JPS58125825A - フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
フオトレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS58125825A JPS58125825A JP57007417A JP741782A JPS58125825A JP S58125825 A JPS58125825 A JP S58125825A JP 57007417 A JP57007417 A JP 57007417A JP 741782 A JP741782 A JP 741782A JP S58125825 A JPS58125825 A JP S58125825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- mask
- resist film
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
- H01L2224/11474—Multilayer masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＩＣｉ製造するに当り、フォトレジストを
用いて回路ノリ−ンを形反し、その後化学的処理または
蒸着などでメタル／皆ターンを形成するフォトリソグラ
フィ工程などに用いる７オトレジス） ＡＩパターン形
成方法に関するものである。
用いて回路ノリ−ンを形反し、その後化学的処理または
蒸着などでメタル／皆ターンを形成するフォトリソグラ
フィ工程などに用いる７オトレジス） ＡＩパターン形
成方法に関するものである。
従来の７オトレジストパターン形成方法につき第１図（
ａ）ないしくｆ）１に参照して説明する。第１図（ａ）
において１１２シリコン基板、２はシリコン基板ｌの表
面に形成したシリコン酸化膜である。第１図（ロ）に示
すように、シリコン酸化膜２上にフォトレジストを塗布
してレジスト膜３ｆ：形成する。第１８ｇ（ｃ）に示す
ようにガラスマスク４を用いて前記レジスト瞑３に露光
を行う０次に、第１図ｃｄ）に示すように、現像を行っ
てシリコン酸化＠２がポジレジストの底に産出した状態
にする。その後、第１図（ｅ）に示すように、シリコン
基板１の表面全体にアル１＝ウムのような金属膜５を蒸
着する。さらにその後、 ！ １ ｍｌ（ｆ）Ｋ示すよ
うに、レジスト膜３會仁れが可溶な溶剤を用いて浴かし
去り、所４Ｉ１部の金属膜５を残し１回路ノ９ターンを
完成させる。
ａ）ないしくｆ）１に参照して説明する。第１図（ａ）
において１１２シリコン基板、２はシリコン基板ｌの表
面に形成したシリコン酸化膜である。第１図（ロ）に示
すように、シリコン酸化膜２上にフォトレジストを塗布
してレジスト膜３ｆ：形成する。第１８ｇ（ｃ）に示す
ようにガラスマスク４を用いて前記レジスト瞑３に露光
を行う０次に、第１図ｃｄ）に示すように、現像を行っ
てシリコン酸化＠２がポジレジストの底に産出した状態
にする。その後、第１図（ｅ）に示すように、シリコン
基板１の表面全体にアル１＝ウムのような金属膜５を蒸
着する。さらにその後、 ！ １ ｍｌ（ｆ）Ｋ示すよ
うに、レジスト膜３會仁れが可溶な溶剤を用いて浴かし
去り、所４Ｉ１部の金属膜５を残し１回路ノ９ターンを
完成させる。
前述し九従来の方法では、第１図（ｅｔｃ示すように、
金属膜５の残すべき部分と除去されるべき部分との間に
金属のシリツノ６が発生し、除去されるべきレノスト膜
３が除去できなかつ走り、第１図（ｆ）Ｋ示すように、
不要な金属膜の残りが発生して正しい／＃ターニングが
できないという欠点があったー この発明は、基板上にフォトレジストを塗布し。
金属膜５の残すべき部分と除去されるべき部分との間に
金属のシリツノ６が発生し、除去されるべきレノスト膜
３が除去できなかつ走り、第１図（ｆ）Ｋ示すように、
不要な金属膜の残りが発生して正しい／＃ターニングが
できないという欠点があったー この発明は、基板上にフォトレジストを塗布し。
このフォトレジストをマスクにより露光する工程を、露
光ｔ、マスクおよびフオトレジス）の材質の少なくとも
１つを異らせて複数回線９返し、その後現像を行うこと
により、レジスト膜の断面をレジスト膜に形成した層の
剥離に適する形状にすることにより、前述した従来の単
層のレジスト膜によるブリッジの発生などの欠点を解消
できる。
光ｔ、マスクおよびフオトレジス）の材質の少なくとも
１つを異らせて複数回線９返し、その後現像を行うこと
により、レジスト膜の断面をレジスト膜に形成した層の
剥離に適する形状にすることにより、前述した従来の単
層のレジスト膜によるブリッジの発生などの欠点を解消
できる。
フォトレジストＡターンの形成方法を提供することを目
的としている。
的としている。
以下、この発明の一笑施ｆｌｊＫつき第２ ｋＪ Ｃａ
）ないしｏｌＯｔ参照して説明す為。
）ないしｏｌＯｔ参照して説明す為。
第１１１！Ｊ（ａＪに示すように、シリコン基板１１の
表面にシリコン酸化１１１２を形成する。第２図（６）
に示すように、シリコン酸化膜１２上に第１回目の７オ
トレジストの塗布を行って第１のレジスト膜１１ｔ？形
成する。次に、第１図（Ｃ）に示すようにガラスミスフ
１４を用いて第１のレジスト膜１３に露光を行う。その
次に、縞２包（ｄ）に示すように。
表面にシリコン酸化１１１２を形成する。第２図（６）
に示すように、シリコン酸化膜１２上に第１回目の７オ
トレジストの塗布を行って第１のレジスト膜１１ｔ？形
成する。次に、第１図（Ｃ）に示すようにガラスミスフ
１４を用いて第１のレジスト膜１３に露光を行う。その
次に、縞２包（ｄ）に示すように。
第１のレゾストｌ［ｌＢ上に第２回目のフォトレジスト
の塗布を行って第２のレジスト膜１５ｔｌｌＥｌのレジ
スト膜１３より厚さを薄く形成する。なお。
の塗布を行って第２のレジスト膜１５ｔｌｌＥｌのレジ
スト膜１３より厚さを薄く形成する。なお。
第１１１ｍ（ロ）において、１３ｍは第１のレジスト嗅
１３中の露光領域を示す。次に、第２図（・）に示すよ
うに、第１のレジスト膜１３に露光を行つ九ガラスガス
タ４を用いて、第２のレジスト膜１５に露光を行う、な
お、この露光は第１のレジスト膜１３への露光よシ弱く
行う。その後、第２関（０に示すように、第１．ｇ２の
レジストｉｌｌ ３ 、１５に対し一１Ｉｊに現像を行
い、これらに窓１８．１７ｔ−形成し、ｓｉ部の底にシ
リコン酸化膜１２１露出させる。１にお、第２図（ｆ’
）Ｆｉポジレジストを示し、冥際には窓１６と１７とは
一体になって連続的な断面曲縁を描いて”形成される。
１３中の露光領域を示す。次に、第２図（・）に示すよ
うに、第１のレジスト膜１３に露光を行つ九ガラスガス
タ４を用いて、第２のレジスト膜１５に露光を行う、な
お、この露光は第１のレジスト膜１３への露光よシ弱く
行う。その後、第２関（０に示すように、第１．ｇ２の
レジストｉｌｌ ３ 、１５に対し一１Ｉｊに現像を行
い、これらに窓１８．１７ｔ−形成し、ｓｉ部の底にシ
リコン酸化膜１２１露出させる。１にお、第２図（ｆ’
）Ｆｉポジレジストを示し、冥際には窓１６と１７とは
一体になって連続的な断面曲縁を描いて”形成される。
また、窓１６と１７とは、第１．第２のレジス）［［１
３、１５の露光量に見合った断面形状に、上部が狭く、
下部が広い空調となあ。その後、第２図＠に示すように
、シリコン基板１１の表面にアル建ニウムのような金属
＊ｉ ａｔ−形成する。この場合に、窓１６，１７０形
状を制御し、空洞の形状を適切にすることにより、金属
膜１８の第２のレジスト膜１５上部分とシリコン酸化１
［１２上部分とが、これらの間にブリッジが発生せず１
分離し丸状１１にする。さらにその後、第２図（ｂ）に
示すように、＠１．館２のレジスト膜１３．１５をこれ
らの上の金属膜と共に、従来から一般に用いられている
剥離などの手段で除去することにより、す７トオフ法に
よって所要部分の金属１［１８だけを残して１回路／々
ターンを完成させる。
３、１５の露光量に見合った断面形状に、上部が狭く、
下部が広い空調となあ。その後、第２図＠に示すように
、シリコン基板１１の表面にアル建ニウムのような金属
＊ｉ ａｔ−形成する。この場合に、窓１６，１７０形
状を制御し、空洞の形状を適切にすることにより、金属
膜１８の第２のレジスト膜１５上部分とシリコン酸化１
［１２上部分とが、これらの間にブリッジが発生せず１
分離し丸状１１にする。さらにその後、第２図（ｂ）に
示すように、＠１．館２のレジスト膜１３．１５をこれ
らの上の金属膜と共に、従来から一般に用いられている
剥離などの手段で除去することにより、す７トオフ法に
よって所要部分の金属１［１８だけを残して１回路／々
ターンを完成させる。
前述したように、この発明の一実施例によるフォトレジ
ストツヤターンの形成方法は、シリコン基板上にフォト
レジヌトヲ複数回繰り返して重ね塗ヤすることより、レ
ジスト膜の厚さを厚くすると共に１重ね塗りした各レジ
スト膜への露光量を異らせて、リフトオフに必要な形状
である上部が狭く下部が広いつば秋などの空洞を形成す
るものである。したがって、金属の蒸着時に、金属の堆
積がレジスト膜表面と空洞内底部に始ま〕、所要の金属
膜厚に達しても、レジスト膜表ＷＥの金属膜と空洞内の
金属膜とがブリッジによって連絡することはない、この
丸め、レジスト１Ｋを除去することによって、化学的溶
解反応によらなくても、簡単な工程で金属配線ノ’？タ
ーンが得られる。
ストツヤターンの形成方法は、シリコン基板上にフォト
レジヌトヲ複数回繰り返して重ね塗ヤすることより、レ
ジスト膜の厚さを厚くすると共に１重ね塗りした各レジ
スト膜への露光量を異らせて、リフトオフに必要な形状
である上部が狭く下部が広いつば秋などの空洞を形成す
るものである。したがって、金属の蒸着時に、金属の堆
積がレジスト膜表面と空洞内底部に始ま〕、所要の金属
膜厚に達しても、レジスト膜表ＷＥの金属膜と空洞内の
金属膜とがブリッジによって連絡することはない、この
丸め、レジスト１Ｋを除去することによって、化学的溶
解反応によらなくても、簡単な工程で金属配線ノ’？タ
ーンが得られる。
そして、この冥施例では、給ｌに同一材質のフォトレジ
ストを用いて多層で厚いレノスト膜を形成でき、第２に
同一マスクを用いて複数回の露光ができるので、装置お
よび材料の点で経済的である。
ストを用いて多層で厚いレノスト膜を形成でき、第２に
同一マスクを用いて複数回の露光ができるので、装置お
よび材料の点で経済的である。
なお、この発明において、第１回目と第２回目に塗布す
るレジスト膜の材質を異なせても、共通の現像方法が使
用できれば適用が可能であり、現俸時の溶解度差、レジ
スト感度の差異がある場合には深さ方向への差異全２！
慮することで、前記冥施例の方法と同様な効来が得られ
る。
るレジスト膜の材質を異なせても、共通の現像方法が使
用できれば適用が可能であり、現俸時の溶解度差、レジ
スト感度の差異がある場合には深さ方向への差異全２！
慮することで、前記冥施例の方法と同様な効来が得られ
る。
を九、この発明は、第１のレジスト膜と第２のレジスト
膜の露光に用いるマスクとして、相似形の２枚マスク、
すなわち露光される部分など・母ターンの形状が相似で
中心位置が正確に同一である２枚のマスクを用いて露光
を行ってもよい。
膜の露光に用いるマスクとして、相似形の２枚マスク、
すなわち露光される部分など・母ターンの形状が相似で
中心位置が正確に同一である２枚のマスクを用いて露光
を行ってもよい。
さらに、この発明は、フォトレジストの塗布と露光を行
う工程ｔ３回以上繰ｐ返し行なってもよく、そしてネガ
レジストであってもよく、蒸着以外の方法で金楓ノ９タ
ーン全形放してもよく、シリコン基板以外の基板を用い
てもよく、シリコン酸化膜以外の保膜膜を基板表面に設
けてもよ（、ＩＣの製造に限られることなく、フォトリ
ングラフィ工程で微細な・母ターンを形成する技術分野
に広く適用できる。
う工程ｔ３回以上繰ｐ返し行なってもよく、そしてネガ
レジストであってもよく、蒸着以外の方法で金楓ノ９タ
ーン全形放してもよく、シリコン基板以外の基板を用い
てもよく、シリコン酸化膜以外の保膜膜を基板表面に設
けてもよ（、ＩＣの製造に限られることなく、フォトリ
ングラフィ工程で微細な・母ターンを形成する技術分野
に広く適用できる。
以上説明したように、この発明によるフオＦレジストパ
ターンの形成方法は、基板上へのフォトレジストの塗布
と、このフォトレジストのマスクを用いての露光とを、
露光量、マスクおよびフォトレジストの材質の少なくと
も１つを異ならせて複数回繰り返し、その後現像を行う
ことにより。
ターンの形成方法は、基板上へのフォトレジストの塗布
と、このフォトレジストのマスクを用いての露光とを、
露光量、マスクおよびフォトレジストの材質の少なくと
も１つを異ならせて複数回繰り返し、その後現像を行う
ことにより。
レジスト膜厚の断面形状をレジスト膜上に形成した金属
膜などの剥離にするように形成するものであるから、微
細なノリーンの形成が筒塔にしかも正しく行えるという
効果がある。
膜などの剥離にするように形成するものであるから、微
細なノリーンの形成が筒塔にしかも正しく行えるという
効果がある。
第１図（ａ）ないしく０は従来の７オトレジストノ譬タ
ンの形成方法を工程Ｊｌ［に示す断面図、第２図Ｃａ）
ないしくｈ）はこの発明の一実施例によるフォトレノス
トノ臂ターンの形成方法を工程１旧に７ドす断面図であ
る− ｉ、ｔｔ・・・シリコンに板、 ２ 、 ｌ ２・・・
シリコノ酸化膜、３・・・レゾスト膜、４．１４・・・
ガラスマスク、５．１８・・・金ＮＩＬ１３ ・・・第
１のレゾスト膜。 １３ａ・・・露光領域、１５・・・第２のレノスト膜。 １８．１７・・・窓。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和５７年５ Ｐｅｓ日 特許庁長官 島田春樹殿 １、事件の表示 昭和８７年 畳 許 願第 １４１１ 号２、ｌｉ明
の１称 フォトレゾストパターン０ｊｉＩＩ成方法３、補正をす
る者 事件との関係 特 許 出願人＜０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 も」と訂正する。
ンの形成方法を工程Ｊｌ［に示す断面図、第２図Ｃａ）
ないしくｈ）はこの発明の一実施例によるフォトレノス
トノ臂ターンの形成方法を工程１旧に７ドす断面図であ
る− ｉ、ｔｔ・・・シリコンに板、 ２ 、 ｌ ２・・・
シリコノ酸化膜、３・・・レゾスト膜、４．１４・・・
ガラスマスク、５．１８・・・金ＮＩＬ１３ ・・・第
１のレゾスト膜。 １３ａ・・・露光領域、１５・・・第２のレノスト膜。 １８．１７・・・窓。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和５７年５ Ｐｅｓ日 特許庁長官 島田春樹殿 １、事件の表示 昭和８７年 畳 許 願第 １４１１ 号２、ｌｉ明
の１称 フォトレゾストパターン０ｊｉＩＩ成方法３、補正をす
る者 事件との関係 特 許 出願人＜０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 も」と訂正する。
Claims (1)
- 基板上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト
をマスクにより露光する工程ｔ、露光量、マスクおよび
フォトレジストの材質の少なくとも１つを異らせて複数
回繰り返し、その後現像全行うことにより、レジスト膜
の断面ｔレジスト膜上に形成した層の剥離に適する形状
に形成することｔ−特徴とする７オトレジストノ母ター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007417A JPS58125825A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007417A JPS58125825A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125825A true JPS58125825A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11665289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007417A Pending JPS58125825A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263056A (ja) * | 1988-04-05 | 1990-03-02 | Mitsubishi Kasei Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH0290624A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH02156539A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007417A patent/JPS58125825A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263056A (ja) * | 1988-04-05 | 1990-03-02 | Mitsubishi Kasei Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH0290624A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH02156539A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2757983B2 (ja) | 半導体素子の微細パターン形成方法 | |
| JPS58125825A (ja) | フオトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| US3673018A (en) | Method of fabrication of photomasks | |
| JPH01142721A (ja) | ポジ型感光性パターン形成材料およびパターン形成方法 | |
| JPS6218560A (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6159506B2 (ja) | ||
| JPS589944B2 (ja) | フオトマスク | |
| JPS6148704B2 (ja) | ||
| JPH0440456A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH0451151A (ja) | 位相シフトレチクルの製作方法 | |
| JPS58204532A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS61242023A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0737782A (ja) | 有機薄膜の製造方法 | |
| JPS58171818A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| JPS59155930A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS63288020A (ja) | 電極作成方法 | |
| JPS5866942A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPS60231331A (ja) | リフトオフ・パタ−ンの形成方法 | |
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS5842237A (ja) | 凹凸パタ−ンの形成方法 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH03104113A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS629894B2 (ja) | ||
| JPH04190354A (ja) | 位相シフター層を有するフォトマスクの修正方法 |