JPS58168237A - シリコン基板 - Google Patents
シリコン基板Info
- Publication number
- JPS58168237A JPS58168237A JP5019782A JP5019782A JPS58168237A JP S58168237 A JPS58168237 A JP S58168237A JP 5019782 A JP5019782 A JP 5019782A JP 5019782 A JP5019782 A JP 5019782A JP S58168237 A JPS58168237 A JP S58168237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- oxide film
- polishing
- mirror surface
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、シリコン基板κ関する。
従来、牟導体用に使われているシリコン基板は最員仕上
が一械的κ傭爾゛研磨されたものである。
が一械的κ傭爾゛研磨されたものである。
ζＯ−ｉ的、化学的鏡面研磨後ト膜シリコ１ン碁板表画
ｊｌ！κλゐ欠Ｉ＆社，従来方法、例えは２結晶Ｘ１１
１１１装置を用い九ロツ′命ングカープの側室なとでは
一ｍされず、□ζれ壜で無いと考えられていた。
ｊｌ！κλゐ欠Ｉ＆社，従来方法、例えは２結晶Ｘ１１
１１１装置を用い九ロツ′命ングカープの側室なとでは
一ｍされず、□ζれ壜で無いと考えられていた。
どビろｄ−近になり，Ｘ纏散漫散乱による実験から、従
来ＩＲいと考えられてい九鏡゛面研磨による一欠陥が検
出され丸．第Ｉｍｌは、その副定例である。
来ＩＲいと考えられてい九鏡゛面研磨による一欠陥が検
出され丸．第Ｉｍｌは、その副定例である。
こｏｒｉｇは１１１逆格子点のま゛わ）散一散乱を示し
□、縦“軸、横゛軸め゛単位は一である．図中縦長の楕
円一分は、シ゛リ゛コノの一手振動κ゛よるものである
。
□、縦“軸、横゛軸め゛単位は一である．図中縦長の楕
円一分は、シ゛リ゛コノの一手振動κ゛よるものである
。
間′題め欠陥に゛よる散”鰻散“区は横方向（（１１１
）方ｔ＃ＩＪ）κ伸び九′′「りの」である、この欠陥
は一面近傍の表１よＩｆＪＩＳｋｒ以内め領゛域に発生
してい“る事も判明し友．こ−ういつ九欠論は、繍１臘
半導体の様に、シリコン基板表面層を活性領域と゛す′
る素子には少なからず悪影響を与える。
）方ｔ＃ＩＪ）κ伸び九′′「りの」である、この欠陥
は一面近傍の表１よＩｆＪＩＳｋｒ以内め領゛域に発生
してい“る事も判明し友．こ−ういつ九欠論は、繍１臘
半導体の様に、シリコン基板表面層を活性領域と゛す′
る素子には少なからず悪影響を与える。
〔発明の目的〕“
本発明は上述した従一来のシ”リコン゛碁［６欠点を改
１し、′より高＊＊の素子を作る事が出来るシリコン基
板を提供する事にある。
１し、′より高＊＊の素子を作る事が出来るシリコン基
板を提供する事にある。
シリコン基板の鏡面研磨工程は、素子の黴羅化に伴う、
基板の高精度平担化には必要欠くべからざるものである
。しかし、一方で上述し九様な欠陥の発生は避けられな
い０本発明の重要な点は、平ｍ度を高精度に保つ九まま
表面層を除去する事にある。以下に本発明によるシリコ
ン基板Ｏ１１造方法について第２図、及び第３１１を参
照しなからｌ！明する。第２図は通常の鏡面研磨され九
シリコン基板の製造方法の砥粒による研磨工種以後を示
し九ものである０通常のシリコン基板はラップ（４）、
面と＊ Ｄ （ｂ）、エツチング（Ｃ）、鏡面研磨（ｄ
）という順に作られる。第３図は本発明によるシリコン
基板の製造方法を示し九ものである。ｍ面研磨工ＩＩ
（ｄ）までは、通常ウェー７１と同一であるが、その後
、酸化（ｅ）、酸化膜除去（ｆ）という工程を加え、−
面研磨によりシリコン基板に導入される欠陥３を除去し
ている。
基板の高精度平担化には必要欠くべからざるものである
。しかし、一方で上述し九様な欠陥の発生は避けられな
い０本発明の重要な点は、平ｍ度を高精度に保つ九まま
表面層を除去する事にある。以下に本発明によるシリコ
ン基板Ｏ１１造方法について第２図、及び第３１１を参
照しなからｌ！明する。第２図は通常の鏡面研磨され九
シリコン基板の製造方法の砥粒による研磨工種以後を示
し九ものである０通常のシリコン基板はラップ（４）、
面と＊ Ｄ （ｂ）、エツチング（Ｃ）、鏡面研磨（ｄ
）という順に作られる。第３図は本発明によるシリコン
基板の製造方法を示し九ものである。ｍ面研磨工ＩＩ
（ｄ）までは、通常ウェー７１と同一であるが、その後
、酸化（ｅ）、酸化膜除去（ｆ）という工程を加え、−
面研磨によりシリコン基板に導入される欠陥３を除去し
ている。
次に１本発明による効果について述べる。第４■は酸化
膜厚１００１００ＡＯダイオードＯ酸化膜破ｌｌｌ０Ｉ
Ｅ！＃健直を見たものである。従来シリコン基板（ａ）
、と本発明によるシリコン基板（ｂ）に大きな差のあみ
事が判る。電昇強［８ＭＶ％１以上の頻度は、従来クエ
ーハー６０％に対し、本発明によるウェーハは〜９０％
と大きい、ここでは、酸化膜の耐圧で発明の効果を見え
が、その他、旙乃牛導体のゲート酸化膜とシリコン基板
との界面の改善等、巾広い効果が期待漬れる。
膜厚１００１００ＡＯダイオードＯ酸化膜破ｌｌｌ０Ｉ
Ｅ！＃健直を見たものである。従来シリコン基板（ａ）
、と本発明によるシリコン基板（ｂ）に大きな差のあみ
事が判る。電昇強［８ＭＶ％１以上の頻度は、従来クエ
ーハー６０％に対し、本発明によるウェーハは〜９０％
と大きい、ここでは、酸化膜の耐圧で発明の効果を見え
が、その他、旙乃牛導体のゲート酸化膜とシリコン基板
との界面の改善等、巾広い効果が期待漬れる。
次に本褪明Ｏ夷謔例を示す、用いたシリコンは１’ｆｌ
ｌの引上軸が（１１１）方向のｔのである。これを菖３
図に示す工程にそって、１ｉ１面研磨（ｄ） ｔで行な
う。
ｌの引上軸が（１１１）方向のｔのである。これを菖３
図に示す工程にそって、１ｉ１面研磨（ｄ） ｔで行な
う。
次に、１２００℃、水蒸気甲で５４間酸化を行なった。
この時の歇化膜厚は２．１−であった、その後、酸化膜
を弗酸で除去したｅ Ｉｔ ｓ図は、鏡面研磨後の１１
１逆格子点のまわ夛の歓漫歓、Ｌ （、ｌ）と１化後、
弗酸で酸化膜を除去し九後の散漫散乱（ｂ）を示したも
のである０本発明によゐシリコン基板の散漫散乱（ｂ）
ででは、（１１１）方向に伸び九１、鏡面研磨によりシ
リコン基ＩＥＫ導入され九５欠陥を示すｒつの」が小さ
くなって＾る。 。
を弗酸で除去したｅ Ｉｔ ｓ図は、鏡面研磨後の１１
１逆格子点のまわ夛の歓漫歓、Ｌ （、ｌ）と１化後、
弗酸で酸化膜を除去し九後の散漫散乱（ｂ）を示したも
のである０本発明によゐシリコン基板の散漫散乱（ｂ）
ででは、（１１１）方向に伸び九１、鏡面研磨によりシ
リコン基ＩＥＫ導入され九５欠陥を示すｒつの」が小さ
くなって＾る。 。
上述し九欠陥は、化学的なエツチングによ２ても除去さ
れる。この場合、基板表面の平担度は一干暴くなるが、
除去量が少なければ、それ揚大自な問題とはなら、ない
。
れる。この場合、基板表面の平担度は一干暴くなるが、
除去量が少なければ、それ揚大自な問題とはなら、ない
。
Ｉｌｌ！Ｅｌは従来の鏡面研磨さ、れ九（１１４）、シ
リ、コンクエーハからの散漫散乱の図、第２図（１）〜
（ｄ）は従来のシリコン基板のａｍ工程図、第３４１）
〜（ｆ）は本発明によるシリコン基板０Ｉｌｌ、造工程
図、ｓ４図（ａ）（ｂ）は、ＭｏＳダイオードの印加電
界と、酸化膜破壊頻度との相関図、第５図（り（ｂ）は
従来シリコン基板と、本発明によるシリコン基板のＸＩ
Ｉ散漫散乱の比較する図である。 図に於いて、 １・・・シリコン基板、 ２・・・破砕層、３・
・・虜面研磨により発生する欠−１４・・・酸化膜、５
・・・格子振動に起因する散漫散乱、６・・・鏡面研磨
により発生した欠陥に起因する散漫散乱。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１凶 第２図 第３図 第４図 （α） ＠め （ム）
リ、コンクエーハからの散漫散乱の図、第２図（１）〜
（ｄ）は従来のシリコン基板のａｍ工程図、第３４１）
〜（ｆ）は本発明によるシリコン基板０Ｉｌｌ、造工程
図、ｓ４図（ａ）（ｂ）は、ＭｏＳダイオードの印加電
界と、酸化膜破壊頻度との相関図、第５図（り（ｂ）は
従来シリコン基板と、本発明によるシリコン基板のＸＩ
Ｉ散漫散乱の比較する図である。 図に於いて、 １・・・シリコン基板、 ２・・・破砕層、３・
・・虜面研磨により発生する欠−１４・・・酸化膜、５
・・・格子振動に起因する散漫散乱、６・・・鏡面研磨
により発生した欠陥に起因する散漫散乱。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１凶 第２図 第３図 第４図 （α） ＠め （ム）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）機械的、化学的鏡面研磨後、表面層が除去され１
なる事を特徴とす４ｐ９：ｚｙ−一・（２）除去量が１
５＃ｌＩ以下である事を特徴とする特許 （３）表面層を酸化し、出来た酸化膜を除去する事κよ
ヤｌｌ藺欠陥層の除去されてなる事を時機とする前記特
許請求の範囲第１項記載のシリコン基板● （４）表面層除去方法が化学的エツチングである事を特
徴とする前記特許請求の範１１１１１ ｆｔ記載のシリ
コン基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019782A JPS58168237A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | シリコン基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019782A JPS58168237A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | シリコン基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168237A true JPS58168237A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12852410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5019782A Pending JPS58168237A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | シリコン基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993001615A1 (en) * | 1991-07-02 | 1993-01-21 | Tadahiro Ohmi | Silicon wafer and its cleaning method |
| CN104347401A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5019782A patent/JPS58168237A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993001615A1 (en) * | 1991-07-02 | 1993-01-21 | Tadahiro Ohmi | Silicon wafer and its cleaning method |
| CN104347401A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法 |
| US9620615B2 (en) | 2013-07-29 | 2017-04-11 | Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. | IGBT manufacturing method |
| CN104347401B (zh) * | 2013-07-29 | 2017-05-10 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法 |
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