JPS58202535A - 被膜形成装置 - Google Patents
被膜形成装置Info
- Publication number
- JPS58202535A JPS58202535A JP8488082A JP8488082A JPS58202535A JP S58202535 A JPS58202535 A JP S58202535A JP 8488082 A JP8488082 A JP 8488082A JP 8488082 A JP8488082 A JP 8488082A JP S58202535 A JPS58202535 A JP S58202535A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- deposits
- film forming
- internal structure
- internal
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/028—Physical treatment to alter the texture of the substrate surface, e.g. grinding, polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ（化学気相成長）
等の被膜形成装置、特に被処理物を処理するチャンバ内
における各内部構造物の表面構造に関する。
等の被膜形成装置、特に被処理物を処理するチャンバ内
における各内部構造物の表面構造に関する。
従来、真空蒸着装置等の内部構造物の表面はガス吸着防
止のために、第１図のように内部構造物１０表面はパフ
仕上による鏡面処理が施こされていた。しかし、この表
面に堆積する堆積物２がＡ４等の場合は剥離の問題はな
いが、付着強度の低い耐熱金属（Ｗ、 Ｍｏ、 Ｔａ
Ｌ シリサイド（ＭｏＳｉｚ、ＷＳｉｚＬ酸化物（Ｓ
ｉＱ、等）尋の堆積物２からなる薄膜は膜の内部応力が
大きく、ある膜以上堆積すると、内部構造物ｌと堆積物
２の界面から剥離し、異物となって被処理物であるウェ
ハに再付着し断線、ショート不良を発生する欠点があっ
た。
止のために、第１図のように内部構造物１０表面はパフ
仕上による鏡面処理が施こされていた。しかし、この表
面に堆積する堆積物２がＡ４等の場合は剥離の問題はな
いが、付着強度の低い耐熱金属（Ｗ、 Ｍｏ、 Ｔａ
Ｌ シリサイド（ＭｏＳｉｚ、ＷＳｉｚＬ酸化物（Ｓ
ｉＱ、等）尋の堆積物２からなる薄膜は膜の内部応力が
大きく、ある膜以上堆積すると、内部構造物ｌと堆積物
２の界面から剥離し、異物となって被処理物であるウェ
ハに再付着し断線、ショート不良を発生する欠点があっ
た。
本発明の目的は、上記の欠点を改善し、堆積物の剥離を
防止し、被処理物に再付着する異物を低減することにあ
る。
防止し、被処理物に再付着する異物を低減することにあ
る。
上記目的を達成するために、本発明では、真空蒸着装置
等の被膜形成装置のチャンバ内の内部構造物表面をホー
ニング、サンドブラスト、エツチングなど罠よって加工
して内部構造物表面を、凹凸化することにより、内部構
造物表面に堆積する堆積物の内部応力を緩和し、剥離を
防止するように構成している。
等の被膜形成装置のチャンバ内の内部構造物表面をホー
ニング、サンドブラスト、エツチングなど罠よって加工
して内部構造物表面を、凹凸化することにより、内部構
造物表面に堆積する堆積物の内部応力を緩和し、剥離を
防止するように構成している。
以下本発明を実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例による真空蒸着装置の概要を
示す概略図、第３図は同じ（チャンバ内の内部構造物の
表面部分を示す拡大断面図である。
示す概略図、第３図は同じ（チャンバ内の内部構造物の
表面部分を示す拡大断面図である。
第２図に示すよ’）Ｋ、ｆｉ、空蒸着装置は機台３に対
して開閉可能なチャンバ４を有し７ていて、機台３の中
火部にはシャッター５によって所望特級われる蒸発物質
を収容するホートロを有している。
して開閉可能なチャンバ４を有し７ていて、機台３の中
火部にはシャッター５によって所望特級われる蒸発物質
を収容するホートロを有している。
ｆた、ボート６０周辺にはヒーターを内蔵したヒーター
カバー７を配設するとともに、チャンバ４の上部にはチ
ャンバ４に支持されかつ回動するチャージ治具８が取り
付けられている。このチャージ治具８には、たとえはウ
ェハ等の被処理物が取り付けられる。また、チャンバ４
の内壁には蒸着物質の付着を防止する防着板９が配設さ
れている。
カバー７を配設するとともに、チャンバ４の上部にはチ
ャンバ４に支持されかつ回動するチャージ治具８が取り
付けられている。このチャージ治具８には、たとえはウ
ェハ等の被処理物が取り付けられる。また、チャンバ４
の内壁には蒸着物質の付着を防止する防着板９が配設さ
れている。
また、この実施例ではチャンバ４内の内部構造物である
シャッター５．チャージ治具８．防着板９゜ヒーターカ
バー７等の表面はホーニング処理が施され、第３図に示
すように内部構造物１の表面はｌＯμｍ程度の深さの凹
凸面となっている。
シャッター５．チャージ治具８．防着板９゜ヒーターカ
バー７等の表面はホーニング処理が施され、第３図に示
すように内部構造物１の表面はｌＯμｍ程度の深さの凹
凸面となっている。
このような実施例によれば、内部構造物ｌの表面が凹凸
面となっていることから、蒸着物質からなる堆積物２の
内部応力は緩和される。この結果、堆積物２の剥離は極
めて少なくなり、チャンバ４内のＮｓ（窒累）のリーク
中に異物となって巻上り、被処理物であるウェハの表面
に付着するような従来多発してい１こウェハの汚染は少
なくなり、異物不良率は軽減できろ。
面となっていることから、蒸着物質からなる堆積物２の
内部応力は緩和される。この結果、堆積物２の剥離は極
めて少なくなり、チャンバ４内のＮｓ（窒累）のリーク
中に異物となって巻上り、被処理物であるウェハの表面
に付着するような従来多発してい１こウェハの汚染は少
なくなり、異物不良率は軽減できろ。
なお、前記実施例において、初期の蒸着物儒の堆積前に
は十分高真發に排気し、加熱ガス出しを行なうことによ
り、膜の剥離防止効果を高めることができる。
は十分高真發に排気し、加熱ガス出しを行なうことによ
り、膜の剥離防止効果を高めることができる。
また、本発明は前記実施例に限定されプ、ｃい。すなわ
ち、被膜形成装置としては、スパッタ装置。
ち、被膜形成装置としては、スパッタ装置。
ＣＶＤ装置等であってもよい。また、内部ｍ遺物の表面
の凹凸加工は、サンドブラスト、部分エツチング等他の
加工方法でもよい。
の凹凸加工は、サンドブラスト、部分エツチング等他の
加工方法でもよい。
また、この表面処理は、鼻發チャンバ内部、蒸発シ、ヒ
ータ一部がすべて大気にさらされる。完全オープニング
チャンバ形装置はもとより、蒸発源、ヒータ一部などの
主要部分が大気−を卜されることなく常に高’Ｊ、壁に
たもたれる。ロードロック真空装考に適用すれば特に効
果がある。
ータ一部がすべて大気にさらされる。完全オープニング
チャンバ形装置はもとより、蒸発源、ヒータ一部などの
主要部分が大気−を卜されることなく常に高’Ｊ、壁に
たもたれる。ロードロック真空装考に適用すれば特に効
果がある。
以上のように本発明によれば、内部構造物からの堆積物
の剥離を防止することができることから、ウェハ等の被
処理物に堆積物微片による異物の付着は大幅圧低減でき
るため、異物付着不良率を軽減でき、歩留の向上を図る
ことができる。
の剥離を防止することができることから、ウェハ等の被
処理物に堆積物微片による異物の付着は大幅圧低減でき
るため、異物付着不良率を軽減でき、歩留の向上を図る
ことができる。
第１図は従来の真空蒸着装置の内部構造物の表面部分を
示す拡大断面図、 第２図は本発明の一実施例による真空蒸着装置の概要を
示すＲ略図、 第３図は同じ（チャンバ内の内部構造物の表面部分を示
す拡大断面図である。 １・・・内部構造物、２・・・堆積物、４・・・チャン
バ、５・・・シャッター、７・・・ヒーターカバー、８
・・・チャージ治具、９・・・防着板。 第 Ｔ 図 第 ３ 図 第 ２ 図 とよ５ひ■７
示す拡大断面図、 第２図は本発明の一実施例による真空蒸着装置の概要を
示すＲ略図、 第３図は同じ（チャンバ内の内部構造物の表面部分を示
す拡大断面図である。 １・・・内部構造物、２・・・堆積物、４・・・チャン
バ、５・・・シャッター、７・・・ヒーターカバー、８
・・・チャージ治具、９・・・防着板。 第 Ｔ 図 第 ３ 図 第 ２ 図 とよ５ひ■７
Claims (1)
- １、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等の被膜形成装置にお
いて、被処理物を処理するチャンバ内における各構造物
の表面を凹凸面状とすることを特徴とする被膜形成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488082A JPS58202535A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 被膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488082A JPS58202535A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 被膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202535A true JPS58202535A (ja) | 1983-11-25 |
Family
ID=13843082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8488082A Pending JPS58202535A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 被膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202535A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235627A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の半導体基板保持治具 |
| WO1998044538A2 (de) * | 1997-03-27 | 1998-10-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Bauteil aus quarzglas für die verwendung bei der halbleiterherstellung |
| JP2002309370A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-23 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| US7648782B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus |
| US7767268B2 (en) | 2005-09-08 | 2010-08-03 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7850864B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
| US8231986B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-07-31 | Tocalo Co., Ltd. | Spray coating member having excellent injury resistance and so on and method for producing the same |
| CN113594014A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-11-02 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 零部件、等离子体反应装置及零部件加工方法 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8488082A patent/JPS58202535A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235627A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置の半導体基板保持治具 |
| WO1998044538A2 (de) * | 1997-03-27 | 1998-10-08 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Bauteil aus quarzglas für die verwendung bei der halbleiterherstellung |
| WO1998044538A3 (de) * | 1997-03-27 | 1998-12-30 | Heraeus Quarzglas | Bauteil aus quarzglas für die verwendung bei der halbleiterherstellung |
| JP2002309370A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-23 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| US8231986B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-07-31 | Tocalo Co., Ltd. | Spray coating member having excellent injury resistance and so on and method for producing the same |
| US7767268B2 (en) | 2005-09-08 | 2010-08-03 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US8053058B2 (en) | 2005-09-08 | 2011-11-08 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7648782B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus |
| US7850864B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
| CN113594014A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-11-02 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 零部件、等离子体反应装置及零部件加工方法 |
| CN113594014B (zh) * | 2020-04-30 | 2024-04-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 零部件、等离子体反应装置及零部件加工方法 |
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