JPS5831459A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

磁気バブルメモリ装置

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JPS5831459A
JPS5831459A JP56128759A JP12875981A JPS5831459A JP S5831459 A JPS5831459 A JP S5831459A JP 56128759 A JP56128759 A JP 56128759A JP 12875981 A JP12875981 A JP 12875981A JP S5831459 A JPS5831459 A JP S5831459A
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JP
Japan
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memory
memory module
magnetic bubble
data transfer
main memory
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JP56128759A
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Mamoru Sugie
杉江 衛
Takashi Toyooka
孝資 豊岡
Hirokazu Aoki
郭和 青木
Kazuya Kamiyama
和也 神山
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
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    • G06F12/06Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、複数個の磁気バブルチップを並列動作させる
磁気バブルメモリ装置に関するものである。
磁気バブルメモリは、高信頼性を有する小型。
高密度の不揮発性メモリとして、各種の電子機器に応用
さnている。
ところで、この磁気バブルメモリは、シリアルメモリで
アシ、磁気バブルを転送することによって情報の書き込
み、読み出しを行なっているため1デ一タ転送速度は磁
気バブルの転送速度に依存している。したがって、デー
タ転送速度を上げるためには、磁気バブルの駆動速度を
上げる。すなわち、回転磁界周波数を上げることが最も
単純である。
しかしながら、フィルによる回転磁界を用いているので
、駆動周波数の上昇に伴なってコイルの損失が増す丸め
に、500kH!以上の高速駆動は困難でおる。そこで
、複数の愚見バブルチップを用い、それら全並列動作さ
せることにより、メモリシステムとしてのデータ転送速
度を上げることが行なわれている。
第1図は従来のこの種磁気バブルメモリ装置の構成を示
すもので、複数の磁気バブルチップ1−1〜1−nK共
通にコシトローラ2、クロック発生器3およびタイミン
グ発生器4を設け、バブルチップ1−1〜1−n’5同
一のクロックによシ同時に駆動するようになっている。
すなわち、クロック発生器3からのクロックに基づいて
、タイきング発生器4において各種のタイ2/グ信号を
発生し、そのタイミング信号をバブル駆動回路5に入力
し、対応するバブルチップ1’−1〜1−nt−駆動す
る。また、コントローラ2では、回転磁界およびバブル
チップ上の各ゲートの動作の制御を行ったシ、各バブル
チップに対するシリアルデータを中央処理装置6のバス
システムにおけるデータフォーマットに変換したりする
このようにして、バブルチップ1−1〜1欠nと主メモ
リ7との間でバス8t−介してデータの転送を行なうこ
とができる。
このような従来のバブルメモリ装置では、コントローラ
2、クロック発生器3およびタイミング発生器管共通に
1個だけ設け、それらにより複数個のバブルテップ1−
1〜1−nt−制御するようになっているので、磁気バ
ブルメモリ装置の応用システムにおける、多様なデータ
転送速度、データフォーマットに対する要求に対処する
ために、個々の応用システム毎に、その要求に応じて実
装ボードの設計全行なわなければならず、拡張性に乏し
く、コストの上昇を招いていた。
本発明の目的は、個々の応用システムの要求に応じたデ
ータ転送速度を有する低価格磁気バブルメモリ装置を提
供することにある。
このような目的を達成するために、不発明では、少くと
も1個のバブルチップを含む磁気バブルメモリモジュー
ルを複数個備え、それぞれの磁気/(プルメモリモジエ
ール金それぞれ異なるクロックで非同期的に動作させ、
それぞれに割り付けられた主メモリとの間でデータ転送
を行なうようにしたことに特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第2図は不発明による磁気バブルメモリ装置の全体構成
の一例を示すものである。
図において、9−1〜9−(lは磁気バブルメモリモジ
ュールで、そnぞれ、バブルチップ11、コントローラ
12、りaツク発生器13、タイミング発生器14およ
びバブル駆動回路15を有している。筐た、10は主メ
モリ7と各磁気I(プルメモリモジュール9−1〜9−
nとの間のデータ転送を制御するバス制御回路である。
その他の符号は第1図の同じ符号のものに対応している
図の工うに、複数個の磁気バブルメモリモジュール9−
1〜g−nは、中央処理装置6、主メモリ7を結合して
いるデータバス8に11続されており、また、バス制御
回路10は、](ス8に接続されるとともに、それぞれ
の磁気バブルメモリCジュール9−1〜9− Hに接続
されている。
そして、各磁気バブルメモリモジュール9−1〜g−n
は、クロック発生器13、タイミング発生器14を備え
、そnぞれを非同期的に動作させており、[へ各メモリ
モジュール9−1〜9−nはコントローラ12t−備え
、それぞれを独立に制御するようになっている。要する
に、各メモリモジュールハ、コントローラt2、クロッ
ク発生器13t−内蔵しており、それ自身で完成し九1
つのメモリを構成している。
バス制御回路10は、非同期で動作しているメモリモジ
ュール9−1〜g−nと主メモリ7との間のダイレクト
・メモリ・アクセス(以下、DMAとい、う。)に基づ
くデータ転送を制御する役目をするもので、各メモリモ
ジュール9−1〜g −nからのデータ転送要求を受は
付け、データ転送の条件がととのえば、そのメモリモジ
ュールに対して承wlを与えて、主メモリとメモリモジ
ュールとの関でデータの転送を行なう。個々のメモリモ
ジュール9−1〜9−nは非同期で動作するため、メモ
リモジュール9−1〜g−oへの書き込み、それからの
読み出しに対してデータの対応関係を確定させるために
、そnぞれのメモリモジュール9−1〜9−nに対応さ
せて、主メモリ71に割り付けておく必要がある。その
九めの王メモリの割シ付は方法の例につき第3図(句お
よび(b)によシ説明する。
今、メモリモジュール9−1〜g−nの数が4個であり
、データ転送を行なう主メモリ7の先頭アドレスyhと
すると、第3図(a)に示すように、主メモリ7のアド
レスh、h+4.h+8.・・・・・・・・・、h−)
4n[第1図のメモリモジュール9−IK1アドアドレ
ス1.h+5.・・・・・・・・・、h+1+4nを第
2のメモリモジュール9−2に% h+2゜h+6.・
・・・・・・・・、h+2+41を第3のメモリモジュ
ール9−3に、h+3.h+7.・・・・・・・・・。
h+3+41t−144のメモリモジュー ル9−4に
それぞれ割シ付けることにより、各メモリモジュールに
対して主メモリを1語単位で循環的に順次割り付けるよ
うにする。
1九、各メモリモジュールのブロック容量tpとすると
、第3図0)に示すように、主メモリのアドレスh−h
−1+1)?第1のメモリモジュールにh+p〜h−1
+2pt−第2のメモリモジュールに、h+2p〜h−
1+3pt−第3のメモリモジュールに、h+ap〜h
−1+4pを44のメモリモジュールにそnぞれ割り付
けることにより、各メモリモジュールに対して主メモリ
を1ブロック単位で循環的に割り付けるようにしてもよ
い。
パス制御回路10では、このようにして割り付けされた
主メモリと、メモリモジュールとの間でデータの転送を
行なうようになっている。上述したように、各メモリモ
ジュールは非同期的に動作しているために、データの転
送は主メモリ7のアドレス順には行なわれないが、全メ
モリモジエールの動作終了時には、全データが対応関係
を満たして転送されているの、で4個のバブルチップを
同期的に並列動作させ九場合に等しいデータ転送速度金
得ることができる。
上述した実施例からも解るように、本発明では個々のメ
モリモジュールについてみると、コントローラ、クロッ
ク発生器を内蔵してお9、それ自身で完成した1つのメ
モリを構成しておシ、このように完成された量産品種メ
モリモジュールを要求に応じて所望数だけデータバスに
接続し、それら會バス制御回路で並列動作させてデータ
転送速度を向上させているので、第1図の従来技術のよ
うに、応用システムからの要求に応じて実装ボードの設
計?JP!0直す必要がなく、それだけコストを低くす
ることができる。
なお、第2図では、各メモリモジュール9−1〜g −
nがそれぞtL1個のメモリチップを有している場合に
ついて説明し九が、複数個のメモリチップを備えている
場合も同様に適用できる。
このようにして、非同期で動作する各メモリモジュール
9−1〜9−flとしては、例えば、汎用のIMbバブ
ルメモリボードBELO810が使用できる。
第4図は、主メモリと各メモリモジュールとの間のDM
Aによるデータ転送を制御するパス制御回路の具体的構
成の一例を示すもので、4個のメモリモジュールからな
る例を示している。また、第5図は第4図のパス制御回
路の動作タイミン゛グを示すタイミングチャートである
第4図において5.101は、例えば、IN’rEL8
257からなるDMAコントローラ、102はレジスタ
、103はコーダ、104は2ビツト加算器、8tFi
アドレスバス、82ttf−タバスを示す。また、DM
Aコントローラ101には、主メモリのアドレスを指定
するアドレスカウンタ165およびデータ転送のバイト
数を示すバイトカウンタ106が備えられている。
w45図において、(a)は中央処理装置6の基本クロ
ック、(b)はDMAコントローラ101のクロック、
(C1)〜(C4)はそnぞれメモリモジュ−ル9−1
〜9−4からのDMA要求信号DREQl−DREQ4
、(d)は中央処理装置6へのホールド要求信号HRE
Q、(C)中央処理装置6からのホールド承認信号HA
CK、(fl )  〜(f4)はメモリモジュール9
−1〜9−4への今 DMA転送承認信号DACKI−DACKI。
(gl)、(g2)は2ビツト児算器104の出力信号
AO,AIを示す。
以下、第4図の回路の動作を第5図のタイミングチャー
トを参照しながら説明する。
メモリモジュール9−1〜9−4と主メモリ7との”間
でDMAによるデータ転送を行なう場合、まず、中央処
理装置6では、主メモリ7のデータ転送エリアを決め、
その先頭アドレスfrとした時、そのアドレスrおよび
r+1.r+2.r+3を4で割った時の商p、−wp
sと余りqo〜Qs t−求め、すなわち、r=4p、
+qo 、r+1=4p、+q1.r+2=4p、+q
、、r+3=4pm+Q、’を満足するp0〜Psおよ
びQ、%q、求め、そnらをデータノ(ス82t−介し
てバス制御回路10に送出する。バス制御回路10では
、その内のp0〜p、をDMAコントローラー01に取
シ込み、アドレスカウンター05の各メモリモジュール
9−1.9−2.9=−3゜9−4対応位置にpo e
 po s ps * ps t’それ/ それ設定する一方、Qo?レジスター02に格納する。
また、同時に、中央処理装置6からデータバス82t−
介して転送バイト数bt−DMAコントローラー01に
送り、その値をバイトカウンター06の内のメモリモジ
ュール対応位置に格納する。これらの格納仕置を示すア
ドレスはアドレスバス81t−介して送られる。
次に、各メモリモジュール9−1〜9−4−t”H1中
央処理装置6からの指示で動作を開始し、データ転送可
能な状態になれば、そnぞれDMA!!求信号DREQ
I 〜DREQ4kDMAコy)o−ラ101に送る。
DMA=rン)a−5101では、所定のタイミングt
、でDMA要求を受は付け、いずれかのメモリモジュー
ルからDMA要求が娶れば、中央処理装置6に対してホ
ールド要求信号HREQt−送出し、中央処理装f6’
tパス8から切シ離すことを要求する。中央処理装置6
では、この要求に基づいてバス8からの切シ離しを行な
う一方、DMAコントローラ101にホールド承認信号
HACKを送る。−万、DMAコントローラ101では
、DMA要求を受は付けたタイミングt11でに第゛5
図(C1)〜(C4)に示すように複数個のメモリモジ
ュール9−2.9−3゜9−4からDMA1!求がめっ
た場合、所定の優先順位に基づいて1つのメモリモジュ
ール9−2を選択して置き、中央処理装置6からホール
ド承認信号HACKがタイミングt、で°幽られて来る
と、選択され九メモリモジュール9−2にDMA承認信
号DhcKz*送出する一方、この承認信号をコτダ1
03に送り、そこで、2ビツトの信“号、例えば、”’
01”に変換し、2ビツト加算器104に7JIえる。
この時、2ビツト加算器104にはレジスタ10202
ビツトの情報が加えられているので、これらの加算t−
2ビツト加算器104で行ない、加算給米を主メモリ7
のアドレスの下位ビット信−410,AIとして出力す
る。
また、DMAコント・ローラ101では、データ転送を
行なうメモリモジュールに対応するアドレスカウンタ1
05の内容を読み出し、アドレスバス8・′1にメモリ
7のアドレスの上位ビットを表わ −す信号人2〜A1
5として送出する。アドレスバス81に送出さfL九信
号AO〜A15は主メモリ7に送られる。なお、上述し
た例では、主メモリ7のアドレスが16ビツトで嵌わさ
れる場合を示した。
このようにして、所望のメモリモジュールと主メモリと
0間で、予じめ定められたメモリアドレス割シ付けて従
って、データ転送がなされることになる。このようにし
て、メモリモジュール9−2での1バイトのデータ転送
が終ると、ホールド要求信号HREQ?オフにし、中央
処理装置6のバス8からの切シ離しを解除する。また、
アドレスカウンタ105およびバイトカ9ンタ106の
内のメモリモジュール“9−2対応部分t−1だけカウ
ントアツプおよびカウントダウンする。
次に、DMAコントローラ101では、所定のタイミン
グt、で、DMA要求を受は付け、優先度の高いメモリ
モジュールを選択して、上述したようなデータ転送を行
なう。
なお、上述した実施例では、メモリモジュールと主メモ
リとの間で直接データ転送を行なうDMAによるデータ
転送の例について説明したが一中央処理装一゛6が介在
してデータ転送全行なうPIO(p rogramme
d  i / Q )  t−使っ−t4!(、ソノ場
合には、バス制御回路lOは省略され、その代シの動作
を中央処理装置6のプログラムで行なうことにカる。
以上述べ喪ように1本発明によれば、それぞれコントロ
ーラ、クロック発生器を内蔵したメモリモをエール全複
数個並列動作さぜることにより、応用システムの多様な
データ転送速度の要求に対して柔軟に対応できる低価格
の磁気バブルメモリ装置會得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁気バブルメモリ装置の構成図。 第2図は不発明による磁気バブルメモリ装置の一実施例
の構成図、第3図<11)およびΦ)はそnぞn本発明
による主メモリの割り付は方法の例を示す説明図、lj
l!4図は第2図のバス制御回路の具体°的構成の一例
を示す構成図、第5図は第4図の回路の動作を示すタイ
ミングチャートである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、少くとも1個の磁気バブルチップと、核磁気バブル
    チップを駆動するタイミングを決めるクロックを発生す
    る発生手段と、上記磁気バブルチップの動作を制御する
    制御手段とを有するメモリモジュールを複数個備え、各
    メモリモジュールに対して主メモリのアドレスを所定の
    単位で循環的に割シ付けし、非同期的に動作するメモリ
    モジュールと、骸メモリモジュールに割り付けされた主
    メモリとの間でデータの転送全行なえるようにしたこと
    t−特徴とする磁気バブルメモリ装置。 2、上記メモリモジニールからのデータ転送要求を受は
    付け、特定のメモリモジュールと上記主メモリとの間で
    、・ダイレクト・メモリ・アクセスによるデータ転送を
    行なう手段金偏え九ことを特徴とする特許請求範囲第1
    項記載の磁気バルブメモリ装置。 3、各メモリモジュールに対して上記主メモリを1語単
    位で割り付けするようKしたことt−特徴とする特許請
    求範囲第1項または第2項記載の磁気パズルメモリ装置
    。 4、各メモリモジュールに対して、そのlブロックに等
    しい容量を単位として上記主メモリ金側シ付けるように
    したことを特徴とする特許請求範囲第1項または第2項
    記載の磁気バブルメモリ装置。
JP56128759A 1981-08-19 1981-08-19 磁気バブルメモリ装置 Pending JPS5831459A (ja)

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GB08221877A GB2106674B (en) 1981-08-19 1982-07-29 Magnetic bubble memory device
DE3228967A DE3228967C2 (de) 1981-08-19 1982-08-03 Speichereinrichtung mit einem Hauptspeicher und einer Magnetblasen-Speichervorrichtung
US06/409,557 US4484309A (en) 1981-08-19 1982-08-19 Magnetic bubble memory device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172359A (ja) * 1987-01-12 1988-07-16 Fujitsu Ltd 直接メモリアクセスシステム
JPH03248243A (ja) * 1990-02-26 1991-11-06 Nec Corp 情報処理装置

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GB2106674A (en) 1983-04-13
GB2106674B (en) 1985-12-11
DE3228967A1 (de) 1983-03-10
US4484309A (en) 1984-11-20
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