JPS59222846A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用僧
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ　ｐ
　）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、１に
は固体撮儂装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−８ｉと表記す）があ
シ、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を図る必要があるという良に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射出
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする根太きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

史に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よシの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレ
ードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に１白ス
ジ」といわれている所謂画像欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗にいう画像のボケが
生ずる場合が少なくなかった。

一方、半導体レーザとのマツチングを考慮して、支持体
上に少なくともゲルマニウム原子を含む非晶質材料で構
成された非晶質層を設けることが提案されているが、こ
の場合、支持体と該非晶質層との密着性および支持体か
ら該非晶質層への不純物の拡散が問題となる場合がある
。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉＫ
就て電子写真用像形成部材−や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果％ａ
Ｓ’％殊にはシリコン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）
又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含
有するアモルファス材料、新語水素化アモルファスシリ
コン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲ
ン含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称
的表記としてｌ’−ａ−８ｉ（Ｈ９Ｘ）」　　を使用す
る〕から構成され、光導電性を示す光受容層を有する光
導電部材の層構成を以後に説明される様な特定化の下に
設計されて作成された光導電部材は実用上著しく優れた
特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみ
てもあらゆる点において凌駕していること、殊に電子写
真用の光導電部材として著しく優れた特性を有している
こと及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れて
いることを見出した点に基いている。

本発明は支持体の材料の影響を受けにくく、電気的、光
学的、光導電的特性が常時安定していて、殆んど使用環
境に制限を受けない全環境型であり、長波長側の光感度
特性に優れると共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主たる目自
勺とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合１通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電偉形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高８Ｎ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と少なく
ともゲルマニウム原子を含み、少なくとも一部が結晶化
している材料で構成された第１の層領域と、少なくとも
シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料を
含有する第２の層領域と、少なくともシリコン原子を含
む非晶質材料を含み、光導電性を示す第３の層領域と少
なくとも炭素原子とシリコン原子とを含む非晶質材料か
ら成る第４の層領域とが前記支持体側より順に設けられ
た層構成の光受容層とを有し、前記第１の層領域及び第
２の層領域の少なくともいずれか一方に伝導性を支配す
る物質が含有されている事を特徴とする。

上記した様な１−構成を取る様にして設計された本発明
の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極
めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ１祥像肛の高い、高
品質の画像を安定して繰返し得る仁とができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該光受
容層１０２は自由表面１０５を一方の端部に有している
。光受容層１０２は、支持体１０１側よりゲルマニウム
原子のみ、またはゲルマニウム原子とシリコン原子とを
母体とし、必要に応じて水素原子又はハロゲン原子のい
ずれかを含んで、構成された少なくとも一部が結晶化し
た材料（以後ｒｐｃ−Ｇｅ（Ｓ　ｉ、　Ｉ−１゜Ｘ）Ｊ
と略記する）で構成された第１の層領域（Ｃ）と、ゲル
マニウム原子を含有するａ−８ｉ（ＩＩ。

Ｘ）（以後［ａ−８ｉ　Ｇｅ（Ｉｔ、　Ｘ　）　Ｊと略
記する）で構成された第２の層領域（Ｇ）１０３と、ａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導電性を有する第３の
層領域（Ｓ）　ｌ　０４と少なくとも炭素原子とシリコ
ン原子とを含み、必要に応じて水素原子又は／及びハロ
ゲン原子を含む非晶質材料（以後［ａ　−（８ｉｘＣｔ
−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ　Ｊと略記する）で構成され
た第４の層領域（Ｍ）　１０７とが順に積層された層構
造を有する。

第１の層領域（Ｃ）　１０６がゲルマニウム原子とシリ
コン原子を母体とする材料で構成される場合、ゲルマニ
ウム原子とシリコン原子とは該第１の層領域（Ｃ）　１
０６の層厚方向及び支持体の表面と平行な面内方向に連
続的であって、且つ均一な分布状態となる様に含有され
るか又は層厚方向には不均一な分布状態となる様に含有
される。

第２の層領域（Ｇ）　ｌ　０３中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該第２の層領域（Ｇ）　ｌ　０３の層厚方
向及び支持体１０１０表面と平行な面内方向に連続的で
均一に分布した状態となる様に前記第２の層領域（Ｇ）
　１０３中に含有されるか又は層厚方向には不均一な分
布状態となる様に含有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、第１の層領域（
Ｃ）　ｌ　０６と第２の層領域（Ｇ）　ｌ　０３の少な
くともいずれかに伝導特性を支配する物質（Ｄ）が含有
され、特に第２の層領域（Ｇ）　１０３に所望の伝導特
性を与える物質を含有させるのが好ましい。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｃ）　１０６又は第
２の層領域（Ｇ）　１０３に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｄ）は、第１の層領域（Ｃ）１０６又は第２
の層領域（Ｇ）　１０３の全層領域に万遍なく均一に含
有されても良く、第１の層領域（Ｃ）　１０６又は第２
の層領域（Ｇ）　１０３の一部の層領域に偏在する様如
含有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を制御する物質（１））を特に
第２の層領域（Ｇ）の一部の層領域に遍在する様に第２
の層領域ＣＧ）中に含有させる場合には、前記物質（Ｄ
）の含有される層領域（ＰＮ）は、第２の層領域（Ｇ）
の端部層領域として設けられるのが望ましいものである
。殊に、第２の層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域と
して前記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領
域（ＰＮ）中に含有される前記物質（Ｄ）の種類及びそ
の含有量を所望に応じ１適宜選択することによって支持
体から光受容層中への特定の極性の電荷の注入を効果的
に阻止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（１））を、光受容層の一部を構成する
第２の層領域（Ｕ）中に、前記した様に該層領域（Ｇ）
の全域に万遍なく、或いはノー厚方向に偏在する４）ｐ
に含有させるものであるが、更には、第２の層領域（Ｇ
）上に設けられる第３の層領域（Ｓ）中にも前記物質（
１））を含有させても良いものである。

第３の層領域（Ｓ）中処前記物質ＣＤ）を含有させる場
合には、第２の層領域（（））中に含有される前記物質
（Ｄ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて
、第３の層領域（Ｓ）中に含有させる物質（１））の種
類やその含有量、及びその含有の仕方が適宜法められる
。

本発明に於いては、第３の層領域（Ｓ）中に前記物質（
１））を含有させる場合、好ましくけ、少なくとも第２
の層領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質
（Ｄ）を含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、前記物質（Ｄ）は第３の層領域（Ｓ
）の全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含有させても良いものである
。

第２の層領域（Ｇ）と第３の層領域（Ｓ）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｄ）を含有させる場合、第２の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｄ）が含有されている層
領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物’！　（Ｄ
）が含有されている層領域とが、互いに接触する様に設
けるのが望ましい。

又、第１の層領域（Ｃ）と第２の１４領域（Ｇ）と第３
の層領域（Ｓ）とに前記物質（Ｄ）を含有させる場合、
前記物質（Ｄ）は第１の層領域（Ｃ）と第２の層領域（
Ｇ）と第３の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類
であっても良く、又、その含有量は各層領域に於いて、
同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層領域に含有される前記
物質（Ｄ）が３渚に於いて同種類である場合には、第２
の層領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｄ）を、所望の各層領域
に夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第２
の層領域（Ｇ）中に、伝導特性を支配する物質（Ｄ）を
含有させることにより、該物質（Ｄ）の含有される層領
域〔第２の層領域（Ｇ）の一部又は全部の層領域のいず
れでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来るものであるが、この様な物質（Ｄ）として
は、所詣、半導体分野で云われる不純物を挙げるこ、！
：　カ出来、本発明ニ於イテは、ａ−８ｉＧｅ（ｉｌ、
　Ｘ　）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及
びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来
る。

具体的には、Ｐｍ不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）ｔ　Ａｌ（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊
に好適に用いられるのはＢ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ＠）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（ア
ンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であシ、殊に好適に用
いられるのはｓ　Ｐ　Ｔ　Ａｓである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）に於ける伝導特性を制
御する物質の含有量は、該層領域（ＰＮ）に要求される
伝導特性、或いは、該層領域（ＰＮ＞が支持体に直に接
触して設けられる場合には、その支持体との接触界面に
於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される０本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に
含有される伝導特性を制御する物質（Ｄ）の含有酸とし
ては、好ましくは０．０１−５Ｘ　１０４　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｍ　％　より好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１０４　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には１〜５　Ｘ　１０３
１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いては、伝導特性を支配する物質（Ｄ）が含
有される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｄ）の含有量
を、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃｐ−以上、より好適
には５０　ａｔｏｍｉｃ四以上、最適には１００ａ　ｔ
ｏｍ　ｉ　ｃ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば
該含有させる物質（Ｄ）が前記のＰ型不純物の場合には
、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受けだ際に
支持体側から少なくとも第２の層領域（Ｇ）を通って第
３の層領域（Ｓ）中への電子の注入を効果的に阻止する
ことが出来、父、前記含有させる物質（Ｄ）が前記のｎ
型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯
電処理を受けた際に、支持体側から少なくとも第２の層
領域（Ｇ）を通って第３の層領域（Ｓ）中への正孔の注
入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有させ
ても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性
を支配する物質を、層領域（ＰＮ）に含有させる実際の
址よりも一段と少ない世にして含有させても良い０ この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質の極性や含有値に応じて所望に
従って適宜決定されるものであるが、好ましくは０．０
０１−１０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、よシ好適には０
．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最適には０．
１〜２００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍとされるのが望ましい
。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｄ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有蓋としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｒＭ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層中に、一方の極性の伝導型
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、
他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領
域に所ＭＰＩ空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のＰ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて新開Ｐ　−ｎ接合を形成して、空
乏層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｇ）上に設けられる
第３の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に光受容層を形成すること
によって、比較的可視光領域を含む、短波長から比較的
長波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れてい
る光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｃ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので、第１の層領域（Ｃ）と第２の層領域（
Ｇ）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使
用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では吸収し切れない
長波長側の光を第１の層領域（Ｃ）に於いて、実質的に
完全に吸収することが出来、支持体面からの反射による
干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する材料の夫々がシリ
コン原子とゲルマニウム原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面釦於いて化学的な安定性の確保
が充分成されている。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｃ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜決められるが、好
ましくはｌ−ｉｌ−１ｘｔｏｌｉａｔｏ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ碧
、最適には５００〜ｌＸ１０６ａｌＸ１０６ａｔｏとさ
れるのが望ましい。

第２の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の
含有量としては、本発明の目的が効果的に達成される様
に所望に従って適宜決められるが、好ましくは１〜９．
５　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｙｙｐ、より好ましくは
１００〜８Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適には５
００〜７　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐとされるのが
望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｃ）と第２の層領域（
Ｇ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為
の重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に
所望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｃ）の層厚は、好まし
くは３０λ〜５０μ、より好ましくけ、４０λ〜４０μ
、最適には５０Ａ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好ましくは３０
λ〜５０μ、より好ましくは４０λ〜４０μ、最適には
５０λ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第３の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。第２の層領域（Ｇ）の層厚
ＴＢと第３の層領域（Ｓ）の層厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）と
しては、両層領域に要求される特性と光受容層全体に要
求される特性との相互間の有機的関連性に基いて、光導
電部材の層設針の際に所望に従って、適宜決定される０ 本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９、最適にはＴ
Ｂ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの値が決定されるのか望ましい０ 本発明に於いて、第１の１−領域（Ｃ）中に含有される
ゲルマニウム原子の含有量がｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ咽
以上の場合には、第１の層領域（Ｃ）の層厚としては、
可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以下
、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下とさ
れるのが望ましいものである。

本発明に於いて、必要に応じて第１の層領域（Ｃ）、第
２の層領域（Ｇ）、第３の層領域（Ｓ）、及び第４０層
領域（Ｍ）中に含有されるノ・ロゲン原子（Ｘ）として
は１１具体的にはフッ素、塩素。

臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、　Ｌｘ素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明にオイテ、ｐｃ−Ｇｅ（Ｓｉ、　Ｈ，Ｘ）で構成
される第１の層領域（Ｃ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法、および真空蒸
着法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、μｃ−Ｇｅ（８４，Ｈ
，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｃ）を形成するには
、基本的にはゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る軛
供給用の原料ガスと、必要に応じてシリコン原子（Ｓｉ
）全供給し得る８ｉ供給用の原料ガス、水素原子（Ｈ）
導入用の原料ガス又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上にμｃ−Ｇｅ（Ｓｉ、　Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれハ良い。又、スパッタリング法で形成する場合には
、例えばＡｒ　、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガス
をペースとした混合ガスの雰囲気中で、Ｇｅで構成され
たターゲットの１枚および８ｉで構成されたターゲット
、或いは、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲット
の二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合されたター
ゲットを使用して、必要に応じてＨｅ　、Ａｒ等の稀釈
ガスで稀釈された（Ｊｅ供給用の原料ガスを必要に応じ
て、水素原子（Ｈ）父は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望
のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをス
パッタリングしてやれば良い。

イオングレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

また第１の層領域（Ｃ）の形成の際には支持体温度を第
２の層領域（Ｇ）作製時の支持体温度よシ５０℃〜２０
０℃高くすることが必要である。

ａ−８ｉｄｅ（Ｈ，Ｘ　）　テ構成される第２の層領域
（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリ
ング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を
利用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー
放電法によって、ａ　−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｇ）を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給し得る８ｉ供給用の原料ガスと
ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原
料ガスと、必要に応じて水素原子（）ｌ）導入用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置されである所定の支持体表面上Ｋａ−８ｉＧ
ｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパ
ッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、Ｈｅ
等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でＧｅで構成されたターゲットの１枚およ
びＳｉで構成されたターゲット、或いは、該ターゲット
と慟で構成されたターゲットの二枚を使用して、又は、
ＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用して、必要に
応じてに４ｅ、ｋｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（）（）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリン
グ用の堆積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を形
成して前記のターゲットをスパッタリングしてやれば良
い０ イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶ソリ
コ／又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（Ｊ弓Ｂ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッ
タリングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＳ＋供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉＨ，、Ｓ　１２１−（６，Ｓ
　ｉ、鳩。

Ｓｉ、■４．ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳ　ｉＨ４，Ｓ　ｉ、Ｈ６が好ましいもの
として挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｏｅ、Ｈ，、Ｇｅ、Ｈ６，Ｇｅ、Ｈ，。、　Ｇｅ、
Ｈ，、、Ｇｅ、Ｈ，４，（）ｅＪ（，６゜Ｇｅ８１−１
．８．　Ｇｅ、Ｈ２ｏ等のガス状態の又はガス化し得る
水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効富
の良さ等の点で、Ｇｅ１−１４．　Ｇｅ２Ｈ，。

Ｇｅ、、Ｈ，が好ましいものとして皐げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、史には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る０ 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ＣＩ！Ｆ　、　Ｃ／Ｆ、　。

写 ＢｒＦ、、　ＢｒＦ、、　ＩＦ、、　ＩＰ、、　ＩＣＩ
！、　ＩＢｒ　＠ノハロゲン間化合物を挙げることが出
来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば５
ｉｌｌ″、　、　８ｉ、Ｆ、　、　５ｔｃｌ！４．５ｉ
ＪＪｒ、等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げ
ることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８ｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含む第１の層領域（
Ｃ）及び第２の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｃ）および第２の層領域（Ｇ）を作成する場合、基
本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン
化硅素とＧｅ供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウ
ムとＡｒ、　Ｈ，、Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第１の層領域（Ｃ）および第２の
層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｃ）および
第２の層領域（Ｇ）を形成し得るものであるが、水素原
子の導入割合の制御を一層容易になる様に図る為にこれ
等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物
のガスも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数棟混
合して使用しても差支えないものである。

史に第１の１−領域（Ｃ）を形成する際には支持体温度
を、第２の層領域（Ｇ）を形成する支持体温度より５０
〜２００℃高温にする必要がある。

スパッタリング法、イオンブレーテインク法の何れの場
合にも形成される層中にノーロゲン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ，、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い０ 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたノ・ロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、　ＨＦ　、　１−ｉｃｌ！。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉＨ，Ｆ、
　、　Ｓ　ｉＨ，Ｉ、　。

ＳｉＨ，ＣＩ！２　、５ｉｎｃｅ３．５ｉｌ−１，Ｂｒ
、　、　５ｉ）ｌＢｒ、等ノハロゲン置換水素化硅素、
及びＧｅ）ＬＦ、　、　ＧｅＨ，Ｆ、　、　ＧｅＨ，Ｆ
　。

ＧｅＨＣｌ　Ａ　−ＧｅＨ，Ｃ７？ｔ　、ＧｅＨｓ　Ｃ
ｌ　、Ｇｅｆ（１３ｒ、　、　ＧｅＨ２Ｂｒ、、（）ｅ
Ｈ，Ｈｒ。

ＧｅＨＩ、　、　ＧｅＨ２Ｉ、　、　ＧｅＨ，１等の水
素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素
の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４．　ＧｅＣ／４．
　ＧｅＢｒ４．　（ＪｅＩ４゜ＧｅＦ、　、　ＧｅＣｌ
、　、　ＧｅＢｒ、　、　ＧｅＩ、等（Ｄ　ハロゲン化
ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物
質も有効な第１の層領域（Ｃ）および第２の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層領域（Ｃ）および第２の層領域（Ｇ）形成の際に
層中にハロゲン原子の導入と同時に′α気的或いは光電
的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので
、本発明においては好適なノ・ロゲン導入用の原料とし
て使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｃ）および第２の層領域（Ｇ
）中に構造的に導入するには、上記の他にＨ２、或いは
Ｓ　ｔＨ４，８１２）（６ｅ　８１　ＢＨ＠　＊　８１
４１（１０等の水素化硅素をＧｅを供給する為のゲルマ
ニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、　ＧｅＨ４
，Ｇｅ、Ｈ６゜ＧｅｚＨＢ　ＨＧｅｊ（、。ｌ　Ｇｅ、
Ｈ，ｏ、　Ｑｅ、Ｈ，４ｅ　Ｇｅ、Ｈｔｅ　、　Ｇｅ、
Ｈ，＠Ｇｅ０Ｈ２ｏ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供
給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中
に共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｃ）中に含有される水素原子（Ｈ）の睦
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋　Ｘ　）け好壕しくけ０．０００１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ　９（、より好適には０．００５〜
３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．０１−０１−２５
ａｔｏ　Ｘとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｃ）中に含有される水素原子（］Ｉ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の址を制御するには、例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（１１）、或いはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内に導入する址、放ｄｋ力等を制御してやれ
ば良い。

本発明の好ましい例（（おいて、形成される光導電部材
の第２の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（１１）
の吋又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（ｔｉ　＋ｘ　）は好ましくは０．０１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０
　ａｔｏｍｉｃ％、最適にはＯ，Ｌ〜２５　ａｔｏｍｉ
ｃＩとされるのが望ましい。

第２の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子の）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第
３の層領域（８）を形成するには、前記した第２の層領
域（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用
の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第３の層
領域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第２
の層領域（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に
従って行うことが出来る０ 即ち、本発明において、　　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　テ構
成される第３の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によって、　　ａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）で構成される第３の層領域（Ｓ）を形成するＫ
は、基本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ　＊　Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でＳｉで構成されたターラットをスパッタリングす
る際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけ
ば良い。

本発明に於いて、形成される第３の層領域（Ｓ）中に含
有される水素原子（１１）の壊又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素原♀とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）
は、好ましくけ、１−４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適
には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５　ａ
ｔｏｍｊｃ　Ｘとされるのが望ましい。

光受容層を構成する層領域中に、伝導特性を制御する物
質（Ｄ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造
的に導入して前記物質（Ｄ）の含有された層領域（ＰＮ
）を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の
出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に、光受容層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入用の
出発物質と成シ得るものとしては、常温常圧でガス状の
又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。その様な第■族原子導入
用の出発物質として尺体的には硼素原子導入用としては
、Ｂ２Ｈ６−Ｂ４ＨＩＯ，ＢｓＨｏ　−Ｂ−Ｈｌｌ、　
ＢｅＨ＋ｏ　、　ＢｅＨ＋ｔ　−Ｂ６Ｈ１４等の水素化
硼素、ＢＦ、　、　ＢＣＩ、　、　ＢＢｒ、　　等のハ
ＣＩゲン化硼素等が挙げられる。この他、）ＪＩＣｌｓ
　、　０ａＣｌｓ　。

Ｇａ（ＣＨ，ｌ）ｓ、ＩｎＣ／Ｉｌ、Ｔ／ＣＩ！３等も
挙げることが出来る０ 第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、
Ｐ２１（４等の水素比隣、Ｐｉ（４Ｉ、　ＰＦ、　。

ＰＦ、　、　ＰＣＩ！、　、　ＰＣｌ、　、　ＰＩ３ｒ
、　、　ＰＢｒ、　、　ＰＩ、等（７）　ハロゲン原子
が挙げられる。この他、ＡｓＨ，、、ＡＳＦＳ　、　Ａ
ｓＣＪ、　。

ＡｓＢｒ５．　ＡｓＦ、　ｓ　５ｂＨ１ｓｂｐ、　、　
ｂｂＦ５　、　ＳｂＣ／３　＋　Ｓｂ’−ｅａ　＋Ｓｉ
Ｈ，、５ｉＣｚｓ、　ＢｒＢｒ、等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）は、シリコン原子（
Ｓｉ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（）
ｌ）父は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料
（［ａ　（ＳｌｘＣ＋−ｘ）ｙ（１−１，Ｘ）＋−ｙ　
Ｊ但し、ｏ　＜　Ｘ＊　ｙ　＜　１　’−）で構成され
る。

ａ　（８１ｚＣＩ−）Ｏｙ（ＨＪ）１−ｙで構成される
第４の層領域（Ｍ）の形成はグロー放電法、スパッタリ
ング法、エレクトロンビーム法等によって成される。こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程贋、
製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造するだめの作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び
ハロゲン原子を、作製する第４の層領域（Ｍ）中に導入
するのが容易紀行える等の利点からグロー放電法或はス
パッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第４の層領域（Ｍ）
を形成してもよい。

グロー放電法によって第４の層領域（Ｍ）を形成するに
はａ−（ＳｉｘＣ１−Ｘ）ｙ（）−１，Ｘ）１−ｙ形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入
し、導入されたガスを、グロー放電を生起させることで
ガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されであ
る第３の層領域（Ｓ）上にａ−（８！ｘｃ＋−ｘ）ｙ　
（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ　　を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　　（５ｒｘＣ＋　＝ｘ）ｙ（Ｈ，
Ｘ）　Ｉ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子
（８１）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン
原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。

８ｉ、Ｃ，１４，Ｘノ中の一つとして８ｉＱｉ成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えば８ｉを構成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するが、又は８ｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及
びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構
成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で
混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと
、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は
、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスＫＣ
ｆ構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
　Ｓ　ｒとＸとを構成原子とする原料ガスＫＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第４の層領域ＣＭ）中に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦｌｃＪ　、Ｂｒ　
、　Ｉであシ、殊にＦ　、　Ｃｚが望ましいものである
。

本発明に於いて、第４の層領域ＣＭ）を形成するのに有
効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温
常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物
質を挙げることができる。

本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）形成用の原料ガス
として有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子と
するＳ”Ｈ４、８ｉ、ル、　８ｉ、Ｈ，、８ｉ４Ｈ，。

等のシラン（８ｉｚａｎｅ　）類等の水素化硅素ガス、
ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽・
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロ
ゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロ
ゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができる
。具体的には、ＩＩオｌ炭化水素としてはメタン（ＣＨ
４）、７′ エタン（Ｃ２Ｈｅ　）、プロパン（Ｃ４１１８）、ｎ　
−”Ｘタン（ｎ−Ｃｊ（ｔｏ　）、恣ンタン（Ｃ２Ｈ１
２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（ＣｔＨ
４）、プロピレン（Ｃ５Ｈａ）、ブテン−１（０４ｆ（
Ａ）、ブテン−２（Ｃ，Ｈ，）、イソブチレン（Ｃ４’
−Ｉｇ　）、ペンテン（Ｃ，Ｈ，。）、アセチレン系炭
化水素としては、アセチレン（Ｃｔ　Ｈｔ　）、メチル
アセチレン（Ｃ３ｆ（）　、ブチン（Ｃ４Ｈ６）　、ハ
ロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガス、ハロゲン化水素としては、ＦＨ、ＨＩ　、
　Ｈｃｌ！、　ＨＢｒ、　ハロゲン間化合物としては、
ＢｒＦ　、　ＣＩ！Ｆ　、　Ｃ７！Ｆ、　、　ＣＩ！Ｆ
、　、　ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ、　、　ＩＦ、　。

ＩＦ、　、　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ　、　　ハロゲン化硅
素としてはＳｉＦ、。

８ｉ、Ｆ６．８ｉＣ７：、Ｂｒ　、　８ｉＣ／、Ｂｒｔ
、　８ｉＣｚＨｒ、　、　８ｉＣ１！、Ｉ　。

５ｉＢｒ、、ハロゲン置換水素化硅素としては、８ｉ１
４２Ｉｉ’、　、　ＳｉＨ，Ｃ１，、８ｉＨＣ／ｓ　、
　８ｉＨ，Ｃｌ　、　ＳｉＨ，Ｂｒ　。

ＳｉＨ，Ｂｒ、　、　８ｉＨＢｒ、　、水素化硅素とし
ては、５ｉ）（４゜８ｉ、Ｈ，、、５ｉｓＨ，、８ｉ４
Ｈ，ｏ等のシラｙ　（８ｉ／ａｎｅ　）類・等々を挙げ
ることができる。

コレ等ノ他ニ”Ｆ４１　”Ｃ１４＋　ＣＢｒａ　＋　Ｃ
ＨＦ３　、　ＣＨ２Ｆ１　＊ＣＨ，Ｆ　、　ＣＨ，ＣＩ
！、　ＣＨ，Ｈｒ　、　ＣＨ，Ｉ　、　Ｃ，ＨｓＣ／　
等（Ｄ　”　Ｃ１）ｊン置換パラフィン系炭化水素、８
Ｆ４．８Ｆ、、等のフッ素化硫黄化合物、５ｉ（ＣＨ，
）４．５ｉ（Ｃ，Ｈ，）４、等のケイ化アルキルやＳ　
Ｉ　Ｃ１！（ｃｌ（、）、　ｓ　Ｓ’　ＣＩ！ｔ　（Ｃ
ＨＪｔ、８１　Ｃｌ　＊　Ｃ）Ｉｓ　等のハロゲン含有
ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることができる。

これ等の第４の層領域（Ｍ）形成物質は、形成される第
４の層領域（Ｍ）中に、所定の組成比でシリコン原子、
炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが
含有される様に、第４の層領域（Ｍ）の形成の際に所望
に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳ　
ｉ（ＣＨｓ　）４と、ハロゲン原子を含有させるものと
しての８　ｉＨｃ／１．　Ｓ　ｉルＣ１，、５ｉＣｚ４
、或いは８ｉＨ，Ｃ７？等を所定の混合比にしてガス状
態グロー放電を生起させることによってａ　−（Ｓｉｘ
Ｃ＋−ｘ）　（ＣＩ！＋Ｈ）＋−ｙ　から成る第４の層
領域（Ｍ）を形成することができる。

スパッターリング法によって第４の層領域（Ｍ）を形成
するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウ
ェーハー又はｓｉとＣが混合されて含有されているウェ
ーハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロ
ゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々
のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行
えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するだめの原料ガスを、必
要妃応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記８ｉウエ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又１別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングすること
によって成される。Ｃ％Ｈ及びＸの導入用の原料ガスと
なる物質としては先述したグロー放電の例で示した第４
の層領域（Ｍ）形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る０ 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）をグロー放電法又
はスパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガ
スとしては、新開・希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ、　Ａｒ
等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）は、その要求される
特性が所望通シに与えられる様忙注意深く形成される。

即ち、８ｉ、Ｃ１必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（８’
ｘＣ＋　−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）　ｒ　−ｙ　層形成すｉ”
Ｌ　ルｉｎ、　Ｋ、所望に従ってその作成条件の選択が
厳密に成される。

例えば、第４の層領域（Ｍ）を耐圧性の向上を主な目的
として設けるにはａ−（８’ｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
＋−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第４の層領域（Ｍ）が設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ
　（Ｓ’ｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが作成される
。

第３の層領域（Ｓ）の表面にａ−（Ｓｉ）（Ｃ＋−ｘ）
ｙ（）（、鳩−ｙから成る第４の層領域（Ｍ）の表面に
ａ　（ＳＩＸＣＩ−Ｘ）Ｙ（Ｈ，Ｘ）　、　−ｙ　から
成る第４の層領域（Ｍ）を形成する際、層形成中の支持
体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重要
な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性を
有するａ　−（８ｊｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが
所望通シに作成されｉる様に層作成時の支持体温度が厳
密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるだめ
の第４の層領域（Ｍ）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第４の層領域（（４）の形成が実行される
が、通常の場合、２０〜４００℃、好適には５０〜３５
０℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましい
ものである。

第４の層領域（Ｍ）の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較
的容易である事等のために、グロー放電法やスパッター
リング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第
４の層領域（Ｍ）を形成する場合には、前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ　−
（Ｓ　ｊｘＣ＋　−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）　ｒ　−ｙ　（Ｄ
　％性’Ｆｃ　左右ｆ　ルＭ　要す因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるだめの特性を有するａ
　　（ＳｊｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ；Ｘ）＋−ｙが生産性良
く効果的に作成されるための放電パワー条件としては通
常１０〜３００Ｗ、好適には２０〜２５０Ｗ１最適には
５０〜２００Ｗとされるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧は通常は０．０１−　Ｉ　Ｔｏｒｒ　
。

好適には、０．ｌ〜Ｑ、　５　Ｔｏｒｒ程度とされるの
が望ましい。

本発明に於いては第４の層領域（Ｍ、）を作成するため
の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前
記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファク
ターは、独立的に別々に決められるものではなく、所望
４！ｉ性のａ−（ＳｉｘＣ＋　−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）　１
−ｙから成る第４の層領域（Ｍ）が形成される様に相互
的有機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値
が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第４の層領域（Ｍ）に含有
される炭素原子の鷲は、第４の層領域の）の作成条件と
同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第
４の層領域（Ｍ）が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）に含有される炭素原
子の量は、第４の層領域（Ｍ）を構成する非晶質材料の
種類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められる
ものである。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉｘＣ＋　−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ
）＋−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコ
ン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ
　ａ−８”ａＣ＋−ａ　Ｊと記す。但し、０くａ〈１）
、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非
晶質材料（以後、［ａ−（８ｉｂＣ１−ｂ）Ｃ％ＨＩ−
Ｃｌと記す。但し％　０（ｂ、ｃ＜Ｄｔシリコン原子と
炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構
成される非晶質材料（以後ｓ　ｒａ−（ＳｊｄＣ＋　−
ｄ）　ｅ　（Ｈ，Ｘ）　１−ｅＪと記す。但しＯ（ｄ、
　ｅ（ｉ　）、に分類される。

本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）がａ−８’ａＣ＋
−ａで構成される場合、第４０層領域（Ｍ）に含有され
る炭素原子の量は好ましくは、ｌ×１０’〜９０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０　ａｔｏｍｉｃ％、
最適には１０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しいものである。即ち、先のａ　Ｓ＋３Ｃ１−ａのａの
表示で行えば、ａが好ましくは０．１〜０．９９９９９
、より好適には０．２〜０．９９、最適には０．２５〜
０．９である。

本発明に於いて、第４の層領域（ｆＶｌ）がａ−（Ｓｉ
ｂＣ＋　−ｂ）ｃｌＬ　−ｃ　　で構成される場合、第
４の層領域（Ｍ）に含有される炭素原子の量は、好まし
くはｌ　Ｘ　１０　〜９０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、よ
り好ましくはｌ　−９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０
−８０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものであ
る。水素原子の含有り七としては、好ましくは１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは２〜３５　ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　Ｘとされる
のが望ましく、これ等の範囲に水素含有数がある場合に
形成される光導電部材は、実際面に於いて優れたものと
して充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＣ，−ｂ）。Ｈｌ　−ｃ　　の
表示で行えばｂが好ましくは０゜１〜０．９９９９９、
より好適には０．１−０．９９、最適には０．１５〜０
．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適には
０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５である
のが望ましい。

第４の層領域（Ｍ）が、ａ　（Ｓ１ｄＣ＋−ｄ）ｅ（Ｈ
，Ｘ）＋−ｅで構成される場合には、第４の層領域（Ｍ
）中に含有される炭素原子の含有量としては、好ましく
はｓ　　ｌ　Ｘ　１０〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、好適に
は１〜ｇ　□　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロ
ゲン原子の含有量としては、好ましくは、１〜２０　ａ
ｔｏｍｉＣ％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハ
ロゲン原子含有量がある場合に作成される光導電部材を
実際面に充分適用させ得るものである。

必要に応じて含有される水素原子の含有量としては、好
ましくはｌ　９　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ以下、より好適には
ｌ　３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいもの
である。

即ち、先のａ−（８！ｄｃ＋−ｄ）ｅ（ＬＸ）＋−ｅの
ｄ、　ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．１〜０．
９９９９９、より好適には０．１〜０．９９、最適には
０．１５〜Ｑ、９．ｅが好ましくは０．８−０．９９　
、より好適には０．８２〜０．９９、最適には０．８５
〜Ｖ０．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）の層厚の数範囲は、
本発明の目的を効果的に達成するだめの重要な因子の一
つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第４の層領域（Ｍ）の層厚は、核層（Ｍ）中に含有
される炭素原子の量や第３の層領域（Ｓ）の層厚との関
係に於いても、各々の層領域に要求される特性Ｘ応じた
有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要
がある。

（に加え得るに、生産性や喰産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）の層厚としては、好
ましくは、０．００３〜３０μ、より好適には０．００
４〜２０μ、最適には０．００５〜ｌＯμとされるのが
望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａ／　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　
Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｉ　、　Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、　ＮｉＣｒ　。

Ａｚ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｉｎ、０．　、８ｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ、０．　＋Ｓｎ
Ｏ，）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａ／　、　Ａｇ　、　Ｐ
ｂ　、　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、　Ａｕ　。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、’Ｉ’ｉ、Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性が付与される。支
持体の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
００を電子写真用像形成部材として使用するのであれば
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が一要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略延つい
て説明する。

第２図ｆ光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発明の光導
電部材を形成するだめの原料ガスが密封されており、そ
の１例としてたとえば２０２は、Ｈｅで稀釈された８１
Ｈ４カス（＋ＭＩ［９９，９９９Ｘ　。

以下Ｓ　ｉＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０３はＨｅ
　テ希釈されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以
下ＧｅＨ。

／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０４はＨｅで希釈されたＳ
ｉＦ、ガス（純度９９．９９％、以下８ｉＦ、／Ｈｅと
略す。）ボンベ、２０５はＨｅで稀釈されたＢ２Ｈ６ガ
ス（純度９９．９９９％、以下、　　Ｈ，Ｈ４／Ｈｅと
略す。）ホンへ、２０６はＨ，ガス（純度９９．９９９
％）ボンベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパル
プ２３５が閉じられていることを確認し、又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２１１補助パ
ルプ２３２．　２３３が開かれていることを確認して、
先ずメインパルプ２３４を開いて反応室２０１１及び各
ガス配管内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５
　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになった時点で補助パルプ２３
２．　２３３、ｆｉ出バルフ２１７〜２２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２３７上に第１の層領域を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ２０２　ヨ９８ｉ
Ｈ，／Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よりＧｅＨ４／Ｈｅ
ガス、ガスホンへ２０５ヨリＢ、Ｈ６／ｌ（ｅカスをパ
ルプ２２２．　２２３．　２２５を夫々間いて出口圧ゲ
ージ２２７　、２２８　、２３０の圧をＩ　Ｋｇ／　ｃ
ｒｌに調整し、流入パルプ２１２　、２１３　、２１５
を徐々に開けて、マスフロコントローラ２０７．２０８
．２１０内に夫々を流入させる。引き続いて流出パルプ
２１７．２１８　。

２２０、補助パルプ２３２を徐々に開いて夫々のガスを
反応室２０１に流入させる。このときの８ｉＨ。

／Ｈｅガス流量と（）ｅＨ，／Ｈｅガス流量と８２Ｈ，
／Ｈｅガス流量との比が所望の値になるように流出パル
プ２１７　、２１８　、２２０を調整し、又、反応室２
０１内の圧力が所望の値になるように真空計２３６の読
みを見ながらメインパルプ２３４の開口を調整する。そ
して基体２３７の温度が加熱ヒーター２３８により４０
０℃〜６００℃の範囲の温度に設定されていることを確
認された後、電源２４０を所望の電力に設定して反応室
２０１内にグロー放電を生起させて基体２３７上に第１
の層領域（Ｃ）を形成する。所望の層厚に第１の層領域
（Ｃ）が形成された時点に於いて、加熱ヒーター２３８
により基体２３７の温度を５０〜４００℃に設定し、必
要に応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と
手順に従って、所望時間グロー放電を維持することで、
前記の第１の層領域（Ｃ）上に第２の層領域（Ｇ）を形
成することが出来る。

所望の層厚に第２の層領域（Ｇ）が形成された時点に於
いて、流出バルブ２１８を完全に閉じること及び必要に
応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と手順
に従って、所望時間グロー放電を維持することで、前記
の第２の層領域（Ｇ）上にゲルマニウム原子が実質的に
含有されてない第３の層領域（８）を形成することが出
来る。

第３の層領域（８）中に、伝導性を支配する物質（Ｄ）
を含有させるには、第３の層領域（Ｓ）の形成の際に、
例えばＢ、Ｈ，、ＰＨ，等のガスを堆積室２０１の中延
導入する他のガスに加えてやれば良い０ 上記の様にして所望層厚に形成された第３Ω層領域（Ｓ
）に第４の層領域（Ｍ）を形成するには、第３の層領域
（８）の形成の際と同様なパルプ操作によって、例えば
８ｉ）Ｉ４ガス、　Ｃ７Ｈ，ガスの夫々を必要に応じて
Ｈｅ等の稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を
生起させることによって成される。

第４の層領域（Ｍ）中にハロゲン原子を含有させるには
、例えばＳｉＦ４ガスとＣ，Ｉ−１，ガス、或いは、こ
れにＳｉＨ，ガスを加えて上記と同様にして第４の層領
域（Ｍ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２０１内、流出バルブ２１７〜２２１から反応室２０１
内に到るガス配管内に残留することを避けるために、流
出パルプ２１７〜２２１を閉じ、補助パルプ２３２．　
２３３を開いてメインバルブ２３４を全開して系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

第４の層領域ＣＭ）中に含有される炭素原子の量は例え
ば、グロー放電による場合とＳｉ１．（４ガス、Ｃ，Ｈ
，ガスの反応室２０１内に導入される流量比を所望に従
って変えるか、或いは、スノくツタ−リングで層形成す
る場合には、ターゲットを形成する際シリコンウニノー
とグラフアイトウエノ葛のスパッタ面積比率を変えるか
、又はシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比藁を変
えてターゲットを成型することによって所望に応じて制
御することができる。第４の層領域（Ｍ）に含有される
ノ・ロゲン原子（Ｘ）の址は、ノ・ロゲン原子導入用の
原料ガス、例えばＳｉＦ、ガスが反応室２０１内に導入
される際の流量を調整することによって成される。

この様にして、第１の層領域（Ｃ）第２の層領域（Ｇ）
と第３の層領域（Ｓ）と第４の層領域（Ｍ）とで構成さ
れた光受容層が基体２３７上に形成される。

層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため基体
２３７はモータ２３９により一定速度で回転させてやる
のが望ましい。

以下実施例処ついて説明する。

実施例１ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＥ基
体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯＫＶでＱ、３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、２Ｊｕｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテストチ
ャートを、１ｌＴｊ、　Ｌ、て照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．　ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第２図に示した製造装置により、第２表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た０こうして得られた像形成部材に
就いて帯電極性と現像剤の荷電極性の夫々を実施例１と
反対にした以外は実施例１と同様の条件及び手順で転写
紙上に画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得られ
た。

実施例３ 第２図に示した製造装置により、第３表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 実施例１に於いて、ＧｅＨ，／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈ
ｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以外は
、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を夫々作
成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果がイ１）られた。

実施例５ 実施例１に於いて第１層の層厚を第５表に示す様に変え
る以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形成部
材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ基体
上に、第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用像
形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯＫＶでＱ、３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、２１！ｕｘａｘの光景を透退散のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。偉形
成部材上のトナー画像を、■５．ＯＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７ 第２図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＭ基体
上に、第７表に示す条件で層形成を行って電子写真用像
形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ　５．　ＯＫＶでＱ、３ｓｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ
光源を用い、：２／ｕｘ・気の光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画ｆ象を得た。像
°形成部材上のトナー画像を、ｅＯ，５ＫＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例８ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ２基
体上に、第８表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ　ｓ、　ＯＫＶで０．３　ｓｅｅ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を用い、２１ｕＸ−（８）の光はを透過型のテス
トチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面−ヒに良好なトナー画像をイ（）た
。ｆ象形成部材上のトナー画像を、ｅ　５．　ＯＫＶの
コロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例９ 第２図に示した製造装置により、第９表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１Ｏ 第２図に示した製造装置により、第１Ｏ表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
１０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用い
て、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様のト
ナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作成
した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の画
質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の良
い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１２ 第４の層領域（Ｍ）の作成条件を第１１表に示す各条件
にした以外は実施例２〜ｌＯの各実施例と同様の条件と
手順に従って電子写真用像形成部材の夫ｋ（試料／ｌ６
１２−２ｏｌ−１２−２０８，１２−３０１〜１２−３
０８、−＝・、　　１２−１００１−１２−１００９の
７２個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置しｓ　Ｏ５ＫＶで０２露間コロナ帯電
を行い、光像を照射した。光源はタングステンランプを
用い、光量は１．０　／ＬＩＸ・濃とした。潜像は■荷
電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によって現像
され、通常の紙に転写された。

転写画像は、極めて良好なものであった。転写されない
で電子写真用像形成部材上に残ったトナーは、ゴムブレ
ードによってクリーニングされた。このような工程を繰
り返し１０万回以上行っても、いずれの場合も画像の劣
化は見られなかった。

各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用によ
る耐久性の評価の結果を第１２表に示す０ 実施例１３ 第４の層領域（Ｍ）の形成時、シリコンウェハとグラフ
ァイトのターゲツト面積比を変えて、第４の層領域（Ｍ
）に於けるシリコン原子の炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成
部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成部材の
夫々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリ
ーニングの工程を約５万回繰シ返した後画像評価を行っ
たところ第１３表の如き結果を得た０ 実施例１４ 第４の層領域（Ｍ）の層の形成時、８ｉＩ（４ガスとＣ
，Ｈ４ガスの流量比を変えて、第４の層領域（Ｍ）に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以
外は実施例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫
々を作成した。こうして得られた各像形成部材につき、
実施例１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回
繰す返した後、画像評価を行ったところ、第１４表の如
き結果を得た。

実施例１５ 第４の層領域（Ｍ）の層の形成時、５ｉｔ−１４ガス、
Ｓｉ■ヘガス、Ｃ，Ｈ４ガスの流量比を変えて、第４の
層領域（Ｍ）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量
比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によ
って像形成部材の夫々を作成した。こうして得られだ各
像形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現像、ク
リーニングの工程を約５万回繰り返した後、１面像評価
を行ったところ第１５表の如き結果を得た。

実施例１６ 第４の層領域（Ｍ）の層厚を変える以外は、実施例１と
全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した実
施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程
を繰り返し第１６表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧二〇。３　Ｔｏｒｒ 第　　１６　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて本発明の光
導電部材を作製する為に使用された装置の模式的説明図
である。 ｉｏｏ・・・光導電部材

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上如少なくと
   もゲルマニウム原子を含み、少なくとも一部結晶化して
   いる第１の層領域と、少なくともシリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料を含有する第２の層領域
   と、少なくともシリコン原子を含む非晶質材料を含有し
   、光導電性を示す第３の層領域と少なくとも炭素原子と
   シリコン原子とを含む非晶質材料からなる第４の層領域
   とが前記支持体側より順に設けられた層構成の光受容層
   とを有し、前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
   なくともいずれか一方に伝導性を支配する物質が含有さ
   れている事を特徴とする光導電部材。
2. （２）　　第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域
   及び第４の層領域のいずれかに水素原子が含有されてい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域及び
   第４の層領域のいずれかにハロゲン原子が含有されてい
   る特許請求の範囲ａｔ項及び第２項に記載の光導電部材
   。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
5. （５）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。