JPS5830648A - 半導体ガスセンサ - Google Patents
半導体ガスセンサInfo
- Publication number
- JPS5830648A JPS5830648A JP12781281A JP12781281A JPS5830648A JP S5830648 A JPS5830648 A JP S5830648A JP 12781281 A JP12781281 A JP 12781281A JP 12781281 A JP12781281 A JP 12781281A JP S5830648 A JPS5830648 A JP S5830648A
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- Japan
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- gas
- alcohol
- semiconductor material
- gas sensor
- powder
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0031—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector comprising two or more sensors, e.g. a sensor array
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、都市ガス、プロパンガスなど【検知するため
のガスセンｔに関するものである。
のガスセンｔに関するものである。
従来、都市ガス、プロパンガスなどを検知するガスセン
すは、８ｎＯ，、ＺｎＯ，Ｆｅ２Ｏ，などの材料を使用
したものが主流である。
すは、８ｎＯ，、ＺｎＯ，Ｆｅ２Ｏ，などの材料を使用
したものが主流である。
しかし、これらガスセンサは、都市ガスの主成分である
ＣＨ，、Ｈ，、ｉ−Ｃ，Ｈｌ、やプロパンガスを感応す
るが、同時にアルコール（Ｃ，Ｈ，ＯＨ）蒸気にも強く
感応する。このため、ガスの漏えいの有無にかかわらず
、料理用、軟料用などに日常に用いるアルコール蒸気に
触れただけで、あたかもガスを検知した如き誤検知、誤
動作がある。
ＣＨ，、Ｈ，、ｉ−Ｃ，Ｈｌ、やプロパンガスを感応す
るが、同時にアルコール（Ｃ，Ｈ，ＯＨ）蒸気にも強く
感応する。このため、ガスの漏えいの有無にかかわらず
、料理用、軟料用などに日常に用いるアルコール蒸気に
触れただけで、あたかもガスを検知した如き誤検知、誤
動作がある。
本発明は、上記の欠点をなくシ、アルコール蒸気がガス
センサに触れても、誤検知しないガスセンサｒｔ提供す
るにある。
センサに触れても、誤検知しないガスセンサｒｔ提供す
るにある。
このように改曽したガスセンｆを用いれば、プロパンガ
ス、都市ガスなどのガス検知精度やアルコールによるＩ
Ｉ勅作ななくすことができるｉ本発明の要点は、Ｉス検
知な防書するアルコール蒸気に対し、アルコール蒸気に
触れれば電気導電率を増す、一般式ＡＢＯ，（但し、式
中ムはＬａ、ｐｒ、 Ｎｄ、８ｍ、Ｇｄ、 ＤＦｅ−１
ｒのうちカラ選ばれた一種類の希土類元素％ＢはＭｎ、
Ｆ・。
ス、都市ガスなどのガス検知精度やアルコールによるＩ
Ｉ勅作ななくすことができるｉ本発明の要点は、Ｉス検
知な防書するアルコール蒸気に対し、アルコール蒸気に
触れれば電気導電率を増す、一般式ＡＢＯ，（但し、式
中ムはＬａ、ｐｒ、 Ｎｄ、８ｍ、Ｇｄ、 ＤＦｅ−１
ｒのうちカラ選ばれた一種類の希土類元素％ＢはＭｎ、
Ｆ・。
Ｃｏ、Ｎｉのうちから遥ばれた一種類の元素）で表わさ
れるｐＨ半導体物質もしくは一般式ム１−ｘ−８ｒｘｅ
ｏＯ，（但し、式中ムはＬ ａ ｅ Ｐ ｒ ＠ Ｎｄ
ｅ ＆ｎ＊Ｑｄ、Ｄｙ、Ｉ？ｆｒのうちから選ばれた
一種類の希土類元素であり、！””（Ｌｌ〜α４である
）で表わされるＰ型半導体物質（具体的にはＬ ａ Ｎ
ｉ Ｏｓなどが挙げられる）に、ガスの成分であるＣ
Ｈ４，Ｈ，。
れるｐＨ半導体物質もしくは一般式ム１−ｘ−８ｒｘｅ
ｏＯ，（但し、式中ムはＬ ａ ｅ Ｐ ｒ ＠ Ｎｄ
ｅ ＆ｎ＊Ｑｄ、Ｄｙ、Ｉ？ｆｒのうちから選ばれた
一種類の希土類元素であり、！””（Ｌｌ〜α４である
）で表わされるＰ型半導体物質（具体的にはＬ ａ Ｎ
ｉ Ｏｓなどが挙げられる）に、ガスの成分であるＣ
Ｈ４，Ｈ，。
１−Ｃ，Ｈ，、やプロパンガスに触れれば電気導電率が
減る８１１０！ 、 Ｚｏｏ、 Ｆｅ＠０＠のうちから
選ばれた一種数のＮ＠牛牛体体物質直列に組会せる。
減る８１１０！ 、 Ｚｏｏ、 Ｆｅ＠０＠のうちから
選ばれた一種数のＮ＠牛牛体体物質直列に組会せる。
これによりて、アルコール蒸気による影響が情夫される
ことを基本的特徴としている。
ことを基本的特徴としている。
そして、半導体ガス令ンサ位上記のＰｆｆｉ半導体物質
よりなるセンナと、上記のＮｉｌ半導体物質よりなるセ
ンサを夫々直列につなぎ、・これ管−個のセンサとみな
しても良いが、上記のＰＩＩ牛導体物質、上記のＮｉｌ
半導体物質な厚膜技術を用いて同一基板上に形成するな
どして使Ｎ目的に合また方法で半導体ガスセンサとする
。
よりなるセンナと、上記のＮｉｌ半導体物質よりなるセ
ンサを夫々直列につなぎ、・これ管−個のセンサとみな
しても良いが、上記のＰＩＩ牛導体物質、上記のＮｉｌ
半導体物質な厚膜技術を用いて同一基板上に形成するな
どして使Ｎ目的に合また方法で半導体ガスセンサとする
。
この際、上記の二つの異なった機能を有するセンサある
いは材料は近接して、直列に組合曽ることが膳ましい・ 以下、本発明を実施例で説明する・ 実施例言 まず、ＬａＮｉ０．粉末、８ｓＯ，粉末ｔ−以以下ノウ
にして作製した・ （ＩＩ）ＬａＮｉ０．粉末の作製法 ＬａＮｉ０．の化学量論的組成となるように、Ｌａおよ
びＮｉの酌酸埴ｖｅｉＭ取し、これ【純水に連節する０
・次に、これを四−メリーエパｌレーＩの減圧下で濃縮
、乾固し、この乾燥物ｒｔ６０Ｇ℃の空気中で２ｈ加熱
分解する。
いは材料は近接して、直列に組合曽ることが膳ましい・ 以下、本発明を実施例で説明する・ 実施例言 まず、ＬａＮｉ０．粉末、８ｓＯ，粉末ｔ−以以下ノウ
にして作製した・ （ＩＩ）ＬａＮｉ０．粉末の作製法 ＬａＮｉ０．の化学量論的組成となるように、Ｌａおよ
びＮｉの酌酸埴ｖｅｉＭ取し、これ【純水に連節する０
・次に、これを四−メリーエパｌレーＩの減圧下で濃縮
、乾固し、この乾燥物ｒｔ６０Ｇ℃の空気中で２ｈ加熱
分解する。
次に、これを１０００℃の空気中で焼成すると、ＬａＮ
ｌ０．の組成である多結晶固形物ができる・これを、ラ
イカイ機で１０ｈ粉砕すると、ＬａＮｉ０１の黒色の微
粉末ができる。この微粉末は１００℃附近で強い還元性
ガス、たとえばアルフールなどにふれるとＬａＮｉ０．
中の酸素が奪われ、Ｍ−Ｏ−Ｍの３次元ネットワークが
切断され、電気伝導度が増す０また、アルコール蒸気な
除去すると、再び元゛の酸化物組成比をとるため、元の
導電率を回復する。この原理によってアルコールな検知
することができる。
ｌ０．の組成である多結晶固形物ができる・これを、ラ
イカイ機で１０ｈ粉砕すると、ＬａＮｉ０１の黒色の微
粉末ができる。この微粉末は１００℃附近で強い還元性
ガス、たとえばアルフールなどにふれるとＬａＮｉ０．
中の酸素が奪われ、Ｍ−Ｏ−Ｍの３次元ネットワークが
切断され、電気伝導度が増す０また、アルコール蒸気な
除去すると、再び元゛の酸化物組成比をとるため、元の
導電率を回復する。この原理によってアルコールな検知
することができる。
さらに、上記の黒色の微粉末の特徴は、アルコール蒸気
のみに上記の現象が起り、Ｈ，、ＯＨ４゜Ｃ，Ｈ，、ｉ
−Ｃ，Ｈ，。などのガス種に対しては、全く応答を示さ
ない。
のみに上記の現象が起り、Ｈ，、ＯＨ４゜Ｃ，Ｈ，、ｉ
−Ｃ，Ｈ，。などのガス種に対しては、全く応答を示さ
ない。
（ロ） ８ｎＯ，粉末の作製法
まず、８ ｎ （９９，９９％）の金属スズをｃｏｎｃ
。
。
ＨＮＯ，でＪ６１１する。これによって金属スズは白色
のスズ酸となる。次に、これ管水洗（デカンテーシ謬ン
）して、余分なＨＮＯ，を除去する。
のスズ酸となる。次に、これ管水洗（デカンテーシ謬ン
）して、余分なＨＮＯ，を除去する。
次に、このスズ酸の白色沈澱物をエアバス中で蒸発乾固
し、軽く乳鉢でｗＩまりをこわしたのち廂・７００”Ｃ
ノ空気中で２ｂ＠ｍしａ ｎ ｉＪ＠ ｍ ＊ ｆ：
ｎ ６ 。
し、軽く乳鉢でｗＩまりをこわしたのち廂・７００”Ｃ
ノ空気中で２ｂ＠ｍしａ ｎ ｉＪ＠ ｍ ＊ ｆ：
ｎ ６ 。
次に、この８ ｎ Ｏ，粉末に１ ％ ｔＤ ｐｄ＠＄
Ｅ混合するため、ＰｄＣ１，の水溶液を加え、シイカ
イ機で約６ｈ混合したのち６００℃の空気中で１ｈ加熱
した。この時ｐｄｅｌ、はｐａ＋ｃｔ、↑に分解し、８
ｎ Ｏｓ粉末の表面にＰｄの微粉末が均一に分散した
粉末ができる。
Ｅ混合するため、ＰｄＣ１，の水溶液を加え、シイカ
イ機で約６ｈ混合したのち６００℃の空気中で１ｈ加熱
した。この時ｐｄｅｌ、はｐａ＋ｃｔ、↑に分解し、８
ｎ Ｏｓ粉末の表面にＰｄの微粉末が均一に分散した
粉末ができる。
以上によりて得たＬａＮ［０，の微粉末と８ｎＯ。
粉末を用い、先ずＬａＮｉ０．厚膜ガスセンサ、８ｎＯ
，厚膜ガスセンサを作製した。
，厚膜ガスセンサを作製した。
（１） ＬａＮｉ０．厚膜ガスセンサの作製前述のＬ
ａＮｋＯ，微粉末１０ｇに、エテルセルリースとα−テ
ルピネオールから成る有機ベヒクルｆ； ６ｃＣ加え、
さらに８ｉ−Ｐｄ−Ｚｎ−Ｔｉ系の結晶化ガラスを約１
０ｗｔ％加えて、６ｈ１ライカイ＊”ｃ”混練し、Ｌａ
Ｎｌ０＠ぺ−Ｘ）ｅ作２７ｅ＠このペーストを用いて厚
膜技術により第１図（ａ）、伽）のＬａＮ１０．厚膜ガ
スセンサを作製した。
ａＮｋＯ，微粉末１０ｇに、エテルセルリースとα−テ
ルピネオールから成る有機ベヒクルｆ； ６ｃＣ加え、
さらに８ｉ−Ｐｄ−Ｚｎ−Ｔｉ系の結晶化ガラスを約１
０ｗｔ％加えて、６ｈ１ライカイ＊”ｃ”混練し、Ｌａ
Ｎｌ０＠ぺ−Ｘ）ｅ作２７ｅ＠このペーストを用いて厚
膜技術により第１図（ａ）、伽）のＬａＮ１０．厚膜ガ
スセンサを作製した。
第１図において、１はアルミナ基板、２はＰ１電極、墨
はＬａＮｉＯｓ感ガス部、４はＰｔ加熱用ヒー、タであ
る。このとき、印刷スクリーンは５２５ｍｅｓｈ のも
のな用い、焼成は空気中で９００℃で行なった・ このようにして得たＬａＮｉ０．の厚膜ガスセンサの各
種ガスに対する応答特性（加熱用と−タ電圧４ Ｖ （
３５０℃））は第２図のようであったｂ但し、第２図に
おいて５はアルコールの応答特性、６はＨ，、Ｃ）ｌ、
、 Ｃ，Ｈ，、１−Ｃ４Ｈ，、の応答特性、７はａｉ
ｒレベルである。
はＬａＮｉＯｓ感ガス部、４はＰｔ加熱用ヒー、タであ
る。このとき、印刷スクリーンは５２５ｍｅｓｈ のも
のな用い、焼成は空気中で９００℃で行なった・ このようにして得たＬａＮｉ０．の厚膜ガスセンサの各
種ガスに対する応答特性（加熱用と−タ電圧４ Ｖ （
３５０℃））は第２図のようであったｂ但し、第２図に
おいて５はアルコールの応答特性、６はＨ，、Ｃ）ｌ、
、 Ｃ，Ｈ，、１−Ｃ４Ｈ，、の応答特性、７はａｉ
ｒレベルである。
（２） ８ ｎ Ｏ，厚膜ガスセンサの作製８ｎＯ，
粉末を用いた以外は、上記（１）と同様にして８ｎＯ，
ペーストを作った。次にこのペーストを用い、上記（１
）と同様にして第５１ｉ！ｊ（ａ）、Φ）の８ｎＯ，厚
膜ガス竜ンｔを作製した。第５１ｉｌＪにおいて２′は
Ｐｔ上部電極、３′は８ｎＯ，感ガス部８はＰ電 下
部電極である。
粉末を用いた以外は、上記（１）と同様にして８ｎＯ，
ペーストを作った。次にこのペーストを用い、上記（１
）と同様にして第５１ｉ！ｊ（ａ）、Φ）の８ｎＯ，厚
膜ガス竜ンｔを作製した。第５１ｉｌＪにおいて２′は
Ｐｔ上部電極、３′は８ｎＯ，感ガス部８はＰ電 下
部電極である。
このようにして得た８ｎＯ，厚膜ガス七ンサの各種ガス
の応答特性は第４ｍの通りであり、アルコールにも感応
した。なお第４図において、９幡ガス（Ｈ，、ＯＲ，、
ＣＨＨＨｉ −Ｃ４Ｈ１＠） 、アルコール共存時の応
答曲線である。
の応答特性は第４ｍの通りであり、アルコールにも感応
した。なお第４図において、９幡ガス（Ｈ，、ＯＲ，、
ＣＨＨＨｉ −Ｃ４Ｈ１＠） 、アルコール共存時の応
答曲線である。
以上のようにして得た２つの機能の興る厚膜ガス七ンサ
の出力部の一方を接近して結合し、これを一つのガスセ
ンサとして用いた。このときの各種ガスに対する応答特
性を第５ＶＩｌｉに示したＯ このように、アルコールに対する二つの４％−た応答特
性【示す厚膜ガス七ンサを組合せることによって、アル
コールの影響をきわめて少くすることができる。
の出力部の一方を接近して結合し、これを一つのガスセ
ンサとして用いた。このときの各種ガスに対する応答特
性を第５ＶＩｌｉに示したＯ このように、アルコールに対する二つの４％−た応答特
性【示す厚膜ガス七ンサを組合せることによって、アル
コールの影響をきわめて少くすることができる。
すなわち、ＬａＮｉ０１ではアルコールに対して抵抗値
が増し、これとｉマ反対に８ｎＯ，ではアルコールに対
して抵抗値が減する。このため、両者の応答の総量とし
てはアルコールの応答値が打ち消されるため、その影響
が消去される。
が増し、これとｉマ反対に８ｎＯ，ではアルコールに対
して抵抗値が減する。このため、両者の応答の総量とし
てはアルコールの応答値が打ち消されるため、その影響
が消去される。
このような原理によって、本発明はアルコール蒸気の影
響を受けず、ガス成分のみに（ＣＨ。
響を受けず、ガス成分のみに（ＣＨ。
Ｈ，、Ｃ，Ｈ・、 ｉ −Ｃ，Ｈｌ、などの混合瞼）感
応する厚膜ガスセンサを作ることができる・ 実施例２ 先に述べた二種類の粉末を用いて作つたＬａＮ１ｐ、ペ
ーストと８ ｎ Ｏ，ペーストを用い、厚膜技術により
第６図Ｌ ａ Ｎ ｉ Ｏｓと８ｎｏ、を同一チップ上
に搭載した厚膜ガスセンサを作つた０但し、第４Ｗｉに
おいて１０はＰｔ中間導体である。
応する厚膜ガスセンサを作ることができる・ 実施例２ 先に述べた二種類の粉末を用いて作つたＬａＮ１ｐ、ペ
ーストと８ ｎ Ｏ，ペーストを用い、厚膜技術により
第６図Ｌ ａ Ｎ ｉ Ｏｓと８ｎｏ、を同一チップ上
に搭載した厚膜ガスセンサを作つた０但し、第４Ｗｉに
おいて１０はＰｔ中間導体である。
このガス）ンサの１ａＮ１０．．８ｎ０１（Ｄガス応答
特性を別個に測定したら次表のとうりでありたＯ 表ＬａＮ１０．，８ｎＯ，のガス応答特性らに両者混合
物に対するガス応答特性を第７図に示す＠ このように本発明によれば、アルコールのみ場合にはほ
とんど応答な示さず、ガス成分のみの場合に応答し、ま
たガス成分とアルコールの共存時における応答量の増幅
（第２図の曲４１５）作用も無くすことができる・ このため、本発明によるガスセンナはアルコールによる
誤検知、しいてはガス漏れ警報器の誤動作をも無くすこ
とかでき葛。
特性を別個に測定したら次表のとうりでありたＯ 表ＬａＮ１０．，８ｎＯ，のガス応答特性らに両者混合
物に対するガス応答特性を第７図に示す＠ このように本発明によれば、アルコールのみ場合にはほ
とんど応答な示さず、ガス成分のみの場合に応答し、ま
たガス成分とアルコールの共存時における応答量の増幅
（第２図の曲４１５）作用も無くすことができる・ このため、本発明によるガスセンナはアルコールによる
誤検知、しいてはガス漏れ警報器の誤動作をも無くすこ
とかでき葛。
ｔ／ｓ１図、第３図、第６図厚膜ガスセンナの構造図、
第２図、第４図、第５図、第７図は厚膜ガスセンサのガ
ス応答曲線である。 ５ ＝ ＬａＮｉＯｓ ａ６１ガス部、ｓ’−−−８ｎ
ｏ、 ＩＣ！ガス部。 Ｔ １ 図 代理人弁理士 薄 １）利 串 第２図 カース１１度 （７，＞ 才 ３ 図 （２） 才４図 ｖｚ ｔ＞ ５１ｔＸＩ ／Ａ ） 才 ５ 図 ガスヅ１度 （ｆ”ｆｍｘｔｏ’） 才乙図 甘 ７ 図 ゲスＳ度 （洛）
第２図、第４図、第５図、第７図は厚膜ガスセンサのガ
ス応答曲線である。 ５ ＝ ＬａＮｉＯｓ ａ６１ガス部、ｓ’−−−８ｎ
ｏ、 ＩＣ！ガス部。 Ｔ １ 図 代理人弁理士 薄 １）利 串 第２図 カース１１度 （７，＞ 才 ３ 図 （２） 才４図 ｖｚ ｔ＞ ５１ｔＸＩ ／Ａ ） 才 ５ 図 ガスヅ１度 （ｆ”ｆｍｘｔｏ’） 才乙図 甘 ７ 図 ゲスＳ度 （洛）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ ｐｇ半導体物質と、Ｎｉｌ半導体物質を組合せた
ことを特徴とする半導体ガスセンサ。 ｚ ｐｍ半導体物質が一般式ムＢＯ，（但し、式中人
はＬｍ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 ８ｍ、 Ｑｄ、 Ｄｙ、
１ｒ（Ｄうちから選ばれた一種類の希土類元素、ＢはＭ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｓ のうちから運ばれた一種類の
元素である）で表わされるもの、もしくは一般式Ａ、ｚ
８ｒｘｃｏｏ、（但し、式中ＡはＬｍ、Ｐｒ、Ｎｄ、ａ
ｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｂｒ（Ｆ）５ちから選ばれた一種類の
希土類元素であり、３（ｘα１〜１４である）で表わさ
れたちのてあり、Ｎ［半導体物質ｆｉｌ ８ｎＯ，、Ｚ
ｎＯ，？＠瀧０．）うちから遣ばれた一種類の金属酸化
物であることな特徴とする特許請求範囲第１項記戦の半
導体ガスセンナ。 Ｌ Ｐｌ［半導体物質がＬａＮｌＯｓテＴｏ’）、Ｎ
Ｉ［半導体物質が８ｎＯ，であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体ガス゛七ン賃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12781281A JPS5830648A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 半導体ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12781281A JPS5830648A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 半導体ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830648A true JPS5830648A (ja) | 1983-02-23 |
Family
ID=14969275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12781281A Pending JPS5830648A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 半導体ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830648A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4580439A (en) * | 1983-02-07 | 1986-04-08 | Ricoh Seiki Co., Ltd. | Low power gas detector |
| JPS61260152A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hiroaki Yanagida | 湿度センサ− |
| JPH03287057A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-17 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサの製造方法 |
| WO1993014396A1 (en) * | 1992-01-10 | 1993-07-22 | Mikuni Corporation | Gas sensor and its manufacture |
| JP2018031685A (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | フィガロ技研株式会社 | Ｍｅｍｓガスセンサとガス検出装置 |
| WO2021070705A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | アルプスアルパイン株式会社 | ガス濃度測定装置 |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12781281A patent/JPS5830648A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4580439A (en) * | 1983-02-07 | 1986-04-08 | Ricoh Seiki Co., Ltd. | Low power gas detector |
| JPS61260152A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hiroaki Yanagida | 湿度センサ− |
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| WO1993014396A1 (en) * | 1992-01-10 | 1993-07-22 | Mikuni Corporation | Gas sensor and its manufacture |
| US5618496A (en) * | 1992-01-10 | 1997-04-08 | Hiroaki Yanagida | Gas sensors and their manufacturing methods |
| EP0928964A2 (en) * | 1992-01-10 | 1999-07-14 | Mikuni Corporation | Gas sensors and their manufacturing methods |
| EP0928964A3 (en) * | 1992-01-10 | 2003-05-21 | Mikuni Corporation | Gas sensors and their manufacturing methods |
| JP2018031685A (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | フィガロ技研株式会社 | Ｍｅｍｓガスセンサとガス検出装置 |
| WO2021070705A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | アルプスアルパイン株式会社 | ガス濃度測定装置 |
| JPWO2021070705A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 |
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