JPS58221154A - ガスセンサ素子 - Google Patents

ガスセンサ素子

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JPS58221154A
JPS58221154A JP10380582A JP10380582A JPS58221154A JP S58221154 A JPS58221154 A JP S58221154A JP 10380582 A JP10380582 A JP 10380582A JP 10380582 A JP10380582 A JP 10380582A JP S58221154 A JPS58221154 A JP S58221154A
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JP
Japan
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gas
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alcohol
material layer
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JP10380582A
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English (en)
Inventor
Takanobu Noro
野呂 孝信
Hideo Arima
有馬 英夫
Masami Kaneyasu
昌美 兼安
Akira Ikegami
昭 池上
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0011Sample conditioning
    • G01N33/0013Sample conditioning by a chemical reaction

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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  • Combustion & Propulsion (AREA)
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  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、都市ガス、プロパンガス々とのガスセンサ素
子に関するものにして、特に、検知しようとする目的ガ
ス以外のガス(妨害ガス)の影響を少なく減殺するに好
適なガスセンサ素子に関するものである。
在米からある、または開発中のガスセンサとしては、5
n02.F820s、2nOなどの金属酸化物半導体を
用いた焼結型のセンサがある。しかし、これらのガスセ
ンサは、都市ガスの成分であるCH4やH2以外のガス
または蒸気、友とえばアルコール蒸気(以下、単にアル
コールと称す)に強い応答性を有している。このため、
これらのガスセンサtガス漏えい警報器に用いた場合、
ガス漏えいの有無にかかわらず、料理用、飲料用などの
日常に用いるアルコールに触れただけで、あたかもガス
を検知したごとき馳検知tする欠点がある。
本発明の目的は、上記した工すな、検卸し工うとする目
的以外の妨害ガスの影響ン少なくするように減殺して、
誤検知のないようにしたガスセンサ累子乞提供すること
にある。たとえば、5n02累子によるCH4やプロパ
ンガスの検知に対しては、アルコール感度を抑え、また
は必要にエフH2の感度を抑えたセンチ累子馨提供する
にある。
上記の目的のための本発明のガスセンサ素子の特徴とす
るところは、金属酸化物エフなる感ガス材層;該感ガス
材層の上部表面側のガス透過性の上部電極膜層:該感ガ
ス材層と下部の基板との間の下部電極膜層;とを有して
なる積層型ガスセンサ素子にして、該上部電極膜層の上
方に、検知せんとする目的ガス以外の他のガス欠分解箇
だは分W#を促進させるに有効な金属酸化twJ工9な
る妨害ガス減殺被積層を該感ガス材層乞被榎するように
設けてなること圧ある。
本発明の原理ケ以下に述べる。
従来からm  5no2.F82os#l・2nOなど
の金属酸化物半導体は、  CH4,H2などの都市ガ
ス成分に触れると、その導電率が変化しく抵仇が変る)
、これによって、上記のガス成分の検知をする方法が知
られている。
しかし、これらの材料の最大の欠虞は、上記以外のガス
にも応答し、ことにアルコールに高い感度を有している
ことである。
第1表 各種厚膜ガスセンサのガス応答特性たとえば、
第1表に示す値は1本発明者らが。
本発明を達成するに至った一連の研究において明らかに
した値であるが、これらの値は、各種の金属酸化物半導
体(粉末)乞用いて、それらの厚膜ガスセンサを試作し
、そのガス応答特性について調べた値である。
#!1表から明らかなように、この樵の感ガス材料は複
数の種類のガスに同時に感応し、ことにア、 3 。
ルコールにはほとんどのセンサが強い感度を示した。
そこで、たとえば5n02素子で(lHJ十H2を検知
しよりとするとき、アルコールもそれ以上に感応する。
このようなことは、ガスセンサの使用目的から見て、き
わめて都合の悪いことがあるが、この性質は、その材料
のもつ本質的特性であるため、従来から幾つかの改良が
ガロえられて米たが未だ十分な効果は見られていない。
たとえば、従来の改良方法としては5n02の母材1c
Pt+Pdの微量の添加物を加え、その触媒作用馨利用
して、ある種の、たとえはプロパンガスの感度ン増力口
させる方法などがある。しかし、この方法では、感ガス
材に触れたガスと同時に混在する妨害ガス、たとえはア
ルコールは除かれていないので、その影響は依然として
残る。
本発明の原理に工れば、この工つな不合理ン根本的に除
こうとする方法が提供される。
第1図fat 、 (blは、本発明を説明するために
、代、4 。
表例につき1本発明のガスセンサの積層部分を拡大して
模式化した断面図である。この代表例は。
感ガス材に5no2ン用い、アルコールの影響を除くた
め1本発明ン適用した例である。以下、この積層型セン
サンサンドイッチ型センナと呼ぶ。
第1図(alにおいて、符号1は妨害ガス減殺被覆層で
あるり、Nj05 の厚膜である。2は、このサンドイ
ッチ型ガスセンサのガス透過性上部電極膜層で、  P
tの卑属製である63は、5noz v感ガス材とする
感ガス材層である。4は、サンドイッチ型ガスセンサの
下部電極膜層で厚膜製である。
5は、上記の厚膜を支えるためのアルミナ基板である。
第1図(blは、従来から考案されていたサンドイッチ
型の本発明以前のもので1本発明の部分を明確に説明す
るための参考比較図である断面図にして、符号2,5,
4.5は、それぞれ第1図(aJの同一符号と同一のも
のン示すものである。
以下、第1図(a) 、 (bl Y用いて本発明の原
理ン。
検知目的ガスがCH&ガスであるものに、検知ン妨害す
るガスとしてアルコールン混入した場合ン例として説明
する。
まず、従来から考案されてい友第1図(blに示される
ものにおいてはI  CH4ガスおよびアルコールは、
ガス透過性上部電極膜層2ケ通過し、5n02 工9な
る感ガス材層3に達する。ここで、5n02は、  C
H4ガスエリアルコールに強い応答感度ン有しているた
め、第1表に示したように、11000ppの濃度でC
H4に一14%、アルコールに一89%と、アルコール
の万が約6.4倍大きい抵抗変化軍Z示す。
一万1本発明によるものである第1図(alに示すもの
は、上記の第1図(b)と異なる点は上部電極膜層2の
上方表面側に本発明の特徴要素である妨害ガス減殺作用
ン有する金属酸化物であるLaN10゜の厚膜エリなる
妨害ガス減殺被覆層1を被覆しである点である。ここで
、少しLaN1 Os  の性質について述べなけれは
ならない。
LaN10g はアルコールン分解し、他のガス。
たとえばCHa * C2H6,C5Ha 、 CO#
 H2などt分解し彦い性質がある。このため、もしC
Ha  とアルコールが同時に本発明による素子である
第1図(alに示したものに触詐ると、アルコールはL
aNiO3膜によって、最終的には次のように分解され
る。
C2H50H+12→2C02+3H20ここで、アル
コールが完全に上記の化学式のようにCO2とH20t
で、すべて分解されるか否かは、素子の温度*  La
NiO3の膜の厚さ、アルコールの濃度などに工って異
なる。しかし1通常の都市ガスセンナとして使用する場
合、アルコールについては11000ppまでの濃度に
ついて妨害作用が防止できれは実際上は十分である。こ
の場合、LaNiOsの膜の厚さは実験的には30〜1
00μあ詐は十分上記の作用tする。
他方、CHaガスは本発明の素子である第1図(alに
示すものの表面に触れると+  LAN105の妨害ガ
ス減殺被積層□セは何等の作用も受けることなく、被覆
層1お工びガス透過性の上部電極層2ン透過し、5nO
zよりなる感ガス材層3に達する。
・ 7 ・ このとき1本素子はCH4の作用によって5n02より
なる感ガス材層の電気抵抗が低下する。
第2図は本発明になるガスセンサ素子においてCH4お
工びアルコールが1両万共素子表面に触れて作用しなが
ら、アルコールン感じないか、あるいは感じK(<、ま
たCH4のみがなぜ感応するかについての説明のための
概念図である。部品の符号中、第1図におけるものと則
−のものは同一部品ン示し、符号6は素子加熱ヒータで
ある。
第2図に見らnるように1本発明素子の今一つの特徴は
妨害ガス減殺被覆層であるLaNiO3の被覆層1の付
与の位置、付与の構造にある。すなわち、ガス透過性上
都電&膜層2のさらに上方表面側にあることが特徴で、
これにはリード線が片面(下部)しか接触していないこ
とである。このため、妨害ガスが化学的あるいは何等か
の作用で妨害ガス減殺被覆層1で分解し、このとき被覆
層1と妨害カスとの間に電子的授受関係が起って、もし
、被覆層1の導電率が変化しても、これは完全に素子の
導電率の変化として計測されないこと・ 8 ・ である。
すなわち、感ガス材層3の5n02の抵抗変化と被覆層
1のLaN10sの抵抗変化とは完全にかかわフケ持友
ない素子の構造である。
このことは従来の改良方法とは根本的に異なる創意に基
づいた改良方法である。すなわち、従来は感カス材、た
とえは5n02の内部または直接表面に触媒作用のある
他の金属酸化物を塗7f5.あるいは8102などン被
株している。この場合、妨害ガスの分解作用を面接素子
が受は持つため、その影響YX子の電気抵抗の変化とし
て取り出してし筐う。
本発明の喪虞は、妨害ガス、fcとえはアルコールン分
解する分解層(妨害ガス減殺被覆層)と。
検知しようとするガス、たとえばCH4を検知する検知
層(感ガス材層)とン、別個の独立した層とする積層構
造とした虞である。そして、妨害ガス分解層Kf用する
物質として、検知しエリとするガス以外の妨害ガスン分
解させるに有効な金属酸化物、たとえはLaNiOs 
、 S、102などン使用することである。
このようにして1本発明のガスセンサ素子は、その上部
表面から、第1層目の妨害ガス減殺被覆層で、検知しよ
うとする目的以外のガスを分解し感ガス材層である中間
層には到達しない工すに抑制することが特徴である。
このため、上記の代表側に見らnるようにI CH4V
i従米通り在米するのに対し、その検知を妨害するアル
コールについては、はぼ検知しないことができる。
このような原理の本発明にLrば、上記の代表例に限ら
ず、金属酸化物の各種ガスに対する分解作用の性質を利
用して、種々のガスを選択的に検知することができる。
なお、本発明の特徴である金属酸化物の被覆方法および
被覆層の構造については、前述の原理の説明で述べたよ
うに、被覆層が電極に少なくとも一部は触扛ないことが
必要で条る。
し力為し、実際はこの原則は次の場合は守られなくても
十分に目的を達することができる。たとえば、第3図を
参照して、被覆層が電極の両端に触れても、被積層経由
抵抗値R1が感ガス材層経由抵抗値R2エリも十分に高
けむば(R,>>R2)よい。すなわち、被覆層が妨害
ガスに触れ、その抵抗値R1が多小αだけ低下しても、
その抵抗値R1−α工りも感ガス材層を経由した導伝路
の万が、さらに充分に小であれば、結果的に悪影響を受
けることはない。
本発明において感ガス材層に使用できる材料としては、
従来のガスセンサに用いらnているSn021 F e
 20 B −2nO等の金属酸化物を挙げることがで
きる。
本発明における妨害ガス減殺被覆層に使用できる材料と
してはb  Cr20 s −T 1021 M no
 2 、F e 20s 。
N10.CuO,Zn0m8nO2*’l’H2O3、
WOasLBN105等の金属酸化物を挙げることが出
来、これらは単独または複数において使用できるもので
あり、それらの種類は対象とする妨害ガスに1って選択
されることかできるものである。
なお、本発明のガスセンサ素子の積層体におけ、11 
る、上部電極膜層、下部電極膜層、基板等の材料として
、従来のガスセンサに用いられているものが、それぞn
の材料として使用されることができるものである。
以下に1本発明を実施例につき1図面を参照して、さら
に詳細に説明する。
実施例 1゜ 本実施例は感ガス材層を5n02厚膜としたサンドイッ
チ型ガスセンサ素子である。
本実施例は5n02感ガス層におけるI  CH4対ア
ルコール(蒸気)の感度の比を改善した実施例で、素子
の作製には厚膜技術を用いた。
1)  81102ペーストの作製 まず、感ガス材層に使用する5y102ペーストを得る
ため1次の工うにして5no2粉末を作製した。
金鵜スズ(Sn99.99%)に濃HNOMを加え、白
色のスズ酸を生じさせた。これをデカンテーシ。
ンにエフ水洗し、余分なHNOsを除去した。この際、
水洗液のpHが6.5〜&8程度になるまで水洗した。
次に、このスズ酸の白色沈澱物をエアパ、12 。
ス中、120℃の温度で蒸発乾固した後、軽く乳鉢で固
まりをくずし、空気中700℃の温度で2h(以下、h
は時間の略称)片焼した。
この工すにして得7t8nO2粉末に1重txのPd粉
末を混入さすため、それに対応する量のPdCA2  
の水溶液を加え、ライカイ機で約6h混合した後、空気
中、600℃の温度で1h加熱した。
この加熱に工ってPdCβ2はPd十Cぶ2tに分解し
、5n02粉末の表面にPdの微粉末が均一に分散した
。Pd1%を含んだ感カス材である5n02の原料粉末
か得られた。
次に、この原料粉末を10gとり、これにエチルセルロ
ースとα−テルピネオールからなる有機物のベヒクルを
6aa力口え、さらにJ −Pd −Jl−’[’i 
 系からなる結晶化ガラス粉末を約10wt、%加え、
ライカイ機で1h混練し%  5n02の感ガス材用ペ
ーストを作製した。
If)S102厚膜サンドイツチ型センサの作6次に、
このペーストを用い、厚膜技術を用いて第4図の一部切
欠斜視図に示すような、5n02を感ガス材層とする厚
膜サンドイッチ型カスセンサを作製した。第4図におい
て、符号2は厚膜によるPtの上部電極膜層% 3ij
SHOzjりなる感ガス材層、4Vi厚膜[jるPtの
下部電極膜層である。また、5はこれらの膜を支持する
アルミナの基板、6′は、このアルミナの基板の裏面に
厚膜技術を利用して付与した素子加熱用Ptヒータのヒ
ータ端子である(ヒータ部分は下方にあって図示されず
)。またグ、4′は、それぞむ上部電極および下部電極
のリード用端子である。
なお、この厚膜カスセンサの焼成I/i900’Cの−
<ルトPrz−tた。印刷用スクリーンJ1325メツ
シュのステンレススクリ〜ンヲ用いた。
このようにして、筐ず、厚膜サンドイッチ型のガスセン
サを作製しておく、なお、このままの状態での各種ガス
に対する応答特性は第2衣に示す工9な佃であった。
第2表に示した値から分かるように、従来のままの積層
型(サンドイッチ型)だけではI  CH4に応答スる
と同時に、アルコールにもCH4に対する以上の感度を
持っている。
1111  LaNiOs膜エリなる被覆層の形成次に
、上記の妨害アルコールの影響を除く目的で、上部電極
層2の表面上に、Ladies  膜よりなる被覆層を
形成するため以下のようにした。
LaNiOsの化学量論的組成比となるようにLaお工
びN1の酢酸塩を採取し、これを純水に溶解し、減圧下
においてエバポレータで濃縮し、乾固し、これを空気中
600℃の温度で2h加熱分解した。次に、これを空気
中1000℃の温度で焼成し、LaNiOsの組成を有
する多結晶の固形物を得た。この固形物をライカイ機で
10h粉砕し、LaNi0jの黒色粉末を得た。
この黒色粉末のLaNiOsを用い、上記の5n02の
場合と同様な方法・でペーストを作製し、また。
5n02の場合と同様の厚膜化の方法で、前記のサンド
イッチ型センサの上部電極膜層の上ICLaN40sの
被覆層を形成した。このとき、被覆層の膜厚は約20μ
であり、膜面の大きさは上記の上部電極膜の面とほぼ同
じ様にした。これは、アルコール蒸気を下側の5n02
工りなる感ガス材層に直接触れさせないようにするため
である。
このようにして得た本実施例1の5102厚膜がスセン
サ素子のガス応答特性は、第3表に示すようなものであ
った。
第3表 実施例1のガスセンサ特性 ここで、CHa の感度が上記の第2表の値より上昇し
た(370℃の場)理由は不明であるが、以下の実施例
での幾つかは、アルコールの感度を抑えるとCH4の感
度か上昇した。
第2表と第3表との値の対照から分かるように本実71
例KLるものは、アルコールの感度を従来の妨害ガス減
殺被覆層のないものに比較して約1A以下に低減するこ
とができた。
実施例 2゜ この実施例は、実施例1における妨害カス減殺被覆層で
あるLaN2O5膜の厚さを変えて本発明の効果を顕著
にすることに関するものである。
実施例1と同様な方法により作製したLaNiOs工り
なる被覆層を有する本発明の5n02厚膜サンドイツチ
型ガスセンサ素子にして、ただし5LaN105の被覆
層の膜厚のみを、30μ、40μ、50μに変えた3種
類の本発明になるガスセンサ素子を作製した。
そ詐らのガスセンサ素子のガス応答特性は第4衣に示す
ようなものであった。この測定値は素子温度が450℃
、ガス濃度11000ppの条件におけるものである。
第4表から分かるように1本発明によればアルコールの
感度をほとんど実用的範囲で問題にならない程度以下に
抑えることができる。
実施例 & 本実施例は、5n02厚膜センサのH2の感度を抑える
場合のものである。
H2ガスの分解作用の比較的太きいものとしてTlO2
なる酸化物の粉末をH2ガスの影響を減殺する被積層用
の材料として選んだ。ここで用いた’I’:102は市
販の999%以上の純度の粉末である。
この粉末を用い、実施例1の被種層の場合と同様の処理
にエリペーストを作製し、また同様の厚膜技術によt)
被核層を形成した。被覆層の膜厚を60μとした。
この工すにして作表した本発明になるガスセンサ素子の
カス応答特性は第5衣に示すようなものであった。
この場合の測定条件は、素子温度約490’C。
ガスm度11000ppである。
第5表 実施例3のガスセンサ素子応答特性実施例 4
゜ 本実施例は感ガス材料にznOを用い、アルコールより
なる妨害ガスの影響減殺用被積層の材料にFe2O,を
用いた場合のものである。
znO粉末には、一般市販品中の最も微粉末のものを選
んで用い友。
実施例1の場合と同様の方法で、ZnOを感ガス材層と
する従来タイプのサンドイッチ型素子を作製し、これに
Fe2O,ペーストを用いて、焼成後の膜厚が約50μ
となるように複数回印刷塗布し、Fezes より、な
る被覆層を、実施例1の場合と同様に形成した。
得らnた本発明になるガスセンサ素子のガス応答特性は
第6表に示すようなものであった。
この場合の素子温度は510℃、ガス@度ti200Q
、19 、 PPm である。
第6表 英施4のガスセンサ素子応答特性第6表から分
かるように、従来の2no 感ガス材のみではアルコー
ルに対し強い感度を有しているものが、本発明によるF
e2O3被稜層を検温するここ[エリ約1/4以下に抑
えることができた。
実施例 5 本実施例は、5no2を感カス材層の材料に使用すると
同時に、被覆層の材料としても使用した場合の実施例で
ある。すなわち、この場合は、サントイブチ内に挾まn
ている5no2はCHaガスの検知材料として、また、
上部電極層上に被覆する被核層における5n02は(H
4の検知を妨害するアルコールやH2の工りな妨害ガス
を分層する目的に使用するものである。
・20・ まず、実施例1の場合と同様にして、従来タイプの被覆
層のないサンドイッチ型のS、nO2ガスセンサ素子を
作製した。次に、この無被覆のサンドイッチ型の素子に
、焼成後の膜厚が約50μになるように塗布し、焼成し
た。5102↓りなる被核層を有する本発明になるガス
センサ素子を作製した。
このガスセンサ素子のガス応答特性は第7表に示す工り
なものであった。
なお、この測定におけるアルコールの濃度は笑用範囲で
ある11000pp’2でとした。
第7表 実施例5のガスセンサ素子特性上記の実施例以
外に、多数の感ガス材料と被覆層材料の組み合せ(被覆
層なしを含む)による、前記の突施例と同様のサンドイ
ッチ型センサを作製したものについての特性を測定した
結果を第8衣に示す。
第8表 ・23・ 以上のよりに、本発明に工nば、感ガス材層および妨害
ガス減殺被覆層の材料に各種の材料を組み合わせて、そ
の使用目的にそって、巧みに利用することができる。な
お、本発明においては、同一の材料でも、被検知ガスの
検知用を、妨害ガスの分解用に使い分けることができる
ものであり、これは本発明における独特の例である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるものと従来のものとのカスセン
サ素子の構造を示す断面図である。 第2図は1本発明による厚膜ガスセンサの原理を説明す
るための積層構造を示す断面図である。 第6図#−i、本発明における被覆層経由抵抗値と感カ
ス材層経由抵抗値の関係を説明するための回路図である
。 第4図は、本発明の一実施例における積層型厚膜ガスセ
ンサの構造を示す一部切欠斜視図である。 1・・・妨害カス減殺被覆層、2・・・上部電極膜層。 3・・・感ガス材層、4・・・下部電極膜層、5・・・
アルミナ基板、6・・・素子加熱用ヒータ。 タ / 因 UH4C2H50H CH4(2H5−OH λス日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、金属酸化物よりなる感ガス材層;該感ガス材層の上
    部表面側のガス透過性の上部電極膜層;該感ガス材層と
    下部の基板との間の下部電極膜層;とt有してなる積層
    型ガスセンサ素子にして、該上部電極膜層の上方に、検
    仰せんとする目的ガス以外の他のガスを分解または分解
    を促進させるに有効な金属酸化物よりなる妨害ガス減殺
    被覆層を該感ガス材層′ft被覆するように設けてなる
    ことを特徴とするガスセンサX子。 z、前記の妨害ガス減殺被覆層は、cr2o5. ’I
    ’102゜Mn02r F620s 、Ni O,cu
    o 、2nO−5nO2a Ta205 。 W 05 * LaN 10 s工9なる金属酸化物の
    群中エフ選ばれた一種以上よりなるものである特許請求
    の範囲第1項記載のガスセンサ素子。 8、該感ガス材層は5n02 ’Y:用いた厚膜層にし
    て、該妨害ガス減殺被覆層はLaNi0.の塗蒲換被榎
    層。 あるいは厚M1fCは薄膜技術〉用いてなる被蝋層であ
    る特許請求の範囲第1項記載のガスセンサ素子。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6375857U (ja) * 1986-11-05 1988-05-20
JPS63314452A (ja) * 1987-03-05 1988-12-22 Figaro Eng Inc センサ
JPH03172749A (ja) * 1989-11-30 1991-07-26 Fuji Electric Co Ltd ガスセンサ
WO1996037771A1 (de) * 1995-05-24 1996-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Sensoranordnung zum nachweis eines gases
JP2012172973A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Figaro Eng Inc 可燃性ガス検出装置及び可燃性ガス検出方法
JP2014528590A (ja) * 2011-10-14 2014-10-27 ハインリッヒ−ハイネ−ウニベルジテート デュッセルドルフ センサおよびセンサの製造方法
CN104713914A (zh) * 2015-02-02 2015-06-17 华中科技大学 一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
CN107879381A (zh) * 2017-11-07 2018-04-06 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 用于甲醛传感器的Sn单原子修饰NiO纳米材料的制备方法及其产品和应用

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6375857U (ja) * 1986-11-05 1988-05-20
JPS63314452A (ja) * 1987-03-05 1988-12-22 Figaro Eng Inc センサ
JPH03172749A (ja) * 1989-11-30 1991-07-26 Fuji Electric Co Ltd ガスセンサ
WO1996037771A1 (de) * 1995-05-24 1996-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Sensoranordnung zum nachweis eines gases
JP2012172973A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Figaro Eng Inc 可燃性ガス検出装置及び可燃性ガス検出方法
JP2014528590A (ja) * 2011-10-14 2014-10-27 ハインリッヒ−ハイネ−ウニベルジテート デュッセルドルフ センサおよびセンサの製造方法
CN104713914A (zh) * 2015-02-02 2015-06-17 华中科技大学 一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
CN107879381A (zh) * 2017-11-07 2018-04-06 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 用于甲醛传感器的Sn单原子修饰NiO纳米材料的制备方法及其产品和应用

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