JP2003309101A - 貼り合せ基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜ＳＯＩ基板に代表される貼り合わせ基板
のブリスター不良を低減し、ブリスター不良のない貼り
合せ基板の製造歩留を向上させる。 【解決手段】 貼り合せ基板の製造方法であって、少な
くとも、二枚の基板をＳＣ−１洗浄する工程と、該洗浄
した基板を乾燥する工程と、該乾燥した基板を接合する
工程と、該接合した基板の一方を薄膜化する工程を含
み、前記ＳＣ−１洗浄する工程における洗浄液の温度を
２５℃以上６０℃以下とする貼り合せ基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、貼り合せ基板の製
造方法に関し、特に材料となる基板を貼り合せる前の洗
浄工程に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】貼り合わせ法を用いた貼り合わせＳＯＩ
（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の作
製方法として、２枚のシリコン基板をシリコン酸化膜を
介して貼り合わせる技術、例えば特公平５−４６０８６
号公報に示されている様に、少なくとも一方の基板に酸
化膜を形成し、接合面に異物を介在させることなく相互
に密着させた後、２００〜１２００℃の温度で熱処理し
て結合強度を高める方法が、従来より知られている。

【０００３】熱処理を行なうことにより結合強度が高め
られた貼り合わせ基板は、その後の研削研磨工程が可能
となるため、素子作製側基板を研削及び研磨により所望
の厚さに減厚加工することにより、素子形成を行なうＳ
ＯＩ層を形成することができる。

【０００４】このようにして作製された貼り合わせＳＯ
Ｉ基板は、ＳＯＩ層の結晶性に優れ、ＳＯＩ層直下に存
在する埋め込み酸化膜の信頼性も高いという利点はある
が、研削及び研磨により薄膜化しているため、薄膜化に
時間がかかる上、材料が無駄になり、しかも膜厚均一性
は高々目標膜厚±０．３μｍ程度しか得られなかった。

【０００５】一方、近年の半導体デバイスの高集積化、
高速度化に伴い、ＳＯＩ層の厚さは更なる薄膜化と膜厚
均一性の向上が要求されており、具体的には０．１±
０．０１μｍ程度の膜厚及び膜厚均一性が必要とされて
いる。

【０００６】このような膜厚及び膜厚均一性をもつ薄膜
ＳＯＩ基板を貼り合わせ基板で実現するためには従来の
研削・研磨での減厚加工では不可能であるため、新たな
薄膜化技術として、特開平５−２１１１２８号公報に開
示されているイオン注入剥離法（あるいは水素イオン剥
離法等）と呼ばれる方法が開発された。

【０００７】このイオン注入剥離法による貼り合わせＳ
ＯＩ基板の作製方法は、二枚のシリコン基板のうち少な
くとも一方に酸化膜を形成するとともに、一方のシリコ
ン基板の上面から水素イオンまたは希ガスイオン等を注
入し、該シリコン基板内部に微小気泡層（封入層）を形
成させた後、該イオン注入面を酸化膜を介して他方の基
板と密着させ、その後熱処理（剥離熱処理）を加えて微
小気泡層を劈開面（剥離面）として一方の基板を薄膜状
に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を加えて強固に
結合してＳＯＩ基板とする技術である。

【０００８】この方法では、剥離面は良好な鏡面であ
り、ＳＯＩ層の均一性が極めて高いＳＯＩ基板が比較的
容易に得られる上、剥離した一方の基板を再利用できる
ので、材料を有効に使用できるという利点も有する。

【０００９】また、この方法は、酸化膜を介さずに直接
シリコン基板同士を結合することもできるし、シリコン
基板同士を結合する場合のみならず、シリコン基板にイ
オン注入して、石英、炭化珪素、アルミナ等の熱膨張係
数の異なる絶縁性基板と結合したり、絶縁性基板にイオ
ン注入して他の基板と結合することにより、これらの薄
膜を有する基板を作製する場合にも用いられる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記のような貼り合せ
基板の製造ではいずれの方法でも、通常、単一または複
数種類の材料となる基板を洗浄・乾燥してから、材料基
板どうしの接合を行う。その後、接合した基板の接合界
面の接合強度を高める熱処理を加えて強固に結合した
後、一方の基板を薄膜化することで貼り合せ基板が製造
される。この貼り合せ基板の製造において、材料基板を
接合する際、材料基板の接合面にパーティクルや有機物
等の異物が存在すると、パーティクルや有機物等が接合
界面の接合を妨げ、接合界面に未接合部を形成してしま
う。これが、結合熱処理後の貼り合せ基板の結合界面に
ボイド不良やブリスター不良を引き起こす。特に、接合
界面の接合力が弱い場合は、結合熱処理を行ってもボイ
ド不良やブリスター不良が発生し易く、また、そのサイ
ズも大きくなる傾向にある。

【００１１】図２は、これらの欠陥が発生した貼り合せ
基板の例として、ＳＯＩ基板の縦断面を摸式化した図で
ある。ＳＯＩ基板はベース基板２の上に酸化膜１０と活
性シリコン層９が積層されているが、図に示すようなボ
イド不良１３やブリスター不良１２によりこれらの層の
未結合部を発生させている。

【００１２】そこで、これらボイド不良やブリスター不
良を低減すべく、貼り合わせ前の洗浄工程を十分に管理
し、パーティクルや有機物等の異物を十分に除去するこ
とが試みられているが、洗浄工程を十分に管理したとし
ても、薄膜化後に目視にて観察される直径数ｍｍ程度の
ブリスターを面内で完全に除去することは困難であり、
全面でブリスターフリーとなる薄膜ＳＯＩ基板の製造歩
留は満足できるレベルには達していなかった。

【００１３】特に、近年の大直径化した直径３００ｍｍ
以上のＳＯＩ基板の製造においては、従来の直径２００
ｍｍ程度の基板に比べて、ブリスター不良が多発し、ブ
リスターフリーのウエーハは、製造枚数に対し０〜２０
％程度しか得ることができなかった。また、ブリスター
のサイズも４ｍｍ以上と大きく、貼り合せ界面の結合力
が低下している傾向が見られた。

【００１４】本発明は、このような問題点を解決するた
めなされたものであり、薄膜ＳＯＩ基板に代表される貼
り合わせ基板のブリスター不良を低減し、ブリスター不
良のない貼り合せ基板の製造歩留を向上させることを目
的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、貼り合せ基板の製造方法であって、少なく
とも、二枚の基板をＳＣ−１洗浄する工程と、該洗浄し
た基板を乾燥する工程と、該乾燥した基板を接合する工
程と、該接合した基板の一方を薄膜化する工程を含み、
前記ＳＣ−１洗浄する工程における洗浄液の温度を２５
℃以上６０℃以下とすることを特徴とする貼り合せ基板
の製造方法である（請求項１）。

【００１６】このように、ＳＣ−１洗浄における洗浄液
の温度を２５℃以上６０℃以下とすれば、貼り合わせ面
を必要以上に荒らすことなくパーティクルや有機物除去
が可能となり、全面でブリスターフリーとなる貼り合せ
基板の製造歩留りを向上させることができる。洗浄液の
温度をこのような値としたのは、洗浄液の温度が室温
（すなわち２５℃程度）未満になると、パーティクル等
の除去効果が不十分となり、また室温より低くするため
の冷却設備が別途必要となるからである。また６０℃を
超える温度では、ブリスター低減効果が不十分となるか
らである。

【００１７】この場合、前記ＳＣ−１洗浄における洗浄
液の温度を３０℃以上５０℃以下とすることが好ましい
（請求項２）。パーティクルや有機物除去効果をさらに
高め、かつ、ブリスターフリー率をより向上させるため
には、３０℃以上５０℃以下とすることが好ましいから
である。

【００１８】この場合、前記乾燥工程は、前記洗浄され
た基板表面の水分を吸引して除去する工程であることが
好ましい（請求項３）。このように乾燥工程において、
基板表面の水分をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等
の揮発性の高い有機溶剤に置換して乾燥を行う水置換法
を用いず、基板表面の水分を吸引して除去する吸引乾燥
法を用いることにより、乾燥台座に複数枚数の基板を載
せるようにして、基板を同時に複数枚乾燥処理できるの
で生産性を高めることができる。また、水置換法で用い
られる引火性の強いＩＰＡ等を用いる必要がないため、
作業の安全性も向上させることができる。

【００１９】この場合、前記貼り合せ基板の材料となる
基板の少なくとも一方を、酸化膜付きシリコン基板とす
ることができ（請求項４）、前記貼り合せ基板の材料と
なる基板を、水素、希ガスまたはハロゲンガスイオンが
注入されたものとすることができる（請求項５）。

【００２０】このように、貼り合せ基板の材料となる基
板は、デバイスの種類、用途に応じて複数種類の基板を
組み合わせて使用されるが、中でも酸化膜付きシリコン
基板を使用し、本発明の洗浄工程を適用して貼り合せ基
板を製造すれば、熱処理前の強力な接合強度と熱処理後
の強固な結合強度を有するＳＯＩ基板が得られるととも
に、汚染、欠陥、ブリスター不良、ボイド不良のない貼
り合せ基板を製造することができる。また、水素、希ガ
スまたはハロゲンガスイオンが注入されたシリコン基板
を使用すれば、前記イオン注入剥離法により、極薄で均
一な膜厚であるとともに、汚染、欠陥、ブリスター不
良、ボイド不良のない貼り合せ基板を製造することがで
きる。

【００２１】さらに、本発明の製造方法により製造され
た貼り合せ基板は（請求項６）、結合界面にブリスター
不良やボイド不良のない貼り合せ基板となり、強力な接
合強度と強固な結合強度の貼り合せ基板とすることがで
きる。特に、直径３００ｍｍ以上の大直径基板におい
て、本発明の製造方法により製造された基板はその結合
特性に優れたものとなる。

【００２２】以下、本発明について詳細に説明する。貼
り合わせ前の洗浄としては、通常の場合、ＳＣ−１洗浄
（ＮＨ_４ＯＨ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏの混合液による洗浄）
やＳＣ−２洗浄（ＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ_２／Ｈ_２Ｏの混合液に
よる洗浄）、硫酸過水洗浄（Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ_２の混
合液による洗浄）といった、基板表面を親水性にする洗
浄が目的に応じて適宜組み合わせて用いられる。

【００２３】中でもＳＣ−１洗浄は、主にパーティク
ル、有機物等の除去に効果があるため、貼り合わせ前の
洗浄工程においては欠かすことのできない洗浄である。
このＳＣ−１洗浄は、シリコン基板やシリコンデバイス
の製造工程においても極めて一般的に用いられており、
その使用温度は７０〜８５℃である。これは、従来は、
このような高い温度により洗浄処理を施さなければ、洗
浄の効果が得られないと考えられていたからである。し
たがって、従来はこれよりも低い温度の洗浄液によって
ＳＣ−１洗浄は行われていなかった。

【００２４】ところが本発明者らは、ＳＣ−１洗浄装置
のトラブルによりＳＣ−１洗浄層に通常より長時間浸漬
された貼り合わせ用の基板を貼り合わせて薄膜ＳＯＩを
作製したところ、通常よりもブリスター発生率が高くな
るという結果に遭遇し、これを調査、解析した結果、本
発明を完成させるに至った。

【００２５】すなわち、従来はＳＣ−１洗浄をより厳密
に管理し、パーティクル等を十分に除去しさえすれば、
ブリスターの発生を防止できると考えられていた。しか
し、本発明者らは、上記結果について、ＳＣ−１洗浄に
長く浸漬されたことにより、貼り合わせを行う基板表面
（酸化膜表面またはシリコン表面）の面荒れが進行し、
それがブリスター不良の増加につながったものと考え
た。そこで、ＳＣ−１洗浄において貼り合わせ面の面荒
れを必要以上に発生させずに洗浄すれば、ブリスター不
良を低減することができるはずであると考えた。

【００２６】そこで本発明者らは、ＳＣ−１洗浄の条件
について検討を行った結果、ＳＣ−１洗浄の温度を通常
用いられる温度よりも低い温度で行なうことを発想し本
発明を完成させた。前述のように従来は、ＳＣ−１洗浄
の温度を低温化した場合は、ＳＣ−１洗浄のもつパーテ
ィクルや有機物除去という本来の効果の低減が懸念され
ており、ＳＣ−１洗浄液の液温を下げて洗浄を行うこと
は行われていなかった。しかし、本発明者らが調査した
ところ、貼り合わせを行う基板の洗浄工程としてのＳＣ
−１洗浄のパーティクル等を除去する洗浄効果は、洗浄
液温度を従来の７０〜８５℃から２５〜６０℃に下げて
もほとんど影響がないことが判った。そして、この６０
℃以下の洗浄液温度では、ブリスターの発生は著しく抑
制されることが判明した。この場合、温度を２５℃未満
に下げてしまうと、パーティクルを除去する効果が減少
し、また室温以下の温度に洗浄液を冷却するための装置
が別途必要となるため、パーティクル除去の効果を維持
しつつ、ブリスターの発生を防止するためには、洗浄液
の温度は２５℃以上６０℃以下の温度が好ましいことを
本発明者らは見出した。特に、洗浄液の温度が３０〜５
０℃の範囲では、パーティクルを洗浄除去する効果は維
持されるにもかかわらず、ブリスターの発生率は特に低
減されることが判明した。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る貼り合せ基板
の製造方法の実施の形態について図面を参照しながら詳
細に説明する。図１は、本発明に係る貼り合せ基板の製
造方法の一実施形態の概要を示す工程図である。ここで
は、貼り合せ基板の作製法の一種である水素イオン剥離
法を用いたＳＯＩ基板の作製を例に説明する。

【００２８】図１において、材料基板としてベア基板を
２枚用意する（Ａ）。ベア基板には、鏡面研磨基板、エ
ピタキシャル基板、熱処理基板等様々な基板が存在する
が、その種類に関係なく本発明に適用することができ
る。まず、ボンド基板１として用意されたベア基板の表
面に酸化膜１０を形成する。表面に酸化膜１０が形成さ
れたボンド基板１の表面から水素イオンの注入を行い、
所望の深さに均一に水素高濃度層１１を形成する。水素
高濃度層１１の深さが、得られる活性シリコン層９（Ｓ
ＯＩ層）の厚さを決めることになる。

【００２９】次に、ベース基板２としてはベア基板をそ
のまま用いる。ここで、ボンド基板１をベア基板とし、
ベース基板２を酸化膜付基板としても良い。また、共に
ベア基板または酸化膜付基板としても良い。これらの材
料基板の表面に付着しているパーティクルおよび有機物
等を除去するため、材料基板の接合前に洗浄工程を行う
（Ｂ）。この洗浄工程では、例えば、ＳＣ−１洗浄とＳ
Ｃ−２洗浄を組み合わせたいわゆるＲＣＡ洗浄等の洗浄
を行う。本発明においては、このＳＣ−１洗浄において
洗浄液の温度を２５〜６０℃、好ましくは３０〜５０℃
に設定する。これにより、貼り合わせ面を必要以上に荒
らすことなくパーティクルや有機物除去が可能となり、
全面でブリスターフリーとなる貼り合せ基板を得ること
ができる。この場合のＳＣ−１洗浄液の濃度は、一般的
に用いられる範囲、例えば、ＮＨ ₄ＯＨ（２９ｗｔ
％）：Ｈ_２Ｏ_２（３０ｗｔ％）：Ｈ_２０＝１：１：５〜
１：１：１０を用いればよい。このＳＣ−１洗浄は１回
のみ行う場合に限られず、例えば、洗浄液濃度、洗浄時
間を変えて複数回に分けて行うこともできる。

【００３０】また、その後の乾燥工程（Ｃ）では水置換
法ではなく吸引乾燥法を用いることが好ましい。吸引乾
燥法によれば、ＩＰＡ等の引火性のある有機溶媒を用い
る必要がなく、安全性が高いからである。また、複数枚
のウエーハを同時に処理できるため、作業効率が良いか
らである。

【００３１】この吸引乾燥法は、図３に示したように、
真空吸引ライン２２が設置された乾燥台座２１に基板Ｗ
を垂直に載せ、真空ポンプ２３で基板Ｗの両表面周りに
存在するクリーンエアを気流として吸引すると同時に基
板Ｗの両表面上の水滴や水膜を吸引除去して乾燥させる
方法である。この方法によれば、基板表面上の水分量を
必要以上に低減させずに適度な量にすることができる。
また、乾燥台座に複数枚数の基板を載置可能とすること
で、同時に多数の基板を乾燥することができるので、生
産性の向上を図ることができる。

【００３２】次に、接合工程（Ｄ）において、ボンド基
板１の表面とベース基板２の表面を接合する。この時、
接合工程の雰囲気や材料基板を保管した容器から、パー
ティクル汚染および有機物汚染を受け易いので、洗浄工
程、乾燥工程を行った後は、出来る限り早く接合工程を
行うことが望ましい。

【００３３】剥離熱処理工程（Ｅ）においては、接合し
た基板を４００〜６００℃程度の低温で熱処理すると、
ボンド基板１内に形成された水素高濃度層１１に欠陥層
が形成される。欠陥層がボンド基板１内部で水平方向に
繋がることで、ボンド基板１の剥離が行われる。これに
より、ボンド基板１の一部が活性シリコン層９としてベ
ース基板２上に転写して、ＳＯＩ基板となる。

【００３４】結合熱処理工程（Ｆ）においては、接合界
面の接合力を高めるため、酸化性雰囲気または非酸化性
雰囲気で１０００℃以上の結合熱処理を行い、強固に結
合させて安定化する。最後に研磨工程（Ｇ）において、
ＳＯＩ層表面のダメージを除去し、マイクロラフネスを
向上させるための研磨を行う。研磨の代わりに水素アニ
ール等の熱処理を行うこともできる。以上の一連の工程
により水素イオン剥離法によるＳＯＩ基板１５が完成す
る。

【００３５】尚、ブリスター不良の有無は、剥離熱処理
工程（Ｅ）の後のＳＯＩ基板を目視することで確認する
ことが可能である。本発明の製造方法における洗浄方法
によれば、貼り合わせ面を必要以上に荒らすことなくパ
ーティクルや有機物除去が可能となるため、全面でブリ
スターフリーとなる貼り合せ基板を高歩留りで得ること
ができる。特に、従来、全面ブリスターフリーとなる貼
り合せ基板を低歩留りでしか得ることができなかった、
直径３００ｍｍを超える基板を製造する場合に本発明は
極めて有効である。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の実施例と比較例を挙げて本発
明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。 （実施例、比較例）ここでは、貼り合せ基板の作製法の
一種である水素イオン剥離法を用いてＳＯＩ基板を作製
した。製造工程は図１に示された工程図における剥離熱
処理工程（Ｅ）までを行った。先ず、厚さ１５０ｎｍの
酸化膜を形成した直径３００ｍｍのシリコン基板に８×
１０¹⁶ｉｏｎｓ／ｃｍ² の水素イオンを注入したボンド
基板と、ベアシリコン基板をベース基板として用意し
た。次に、両基板を硫酸過水洗浄を行った後、下記の表
１に示す３条件で洗浄（ＳＣ−１洗浄＋ＳＣ−２洗浄）
した後、純水で十分リンスした。続いて吸引乾燥法を用
いて両基板を乾燥した。

【００３７】

【表１】

【００３８】尚、この基板を接合する前の洗浄工程後に
乾燥工程を行った基板の洗浄効果を確認するため、別途
用意した基板について基板上のパーティクル数をＫＬＡ
−Ｔｅｎｃｏｒ社製パーティクルカウンターＳＰ１で測
定したところ、いずれの条件で洗浄した基板において
も、０．２μｍ以上のパーティクルは、１０個／基板以
下しか検出されず、洗浄が有効に行われていることが判
った。

【００３９】次いで、ボンド基板の酸化膜面とベース基
板の片面とを室温で接合した。そして、接合した基板に
水素高濃度層が剥離する５００℃で熱処理を行って、ボ
ンド基板を薄膜化した。その後、作製されたＳＯＩウェ
ーハの表面を蛍光灯下の目視検査して発生したブリスタ
ーの個数とサイズとボイドの個数を測定し、表２に示し
た。

【００４０】

【表２】

【００４１】表２に示すように、実施例１および実施例
２におけるＳＯＩ基板は、ブリスターフリー率が高く、
ボイドも検出されていない。また、基板に生じたブリス
ターのサイズも３ｍｍ以下と小さいことが判る。よっ
て、本発明の製造方法により、貼り合せ基板製造の歩留
りの向上を図ることができることが判る。一方、比較例
におけるＳＯＩ基板は、ボイド数は少ないものの、通常
の洗浄液温度によりＳＣ−１洗浄を行ったため、面が粗
れておりブリスターフリー率は低いことが判る。さらに
基板に生じたブリスターのサイズは４ｍｍ以上と大き
く、製造歩留りが低いことが判る。

【００４２】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００４３】例えば、上記実施形態においては、イオン
注入剥離法によりボンド基板を薄膜化してＳＯＩ基板を
製造する場合を中心に説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、研削・研磨、エッチング等のイオ
ン注入剥離法以外の方法でボンド基板を薄膜化する場合
であっても、２枚の基板を洗浄して接合する工程は全く
同様に有するのであり、このような洗浄工程に本発明を
適用し、貼り合わせ基板を製造する方法であれば、本発
明の範囲内である。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
３００ｍｍを超える大直径の貼り合せウエーハであって
も、ブリスター不良やボイド不良が発生することを防止
することができ、貼り合せウエーハの製造歩留りを大幅
に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る貼り合せ基板製造方法の一実施形
態を示す工程図である。

【図２】貼り合せ基板のブリスター不良およびボイド不
良を示す説明図である。

【図３】吸引乾燥法を示す説明図である。

【符号の説明】

１…ボンド基板、 ２…ベース基板、９…活性シリコン
層、 １０…酸化膜、 １１…水素高濃度層、１２…ブ
リスター不良、 １３…ボイド不良、 １５…ＳＯＩウ
エーハ ２１…乾燥台座、 ２２…真空吸引ライン、 ２３…真
空ポンプ、Ｗ…基板（ウエーハ）。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 貼り合せ基板の製造方法であって、少な
   くとも、二枚の基板をＳＣ−１洗浄する工程と、該洗浄
   した基板を乾燥する工程と、該乾燥した基板を接合する
   工程と、該接合した基板の一方を薄膜化する工程を含
   み、前記ＳＣ−１洗浄する工程における洗浄液の温度を
   ２５℃以上６０℃以下とすることを特徴とする貼り合せ
   基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記ＳＣ−１洗浄における洗浄液の温度
   を３０℃以上５０℃以下とすることを特徴とする請求項
   １に記載した貼り合せ基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記乾燥工程は、前記洗浄された基板表
   面の水分を吸引して除去する工程であることを特徴とす
   る請求項１または請求項２に記載した貼り合せ基板の製
   造方法。
4. 【請求項４】 前記貼り合せ基板の材料となる基板の少
   なくとも一方を、酸化膜付きシリコン基板とすることを
   特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記
   載した貼り合せ基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記貼り合せ基板の材料となる基板を、
   水素、希ガスまたはハロゲンガスイオンが注入されたも
   のとすることを特徴とする請求項１ないし請求項４のい
   ずれか１項に記載した貼り合せ基板の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項
   に記載の製造方法で製造されたことを特徴とする貼り合
   せ基板。