JPS5817414A - 液晶光学装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、i*晶光学装置に関し、詳しくは、低同波で
誘電緩和を生じる光学的に活性なネマチック液晶を用い
た高速応答肴性を有す液晶光学装置K11mする。
誘電緩和を生じる光学的に活性なネマチック液晶を用い
た高速応答肴性を有す液晶光学装置K11mする。
低同波で誘電緩和を生じる光学的に活性なネマチック液
晶を用いた液晶光学装置am晶)(ネル。
晶を用いた液晶光学装置am晶)(ネル。
駆動方法あるいけこの応用について―願昭5S−141
015,4111昭54−7045.q@願昭56−7
047等で詳しく述べた0本発明は滲晶パネルを構成す
る2枚の基板の表面に箇こす水平配向処理方向と偏光@
0偏光wosesを調整することによつで上記発明の効
果をよ如有効にする−のでl!IK本発明で使用した低
同波で誘電緩和を生じるネマチック涼晶組威物を示し丸
、この原品組成物に、光学活性物質4−(4−へキシル
オキシペンシロキシ)−ベンゾイックアシド−a−ff
i−オクチルエステルを添加することにより、光学的に
活性なネマチツタ漬晶組威物を得ることができる。
015,4111昭54−7045.q@願昭56−7
047等で詳しく述べた0本発明は滲晶パネルを構成す
る2枚の基板の表面に箇こす水平配向処理方向と偏光@
0偏光wosesを調整することによつで上記発明の効
果をよ如有効にする−のでl!IK本発明で使用した低
同波で誘電緩和を生じるネマチック涼晶組威物を示し丸
、この原品組成物に、光学活性物質4−(4−へキシル
オキシペンシロキシ)−ベンゾイックアシド−a−ff
i−オクチルエステルを添加することにより、光学的に
活性なネマチツタ漬晶組威物を得ることができる。
褒 1
−1: )ランスミクロヘキサン
−〇−二 ペンゼル積
上記光学性、物質をz2重量パーセント添加し九液晶組
成物を〔液晶−1〕とする。液晶の誘電率は、一般に液
晶分子軸方向とこれに垂直な方向とでは異1kI前者を
cll、後者をC工で表わす、さらKg口とC上の差、
すなわちt ss ””” を上を誘電異方性と定義し
、ΔCで表わす、6g>0及びΔt<Oをそれぞれ、誘
電異方性が正及び負を呼ぶ0本発明で使用する液晶組成
愉は、ΔCが周波数に依存して大きく変化し、交差周波
数(以下faを略す)よ)低い周波数ではΔt>O,t
。
成物を〔液晶−1〕とする。液晶の誘電率は、一般に液
晶分子軸方向とこれに垂直な方向とでは異1kI前者を
cll、後者をC工で表わす、さらKg口とC上の差、
すなわちt ss ””” を上を誘電異方性と定義し
、ΔCで表わす、6g>0及びΔt<Oをそれぞれ、誘
電異方性が正及び負を呼ぶ0本発明で使用する液晶組成
愉は、ΔCが周波数に依存して大きく変化し、交差周波
数(以下faを略す)よ)低い周波数ではΔt>O,t
。
よ)高い周波数ではΔt (Oとなる。(11晶−1〕
の誘電異方性の一波数肴性を第111に示す、温度はs
a℃である。
の誘電異方性の一波数肴性を第111に示す、温度はs
a℃である。
交差同波数f・よ〕低い同波数をfl 、高い同波数を
fhをし、これに対応する誘電異方性をそれぞれΔaT
−及びΔlとする。 fhの信号を対向する電極間に印
加すると、液晶分子が電界方向に平行に配列%fhの信
号を印加すると、垂直に配列する力が働ら〈。
fhをし、これに対応する誘電異方性をそれぞれΔaT
−及びΔlとする。 fhの信号を対向する電極間に印
加すると、液晶分子が電界方向に平行に配列%fhの信
号を印加すると、垂直に配列する力が働ら〈。
第2図に本発明を構成する液晶パネルの断面の単略図を
示した。111晶層1社、電極4を備える基板2と電極
5を備える基@5(り間に封入されておりシール6で!
で示す厚さdの間隔を保ち密封されている。msの11
面を、配向処理剤10及び11で処理して、脱脂綿で摩
擦しである。2枚の基板の両儒に、偏光@S及び7を配
置している。
示した。111晶層1社、電極4を備える基板2と電極
5を備える基@5(り間に封入されておりシール6で!
で示す厚さdの間隔を保ち密封されている。msの11
面を、配向処理剤10及び11で処理して、脱脂綿で摩
擦しである。2枚の基板の両儒に、偏光@S及び7を配
置している。
とこでdを液晶層厚と還付は以下これを用いる。
配向処理剤10及び11け、エポキシシラシ系樹脂、ポ
リイ2ド系樹脂等であるが、これらの処理剤を用いず、
摩擦するだけでも本発明は満足できる。さちに配向処理
の方法として、基板11面に水平KpIj晶分子が配向
するように、酸化珪素を基板に対して斜めから蒸着を行
たってもよい。
リイ2ド系樹脂等であるが、これらの処理剤を用いず、
摩擦するだけでも本発明は満足できる。さちに配向処理
の方法として、基板11面に水平KpIj晶分子が配向
するように、酸化珪素を基板に対して斜めから蒸着を行
たってもよい。
〔液晶−1〕は、光学的に活性なネマチック液晶組成物
であり、その液晶分子配列は、ねじれ構造をもっている
。〔液晶−1〕のねじれピッチは。
であり、その液晶分子配列は、ねじれ構造をもっている
。〔液晶−1〕のねじれピッチは。
常温でほぼ4μ閣である0本明細書においてねじれピッ
チとは、1回転ねじれの周期で定義する。
チとは、1回転ねじれの周期で定義する。
さら(#晶−1〕のねじれ方向は、果から手前方向に対
して時計回りである。これは、用いた光学活性物質4−
(4−へキシルオキシベンシロキシ)−ベンゾイツクア
シド−(1−2−オクチルエステルが左手系のねじれで
あるととに対応しており。
して時計回りである。これは、用いた光学活性物質4−
(4−へキシルオキシベンシロキシ)−ベンゾイツクア
シド−(1−2−オクチルエステルが左手系のねじれで
あるととに対応しており。
右手系のねじれ構造を有する光学活性物質を添加すれば
、〔液晶−1〕と逆のねじれ構造を取る。
、〔液晶−1〕と逆のねじれ構造を取る。
本明細書においては、〔液晶−1〕を用いた記載を行な
うが1本発明は、右手系、左手系にかかわらず有効であ
る。
うが1本発明は、右手系、左手系にかかわらず有効であ
る。
第3図に、配向処理方向及び偏西鈑の配置方向を示した
。20及び21は配向処理方向であ)。
。20及び21は配向処理方向であ)。
矢印の方向に摩擦しであるmKs図においては。
液晶パネルを上方から観め、20が下基@* 21が上
基鈑の配向方向とする。22及び23は偏光型の偏光面
である。22を2枚の基板の下刃。
基鈑の配向方向とする。22及び23は偏光型の偏光面
である。22を2枚の基板の下刃。
25を上方に配置した。ただし、との2枚の偏光板の偏
光方向に関しては、上下逆にして本その差は以下の実験
では、II定定差差内あり、どちらでも違いがなかった
。上記2つの配向処理方向(20及び21)の2等分線
のうちの1本が25である。もう一方の2等分線っtf
i25に対して垂直な線KIIしても一様の結果が得ら
れるので。
光方向に関しては、上下逆にして本その差は以下の実験
では、II定定差差内あり、どちらでも違いがなかった
。上記2つの配向処理方向(20及び21)の2等分線
のうちの1本が25である。もう一方の2等分線っtf
i25に対して垂直な線KIIしても一様の結果が得ら
れるので。
ことでは2sについてのみ記載する。24は2つの配向
処理方向くよって作られる角度ψ・である。
処理方向くよって作られる角度ψ・である。
この2等分線が25である。よって26で示した角度は
ψ・12である。2尋分線25の−あの偏光板の偏光f
f123とのなす角を−とする。2枚の偏光板の偏光断
は常に垂直29に配置する。これは、m光#lIK>い
て、光の透過率を最少にする為である。上記により、本
う一方の偏光板の偏光1i22と2等分線25の外す角
は90’−ψ と壜る。
ψ・12である。2尋分線25の−あの偏光板の偏光f
f123とのなす角を−とする。2枚の偏光板の偏光断
は常に垂直29に配置する。これは、m光#lIK>い
て、光の透過率を最少にする為である。上記により、本
う一方の偏光板の偏光1i22と2等分線25の外す角
は90’−ψ と壜る。
IIs図のとと〈配向処理を□打金い(l晶−1〕を5
μva alto沙晶層液晶した液晶パネルにおいて、
液晶分子配列は、560’+ψ・のねじれ構造を持って
いる1次に本発明で用い九棲晶駆動信号について説明す
る。
μva alto沙晶層液晶した液晶パネルにおいて、
液晶分子配列は、560’+ψ・のねじれ構造を持って
いる1次に本発明で用い九棲晶駆動信号について説明す
る。
第4図Kil晶駆動信号を示すe40で示した〈シ返し
周期テ1で図で示した信号がく)返えされる。41で示
し九T2は、開口時間であり、42で示した〒3は閉口
信号である。720間4sで示したfhの信号、750
間、44で示し九f/の信号を印加する。45は電圧で
+/−aマである。との信号を対向する電極間に加える
。 fhの信号によって透光し、つty閉開口、 f/
の信号によって線光、つまシ閉口する。
周期テ1で図で示した信号がく)返えされる。41で示
し九T2は、開口時間であり、42で示した〒3は閉口
信号である。720間4sで示したfhの信号、750
間、44で示し九f/の信号を印加する。45は電圧で
+/−aマである。との信号を対向する電極間に加える
。 fhの信号によって透光し、つty閉開口、 f/
の信号によって線光、つまシ閉口する。
第5図及び第6図に2つの配向処理方向の2等分線に対
する偏光板の偏光面の角度ψを変えて光透過率の応答性
を測定し九結果を示す、ここで透過率100パーセント
とは、2枚の偏光板のみを用い、その偏光面を平行に配
置した時の透過率である。第5図は2つの配向all方
内Otす角ψ・がso”の場合、第41!は116”
0場舎である。
する偏光板の偏光面の角度ψを変えて光透過率の応答性
を測定し九結果を示す、ここで透過率100パーセント
とは、2枚の偏光板のみを用い、その偏光面を平行に配
置した時の透過率である。第5図は2つの配向all方
内Otす角ψ・がso”の場合、第41!は116”
0場舎である。
測定条件を述べる。〔液晶−1〕を用い *晶層厚!に
1〜SSμWIで封入し九、*晶l11m1信号は1第
4図で示しえものでありs T 1−2 m $ h
テ2−α5秒、 fh −1!1(IKH2,f/−2
に111L電圧aは2@マである。温度は40℃であを
、1に5図、第6図とも一様の条件である。ただし、第
5図はψ・が50”、第6図はψ・が110” o九め
、液晶分子の配列は、前者が410°、後者が470°
のねじれ構造である。第5図及び第6図の50〜55.
60〜66で示した曲線は、ψの値を変えたものである
。SO及び60は45@。
1〜SSμWIで封入し九、*晶l11m1信号は1第
4図で示しえものでありs T 1−2 m $ h
テ2−α5秒、 fh −1!1(IKH2,f/−2
に111L電圧aは2@マである。温度は40℃であを
、1に5図、第6図とも一様の条件である。ただし、第
5図はψ・が50”、第6図はψ・が110” o九め
、液晶分子の配列は、前者が410°、後者が470°
のねじれ構造である。第5図及び第6図の50〜55.
60〜66で示した曲線は、ψの値を変えたものである
。SO及び60は45@。
51及びslは40°、52及び62は30@。
55及び65は20”、54′及び64は10°。
55及び6Sは0°である。50°、60@。
70” 、116” 、90@(D場合それぞれ40
0゜50’ 、20@ 、10@、O@ の場合とは
とんと違いが無かった。第5図及び第6図の結果から明
らかなように、fを456に設定した場合が最も透過率
が高く秀る。2つの配向処理の橙す角度ψ・がSo”、
110°の例にツI/%て*SSa及び第6図にその結
果を示し九が、ψ・の全での角度(実際に測定を行なり
九のは10″きざみであるが)について同様の結果が得
られた。
0゜50’ 、20@ 、10@、O@ の場合とは
とんと違いが無かった。第5図及び第6図の結果から明
らかなように、fを456に設定した場合が最も透過率
が高く秀る。2つの配向処理の橙す角度ψ・がSo”、
110°の例にツI/%て*SSa及び第6図にその結
果を示し九が、ψ・の全での角度(実際に測定を行なり
九のは10″きざみであるが)について同様の結果が得
られた。
上記の結果から次の仁とがいえる。これが本発明の畳点
である。
である。
2枚の基管の表面を原品分子が水平に配向するように配
向処理を行ない、この2つの配向処理方向の2等分線に
対して+/−45@の方向に2枚の偏光数の偏光面をそ
れぞれそろえることによって透過率が最大になる。
向処理を行ない、この2つの配向処理方向の2等分線に
対して+/−45@の方向に2枚の偏光数の偏光面をそ
れぞれそろえることによって透過率が最大になる。
上述したごとく本発明は光学的に活性であり。
かつ低周波で誘電緩和を生じるネマチック液晶組成物を
用いた油晶光学装愛において、II晶パネルを構成する
2枚の基型上の配向処理方向と2枚の偏光板の偏光面と
を調整すbことによって、高速かつ透過率の高い清晶光
学装費を賽現する4のである。
用いた油晶光学装愛において、II晶パネルを構成する
2枚の基型上の配向処理方向と2枚の偏光板の偏光面と
を調整すbことによって、高速かつ透過率の高い清晶光
学装費を賽現する4のである。
次に本発明を生かした応用例について述べる。
〈応用例1〉
本発明を光書き込み用のマイクロシャッターアレイとし
て用いた応用例を示す、第7図、第8図に液晶パネルの
構成を示す、1晶パネルは、共通信号電極!1!及び9
20を備えるガラス基蓼917と信号電極!21及び9
22を備えるガラス基@918及びヌペーサ−926の
間に種晶組成物125を封−人し、かつガラス基板の両
−に偏光@92B及び924を備えて成る。共通信号電
極は、透明電極919と光学的に不透明表金属電極92
0から成〕、信号電極921及び922Fi透明電極で
ある。
て用いた応用例を示す、第7図、第8図に液晶パネルの
構成を示す、1晶パネルは、共通信号電極!1!及び9
20を備えるガラス基蓼917と信号電極!21及び9
22を備えるガラス基@918及びヌペーサ−926の
間に種晶組成物125を封−人し、かつガラス基板の両
−に偏光@92B及び924を備えて成る。共通信号電
極は、透明電極919と光学的に不透明表金属電極92
0から成〕、信号電極921及び922Fi透明電極で
ある。
大は共通電極の透明部分919と信号電極とで形rs、
”;れるマイクロシャッターとの部分で蜜調を受ける。
”;れるマイクロシャッターとの部分で蜜調を受ける。
このマイクロシャッターを100μmピッチで2000
個m20mの長さに直線状に作った。
個m20mの長さに直線状に作った。
2つの配向処1方向の成す角度を50@とし。
2枚の偏光職の偏光面を、上記2つの配向処理方向の2
等分線に対し+1−45°の位置に配置した。
等分線に対し+1−45°の位置に配置した。
態動方法は1時系列の画素データに対応して。
マイクロシャッターを開閉できるような駆動用工0を試
作し、パネル上に実装し丸、躯動用工Cは1個嶋り、5
0本の出力ドライバーを持つので。
作し、パネル上に実装し丸、躯動用工Cは1個嶋り、5
0本の出力ドライバーを持つので。
2000個のマイクロシャッターに対して、パネルの両
側にそれぞれ20個づつ、計40個を**した。
側にそれぞれ20個づつ、計40個を**した。
駆動するために必要な各種信号波形のタイ2ングチヤー
トと、それを賽現する丸めの回路ブロック図を第9図と
第10図に示す。
トと、それを賽現する丸めの回路ブロック図を第9図と
第10図に示す。
1001は動作開始のリセット信号、1002は1ライ
ンのデータの開始を示すラインスタート信号、1004
Sはデータを豐求すゐリクエストクロックで、ラインス
タート信号に同期して1ライン分zoooパルヌ送られ
、このクロックに−期してデータを受は取る。1004
a沿晶島動用ICのシフトレジスタのデータを転送する
ためのシフトクロック、1005はデータ転送が終つえ
直後にデータをラッチするラッチパルスである。
ンのデータの開始を示すラインスタート信号、1004
Sはデータを豐求すゐリクエストクロックで、ラインス
タート信号に同期して1ライン分zoooパルヌ送られ
、このクロックに−期してデータを受は取る。1004
a沿晶島動用ICのシフトレジスタのデータを転送する
ためのシフトクロック、1005はデータ転送が終つえ
直後にデータをラッチするラッチパルスである。
1006、 1007. 1008は液晶に印加される
枢動波形で、1008は共通電極信号であり。
枢動波形で、1008は共通電極信号であり。
1006のOM傷信号時に液晶マイクロシャッターが開
き、1077の0!P1信号O時に閉じる。
き、1077の0!P1信号O時に閉じる。
0胴信号、共通電極信号は高周波fHと低鴫波fLの組
み合わせで構成され、互いに位相が反転している。01
Pν信号はOM傷信号fXiと同相の低周波である。ま
たON信号の11II1期のうち高周波fllの期間を
開口時間と呼ぶ0次にこれを爽現する回路構成であるが
、4.2MH& の基準クロツタ1010をデバイダ
1011で分周して 波形を作る。1015で2mW
、周期のフィンスタート信号を作シ、すべてこの信号で
周期をかけている。1012でIk000パルスカウン
)し1020でリクエストクロックを作り、ラインスタ
ート信号と共に、外部機器である時系列画系信号発生部
1024へ出力する0画素発生部1824からリクエス
トクルツタに同期して送られてきたデータは、インター
ディジタルにIf!iiされた駆動用′x。
み合わせで構成され、互いに位相が反転している。01
Pν信号はOM傷信号fXiと同相の低周波である。ま
たON信号の11II1期のうち高周波fllの期間を
開口時間と呼ぶ0次にこれを爽現する回路構成であるが
、4.2MH& の基準クロツタ1010をデバイダ
1011で分周して 波形を作る。1015で2mW
、周期のフィンスタート信号を作シ、すべてこの信号で
周期をかけている。1012でIk000パルスカウン
)し1020でリクエストクロックを作り、ラインスタ
ート信号と共に、外部機器である時系列画系信号発生部
1024へ出力する0画素発生部1824からリクエス
トクルツタに同期して送られてきたデータは、インター
ディジタルにIf!iiされた駆動用′x。
1022へ送るため、101?でデータを分配する。
開口4間を1016で決め、1017でOI傷信号01
シ信号、共通電極信号を作る。1011でラッチパルス
に14でシフトクロックを作り。
シ信号、共通電極信号を作る。1011でラッチパルス
に14でシフトクロックを作り。
0y信号0FIF信号データと共に駆動用X O1gl
!!へ出力する。を九共通電極信号は出力バッファ10
16で507に変換し、共通電極1021に印加する。
!!へ出力する。を九共通電極信号は出力バッファ10
16で507に変換し、共通電極1021に印加する。
1021は外部機器1024かも送られるリセット信号
を受は取抄、各部へスタート。
を受は取抄、各部へスタート。
ストップをかけるコントロール部である。
次に駆動用集積回路の内部回ドのプロッタ図を図11に
示す、上記の回路よ)入力されたデータ1036は50
ビツトのシフトレジスタ1056によって、シフトタロ
ツク1035に−期しで転送される0片@20個のXO
のシフトレジメタはカクケード接続されてお)、データ
アウト1040から出たデータは隣りの駆動用IcOシ
フトレジスタに転送される。このようにして片側1・O
。
示す、上記の回路よ)入力されたデータ1036は50
ビツトのシフトレジスタ1056によって、シフトタロ
ツク1035に−期しで転送される0片@20個のXO
のシフトレジメタはカクケード接続されてお)、データ
アウト1040から出たデータは隣りの駆動用IcOシ
フトレジスタに転送される。このようにして片側1・O
。
ビット、パネル画情でzoooビットのデータが転送さ
れ終わると、ラッチパルス10370タイ電シダで50
ビツト0%ツチ1031にラッチされる。1032で轢
ラッチされ九データに対応して、10M信号1058と
oyy信号10JS?を匍秒替え1次のレベル変換10
53でロジックレベルをドライブ電圧30vに変換し、
10!14の駆動用のバッファから信号電極へ出力する
。
れ終わると、ラッチパルス10370タイ電シダで50
ビツト0%ツチ1031にラッチされる。1032で轢
ラッチされ九データに対応して、10M信号1058と
oyy信号10JS?を匍秒替え1次のレベル変換10
53でロジックレベルをドライブ電圧30vに変換し、
10!14の駆動用のバッファから信号電極へ出力する
。
以上の方法で!イクロシャッターマレイで駆動し、1ラ
イン当り2 秒の高速の光弁アレイを寝現しえ。
イン当り2 秒の高速の光弁アレイを寝現しえ。
〈応用例2〉
上記応用例10マイクロシヤツターアレイを4060
に保ち、〒1を2m秒、テ2をα!Im秒とした。波長
540■に発光ビータを持つ、輝度1s万ca7♂の螢
光ランプをマイクロシャッターアレイの前後に置き、透
過光をセレン−テルル感光体に照らし、S気ロール現俸
器を用い、トナーyA曹を行なり九とζろ、印字信号に
従がって俸が形成された。ちなみに1光体の移動速度は
551 /秒である。このように、高速の光書き込みプ
リンターを得ることができ九。
に保ち、〒1を2m秒、テ2をα!Im秒とした。波長
540■に発光ビータを持つ、輝度1s万ca7♂の螢
光ランプをマイクロシャッターアレイの前後に置き、透
過光をセレン−テルル感光体に照らし、S気ロール現俸
器を用い、トナーyA曹を行なり九とζろ、印字信号に
従がって俸が形成された。ちなみに1光体の移動速度は
551 /秒である。このように、高速の光書き込みプ
リンターを得ることができ九。
以上、応用例でも述べたように1本発明を用いれば、高
速の応答特性を有する液晶光学装置を奏3iJ出来るの
で、非常に有用な応用が可能となった。
速の応答特性を有する液晶光学装置を奏3iJ出来るの
で、非常に有用な応用が可能となった。
しか4.*晶装置本来の利点である。低価格、大面積、
低消費電力1等は、そのまま生きる為その効果は大変大
診い。
低消費電力1等は、そのまま生きる為その効果は大変大
診い。
第1図は1本発明に用い九清晶組成物の誘電異方性の周
波数特性を示した図である。 第2図は1本発明に用いた液晶パネルの横絞を示した図
である。 第3図は、配向処理方向及び偏光軟の偏光面を示した図
である。 第4図は、液晶態動信号を示した図である。 第5図及び第6図は、fI晶光学装置の光の透過率の応
答特性を示した図である。 絡7図及び糖8図は本発明の応用例の液晶パネルを示し
要因である。 第9図、第10図及び第11図は、零発−の種晶光学装
置の応用例にお叶る駆動回路ブーツク構威を示す図であ
る。 I’ll晶層 意、5:基板 4.5:電極 7.8−偏光蓼 !0,21:水平配向処理方向 25:2等分− 22,23:偏光更の偏光面 以上 出願人 株式会社 諏訪精工令 代理人 弁理士 最上 務
波数特性を示した図である。 第2図は1本発明に用いた液晶パネルの横絞を示した図
である。 第3図は、配向処理方向及び偏光軟の偏光面を示した図
である。 第4図は、液晶態動信号を示した図である。 第5図及び第6図は、fI晶光学装置の光の透過率の応
答特性を示した図である。 絡7図及び糖8図は本発明の応用例の液晶パネルを示し
要因である。 第9図、第10図及び第11図は、零発−の種晶光学装
置の応用例にお叶る駆動回路ブーツク構威を示す図であ
る。 I’ll晶層 意、5:基板 4.5:電極 7.8−偏光蓼 !0,21:水平配向処理方向 25:2等分− 22,23:偏光更の偏光面 以上 出願人 株式会社 諏訪精工令 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)少會くとも1本の電極を備える2枚の基板を対向さ
せ、その間に誘電異方性がゼロKfkる交差同波数が常
温で100 Ki[Z以下である光学的に活性橙ネマチ
ック漬晶組成物からなる液晶層を封入しかつ基IIO両
側に1組の偏光板を備える液晶パネルであり、上記2枚
の基板表面が各々液晶分子が水平に配向する1p面処理
が施こされている液晶パネルにおいて、上記2枚の偏光
板の偏光面け。 直交しており、さらに2枚の偏光面が、上記2枚の基横
褒wKIIIIされた水平配向処理男声の2等分線に対
して÷/−45@ に配置して備えられ7v、ヒとを勢
像とし九液晶光学鋏殻。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56116005A JPS5817414A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 液晶光学装置 |
US06/401,272 US4609256A (en) | 1981-07-24 | 1982-07-23 | Liquid crystal optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56116005A JPS5817414A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 液晶光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5817414A true JPS5817414A (ja) | 1983-02-01 |
JPS614092B2 JPS614092B2 (ja) | 1986-02-06 |
Family
ID=14676470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56116005A Granted JPS5817414A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 液晶光学装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4609256A (ja) |
JP (1) | JPS5817414A (ja) |
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JPS58168034A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Asahi Glass Co Ltd | ツイストネマチツク型液晶表示装置 |
JPS6157934A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Casio Comput Co Ltd | 液晶素子 |
JPS6195318A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
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