JPS58127356A - 半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために用いるリ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために用いるリ−ドフレ−ムInfo
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- JPS58127356A JPS58127356A JP1045282A JP1045282A JPS58127356A JP S58127356 A JPS58127356 A JP S58127356A JP 1045282 A JP1045282 A JP 1045282A JP 1045282 A JP1045282 A JP 1045282A JP S58127356 A JPS58127356 A JP S58127356A
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- leads
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために
周込るリードフレームに関する０％にプラスチックパリ
を防ぐための特別な形状をもつリードフレームを用いた
樹脂封止法およびそのリードフレームに関する。
周込るリードフレームに関する０％にプラスチックパリ
を防ぐための特別な形状をもつリードフレームを用いた
樹脂封止法およびそのリードフレームに関する。
レシンモールド型半導体装置におりて、集子及びワイヤ
部等の要部をモールドする工程が必要とされる。この為
、従来第１Ａ図で示すような＋７−ドフレーム１を使用
していた。この構造では各リード２間にモールド時の流
出な防止する為タイバー３が設けられ、タブリード４中
夫のタグ部には半導体集積回路のベレット（図示せず）
が取シ付けら名、このベレットの電極部と、対応するり
一ド２の内部リード先端とがワイヤ（図示せず）で繋が
れている。これらは上置と下箪の間に挾まれ、その間の
空間部にレシンが流し込まれベレット、ワイヤ及び内部
リード先端部な含む要部がモールドによシ封止される。
部等の要部をモールドする工程が必要とされる。この為
、従来第１Ａ図で示すような＋７−ドフレーム１を使用
していた。この構造では各リード２間にモールド時の流
出な防止する為タイバー３が設けられ、タブリード４中
夫のタグ部には半導体集積回路のベレット（図示せず）
が取シ付けら名、このベレットの電極部と、対応するり
一ド２の内部リード先端とがワイヤ（図示せず）で繋が
れている。これらは上置と下箪の間に挾まれ、その間の
空間部にレシンが流し込まれベレット、ワイヤ及び内部
リード先端部な含む要部がモールドによシ封止される。
ここで、リードとリードの間にはリードフレームの板の
厚さ分の隙間が生じ、これらの隙間にも注入されたレジ
ンが流れこむ。この様な不要なレシンの流出部は通常プ
ラスチックパリと呼ばれ種種の欠点の原因となる。
厚さ分の隙間が生じ、これらの隙間にも注入されたレジ
ンが流れこむ。この様な不要なレシンの流出部は通常プ
ラスチックパリと呼ばれ種種の欠点の原因となる。
従来このようなプラスチックパリの発生を防止すべく、
各リード２間に上記タイバー３が形成される。この状態
な＠ＩＢに拡大して示す。従来例のような構成ではプラ
スチックパリはある程度しか防止できず、タイバー３を
パンチのような機械的な切断刃で切断する工程であるｍ
度除去されるが、モールド部５と近接する部分のプラス
チックパリ６はモールド部を損傷する危険から切断でき
ずリード２関゛に残ることとなる。
各リード２間に上記タイバー３が形成される。この状態
な＠ＩＢに拡大して示す。従来例のような構成ではプラ
スチックパリはある程度しか防止できず、タイバー３を
パンチのような機械的な切断刃で切断する工程であるｍ
度除去されるが、モールド部５と近接する部分のプラス
チックパリ６はモールド部を損傷する危険から切断でき
ずリード２関゛に残ることとなる。
とのよプなプラスチックパリは製品の美観な劣下するこ
ともさることながら、自動化された製造工程に多大な支
障をきたす恐れがある。即ち各部のプラスチックパリの
残存状況が一定でない為、その後のモールド部へのマー
ク打印作業、選別・作業の自動化に際し形状、方向性の
検出誤認の原因となり、プラスチックパリの切断面によ
り自動機械の正常な運転の妨げとなる。
ともさることながら、自動化された製造工程に多大な支
障をきたす恐れがある。即ち各部のプラスチックパリの
残存状況が一定でない為、その後のモールド部へのマー
ク打印作業、選別・作業の自動化に際し形状、方向性の
検出誤認の原因となり、プラスチックパリの切断面によ
り自動機械の正常な運転の妨げとなる。
また、モールドエ楊後に上記打抜作業をふやすことは望
ましくないにかりか、上記打抜作業に用いる切断刃機構
の刃は、レジンの材料内にフィラーとして混入するシリ
カ（石）によって摩耗し、寿命が短く、価格低減の面か
らも望ましくはない。
ましくないにかりか、上記打抜作業に用いる切断刃機構
の刃は、レジンの材料内にフィラーとして混入するシリ
カ（石）によって摩耗し、寿命が短く、価格低減の面か
らも望ましくはない。
更に上記プラスチックパリの脱落した後のモールド部５
の表面は凹凸が激しく水分が溜まシ易い為、リン青銅に
銀めっきを施したものの様な低摩なリードフレーム１の
使用にあたっては電気分解が起シ隣接するリード間をシ
ョートさせるマイグレーション現象発生の原因となり半
導体装置自体の品質低下を引起しかねない。
の表面は凹凸が激しく水分が溜まシ易い為、リン青銅に
銀めっきを施したものの様な低摩なリードフレーム１の
使用にあたっては電気分解が起シ隣接するリード間をシ
ョートさせるマイグレーション現象発生の原因となり半
導体装置自体の品質低下を引起しかねない。
この様な問題の他にもこのプラスチックパリが外部り、
−ド（リード２のモールド部５から外に出る部分）にま
でおよぶ場合、このリードなソケットに操入する際の接
触不良の原因となシ、これｔ防ぐ為このプラスチックパ
リをこすシ落とそうとすると、上記のような低摩なリー
ドフレームの場合銀めっきをも除去する結果となりリー
ドのソルダビリティ（半田のつき易さ）を低下させる為
実質上除去不可能であること、また外部リードへの半田
の濡れ等の欠点も考えられる。
−ド（リード２のモールド部５から外に出る部分）にま
でおよぶ場合、このリードなソケットに操入する際の接
触不良の原因となシ、これｔ防ぐ為このプラスチックパ
リをこすシ落とそうとすると、上記のような低摩なリー
ドフレームの場合銀めっきをも除去する結果となりリー
ドのソルダビリティ（半田のつき易さ）を低下させる為
実質上除去不可能であること、また外部リードへの半田
の濡れ等の欠点も考えられる。
一方従来のリードフレームの両端部外枠は剛性−ＩＣＥ
）’Ｚ イＡレシンＯ注入圧力によってタイバー３及
びこれらのタイバー３と一体に形成される外枠が彎曲す
るおそれも有している。これは、注入レジンによって保
持され始めたワイヤの切断の原因となるだけでなく、各
リードの位置が変化することによって自動化されたリー
ド切断工程で不良品を作シだす原因にもなシかねない・ 以上の様な種々の短所を有するプラスチックパリを防ぎ
樹脂封止工程を行うことは以前から望まれておｐ今まで
５にもいくつかの改良例が見られる。
）’Ｚ イＡレシンＯ注入圧力によってタイバー３及
びこれらのタイバー３と一体に形成される外枠が彎曲す
るおそれも有している。これは、注入レジンによって保
持され始めたワイヤの切断の原因となるだけでなく、各
リードの位置が変化することによって自動化されたリー
ド切断工程で不良品を作シだす原因にもなシかねない・ 以上の様な種々の短所を有するプラスチックパリを防ぎ
樹脂封止工程を行うことは以前から望まれておｐ今まで
５にもいくつかの改良例が見られる。
第２図はその改良例であるリードフレームを示している
。（特公＠５５−９８２８号及び特公昭５４−１６３８
８号参照）この構造において謔１Ｂ図の従来例に加え、
各リード７間のタイバー８にプラスチックパリを防止す
る突出部９が設けられている。ここで突出部９は予めリ
ードＴと推分離されておシ、タイバー８を通じリードＴ
と結合している。このような構造によって、流出量は従
来例よりかなシ改善されるが完全に防止することはでき
ずリード７の側部と突出部９の側部を離すことからでき
る隙間１０あるいは更に打抜き部１１にレジンが流れこ
み細長いプラスチックパリが形成されレシンの細かな粉
末が発生するおそれがある。たとえ第２図の例において
パリの発生か第１Ｂ図に比較し少量であっても、現実に
は製品の中にはパリのあるものとないものが発生するの
でパリを除去する工程が必要である。
。（特公＠５５−９８２８号及び特公昭５４−１６３８
８号参照）この構造において謔１Ｂ図の従来例に加え、
各リード７間のタイバー８にプラスチックパリを防止す
る突出部９が設けられている。ここで突出部９は予めリ
ードＴと推分離されておシ、タイバー８を通じリードＴ
と結合している。このような構造によって、流出量は従
来例よりかなシ改善されるが完全に防止することはでき
ずリード７の側部と突出部９の側部を離すことからでき
る隙間１０あるいは更に打抜き部１１にレジンが流れこ
み細長いプラスチックパリが形成されレシンの細かな粉
末が発生するおそれがある。たとえ第２図の例において
パリの発生か第１Ｂ図に比較し少量であっても、現実に
は製品の中にはパリのあるものとないものが発生するの
でパリを除去する工程が必要である。
しかも第２図の例によるとタイバー切断時の細長いバ１
７ ’Ｉ折りとる工程で一定の切断面を呈するとは限ら
ず、上記のような自動化等に関する諸問題を解消できず
、更に切断方がパリに尚たって損耗することによって刃
の磨耗を防ぐ目的には合致しない。
７ ’Ｉ折りとる工程で一定の切断面を呈するとは限ら
ず、上記のような自動化等に関する諸問題を解消できず
、更に切断方がパリに尚たって損耗することによって刃
の磨耗を防ぐ目的には合致しない。
故に本発明の目的は、プラスチックパリの形成を完全に
防止し、製造工程の自動化及び設備（Ｄｊｌ命に関し貢
献し、更にマイグレーション及び接触不良によ２．品質
低下を防ぐことである。
防止し、製造工程の自動化及び設備（Ｄｊｌ命に関し貢
献し、更にマイグレーション及び接触不良によ２．品質
低下を防ぐことである。
また本発明の他の目的はリードフレームの剛性を増加さ
せ、リードフレームの変形を防ぐことによってワイヤの
破断及び集積回路の不良品の発生を防ぐことである。
せ、リードフレームの変形を防ぐことによってワイヤの
破断及び集積回路の不良品の発生を防ぐことである。
このような目的を達成する為本発明によれば、素子（Ｘ
Ｃペレット）取付部と上記職付部の周囲に近接しかつ離
間して配置された複数のリードと、上記各リード間を連
結支持する従来の第１のタイバーとモールド部ａｍ面と
隣接し上記第１のタイバーより内側に設けられ、後の籐
１のタイバー切断工程において裂断可能なＳｔに充分細
い部分でリードと連結され、第１のタイバーから突出す
る連絡部と各リード間の中央で連結される第２のタイバ
ーとが一体的に形成されたリードフレームを用意する。
Ｃペレット）取付部と上記職付部の周囲に近接しかつ離
間して配置された複数のリードと、上記各リード間を連
結支持する従来の第１のタイバーとモールド部ａｍ面と
隣接し上記第１のタイバーより内側に設けられ、後の籐
１のタイバー切断工程において裂断可能なＳｔに充分細
い部分でリードと連結され、第１のタイバーから突出す
る連絡部と各リード間の中央で連結される第２のタイバ
ーとが一体的に形成されたリードフレームを用意する。
素子の取り付は及び取９付けた素子の複数の電極とリー
ド先端を電気的に接続する工程の後、上記素子及びワイ
ヤを含む要部を樹脂で封止し、残る第１ＪＩ２のタイバ
ーを除去する工程において第１のタイバーを切断するこ
とによって同時に第２のタイバーの充分に細い連結部分
も裂断しとシ除く。以上の様な工程によって素子及びリ
ード・素子間の接続部及びリードの内側端部から成る要
部のみを樹脂で覆われる＝５に歯止封止されたレジンモ
ールド型半導体装置な！Ｉ供する。
ド先端を電気的に接続する工程の後、上記素子及びワイ
ヤを含む要部を樹脂で封止し、残る第１ＪＩ２のタイバ
ーを除去する工程において第１のタイバーを切断するこ
とによって同時に第２のタイバーの充分に細い連結部分
も裂断しとシ除く。以上の様な工程によって素子及びリ
ード・素子間の接続部及びリードの内側端部から成る要
部のみを樹脂で覆われる＝５に歯止封止されたレジンモ
ールド型半導体装置な！Ｉ供する。
本発明の実施例を以下に説明する。まず第６図に示す様
なリードフレーム２０を用意する。第６図に於て、リー
ドフレーム２０は４２合金で形成され、且つ枠状のパタ
ーン打抜き工程によって与えられる。リードフレーム２
０は枠の中央を縦方向に伸びる細い第１リード（タグリ
ード）２１、上記タデリード中央に設けられた半導体素
子取付けの為の矩形のタデ、上記タデリード２１両側を
固定する横枠、これら横枠に垂直なタイバー２２及び−
上記横枠と平行に上記タイバー２２から伸びる複数の第
２リード（配線用リード）２３を有している。これら接
続用リードのタデリード２１儒先端は上記タデに向かっ
て伸びており外側のものは必要に応じ屈曲している。こ
れらの接続用リードは絡１のタイバー２２である連繋片
でその間を接続されている。リードフレーム２０は、Ｍ
ｌのタイバー２２の内側に更に第２のタイバー２４を有
している。この第２のタイバー２４は、レジンの流出を
完全に防止するため、モールド部側面に隣接して設けら
れ１ｓ１のタイバー２とモールド部の隙間に流出するレ
ジンを完全に防ぐ。ここで注意しなくてはならない事は
第２のタイ５−２４０両側のり−ド２２と連結する部分
は、第１のタイバーが切断除去される際、ひきちぎられ
て除去可能な程度に細くしておく必要かあることである
。
なリードフレーム２０を用意する。第６図に於て、リー
ドフレーム２０は４２合金で形成され、且つ枠状のパタ
ーン打抜き工程によって与えられる。リードフレーム２
０は枠の中央を縦方向に伸びる細い第１リード（タグリ
ード）２１、上記タデリード中央に設けられた半導体素
子取付けの為の矩形のタデ、上記タデリード２１両側を
固定する横枠、これら横枠に垂直なタイバー２２及び−
上記横枠と平行に上記タイバー２２から伸びる複数の第
２リード（配線用リード）２３を有している。これら接
続用リードのタデリード２１儒先端は上記タデに向かっ
て伸びており外側のものは必要に応じ屈曲している。こ
れらの接続用リードは絡１のタイバー２２である連繋片
でその間を接続されている。リードフレーム２０は、Ｍ
ｌのタイバー２２の内側に更に第２のタイバー２４を有
している。この第２のタイバー２４は、レジンの流出を
完全に防止するため、モールド部側面に隣接して設けら
れ１ｓ１のタイバー２とモールド部の隙間に流出するレ
ジンを完全に防ぐ。ここで注意しなくてはならない事は
第２のタイ５−２４０両側のり−ド２２と連結する部分
は、第１のタイバーが切断除去される際、ひきちぎられ
て除去可能な程度に細くしておく必要かあることである
。
これら第４および第２のタイバー２２．２４はタグリー
ド２１０両側に位置している。
ド２１０両側に位置している。
第２の工程はリードフレーム２０のタグに半導体素子（
図示せず）を通常の方法で固定する工程である。一般に
、タグと素子との間に金箔をはさむ方法がよく知られて
いる。このような公知の方法を用いて素子が固定される
。
図示せず）を通常の方法で固定する工程である。一般に
、タグと素子との間に金箔をはさむ方法がよく知られて
いる。このような公知の方法を用いて素子が固定される
。
第３の工程で半導体素子の所定電極とこれに対応する所
定内部リード２３の先端部は、ワイヤポンディングとい
った従来方法を用いて電気的に接続される。
定内部リード２３の先端部は、ワイヤポンディングとい
った従来方法を用いて電気的に接続される。
以上の工程を経た上で上記構造の半導体素子、内部リー
ド及び接続の為のワイヤを含む要部がモールドされる。
ド及び接続の為のワイヤを含む要部がモールドされる。
ここで、モールドの為の下枠及び上梓は従来通りのもの
を用いる。この時モールド領域は第２６タイパーに非常
に近い。
を用いる。この時モールド領域は第２６タイパーに非常
に近い。
最後の工程は、タデリードとモールド部との境界部でタ
ブリードを切断するとともに第１タイバー２２とリード
２３との接合部に沿って切刃で切断し第１タイバーをと
り除く工程である。ここで第１タイバー２２が切断され
除去されることによって、第２タイバー２４とり−ド２
３との細い接合部もまた破断しいっしょにと〕除かれる
点に注意しなくてはならない。故にＩｓ２のタイバー２
４は新たな手順を増やすことなく容易に除去され、且つ
プラスチックパリの発生を完全に防ぐことができる。
ブリードを切断するとともに第１タイバー２２とリード
２３との接合部に沿って切刃で切断し第１タイバーをと
り除く工程である。ここで第１タイバー２２が切断され
除去されることによって、第２タイバー２４とり−ド２
３との細い接合部もまた破断しいっしょにと〕除かれる
点に注意しなくてはならない。故にＩｓ２のタイバー２
４は新たな手順を増やすことなく容易に除去され、且つ
プラスチックパリの発生を完全に防ぐことができる。
このような工程を軽食後、モールドの外に出たリード部
分は同一方向に折り曲げられデュアルインライン形半導
体装置は完成する。
分は同一方向に折り曲げられデュアルインライン形半導
体装置は完成する。
第４図は第６図における第１タイバー２２、第２タイバ
ー２４とり−ド２３との接合部における拡大図である。
ー２４とり−ド２３との接合部における拡大図である。
ここで第１タイバー２２と第２タイバー２４を連絡する
部分Ａは実際は約０．０２００インチ（０，０５０８１
）で形成し、リードと第１タイバーを切断する際第２タ
イバーと連結したまま残るだけの強さを有する大きさを
必要とする。
部分Ａは実際は約０．０２００インチ（０，０５０８１
）で形成し、リードと第１タイバーを切断する際第２タ
イバーと連結したまま残るだけの強さを有する大きさを
必要とする。
ｔｆｔリードと第２のタイバー２４との接続ｓＢは０．
００５インチ（０，０１２７ｃｌｌ）以下にし第１タイ
バーがリードとの接合面に沿って切断され、下に押し下
げられることによって容易に破断されるよう、細くしで
ある。
００５インチ（０，０１２７ｃｌｌ）以下にし第１タイ
バーがリードとの接合面に沿って切断され、下に押し下
げられることによって容易に破断されるよう、細くしで
ある。
このようなリードフレームを用いる樹脂對止法を使用す
ればプラスチックパリを完全に防止することができ、上
記の様に自動化に伴うマーク打印作業、選別作業等にお
ける機械の正常な運転が確実となシ、さらに凸凹による
マイグレーションの発生、プラスチックパリが外側リー
ドまで至る為の接触不良、及び半田等のソルダビリティ
の問題が解消され歩留まり率さらには半導体装置自体の
品質向上も可能となる。
ればプラスチックパリを完全に防止することができ、上
記の様に自動化に伴うマーク打印作業、選別作業等にお
ける機械の正常な運転が確実となシ、さらに凸凹による
マイグレーションの発生、プラスチックパリが外側リー
ドまで至る為の接触不良、及び半田等のソルダビリティ
の問題が解消され歩留まり率さらには半導体装置自体の
品質向上も可能となる。
さらに第１のタイバー２２を切断する工程で切断刃はレ
シンにまったくふれずに金属である第１のタイバーとリ
ードとの連結部及び縦棒とリードとの連結部のみを切断
する。轟分野に通常の知識を有する者であれば、金属よ
〕むしろフィラーとしてレシン内に混入するシリカ（石
）が切断刃の磨耗を早め、故に本発明の製造工程を用い
れば切断刃の寿命を大幅に延長できることは理解されよ
う。
シンにまったくふれずに金属である第１のタイバーとリ
ードとの連結部及び縦棒とリードとの連結部のみを切断
する。轟分野に通常の知識を有する者であれば、金属よ
〕むしろフィラーとしてレシン内に混入するシリカ（石
）が切断刃の磨耗を早め、故に本発明の製造工程を用い
れば切断刃の寿命を大幅に延長できることは理解されよ
う。
また本発明のり−ドフレ一台では、第２のタイバー２４
を設けている為、改良例よりも剛性が向上しレジン注射
時の外枠の彎曲に関しても改良されている。したがって
ワイヤの破断による不良品の発生を防止でき切断刃が所
定の位置のみに！＃＆接できこの面からも切断刃の寿命
を延長している。
を設けている為、改良例よりも剛性が向上しレジン注射
時の外枠の彎曲に関しても改良されている。したがって
ワイヤの破断による不良品の発生を防止でき切断刃が所
定の位置のみに！＃＆接できこの面からも切断刃の寿命
を延長している。
さらに、本発明の樹脂對止法を用いた場合、使用するレ
ジンもまた特性の優れたものを使用する必要がなく、か
つ厳格な条件も必要としない為製作費自体もまた大幅に
低減できることは明らかである。
ジンもまた特性の優れたものを使用する必要がなく、か
つ厳格な条件も必要としない為製作費自体もまた大幅に
低減できることは明らかである。
以上の様に、プラスチックパリを完全に防止することの
可能なリードフレームを用い九樹脂封止法によって、従
来の製造工穆数のままよシ安価でより高品質の半導体装
置を提供できる。
可能なリードフレームを用い九樹脂封止法によって、従
来の製造工穆数のままよシ安価でより高品質の半導体装
置を提供できる。
本発明はここそは特定の実施例を用いよシ具体的に説明
されたが種々の改変、変形は先に述べた特許請求の範囲
で示される本発明の主旨の中に含まれることは容易に理
解できると考える。
されたが種々の改変、変形は先に述べた特許請求の範囲
で示される本発明の主旨の中に含まれることは容易に理
解できると考える。
第１人図は従来のリードフレームの平面図、第１Ｂ図は
館１Ａ図のリードフレームを用いた半導体集積回路の部
分上面図、第２図は他の従来技術のリードフレームを用
いた半導体集積回路の部分上面図、第６図は本発明の実
施例によるリードフレームの平面図、１Ｂ４図は本発明
の実施例によるリードフレームの部分拡大図である。 符号の説明 ２２・・・第１のタイバー、 ２４・・・Ｊｉ２のタイバー、 ２３・・・リード。 代理人 浅 村 皓 外４名 第１Ａ図 オ旧図 牙４区 ３
館１Ａ図のリードフレームを用いた半導体集積回路の部
分上面図、第２図は他の従来技術のリードフレームを用
いた半導体集積回路の部分上面図、第６図は本発明の実
施例によるリードフレームの平面図、１Ｂ４図は本発明
の実施例によるリードフレームの部分拡大図である。 符号の説明 ２２・・・第１のタイバー、 ２４・・・Ｊｉ２のタイバー、 ２３・・・リード。 代理人 浅 村 皓 外４名 第１Ａ図 オ旧図 牙４区 ３
Claims (2)
- （１） （ａ） 素子取付は部と上記取付は部０ｗ４
囲に近接しかつ離間して配置された複数のリードと前記
各リード間な連結支持するＪｌｌのタイバーと、おしま
げられるだけで破断可能な細さの連結部で上記リード間
を連結支持する第２０タイバーと、上記第１のタイバー
と上記Ｉｓ２のタイバーを連結し上記第１のタイバーの
切断工程で上記ｊ１１のタイバーが除去される際にいっ
しょに上記第２のタイバーを押し曲げ上記リードから破
断除去可能なように設けられたタイバー間連結部とが一
体的に形成され九リードフレームを用意する工程と；０
）上記リードフレームの素子取付は部に素子を取付ける
工場と； （０） 上記素子取付は部に取付けられ九素子の複数
の電極と前記複数のリード先端とをそれぞれ電気的に接
続する工程と； （（転）上記素子が取付けられ素子の電極とリード先端
とが接続されたリードフレームを樹脂で封止する工程ｌ
からなシ、上記樹脂封止の際、前記票２のタイバーはモ
ールド領域端部において樹脂と接し、樹脂がリード間の
モールド領域外へ流出するのを完全に防ぎ且つ少くとも
上記素子及び上記（・）上記第１のタイバーを上記リー
ドから切断すると同時に第２のタイバーを上記リード側
部からひきちぎる工場と； を有する半導体集積回路の樹脂封止法。 - （２） 素子取付は部と上記取付は部の局Ｈに近接し
かつｌｌｌ！藺して配置された複数のリードと前記各リ
ード間を連結支持する菖１０タイバーと、おしまげられ
るだけで破断可能な細さの連結部で上記リード間を連結
支持する第２のタイバーと、上記第１のタイバーと上記
ｌｌ１２のタイバーを連結し上記Ｍ１０タイバーの切断
工種で上記Ｈ１のタイパーが除去される際にいっしょに
上記第２のタイバーを押し曲げ上記リードから破断除去
可能なように設けられたタイバー間連結部とが一体的に
形成されたり−ｒフレーム
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1045282A JPS58127356A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために用いるリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1045282A JPS58127356A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために用いるリ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127356A true JPS58127356A (ja) | 1983-07-29 |
| JPS6347270B2 JPS6347270B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=11750529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1045282A Granted JPS58127356A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために用いるリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127356A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260142A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6169840U (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-13 | ||
| JPS6265848U (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
| JPS62160553U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | ||
| US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
| JPH02105448A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | リードフレーム |
| US5137479A (en) * | 1990-03-15 | 1992-08-11 | Nippon Steel Corporation | Lead structure for packaging semiconductor chip |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524451A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-21 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor |
| JPS5665665U (ja) * | 1979-10-25 | 1981-06-01 | ||
| JPS5669852A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for semiconductor device |
-
1982
- 1982-01-26 JP JP1045282A patent/JPS58127356A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524451A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-21 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor |
| JPS5665665U (ja) * | 1979-10-25 | 1981-06-01 | ||
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260142A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPH022293B2 (ja) * | 1984-06-06 | 1990-01-17 | Shinko Elec Ind | |
| JPS6169840U (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-13 | ||
| US4862586A (en) * | 1985-02-28 | 1989-09-05 | Michio Osada | Lead frame for enclosing semiconductor chips with resin |
| JPS6265848U (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | ||
| JPS62160553U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | ||
| JPH02105448A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | リードフレーム |
| JP2580740B2 (ja) * | 1988-10-13 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | リードフレーム |
| US5137479A (en) * | 1990-03-15 | 1992-08-11 | Nippon Steel Corporation | Lead structure for packaging semiconductor chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347270B2 (ja) | 1988-09-21 |
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