加工する
場合には、ボウルの側面をさらに円筒形に切削しなけれ
ばならず、基板〃ロエエ楊の増大や結晶の有効利用の点
からも不利となる。また切断面を検査は、通常Ｘ線像の
回折角を測定し、その＠折像と切断面との関係を調べる
方法が用すられる。
せたものが大部分である。これよｊ１３５゜Ｙ−Ｘ−板
、３６８Ｙ−Ｘ−板に加工する場合、Ｘ−面を有する同
筒形ボウルから、Ｘ−軸方向に平行に切断して用−てい
た、この場合、基板形状が長方形とな〕、フィルタ作製
プロセス、特に７オトレジエ橘での歩留９が円形基板に
比べて悪化する。上記Ｘ−面を有する円筒形ボウルから
円形の３５９Ｙ−Ｘ−板、３６’Ｙ−Ｘ″板に加工する
場合には、ボウルの側面をさらに円筒形に切削しなけれ
ばならず、基板〃ロエエ楊の増大や結晶の有効利用の点
からも不利となる。また切断面を検査は、通常Ｘ線像の
回折角を測定し、その＠折像と切断面との関係を調べる
方法が用すられる。
３６°回転ｙ −ｃｕｔ面には一回折角がなく、近傍の
回折角から換算しなければならな−、このように、３６
０回転Ｙ −ｃｕｔ面の検査には、多大な労力が必要な
ばかりでなく、検査積置４悪化する。
回折角から換算しなければならな−、このように、３６
０回転Ｙ −ｃｕｔ面の検査には、多大な労力が必要な
ばかりでなく、検査積置４悪化する。
一方円形基板を得るために、３６°回転Ｙ方向の育成を
行ったが、実際育成された結晶は３２９３゜回転ＹＩｉ
を有していた。この３λ９３°回転Ｙ面は（０１１２）
！ｉｉに相当し、低指数面であるから、結晶成長も容易
であるためと考えられる。この場合結晶（切断面）の検
査も（０１１２）面のＸ＠回折を利用すればよく、簡単
である。
行ったが、実際育成された結晶は３２９３゜回転ＹＩｉ
を有していた。この３λ９３°回転Ｙ面は（０１１２）
！ｉｉに相当し、低指数面であるから、結晶成長も容易
であるためと考えられる。この場合結晶（切断面）の検
査も（０１１２）面のＸ＠回折を利用すればよく、簡単
である。
以上、緒、晶の育成や切断面の検査に関しても、上記回
転角範囲（３０°≦θ≦３４°）、籍にθ＝：１９３・
が有利となる。
転角範囲（３０°≦θ≦３４°）、籍にθ＝：１９３・
が有利となる。
以下、本発明をＳＡＷフィルタに適用した場合を詳細に
説明する。第６図は本発明の実施例で、二−ロ共振ａ厘
フィルタでおる。基板６−１°の表面にすだれ状電極ト
ランスジューサ６−２．６−３を配置し、これらの両側
にすだれ状電極反射系６−４．６−５を配置し、６−２
から励起された表面弾性波エネルギーを反射系６−４と
６−５の間に閉込め、６−４．６−２．６−３．６−５
の電極指の位置と位相が揃う周波数で共振させ、この弾
性波によってすだれ状電極トランスジューサ６−３に励
起される電圧をとシ出す方式のフィルタで“ある。基板
６−１に回転角０が、３Ｇ”≦θ斗３４°の範囲のＬｉ
Ｔａ０１単結晶回＠ｙ−ｃｕｔ板を用いると、第２図〜
第５図から凋らかなように、３６°（または３５’）Ｙ
−Ｘ−板を用い九場合より約ｌθ％帯域幅が増大した低
損失ＳＡＷフィルタが実現できる。また、周波数の温度
特性も改善される。
説明する。第６図は本発明の実施例で、二−ロ共振ａ厘
フィルタでおる。基板６−１°の表面にすだれ状電極ト
ランスジューサ６−２．６−３を配置し、これらの両側
にすだれ状電極反射系６−４．６−５を配置し、６−２
から励起された表面弾性波エネルギーを反射系６−４と
６−５の間に閉込め、６−４．６−２．６−３．６−５
の電極指の位置と位相が揃う周波数で共振させ、この弾
性波によってすだれ状電極トランスジューサ６−３に励
起される電圧をとシ出す方式のフィルタで“ある。基板
６−１に回転角０が、３Ｇ”≦θ斗３４°の範囲のＬｉ
Ｔａ０１単結晶回＠ｙ−ｃｕｔ板を用いると、第２図〜
第５図から凋らかなように、３６°（または３５’）Ｙ
−Ｘ−板を用い九場合より約ｌθ％帯域幅が増大した低
損失ＳＡＷフィルタが実現できる。また、周波数の温度
特性も改善される。
第７図は本発明の他の実施例で、ｌｌ’ｗｉｎ−ｔｕｒ
ｎ−ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ ｆｆｉフィルタである。基板
７−１の表面に送受のトランスジューサ７−２．７−３
の両側にマルチ・ストリップカブ２７−４．７−５、四
つの反射系７−６．７−７．７−８．７−９を配置して
構成される。第６図と同様に３０″≦θ≦３４°のＬｉ
Ｔｌ０．単結晶回転Ｙ −ＣｕＳ板を用いると３６°Ｙ
−Ｘ−板に比べて低損失、広帯域ＳＡＷフィルタが実現
できる。
ｎ−ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ ｆｆｉフィルタである。基板
７−１の表面に送受のトランスジューサ７−２．７−３
の両側にマルチ・ストリップカブ２７−４．７−５、四
つの反射系７−６．７−７．７−８．７−９を配置して
構成される。第６図と同様に３０″≦θ≦３４°のＬｉ
Ｔｌ０．単結晶回転Ｙ −ＣｕＳ板を用いると３６°Ｙ
−Ｘ−板に比べて低損失、広帯域ＳＡＷフィルタが実現
できる。
その他、８ＡＷ共振器の原型でちる一開口共振器、これ
を梯子形接続したフィルタセして二開ロ共振器を複合接
続したフィルタなどの基板とじても適用できることは明
らかである。
を梯子形接続したフィルタセして二開ロ共振器を複合接
続したフィルタなどの基板とじても適用できることは明
らかである。
以上詳述してきた本発明の回転角０が３０°二〇≦３４
の範囲（Ｄ Ｌ Ｉ Ｔ ａ Ｏｓ単結晶回転Ｙ −
ｃｕｔ基板を用いると、Ｌｉ’ｌ’ａＯ，単結晶３６Ｑ
（または３５°）回転Ｙ−ｃｕｔ基板に比べて、低損失
、広帯域そして周波数の温度特性の優れたＳＡＷフィル
タなどのＳＡＷ装置が実現できる。又、０＝３λ９３・
に４当する（０１１２）面はＸ線回折面であるから、結
晶面（切断面）の検査が行い易い。さらに、（０１１２
）面（＃＝３Ｌ９３°） ハ低Ｎａ１ｌｉ−ｔ’６ ！
Ｄ、θ）３６°近傍の（０４４９）面と比較し、単結晶
の育成が容易である。
の範囲（Ｄ Ｌ Ｉ Ｔ ａ Ｏｓ単結晶回転Ｙ −
ｃｕｔ基板を用いると、Ｌｉ’ｌ’ａＯ，単結晶３６Ｑ
（または３５°）回転Ｙ−ｃｕｔ基板に比べて、低損失
、広帯域そして周波数の温度特性の優れたＳＡＷフィル
タなどのＳＡＷ装置が実現できる。又、０＝３λ９３・
に４当する（０１１２）面はＸ線回折面であるから、結
晶面（切断面）の検査が行い易い。さらに、（０１１２
）面（＃＝３Ｌ９３°） ハ低Ｎａ１ｌｉ−ｔ’６ ！
Ｄ、θ）３６°近傍の（０４４９）面と比較し、単結晶
の育成が容易である。
第１図は、ＬＩＴａＯｍ単結晶回転単結晶回転基板の軸
方位を説明するための図、第２図、第３図、第４図、第
５図は、ＬｉＴａｏｓ単結晶ｙ−ｃｕｔ基板の特性測定
結果または理論解析結果を示す図、第６図１．＄ ７１
Ｑは、本発明の実施例の構成を示す￥ｉ３ １￥１ ３０３５ ４０ 第 ６ 図 ”ｆ）７Ｕｊ３
方位を説明するための図、第２図、第３図、第４図、第
５図は、ＬｉＴａｏｓ単結晶ｙ−ｃｕｔ基板の特性測定
結果または理論解析結果を示す図、第６図１．＄ ７１
Ｑは、本発明の実施例の構成を示す￥ｉ３ １￥１ ３０３５ ４０ 第 ６ 図 ”ｆ）７Ｕｊ３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ′１．圧電体基板としてＬｉＴａ０．を用いた表面弾性
波装置におｉで、上記圧電体基板としてＬｉＴａ０１′
単結晶回転ｙ−ｃｕｔ板でらシ、回転角Ｏが３０°≦θ
≦３４０の範囲の基板を用いることを％儀とする表−弾
性波装置。 ２、上記圧電体基板としてＩｊＴｌＯ，単結晶の（０１
１２）面を有する基板（３２，９３”回転Ｙ−ｃｕｔ基
”板）を用いることを特徴とする特許請求あ範囲第１Ｊ
ＩＪ記載の一面弾性波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13010481A JPS5833310A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 表面弾性波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13010481A JPS5833310A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 表面弾性波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833310A true JPS5833310A (ja) | 1983-02-26 |
Family
ID=15026038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13010481A Pending JPS5833310A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 表面弾性波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833310A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58167496A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 |
| JPS616919A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Fujitsu Ltd | 弾性波素子 |
| JPH0236608A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-06 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
| JPH0237815A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH02123810A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH07277487A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-24 | Kouten Yoshikane | 方向転換装置 |
| US6037847A (en) * | 1995-10-13 | 2000-03-14 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device using a leaky surface acoustic wave with an optimized cut angle of a piezoelectric substrate |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP13010481A patent/JPS5833310A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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