JPS58125825A - フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
フオトレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS58125825A JPS58125825A JP57007417A JP741782A JPS58125825A JP S58125825 A JPS58125825 A JP S58125825A JP 57007417 A JP57007417 A JP 57007417A JP 741782 A JP741782 A JP 741782A JP S58125825 A JPS58125825 A JP S58125825A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- mask
- resist film
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
- H01L2224/11474—Multilayer masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ICi製造するに当り、フォトレジストを
用いて回路ノリ−ンを形反し、その後化学的処理または
蒸着などでメタル/皆ターンを形成するフォトリソグラ
フィ工程などに用いる7オトレジス) AIパターン形
成方法に関するものである。
用いて回路ノリ−ンを形反し、その後化学的処理または
蒸着などでメタル/皆ターンを形成するフォトリソグラ
フィ工程などに用いる7オトレジス) AIパターン形
成方法に関するものである。
従来の7オトレジストパターン形成方法につき第1図(
a)ないしくf)1に参照して説明する。第1図(a)
において112シリコン基板、2はシリコン基板lの表
面に形成したシリコン酸化膜である。第1図(ロ)に示
すように、シリコン酸化膜2上にフォトレジストを塗布
してレジスト膜3f:形成する。第18g(c)に示す
ようにガラスマスク4を用いて前記レジスト瞑3に露光
を行う0次に、第1図cd)に示すように、現像を行っ
てシリコン酸化@2がポジレジストの底に産出した状態
にする。その後、第1図(e)に示すように、シリコン
基板1の表面全体にアル1=ウムのような金属膜5を蒸
着する。さらにその後、 ! 1 ml(f)K示すよ
うに、レジスト膜3會仁れが可溶な溶剤を用いて浴かし
去り、所4I1部の金属膜5を残し1回路ノ9ターンを
完成させる。
a)ないしくf)1に参照して説明する。第1図(a)
において112シリコン基板、2はシリコン基板lの表
面に形成したシリコン酸化膜である。第1図(ロ)に示
すように、シリコン酸化膜2上にフォトレジストを塗布
してレジスト膜3f:形成する。第18g(c)に示す
ようにガラスマスク4を用いて前記レジスト瞑3に露光
を行う0次に、第1図cd)に示すように、現像を行っ
てシリコン酸化@2がポジレジストの底に産出した状態
にする。その後、第1図(e)に示すように、シリコン
基板1の表面全体にアル1=ウムのような金属膜5を蒸
着する。さらにその後、 ! 1 ml(f)K示すよ
うに、レジスト膜3會仁れが可溶な溶剤を用いて浴かし
去り、所4I1部の金属膜5を残し1回路ノ9ターンを
完成させる。
前述し九従来の方法では、第1図(etc示すように、
金属膜5の残すべき部分と除去されるべき部分との間に
金属のシリツノ6が発生し、除去されるべきレノスト膜
3が除去できなかつ走り、第1図(f)K示すように、
不要な金属膜の残りが発生して正しい/#ターニングが
できないという欠点があったー この発明は、基板上にフォトレジストを塗布し。
金属膜5の残すべき部分と除去されるべき部分との間に
金属のシリツノ6が発生し、除去されるべきレノスト膜
3が除去できなかつ走り、第1図(f)K示すように、
不要な金属膜の残りが発生して正しい/#ターニングが
できないという欠点があったー この発明は、基板上にフォトレジストを塗布し。
このフォトレジストをマスクにより露光する工程を、露
光t、マスクおよびフオトレジス)の材質の少なくとも
1つを異らせて複数回線9返し、その後現像を行うこと
により、レジスト膜の断面をレジスト膜に形成した層の
剥離に適する形状にすることにより、前述した従来の単
層のレジスト膜によるブリッジの発生などの欠点を解消
できる。
光t、マスクおよびフオトレジス)の材質の少なくとも
1つを異らせて複数回線9返し、その後現像を行うこと
により、レジスト膜の断面をレジスト膜に形成した層の
剥離に適する形状にすることにより、前述した従来の単
層のレジスト膜によるブリッジの発生などの欠点を解消
できる。
フォトレジストAターンの形成方法を提供することを目
的としている。
的としている。
以下、この発明の一笑施fljKつき第2 kJ Ca
)ないしolOt参照して説明す為。
)ないしolOt参照して説明す為。
第111!J(aJに示すように、シリコン基板11の
表面にシリコン酸化1112を形成する。第2図(6)
に示すように、シリコン酸化膜12上に第1回目の7オ
トレジストの塗布を行って第1のレジスト膜11t?形
成する。次に、第1図(C)に示すようにガラスミスフ
14を用いて第1のレジスト膜13に露光を行う。その
次に、縞2包(d)に示すように。
表面にシリコン酸化1112を形成する。第2図(6)
に示すように、シリコン酸化膜12上に第1回目の7オ
トレジストの塗布を行って第1のレジスト膜11t?形
成する。次に、第1図(C)に示すようにガラスミスフ
14を用いて第1のレジスト膜13に露光を行う。その
次に、縞2包(d)に示すように。
第1のレゾストl[lB上に第2回目のフォトレジスト
の塗布を行って第2のレジスト膜15tllElのレジ
スト膜13より厚さを薄く形成する。なお。
の塗布を行って第2のレジスト膜15tllElのレジ
スト膜13より厚さを薄く形成する。なお。
第111m(ロ)において、13mは第1のレジスト嗅
13中の露光領域を示す。次に、第2図(・)に示すよ
うに、第1のレジスト膜13に露光を行つ九ガラスガス
タ4を用いて、第2のレジスト膜15に露光を行う、な
お、この露光は第1のレジスト膜13への露光よシ弱く
行う。その後、第2関(0に示すように、第1.g2の
レジストill 3 、15に対し一1Ijに現像を行
い、これらに窓18.17t−形成し、si部の底にシ
リコン酸化膜121露出させる。1にお、第2図(f’
)Fiポジレジストを示し、冥際には窓16と17とは
一体になって連続的な断面曲縁を描いて”形成される。
13中の露光領域を示す。次に、第2図(・)に示すよ
うに、第1のレジスト膜13に露光を行つ九ガラスガス
タ4を用いて、第2のレジスト膜15に露光を行う、な
お、この露光は第1のレジスト膜13への露光よシ弱く
行う。その後、第2関(0に示すように、第1.g2の
レジストill 3 、15に対し一1Ijに現像を行
い、これらに窓18.17t−形成し、si部の底にシ
リコン酸化膜121露出させる。1にお、第2図(f’
)Fiポジレジストを示し、冥際には窓16と17とは
一体になって連続的な断面曲縁を描いて”形成される。
また、窓16と17とは、第1.第2のレジス)[[1
3、15の露光量に見合った断面形状に、上部が狭く、
下部が広い空調となあ。その後、第2図@に示すように
、シリコン基板11の表面にアル建ニウムのような金属
*i at−形成する。この場合に、窓16,170形
状を制御し、空洞の形状を適切にすることにより、金属
膜18の第2のレジスト膜15上部分とシリコン酸化1
[12上部分とが、これらの間にブリッジが発生せず1
分離し丸状11にする。さらにその後、第2図(b)に
示すように、@1.館2のレジスト膜13.15をこれ
らの上の金属膜と共に、従来から一般に用いられている
剥離などの手段で除去することにより、す7トオフ法に
よって所要部分の金属1[18だけを残して1回路/々
ターンを完成させる。
3、15の露光量に見合った断面形状に、上部が狭く、
下部が広い空調となあ。その後、第2図@に示すように
、シリコン基板11の表面にアル建ニウムのような金属
*i at−形成する。この場合に、窓16,170形
状を制御し、空洞の形状を適切にすることにより、金属
膜18の第2のレジスト膜15上部分とシリコン酸化1
[12上部分とが、これらの間にブリッジが発生せず1
分離し丸状11にする。さらにその後、第2図(b)に
示すように、@1.館2のレジスト膜13.15をこれ
らの上の金属膜と共に、従来から一般に用いられている
剥離などの手段で除去することにより、す7トオフ法に
よって所要部分の金属1[18だけを残して1回路/々
ターンを完成させる。
前述したように、この発明の一実施例によるフォトレジ
ストツヤターンの形成方法は、シリコン基板上にフォト
レジヌトヲ複数回繰り返して重ね塗ヤすることより、レ
ジスト膜の厚さを厚くすると共に1重ね塗りした各レジ
スト膜への露光量を異らせて、リフトオフに必要な形状
である上部が狭く下部が広いつば秋などの空洞を形成す
るものである。したがって、金属の蒸着時に、金属の堆
積がレジスト膜表面と空洞内底部に始ま〕、所要の金属
膜厚に達しても、レジスト膜表WEの金属膜と空洞内の
金属膜とがブリッジによって連絡することはない、この
丸め、レジスト1Kを除去することによって、化学的溶
解反応によらなくても、簡単な工程で金属配線ノ’?タ
ーンが得られる。
ストツヤターンの形成方法は、シリコン基板上にフォト
レジヌトヲ複数回繰り返して重ね塗ヤすることより、レ
ジスト膜の厚さを厚くすると共に1重ね塗りした各レジ
スト膜への露光量を異らせて、リフトオフに必要な形状
である上部が狭く下部が広いつば秋などの空洞を形成す
るものである。したがって、金属の蒸着時に、金属の堆
積がレジスト膜表面と空洞内底部に始ま〕、所要の金属
膜厚に達しても、レジスト膜表WEの金属膜と空洞内の
金属膜とがブリッジによって連絡することはない、この
丸め、レジスト1Kを除去することによって、化学的溶
解反応によらなくても、簡単な工程で金属配線ノ’?タ
ーンが得られる。
そして、この冥施例では、給lに同一材質のフォトレジ
ストを用いて多層で厚いレノスト膜を形成でき、第2に
同一マスクを用いて複数回の露光ができるので、装置お
よび材料の点で経済的である。
ストを用いて多層で厚いレノスト膜を形成でき、第2に
同一マスクを用いて複数回の露光ができるので、装置お
よび材料の点で経済的である。
なお、この発明において、第1回目と第2回目に塗布す
るレジスト膜の材質を異なせても、共通の現像方法が使
用できれば適用が可能であり、現俸時の溶解度差、レジ
スト感度の差異がある場合には深さ方向への差異全2!
慮することで、前記冥施例の方法と同様な効来が得られ
る。
るレジスト膜の材質を異なせても、共通の現像方法が使
用できれば適用が可能であり、現俸時の溶解度差、レジ
スト感度の差異がある場合には深さ方向への差異全2!
慮することで、前記冥施例の方法と同様な効来が得られ
る。
を九、この発明は、第1のレジスト膜と第2のレジスト
膜の露光に用いるマスクとして、相似形の2枚マスク、
すなわち露光される部分など・母ターンの形状が相似で
中心位置が正確に同一である2枚のマスクを用いて露光
を行ってもよい。
膜の露光に用いるマスクとして、相似形の2枚マスク、
すなわち露光される部分など・母ターンの形状が相似で
中心位置が正確に同一である2枚のマスクを用いて露光
を行ってもよい。
さらに、この発明は、フォトレジストの塗布と露光を行
う工程t3回以上繰p返し行なってもよく、そしてネガ
レジストであってもよく、蒸着以外の方法で金楓ノ9タ
ーン全形放してもよく、シリコン基板以外の基板を用い
てもよく、シリコン酸化膜以外の保膜膜を基板表面に設
けてもよ(、ICの製造に限られることなく、フォトリ
ングラフィ工程で微細な・母ターンを形成する技術分野
に広く適用できる。
う工程t3回以上繰p返し行なってもよく、そしてネガ
レジストであってもよく、蒸着以外の方法で金楓ノ9タ
ーン全形放してもよく、シリコン基板以外の基板を用い
てもよく、シリコン酸化膜以外の保膜膜を基板表面に設
けてもよ(、ICの製造に限られることなく、フォトリ
ングラフィ工程で微細な・母ターンを形成する技術分野
に広く適用できる。
以上説明したように、この発明によるフオFレジストパ
ターンの形成方法は、基板上へのフォトレジストの塗布
と、このフォトレジストのマスクを用いての露光とを、
露光量、マスクおよびフォトレジストの材質の少なくと
も1つを異ならせて複数回繰り返し、その後現像を行う
ことにより。
ターンの形成方法は、基板上へのフォトレジストの塗布
と、このフォトレジストのマスクを用いての露光とを、
露光量、マスクおよびフォトレジストの材質の少なくと
も1つを異ならせて複数回繰り返し、その後現像を行う
ことにより。
レジスト膜厚の断面形状をレジスト膜上に形成した金属
膜などの剥離にするように形成するものであるから、微
細なノリーンの形成が筒塔にしかも正しく行えるという
効果がある。
膜などの剥離にするように形成するものであるから、微
細なノリーンの形成が筒塔にしかも正しく行えるという
効果がある。
第1図(a)ないしく0は従来の7オトレジストノ譬タ
ンの形成方法を工程Jl[に示す断面図、第2図Ca)
ないしくh)はこの発明の一実施例によるフォトレノス
トノ臂ターンの形成方法を工程1旧に7ドす断面図であ
る− i、tt・・・シリコンに板、 2 、 l 2・・・
シリコノ酸化膜、3・・・レゾスト膜、4.14・・・
ガラスマスク、5.18・・・金NIL13 ・・・第
1のレゾスト膜。 13a・・・露光領域、15・・・第2のレノスト膜。 18.17・・・窓。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和57年5 Pes日 特許庁長官 島田春樹殿 1、事件の表示 昭和87年 畳 許 願第 1411 号2、li明
の1称 フォトレゾストパターン0jiII成方法3、補正をす
る者 事件との関係 特 許 出願人<029)沖電
気工業株式会社 4、代理人 5、補正命令の日付 昭和 年 月 日(自発
)6、補正の対象 も」と訂正する。
ンの形成方法を工程Jl[に示す断面図、第2図Ca)
ないしくh)はこの発明の一実施例によるフォトレノス
トノ臂ターンの形成方法を工程1旧に7ドす断面図であ
る− i、tt・・・シリコンに板、 2 、 l 2・・・
シリコノ酸化膜、3・・・レゾスト膜、4.14・・・
ガラスマスク、5.18・・・金NIL13 ・・・第
1のレゾスト膜。 13a・・・露光領域、15・・・第2のレノスト膜。 18.17・・・窓。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和57年5 Pes日 特許庁長官 島田春樹殿 1、事件の表示 昭和87年 畳 許 願第 1411 号2、li明
の1称 フォトレゾストパターン0jiII成方法3、補正をす
る者 事件との関係 特 許 出願人<029)沖電
気工業株式会社 4、代理人 5、補正命令の日付 昭和 年 月 日(自発
)6、補正の対象 も」と訂正する。
Claims (1)
- 基板上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト
をマスクにより露光する工程t、露光量、マスクおよび
フォトレジストの材質の少なくとも1つを異らせて複数
回繰り返し、その後現像全行うことにより、レジスト膜
の断面tレジスト膜上に形成した層の剥離に適する形状
に形成することt−特徴とする7オトレジストノ母ター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57007417A JPS58125825A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57007417A JPS58125825A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58125825A true JPS58125825A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11665289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57007417A Pending JPS58125825A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58125825A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0263056A (ja) * | 1988-04-05 | 1990-03-02 | Mitsubishi Kasei Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH0290624A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH02156539A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007417A patent/JPS58125825A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0263056A (ja) * | 1988-04-05 | 1990-03-02 | Mitsubishi Kasei Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH0290624A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH02156539A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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