JPS58191452A - セラミツクｉｃパツケ−ジとその製法 - Google Patents
セラミツクｉｃパツケ−ジとその製法Info
- Publication number
- JPS58191452A JPS58191452A JP7458382A JP7458382A JPS58191452A JP S58191452 A JPS58191452 A JP S58191452A JP 7458382 A JP7458382 A JP 7458382A JP 7458382 A JP7458382 A JP 7458382A JP S58191452 A JPS58191452 A JP S58191452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- printing
- lead
- out pin
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000010871 livestock manure Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この山軸の発明は、セラミックＩＣパッケージにおいて
、限定された区域に多くの導出用ビンを設け、かつ、そ
れらのビンの接合９ｍ！ｉｊを高めることを目的とし、
そのために、グリンシート面に孔を穿ち、これに４通ペ
ーストによるビヤホール印刷及びラウンド印刷を施し、
この中空孔上に導出用ビンの拡大端部を直立溶着するこ
とを％徴とするものである。
、限定された区域に多くの導出用ビンを設け、かつ、そ
れらのビンの接合９ｍ！ｉｊを高めることを目的とし、
そのために、グリンシート面に孔を穿ち、これに４通ペ
ーストによるビヤホール印刷及びラウンド印刷を施し、
この中空孔上に導出用ビンの拡大端部を直立溶着するこ
とを％徴とするものである。
従来、この棺のセラミックを基本とする半導体装置のプ
ラグイン型のものけ、第１図に示すとおりであって、グ
リンシートを層別に必要な孔を打抜き、その孔に導通ペ
ーストを注入し、その七にパターン印刷により上下層に
導通する配線を形成し、導出用ビンを直立させるラウン
ド部分にメタライズ印刷を施し、還元雰囲気１５００〜
１６００℃の焼成を行った後、ビン熔着用にニッケルメ
ッキを行うものであり、メタライズラウンド５に内部配
線の端子として導通ペーストを埋込んでなる中実孔上に
４通ピン１を単に熔着した本のであって、ビンの接合節
度の弱いうらみがあり、加えて、限定された面積により
多ぐの導出用ビンを溶着する場合、それらの強度に均一
性がない欠点があるものである。
ラグイン型のものけ、第１図に示すとおりであって、グ
リンシートを層別に必要な孔を打抜き、その孔に導通ペ
ーストを注入し、その七にパターン印刷により上下層に
導通する配線を形成し、導出用ビンを直立させるラウン
ド部分にメタライズ印刷を施し、還元雰囲気１５００〜
１６００℃の焼成を行った後、ビン熔着用にニッケルメ
ッキを行うものであり、メタライズラウンド５に内部配
線の端子として導通ペーストを埋込んでなる中実孔上に
４通ピン１を単に熔着した本のであって、ビンの接合節
度の弱いうらみがあり、加えて、限定された面積により
多ぐの導出用ビンを溶着する場合、それらの強度に均一
性がない欠点があるものである。
この出願の発明は、上記従来方法の欠点を除き、より均
一で接合強麗の大舞い半導体装置の導出ビンを得ること
ができた。
一で接合強麗の大舞い半導体装置の導出ビンを得ること
ができた。
これを添付図面に示す実施例について説明する。
第２図は、導出用ビン取付部とｌ０１ｇ子卓付面が反対
側にある場合、１１は導出ピン、８はビン１１の下端付
近Ｋｍけ友拡大鍔部、９けセラミック１２に設ける１Ｌ
ＺＳ内にでき友銀鍮の溶着後の形状、５は溶着ラウンド
、６＃ｉ接合部で銀−又は半田がピンの周囲のセラミッ
クのメッキ面上に溶着されてできる。
側にある場合、１１は導出ピン、８はビン１１の下端付
近Ｋｍけ友拡大鍔部、９けセラミック１２に設ける１Ｌ
ＺＳ内にでき友銀鍮の溶着後の形状、５は溶着ラウンド
、６＃ｉ接合部で銀−又は半田がピンの周囲のセラミッ
クのメッキ面上に溶着されてできる。
さて、まずセラミックシー）２に上下に、４じる必要な
導通部孔（図示せず）、導出用ピン直立位ＲＫ所要径の
孔を打抜外、その直立位置に穿った孔３内面に４涌ペー
ス）Ｋよるビヤホール印刷及びグランド印刷を施し、層
別シートを熱圧看して雄体に切断した後、還元雰囲気中
にて１５００〜１６００ｒの焼成を行い、メタライズ而
の二’７ケルメツキを施した後、この中空孔３上に導出
用ビン１１の先端拡大鍔部８を溶着し、拡大鍔部８の下
面に孔１３内面に連続した銀鍾たま抄（フィレット）９
をつくり、燐着固定する。
導通部孔（図示せず）、導出用ピン直立位ＲＫ所要径の
孔を打抜外、その直立位置に穿った孔３内面に４涌ペー
ス）Ｋよるビヤホール印刷及びグランド印刷を施し、層
別シートを熱圧看して雄体に切断した後、還元雰囲気中
にて１５００〜１６００ｒの焼成を行い、メタライズ而
の二’７ケルメツキを施した後、この中空孔３上に導出
用ビン１１の先端拡大鍔部８を溶着し、拡大鍔部８の下
面に孔１３内面に連続した銀鍾たま抄（フィレット）９
をつくり、燐着固定する。
この出願の発明は、拡大鉤部の下ＩｆｉＫ＠曽による強
固な結合部がセラミックの孔の中に延長されるため、あ
たかも鍔の下にもピンが存在する形状のビンが卸付けさ
れた効果がある。。セラミックの孔の中にピンを銅付け
することは以前より実施されてはいるが、孔径とピン径
の相関関係を厳しく規制せねばならず、又、孔中にピン
を入れるため作業性の悪い従来のものく比べ、との出願
の発明は作業性が良く、より強力に溶着され、確実に固
定することができるとともに強度のバラツキも少ないも
のである。
固な結合部がセラミックの孔の中に延長されるため、あ
たかも鍔の下にもピンが存在する形状のビンが卸付けさ
れた効果がある。。セラミックの孔の中にピンを銅付け
することは以前より実施されてはいるが、孔径とピン径
の相関関係を厳しく規制せねばならず、又、孔中にピン
を入れるため作業性の悪い従来のものく比べ、との出願
の発明は作業性が良く、より強力に溶着され、確実に固
定することができるとともに強度のバラツキも少ないも
のである。
そのト、下肥のように従来方法で製作のものに比べて、
この出願の発明は格別の強度と均一性のあることが明白
である。
この出願の発明は格別の強度と均一性のあることが明白
である。
試料１． ＯＥ来方法で製造のプラグイン型ＩＣパッ
ケージ、１．５■ダのメタライズラウンド上に０．５１
ダの導通用ビン（材質コバール）を共晶鎖鑞で接合した
もの。
ケージ、１．５■ダのメタライズラウンド上に０．５１
ダの導通用ビン（材質コバール）を共晶鎖鑞で接合した
もの。
試料２． この出願の発明にかかるもの。すなわち、プ
ラグイン型ＩＣパッケージにおいて、メタライズラウン
ド径１．５冒り、ピアホール孔径０．４■ダ上に、ピン
径０．５ｗｍ１、拡大鍔部径０．８−ダの導出用ピン（
材質コバール）金共晶鋼鑵で接合したもの。
ラグイン型ＩＣパッケージにおいて、メタライズラウン
ド径１．５冒り、ピアホール孔径０．４■ダ上に、ピン
径０．５ｗｍ１、拡大鍔部径０．８−ダの導出用ピン（
材質コバール）金共晶鋼鑵で接合したもの。
第１図は、従来方法により製造のＩＯパッケージの導出
用ピンの軸線を通る縦断面図、第２図と第３図は、この
出願の発明の実施例を示す縦断面図であり、第４図は導
出用ピンを示し、第５図は、この出願の発明の方法によ
り製造のものの導出用ビンの軸線を通る縦断面図である
。 １・・・導通用ピン ２・・・グリーンシート３・・・
メッキをされ、ビヤホール印刷を施した導電ペースト部
をもつ中空孔 ４・・・内部間？ｓ４′・・・外部配線５・・・ラウン
ド ６・・・備付接合部分７・・・導油ペースト孔 特許出願人代理人 弁理士藤木三幸 第 １ 図 １１３ ￥ｔＪ １１４図 笥 ５ （資） ２１１ 一
用ピンの軸線を通る縦断面図、第２図と第３図は、この
出願の発明の実施例を示す縦断面図であり、第４図は導
出用ピンを示し、第５図は、この出願の発明の方法によ
り製造のものの導出用ビンの軸線を通る縦断面図である
。 １・・・導通用ピン ２・・・グリーンシート３・・・
メッキをされ、ビヤホール印刷を施した導電ペースト部
をもつ中空孔 ４・・・内部間？ｓ４′・・・外部配線５・・・ラウン
ド ６・・・備付接合部分７・・・導油ペースト孔 特許出願人代理人 弁理士藤木三幸 第 １ 図 １１３ ￥ｔＪ １１４図 笥 ５ （資） ２１１ 一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１導出用ビン取付部において、この取付部に設けた
、導通ペース）Ｋよるビヤホール印刷ｔ−ｍした中空孔
に、これを覆うように端部に拡大鍔部を有する導出用ビ
ンの端部を熔着してなるセラミックＩＣパッケージ。 （２）グリンシートの導出用ピン取付部に孔を穿ち、こ
れに導通ペース）Ｋよるビヤホール印刷及びラウンド印
刷を施した後、各１別シートを圧着し、豪元雰囲気中に
て焼成を行い、表面などのメッキ後、端部に拡大鍔部を
有する導出用ビンを前記端部がセラミック面上の導出用
ピン増付部の孔七Ｋｌ／、部をセラミック０ｉｉｉＫ当
接せしめて熔着し、セラミック面に対して直立するよう
にしてなるセラミックＩＣパッケージの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7458382A JPS58191452A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | セラミツクｉｃパツケ−ジとその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7458382A JPS58191452A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | セラミツクｉｃパツケ−ジとその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191452A true JPS58191452A (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=13551325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7458382A Pending JPS58191452A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | セラミツクｉｃパツケ−ジとその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58191452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0198354A2 (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for Brazing interconnect pins to metallic pads |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4834072A (ja) * | 1971-09-04 | 1973-05-15 |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP7458382A patent/JPS58191452A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4834072A (ja) * | 1971-09-04 | 1973-05-15 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0198354A2 (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for Brazing interconnect pins to metallic pads |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4833102A (en) | Process of making a ceramic lid for use in a hermetic seal package | |
| US6932644B1 (en) | Dissimilar metal hermetic connector | |
| WO2021013401A1 (de) | Verfahren und entwärmungskörper-anordnung zur entwärmung von halbleiterchips mit integrierten elektronischen schaltungen für leistungselektronische anwendungen | |
| CN102131353A (zh) | 连接组件的方法、电路组件的组合体和电路 | |
| JPS58191452A (ja) | セラミツクｉｃパツケ−ジとその製法 | |
| CN107785327A (zh) | 电子部件搭载用基板、电子装置以及电子模块 | |
| JPS616849A (ja) | パワー用半導体モジユールの製造方法 | |
| JPS6171656A (ja) | マイクロエレクトロニクス・モジユール及びその製造方法 | |
| CN105845655A (zh) | 微焊盘上叠加进行球形焊接的方法及微焊盘叠加键合结构 | |
| US4396971A (en) | LSI Chip package and method | |
| CN115763284A (zh) | 一种提升芯片单焊盘可通过电流的引线键合方法 | |
| CN109727924B (zh) | 一种带AlN和Si过渡片陶瓷外壳封装结构 | |
| EP1176128A3 (en) | Composite member comprising bonded different members and method for making the composite member | |
| JP4794074B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
| JPH01244630A (ja) | 半導体ペレットのボンディング方法 | |
| CN217715044U (zh) | 一种一体化封装半导体桥点火器 | |
| JP3887993B2 (ja) | Ｉｃチップと回路基板との接続方法 | |
| CN104124215B (zh) | 一种焊接、键合和密封同步完成的封装结构和封装工艺 | |
| JPH0233960A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3715137B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP3800358B2 (ja) | 半導体気密封止容器の端子ならびに同容器 | |
| JPH01253941A (ja) | 気密封止型半導体容器の製造方法 | |
| JPS5821424B2 (ja) | 半導体材料支持用基板の製造方法 | |
| JPH03171761A (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
| JPH10256310A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |