JPH08316779A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPH08316779A JPH08316779A JP14131095A JP14131095A JPH08316779A JP H08316779 A JPH08316779 A JP H08316779A JP 14131095 A JP14131095 A JP 14131095A JP 14131095 A JP14131095 A JP 14131095A JP H08316779 A JPH08316779 A JP H08316779A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- propagation direction
- cut
- sapphire substrate
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単結晶サファイア基板上に圧電膜を形成して
なる弾性表面波素子に於いて、従来よりも高音速が得ら
れるカット面及び弾性表面波伝搬方向を見出し、これに
よって高周波数対応の弾性表面波素子を提供する。 【構成】 単結晶サファイア基板のカット面及び弾性表
面波伝搬方向を、オイラー角表示で(０°，５０°，９
０°)及びこれと実質的に等価な範囲とする。
なる弾性表面波素子に於いて、従来よりも高音速が得ら
れるカット面及び弾性表面波伝搬方向を見出し、これに
よって高周波数対応の弾性表面波素子を提供する。 【構成】 単結晶サファイア基板のカット面及び弾性表
面波伝搬方向を、オイラー角表示で(０°，５０°，９
０°)及びこれと実質的に等価な範囲とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶サファイア基板
上に圧電膜を形成してなる弾性表面波素子に関するもの
である。
上に圧電膜を形成してなる弾性表面波素子に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】携帯用電話機等の通信機器に於いては、
共振器フィルター、信号処理用遅延線等の回路素子とし
て、弾性表面波素子が用いられている。弾性表面波素子
は、例えば圧電性を有する基板の表面に櫛形の電極や反
射器を形成し、電気信号と弾性表面波の相互の変換を行
なうものである。一般に、弾性表面波素子の圧電基板に
於いては、電気機械結合係数が大きいこと、伝搬損失が
小さいこと等が要求される。
共振器フィルター、信号処理用遅延線等の回路素子とし
て、弾性表面波素子が用いられている。弾性表面波素子
は、例えば圧電性を有する基板の表面に櫛形の電極や反
射器を形成し、電気信号と弾性表面波の相互の変換を行
なうものである。一般に、弾性表面波素子の圧電基板に
於いては、電気機械結合係数が大きいこと、伝搬損失が
小さいこと等が要求される。
【０００３】ところで、近年の通信機器の高周波化に伴
って、ギガヘルツ帯で使用可能な弾性表面波素子へのニ
ーズが高まっている。弾性表面波素子の中心周波数ｆ0
は、弾性表面波の伝搬速度Ｖと波長λとの関係で次式に
よって表わされる。
って、ギガヘルツ帯で使用可能な弾性表面波素子へのニ
ーズが高まっている。弾性表面波素子の中心周波数ｆ0
は、弾性表面波の伝搬速度Ｖと波長λとの関係で次式に
よって表わされる。
【数３】ｆ0＝Ｖ／λ ここで、波長λは、電極のピッチｄによって決まる(λ
＝４ｄ)。従って、弾性表面波素子の高周波化に対応す
るには、音速(弾性表面波伝搬速度)の大きな材料を使用
する方法や、電極ピッチを狭小化する方法が考えられ
る。
＝４ｄ)。従って、弾性表面波素子の高周波化に対応す
るには、音速(弾性表面波伝搬速度)の大きな材料を使用
する方法や、電極ピッチを狭小化する方法が考えられ
る。
【０００４】従来は、弾性表面波素子の基板材料とし
て、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)や、ニオブ酸リチ
ウム(ＬiＮbＯ3)などが用いられてきた。タンタル酸リ
チウム基板の３６°Ｙ−カットＸ伝搬では、音速が４１
３２ｍ／ｓ、ニオブ酸リチウム基板の６４°Ｙ−カット
Ｘ伝搬では、音速が４４１９ｍ／ｓである。現在の量産
レベルでのパターニング技術の限界を電極ピッチ０.６
μｍとすれば、これらの基板を用いた弾性表面波素子の
中心周波数は、夫々１.７２ＧＨｚ、１.８４ＧＨｚが上
限となる。
て、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)や、ニオブ酸リチ
ウム(ＬiＮbＯ3)などが用いられてきた。タンタル酸リ
チウム基板の３６°Ｙ−カットＸ伝搬では、音速が４１
３２ｍ／ｓ、ニオブ酸リチウム基板の６４°Ｙ−カット
Ｘ伝搬では、音速が４４１９ｍ／ｓである。現在の量産
レベルでのパターニング技術の限界を電極ピッチ０.６
μｍとすれば、これらの基板を用いた弾性表面波素子の
中心周波数は、夫々１.７２ＧＨｚ、１.８４ＧＨｚが上
限となる。
【０００５】弾性表面波素子の高周波化に対する近年の
更なる要求に応じるには、更に高い音速の基板を開発す
ることが不可欠である。そこで、タンタル酸リチウムや
ニオブ酸リチウムよりも高音速が得られるサファイアを
基板として用いた弾性表面波素子の研究が行なわれてい
る。サファイアはそれ自身、圧電性を持たないため、酸
化亜鉛(ＺnＯ)や窒化アルミニウム(ＡlＮ)などの圧電薄
膜を基板表面に１層あるいは数層成膜し、この圧電薄膜
によって弾性表面波を励振させる。現在、弾性表面波素
子の基板として使用されている単結晶サファイアのカッ
ト面は、主に図９に示すＣ面と図１０に示すＲ面であ
る。
更なる要求に応じるには、更に高い音速の基板を開発す
ることが不可欠である。そこで、タンタル酸リチウムや
ニオブ酸リチウムよりも高音速が得られるサファイアを
基板として用いた弾性表面波素子の研究が行なわれてい
る。サファイアはそれ自身、圧電性を持たないため、酸
化亜鉛(ＺnＯ)や窒化アルミニウム(ＡlＮ)などの圧電薄
膜を基板表面に１層あるいは数層成膜し、この圧電薄膜
によって弾性表面波を励振させる。現在、弾性表面波素
子の基板として使用されている単結晶サファイアのカッ
ト面は、主に図９に示すＣ面と図１０に示すＲ面であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サファ
イア基板を用いた従来の弾性表面波素子においても、Ｃ
面およびＲ面での最大音速が夫々５７００ｍ／ｓ及び５
８８０ｍ／ｓであって(図３、図４参照)、更に高い音速
のカット面が存在する可能性がある。この様な最適なカ
ット面や弾性表面波伝搬方向については、未だ十分な研
究が為されていない。本発明の目的は、単結晶サファイ
ア基板を用いた弾性表面波素子に於いて、従来よりも高
音速が得られるカット面及び弾性表面波伝搬方向を見出
し、これによって高周波数対応の弾性表面波素子を提供
することである。
イア基板を用いた従来の弾性表面波素子においても、Ｃ
面およびＲ面での最大音速が夫々５７００ｍ／ｓ及び５
８８０ｍ／ｓであって(図３、図４参照)、更に高い音速
のカット面が存在する可能性がある。この様な最適なカ
ット面や弾性表面波伝搬方向については、未だ十分な研
究が為されていない。本発明の目的は、単結晶サファイ
ア基板を用いた弾性表面波素子に於いて、従来よりも高
音速が得られるカット面及び弾性表面波伝搬方向を見出
し、これによって高周波数対応の弾性表面波素子を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】一般に単結晶基板に於いて
は、カット面或いは弾性表面波伝搬方向によって音速が
変化することが知られており、サファイア基板に於いて
も、Ｃ面およびＲ面よりも高音速を持つ面方位が存在す
るものと考えられる。そこで本発明では、サファイア基
板のカット面及び弾性表面波伝搬方向を種々に変えて、
夫々の伝搬速度を理論的に計算し、その結果に基づい
て、最適なカット面及び弾性表面波伝搬方向を有する弾
性表面波素子を完成した。
は、カット面或いは弾性表面波伝搬方向によって音速が
変化することが知られており、サファイア基板に於いて
も、Ｃ面およびＲ面よりも高音速を持つ面方位が存在す
るものと考えられる。そこで本発明では、サファイア基
板のカット面及び弾性表面波伝搬方向を種々に変えて、
夫々の伝搬速度を理論的に計算し、その結果に基づい
て、最適なカット面及び弾性表面波伝搬方向を有する弾
性表面波素子を完成した。
【０００８】尚、弾性表面波伝搬速度の計算において
は、従来より知られている一般的な解法( 例えば、J.J.
Campbell, W.R.Jones,"A Method for Estimating Optim
al Crystal Cuts and Propagation Directions for Exc
itation of Piezoelectric Surface Waves", IEEE tran
saction on Sonics and Ultrasonics, vol.SU-15, No.
4, pp209-217,(1968)参照)を採用し、コンピュータシミ
ュレーションによって、カット面及び弾性表面波伝搬方
向の最適値を求めた。そして、最適なカット面及び弾性
表面波伝搬方向については、実際に弾性表面波素子を試
作して、その特性を実測したところ、シミュレーション
結果と符合する測定値が得られた。これによって、コン
ピュータシミュレーションの妥当性が裏付けられる。
は、従来より知られている一般的な解法( 例えば、J.J.
Campbell, W.R.Jones,"A Method for Estimating Optim
al Crystal Cuts and Propagation Directions for Exc
itation of Piezoelectric Surface Waves", IEEE tran
saction on Sonics and Ultrasonics, vol.SU-15, No.
4, pp209-217,(1968)参照)を採用し、コンピュータシミ
ュレーションによって、カット面及び弾性表面波伝搬方
向の最適値を求めた。そして、最適なカット面及び弾性
表面波伝搬方向については、実際に弾性表面波素子を試
作して、その特性を実測したところ、シミュレーション
結果と符合する測定値が得られた。これによって、コン
ピュータシミュレーションの妥当性が裏付けられる。
【０００９】本発明に係る弾性表面波素子は、単結晶サ
ファイア基板のカット面及び弾性表面波伝搬方向を、オ
イラ角表示で(０°，θ，ψ)及びこれと実質的に等価な
範囲とするとき、θ及びψを下記数４の範囲に設定した
ものである。
ファイア基板のカット面及び弾性表面波伝搬方向を、オ
イラ角表示で(０°，θ，ψ)及びこれと実質的に等価な
範囲とするとき、θ及びψを下記数４の範囲に設定した
ものである。
【数４】 ３２°＋９０°×ｍ≦θ≦７２°＋９０°×ｍ ６３°＋１８０°×ｎ≦ψ≦１１７°＋１８０°×ｎ 但し、ｍ及びｎは整数(０，１，２，３，…)である。
【００１０】又、具体的構成に於いて、θ及びψは下記
数５の値に設定される。
数５の値に設定される。
【数５】θ＝５０°＋９０°×ｍ ψ＝９０°＋１８０°×ｎ 但し、ｍ及びｎは整数(０，１，２，３，…)である。
【００１１】
【作用及び効果】上記数４で表わされるカット面及び伝
搬方向を有する弾性表面波素子によれば、従来のＲ面に
おける音速の最大値(５８８０ｍ／ｓ)を越える音速が得
られる。更に上記数５で表わされるカット面及び伝搬方
向を有する弾性表面波素子によれば、最大の音速(６０
６０ｍ／ｓ)が得られることになる。従って、本発明に
よれば、従来の電極微細加工技術及び圧電体材料を用い
て、より高周波数帯域で使用可能な弾性表面波素子を実
現することが可能である。
搬方向を有する弾性表面波素子によれば、従来のＲ面に
おける音速の最大値(５８８０ｍ／ｓ)を越える音速が得
られる。更に上記数５で表わされるカット面及び伝搬方
向を有する弾性表面波素子によれば、最大の音速(６０
６０ｍ／ｓ)が得られることになる。従って、本発明に
よれば、従来の電極微細加工技術及び圧電体材料を用い
て、より高周波数帯域で使用可能な弾性表面波素子を実
現することが可能である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき、図面に沿っ
て詳述する。先ず、図６に基づいて、カット面及び弾性
表面波伝搬方向を特定するためのオイラー角(φ，θ，
ψ)について説明する。図示の如くサファイア単結晶の
結晶軸をａ1軸、ａ2軸、及びｃ軸とするとき、ｃ軸を回
転軸としてａ1軸をａ2軸側へ角度φだけ回転させて、こ
れを第１軸とする。次に第１軸を回転軸としてｃ軸を反
時計回りに角度θだけ回転させ、これを第２軸とする。
この第２軸を法線として第１軸を含む面方位でカット
し、基板とする。そして、該面方位にカットした基板に
おいて、第２軸を中心として第１軸を反時計回りに角度
ψだけ回転させた軸を第３軸とし、この第３軸を弾性表
面波伝搬方向とする。このとき、カット面及び弾性表面
波伝搬方向をオイラー角(φ，θ，ψ)と表わすのであ
る。
て詳述する。先ず、図６に基づいて、カット面及び弾性
表面波伝搬方向を特定するためのオイラー角(φ，θ，
ψ)について説明する。図示の如くサファイア単結晶の
結晶軸をａ1軸、ａ2軸、及びｃ軸とするとき、ｃ軸を回
転軸としてａ1軸をａ2軸側へ角度φだけ回転させて、こ
れを第１軸とする。次に第１軸を回転軸としてｃ軸を反
時計回りに角度θだけ回転させ、これを第２軸とする。
この第２軸を法線として第１軸を含む面方位でカット
し、基板とする。そして、該面方位にカットした基板に
おいて、第２軸を中心として第１軸を反時計回りに角度
ψだけ回転させた軸を第３軸とし、この第３軸を弾性表
面波伝搬方向とする。このとき、カット面及び弾性表面
波伝搬方向をオイラー角(φ，θ，ψ)と表わすのであ
る。
【００１３】次に、シミュレーション結果について述べ
る。尚、音速の計算においては、サファイア基板の表面
に形成される圧電膜の存在は無視し、サファイア基板の
表面が自由面であると仮定した。この仮定の妥当性につ
いては後述する。
る。尚、音速の計算においては、サファイア基板の表面
に形成される圧電膜の存在は無視し、サファイア基板の
表面が自由面であると仮定した。この仮定の妥当性につ
いては後述する。
【００１４】図１は、φ＝０°、θ＝５０°でカットし
た本発明のサファイア基板の音速を、伝搬方向ψの関数
として表わしたものである。音速は１８０°の周期をも
って変動しており、ψ＝−９０°及び９０°にて音速が
最大値６０６０ｍ／ｓとなっている。一方、図３及び図
４は夫々、従来のサファイアＣ面及びＲ面における音速
を、伝搬方向ψの関数として表わしたものである。Ｃ面
及びＲ面での音速の最大値は夫々、５７００ｍ／ｓ、５
８８０ｍ／ｓである。
た本発明のサファイア基板の音速を、伝搬方向ψの関数
として表わしたものである。音速は１８０°の周期をも
って変動しており、ψ＝−９０°及び９０°にて音速が
最大値６０６０ｍ／ｓとなっている。一方、図３及び図
４は夫々、従来のサファイアＣ面及びＲ面における音速
を、伝搬方向ψの関数として表わしたものである。Ｃ面
及びＲ面での音速の最大値は夫々、５７００ｍ／ｓ、５
８８０ｍ／ｓである。
【００１５】本発明(図１)と従来(図３及び図４)の比較
から、本発明のカット面を有するサファイア基板におい
ては、６３°≦ψ≦１１７°の範囲でＲ面の最大値５８
８０ｍ／ｓよりも高い音速が得られることがわかる。
尚、図１から明らかな様に、本発明のカット面における
音速は、伝搬方向ψに対して１８０°の周期性をもって
いるので、ψの最適値は上記数４或いは数５の範囲で表
わすことが出来る。
から、本発明のカット面を有するサファイア基板におい
ては、６３°≦ψ≦１１７°の範囲でＲ面の最大値５８
８０ｍ／ｓよりも高い音速が得られることがわかる。
尚、図１から明らかな様に、本発明のカット面における
音速は、伝搬方向ψに対して１８０°の周期性をもって
いるので、ψの最適値は上記数４或いは数５の範囲で表
わすことが出来る。
【００１６】図２は、φ＝０°、ψ＝９０°の条件で、
音速をθの関数として表わしたものである。音速は９０
°の周期をもって変動しており、θ＝−１３０°、−４
０°、５０°及び１４０°にて音速が最大値６０６０ｍ
／ｓとなっている。
音速をθの関数として表わしたものである。音速は９０
°の周期をもって変動しており、θ＝−１３０°、−４
０°、５０°及び１４０°にて音速が最大値６０６０ｍ
／ｓとなっている。
【００１７】又、３２°≦θ≦７２°の範囲で、Ｒ面で
の最大値５８８０ｍ／ｓよりも大きな音速が得られるこ
とがわかる。図２から明らかなように、音速は、φ＝０
°、ψ＝９０°の条件では、θに対して９０°の周期性
をもっているので、θの最適値は上記数４或いは数５の
範囲で表わすことが出来る。
の最大値５８８０ｍ／ｓよりも大きな音速が得られるこ
とがわかる。図２から明らかなように、音速は、φ＝０
°、ψ＝９０°の条件では、θに対して９０°の周期性
をもっているので、θの最適値は上記数４或いは数５の
範囲で表わすことが出来る。
【００１８】最後に、本発明を弾性表面波共振器に適用
した実施例について説明する。図７に示す如く弾性表面
波共振器は、φ＝０°、θ＝５０°でカットしたサファ
イア基板(５)のカット面に、窒化アルミニウム(ＡlＮ)
からなる圧電膜(６)を形成している。該圧電膜(６)の表
面には、図８に示す如く櫛形電極(７)(８)を配置すると
共に、その両側に櫛形反射器(９)(10)を配置している。
これらの電極及び反射器は、線幅及び線間が共に１.０
μｍであって、弾性表面波の伝搬方向ψが９０°となる
向きに配置されている。
した実施例について説明する。図７に示す如く弾性表面
波共振器は、φ＝０°、θ＝５０°でカットしたサファ
イア基板(５)のカット面に、窒化アルミニウム(ＡlＮ)
からなる圧電膜(６)を形成している。該圧電膜(６)の表
面には、図８に示す如く櫛形電極(７)(８)を配置すると
共に、その両側に櫛形反射器(９)(10)を配置している。
これらの電極及び反射器は、線幅及び線間が共に１.０
μｍであって、弾性表面波の伝搬方向ψが９０°となる
向きに配置されている。
【００１９】圧電膜(６)はＥＣＲデュアルイオンビーム
スパッタ装置を用いて成膜を行ない、本実施例では膜厚
を４０００Åとした。また、電極(７)(８)及び反射器
(９)(10)は、圧電膜(６)と同じ装置を用いて２０００Å
のアルミニウム膜を形成した後、フォトリソグラフィー
によってパターニングを行ない、櫛形に成形した。
スパッタ装置を用いて成膜を行ない、本実施例では膜厚
を４０００Åとした。また、電極(７)(８)及び反射器
(９)(10)は、圧電膜(６)と同じ装置を用いて２０００Å
のアルミニウム膜を形成した後、フォトリソグラフィー
によってパターニングを行ない、櫛形に成形した。
【００２０】又、本発明と従来の比較のために、サファ
イアＣ面に上記と同じ構成の窒化アルミニウム圧電膜及
び櫛形電極を形成した従来の弾性表面波共振器を作製
し、両者の通過特性を実測した。
イアＣ面に上記と同じ構成の窒化アルミニウム圧電膜及
び櫛形電極を形成した従来の弾性表面波共振器を作製
し、両者の通過特性を実測した。
【００２１】図５は、上記本発明の基板を用いた弾性表
面波共振器の通過特性と、従来の弾性表面波共振器の通
過特性を表わしている。本発明の弾性表面波共振器は、
その中心周波数が１.５６ＧＨｚであって、サファイア
Ｃ面を用いた従来の弾性表面波共振器の中心周波数１.
４３ＧＨｚよりも高くなっており、より高い周波数帯域
で使用可能であることがわかる。
面波共振器の通過特性と、従来の弾性表面波共振器の通
過特性を表わしている。本発明の弾性表面波共振器は、
その中心周波数が１.５６ＧＨｚであって、サファイア
Ｃ面を用いた従来の弾性表面波共振器の中心周波数１.
４３ＧＨｚよりも高くなっており、より高い周波数帯域
で使用可能であることがわかる。
【００２２】尚、図１及び図２の結果からは、(０°，
５０°，９０°)カットのサファイア基板の音速は６０
６０ｍ／ｓであって、この値からは中心周波数が１.５
２ＧＨｚとなるが、実測値と比べて大きな誤差のないこ
とがわかる。これより、圧電膜の存在を無視した上記コ
ンピュータシミュレーションの妥当性が裏付けられる。
５０°，９０°)カットのサファイア基板の音速は６０
６０ｍ／ｓであって、この値からは中心周波数が１.５
２ＧＨｚとなるが、実測値と比べて大きな誤差のないこ
とがわかる。これより、圧電膜の存在を無視した上記コ
ンピュータシミュレーションの妥当性が裏付けられる。
【００２３】又、コンピュータシミュレーションによる
理論計算において、弾性表面波素子のモデル化に伴う多
少の誤差があったとしても、その誤差は図１乃至図４の
グラフの横軸方向には殆ど発生しないと考えられる。然
も、本発明の図１と従来の図３及び図４とを比較する上
では、両者に同じ大きさの誤差が含まれるから、上述の
角度範囲についての結論に影響はないと言える。
理論計算において、弾性表面波素子のモデル化に伴う多
少の誤差があったとしても、その誤差は図１乃至図４の
グラフの横軸方向には殆ど発生しないと考えられる。然
も、本発明の図１と従来の図３及び図４とを比較する上
では、両者に同じ大きさの誤差が含まれるから、上述の
角度範囲についての結論に影響はないと言える。
【００２４】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例え
ば、本発明は、図７及び図８に示す弾性表面波共振器に
限らず、フィルターや遅延線など、あらゆる構造の弾性
表面波素子に実施できるのは言うまでもない。
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例え
ば、本発明は、図７及び図８に示す弾性表面波共振器に
限らず、フィルターや遅延線など、あらゆる構造の弾性
表面波素子に実施できるのは言うまでもない。
【図１】本発明の弾性表面波素子におけるサファイア基
板の音速を、伝搬方向ψを関数として表わすグラフであ
る。
板の音速を、伝搬方向ψを関数として表わすグラフであ
る。
【図２】本発明の弾性表面波素子におけるサファイア基
板の音速を、面方位θを関数として表わすグラフであ
る。
板の音速を、面方位θを関数として表わすグラフであ
る。
【図３】サファイアＣ面での音速を、伝搬方向ψを関数
として表わすグラフである。
として表わすグラフである。
【図４】サファイアＲ面での音速を、伝搬方向ψを関数
として表わすグラフである。
として表わすグラフである。
【図５】本発明に係る弾性表面波共振器の通過特性と、
従来の弾性表面波共振器の通過特性を表わすグラフであ
る。
従来の弾性表面波共振器の通過特性を表わすグラフであ
る。
【図６】オイラー角表示を説明する図である。
【図７】本発明を実施すべき弾性表面波共振器の構造を
表わす斜視図である。
表わす斜視図である。
【図８】櫛形電極及び反射器のパターンを示す平面図で
ある。
ある。
【図９】サファイアＣ面を示す斜視図である。
【図１０】サファイアＲ面を示す斜視図である。
(５) サファイア基板 (６) 圧電膜 (７) 櫛形電極 (８) 櫛形電極
フロントページの続き (72)発明者 柴田 賢一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小林 泰三 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶サファイア基板上に圧電膜を形成
してなる弾性表面波素子に於いて、単結晶サファイア基
板のカット面及び弾性表面波伝搬方向を、オイラ角表示
で(０°，θ，ψ)及びこれと実質的に等価な範囲とする
とき、θ及びψを下記数１の範囲に設定した弾性表面波
素子。 【数１】 ３２°＋９０°×ｍ≦θ≦７２°＋９０°×ｍ ６３°＋１８０°×ｎ≦ψ≦１１７°＋１８０°×ｎ 但し、ｍ及びｎは整数(０，１，２，３，…) - 【請求項２】 θ及びψは下記数２の値に設定される請
求項１に記載の弾性表面波素子。 【数２】θ＝５０°＋９０°×ｍ ψ＝９０°＋１８０°×ｎ 但し、ｍ及びｎは整数(０，１，２，３，…)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131095A JPH08316779A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131095A JPH08316779A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316779A true JPH08316779A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=15288927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14131095A Pending JPH08316779A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316779A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011139215A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| JP2011166567A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| JP2011176546A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| US8624690B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-01-07 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
| US8674790B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-03-18 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP14131095A patent/JPH08316779A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011139215A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| US8624690B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-01-07 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
| US8674790B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-03-18 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
| JP2011166567A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
| JP2011176546A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
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