JPS58123824A - 優れた磁気特性を有する高珪素鋼薄帯の製造方法 - Google Patents
優れた磁気特性を有する高珪素鋼薄帯の製造方法Info
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- JPS58123824A JPS58123824A JP607282A JP607282A JPS58123824A JP S58123824 A JPS58123824 A JP S58123824A JP 607282 A JP607282 A JP 607282A JP 607282 A JP607282 A JP 607282A JP S58123824 A JPS58123824 A JP S58123824A
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- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２〜８係の８ｉを含有し、銅帯長手方向に（
１１０）＜００１）方位が集積した優れた磁気特性を有
する高珪素鋼薄帯の製造方法に関するものである。
１１０）＜００１）方位が集積した優れた磁気特性を有
する高珪素鋼薄帯の製造方法に関するものである。
電磁銅板は、軟磁気特性が優れ、使いやすい点が多いの
で、電力用トランスや小型トランスあるいは回転機など
の鉄芯材料として大量に生産されている。しかしながら
、このような電磁鋼板は、近代的設備を有する工程をも
ってしても熱間圧延と冷間圧延及び焼鈍を繰返すことに
よって製造されるので、その製造コストは格段に高いも
のとなっている。
で、電力用トランスや小型トランスあるいは回転機など
の鉄芯材料として大量に生産されている。しかしながら
、このような電磁鋼板は、近代的設備を有する工程をも
ってしても熱間圧延と冷間圧延及び焼鈍を繰返すことに
よって製造されるので、その製造コストは格段に高いも
のとなっている。
巖近、溶鋼な円孔あるいはスリット状ノズルか、ら冷却
体の高速移動する冷却面に射出させ、急冷凝固させて直
接製板するととＫより薄帯な製造する方法が公開されて
いる。なかでもＳｉ ２〜８１９６、好ましくは６〜７
チを含有する薄帯を上記方法によって製造することは、
技術的に４１１！Ｆ易であり、かつ製造コストは格段に
低下することが知られている。このようＫ ８ｉ含有
量を多くする素材は、磁歪が零近傍となり軟磁気特性が
特にすぐれていることは周知のことである。しかしなが
ら、上記薄帯は急冷時の熱履歴がそのまま残存されてお
り、そのままの状態の使用でも用途によっては十分であ
るが、高効率の電力用トランスや小型トランスとして使
用する場合には不十分である。
体の高速移動する冷却面に射出させ、急冷凝固させて直
接製板するととＫより薄帯な製造する方法が公開されて
いる。なかでもＳｉ ２〜８１９６、好ましくは６〜７
チを含有する薄帯を上記方法によって製造することは、
技術的に４１１！Ｆ易であり、かつ製造コストは格段に
低下することが知られている。このようＫ ８ｉ含有
量を多くする素材は、磁歪が零近傍となり軟磁気特性が
特にすぐれていることは周知のことである。しかしなが
ら、上記薄帯は急冷時の熱履歴がそのまま残存されてお
り、そのままの状態の使用でも用途によっては十分であ
るが、高効率の電力用トランスや小型トランスとして使
用する場合には不十分である。
そこで、以との薄帯に対して、本発明の出願人ｉ！％開
ｔｉＢ ５６−８７６２７ 号に示すｊ’＞Ｋ、ｌＸｌ
０−２〜５×１０Ｔｏｒｒの真空中で１０５０〜１３０
０ Ｃの範囲で焼鈍を施すことを特徴とする極めて優れ
た磁気特性を有する（ｉｏｏ）面内無方＾性珪素鋼薄帯
の製造方法を提案した。しかしながら前記方法による真
空焼鈍は、工業的生産技術において困難であるばかりで
なく、製造コストもかなり上昇するということが問題で
あった。
ｔｉＢ ５６−８７６２７ 号に示すｊ’＞Ｋ、ｌＸｌ
０−２〜５×１０Ｔｏｒｒの真空中で１０５０〜１３０
０ Ｃの範囲で焼鈍を施すことを特徴とする極めて優れ
た磁気特性を有する（ｉｏｏ）面内無方＾性珪素鋼薄帯
の製造方法を提案した。しかしながら前記方法による真
空焼鈍は、工業的生産技術において困難であるばかりで
なく、製造コストもかなり上昇するということが問題で
あった。
本発明は、本発明出願人が先に提案した特開昭５６−８
７６２７号記載の方法を改良するとともに、薄帯長手方
向Ｋ （１１０１＜００１＞方位の集積をもつ製造方法
を提供することを目的とするものであや、特許請求の範
囲記載の方法を提供することにより前記目的を達成する
ことができる。
７６２７号記載の方法を改良するとともに、薄帯長手方
向Ｋ （１１０１＜００１＞方位の集積をもつ製造方法
を提供することを目的とするものであや、特許請求の範
囲記載の方法を提供することにより前記目的を達成する
ことができる。
本発明者等は、溶融珪素鋼を冷却体の移動する冷却面上
に射出、急冷、凝固させて薄帯な製造するに当り、前記
溶融珪素−中に一次再結晶粒成長抑制機能を有する元素
を添加含有させ、さらに急冷凝固した薄帯を１０００〜
ｓｏｏ ｃの温度範囲内で加熱圧電を施した後、まず２
次再結晶粒を成長させる温度範囲である８００〜１０５
０ｃで焼鈍した後、高温で純化焼鈍を１０５０〜１３０
０ｔｌ’の温度範囲内で施すととＫよって尖鋭な（１１
０）＜００１＞方位が圧延方向に集積した方向性珪素銅
薄帯を製造することが可能であることを新規に知見して
本発明を完成した。
に射出、急冷、凝固させて薄帯な製造するに当り、前記
溶融珪素−中に一次再結晶粒成長抑制機能を有する元素
を添加含有させ、さらに急冷凝固した薄帯を１０００〜
ｓｏｏ ｃの温度範囲内で加熱圧電を施した後、まず２
次再結晶粒を成長させる温度範囲である８００〜１０５
０ｃで焼鈍した後、高温で純化焼鈍を１０５０〜１３０
０ｔｌ’の温度範囲内で施すととＫよって尖鋭な（１１
０）＜００１＞方位が圧延方向に集積した方向性珪素銅
薄帯を製造することが可能であることを新規に知見して
本発明を完成した。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明によれば％２〜８％８ｉを含有する珪素鋼に一次
再結晶粒成長抑制剤として８，８ｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｂ。
再結晶粒成長抑制剤として８，８ｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｂ。
Ｍｏ、Ｗのうちから選ばれる何れか１種または２種以上
を含有させるが、また可溶性紅をも用いることができ、
さらＫＭｒｌあるいはＮを含有させると一次再結晶粒成
長抑制機能を向上させることが出来る。又、Ｃを添加す
ることによって、先述した圧延時に圧延集合組織を尖鋭
化することができる。
を含有させるが、また可溶性紅をも用いることができ、
さらＫＭｒｌあるいはＮを含有させると一次再結晶粒成
長抑制機能を向上させることが出来る。又、Ｃを添加す
ることによって、先述した圧延時に圧延集合組織を尖鋭
化することができる。
以上の成分を含有した溶鋼を用いた急冷薄帯について、
１０００〜８００ Ｃの温度範囲内で加熱圧延を加える
。加熱圧電の意味は第１に上記温度範囲において、溶鋼
中に添加した一次再結晶粒成長抑制元素をその機能上有
効な析出物として分散すること、第２に急冷薄帯の初期
方位が（ｌｌｏ）＜Ｏｋｔ＞であり、冷間圧延を施すと
全て（１１０）＜０１１ ＞方位に集積してしまうため
、加熱圧延により再結晶と圧延を繰り返すことによって
（１１２）（１１１）や（ｏＯ）＜ＯＯｔ＞方位を圧延
方向に集積させること、第３に高珪素鋼になった場合に
、冷間圧延等でしばしばみられる圧延時の割れを防ぐ意
味がある。
１０００〜８００ Ｃの温度範囲内で加熱圧延を加える
。加熱圧電の意味は第１に上記温度範囲において、溶鋼
中に添加した一次再結晶粒成長抑制元素をその機能上有
効な析出物として分散すること、第２に急冷薄帯の初期
方位が（ｌｌｏ）＜Ｏｋｔ＞であり、冷間圧延を施すと
全て（１１０）＜０１１ ＞方位に集積してしまうため
、加熱圧延により再結晶と圧延を繰り返すことによって
（１１２）（１１１）や（ｏＯ）＜ＯＯｔ＞方位を圧延
方向に集積させること、第３に高珪素鋼になった場合に
、冷間圧延等でしばしばみられる圧延時の割れを防ぐ意
味がある。
以上の方法によって、２次再結晶に対して必要な、適切
な、集合組織と適正な析出物分、散を得た薄帯に対して
、焼鈍剥離剤を塗布して焼鈍することＫより２次再結晶
を完了させて優れた磁気特性を得ることができる。
な、集合組織と適正な析出物分、散を得た薄帯に対して
、焼鈍剥離剤を塗布して焼鈍することＫより２次再結晶
を完了させて優れた磁気特性を得ることができる。
この最終段階での仕上焼鈍は、２次再結晶を完了させる
ことと、最終的に抑制剤としての析出物を解離させて鋼
中から散逸させ鋼中純化することを達成するためになさ
れ、すなわち上記方法により製造した銅帯を仕上焼鈍す
るにあたりて、８００〜１０５０ ｃの温度範囲で２次
再結晶を完了させると、磁気特性が一段と向上すること
、が知見された。
ことと、最終的に抑制剤としての析出物を解離させて鋼
中から散逸させ鋼中純化することを達成するためになさ
れ、すなわち上記方法により製造した銅帯を仕上焼鈍す
るにあたりて、８００〜１０５０ ｃの温度範囲で２次
再結晶を完了させると、磁気特性が一段と向上すること
、が知見された。
８００〜１０５０ Ｃの温度範囲での２次再結晶焼鈍時
間は２次再結晶を完了させるのに十分な時間にする必要
がある。また、この温度範囲内での特定の温度を選んで
定温焼鈍を施してもよい。次にこの２次再結晶焼鈍が完
了した後Ｋ １０５０〜１３００ Ｃの範囲で鋼中純化
焼鈍を加えることは、磁気特性向上の上で有効である。
間は２次再結晶を完了させるのに十分な時間にする必要
がある。また、この温度範囲内での特定の温度を選んで
定温焼鈍を施してもよい。次にこの２次再結晶焼鈍が完
了した後Ｋ １０５０〜１３００ Ｃの範囲で鋼中純化
焼鈍を加えることは、磁気特性向上の上で有効である。
Ｓｉ２％以上を含有して、０％を適切に選んだ場合には
、γ＝α変態がないので、高温で焼鈍した後も２次再結
晶粒が破壊されることなく、室温までの冷却の際に保存
される。したがりて上記温度範囲での純化焼鈍は純化作
用を計るためだけに施されるものである。又、純化焼鈍
の際の焼鈍雰囲気は、乾水素あるいは、適度に鋼中の不
純物の散逸を助長するような真空中での焼鈍が望ましい
ことは云うまでもないことである。
、γ＝α変態がないので、高温で焼鈍した後も２次再結
晶粒が破壊されることなく、室温までの冷却の際に保存
される。したがりて上記温度範囲での純化焼鈍は純化作
用を計るためだけに施されるものである。又、純化焼鈍
の際の焼鈍雰囲気は、乾水素あるいは、適度に鋼中の不
純物の散逸を助長するような真空中での焼鈍が望ましい
ことは云うまでもないことである。
次に以上の方法によって製造した場合の高珪素鋼薄帯の
磁気特性を、図面に基づいて説明する。
磁気特性を、図面に基づいて説明する。
８ｉ６．５％を官本かツＭｎ ０．０５％、Ｃ’０．０
０５％及び８０．０２％、８ｅ ０．０１４ ’ｈ、ｓ
ｏｔ Ａ１０．０２５ ％ （ｓｏｊＭ添加材にありて
はＮＯ，００５％）を含有する溶鋼を１５００ｔｌｌ”
付近からノズルを経て回転する双ロールの、外周回転面
の接触線近傍上に射出、急冷、凝固させて約３００μ嘱
厚で３０−巾の、高１珪素鋼薄帯な得た。なお、前記ノ
ズルの先端スリットの形状は３０１１ｍ巾×１−厚の矩
形状であった。との薄帯について９８０Ｃの加熱圧延を
施し板厚を２００ ａｍから１００μｍまでの間で圧下
率を変えた。以上の薄帯に対して、２・２次再結晶焼鈍
温度を８５０．９００゜９５０、１０００Ｃ各２５時間
焼鈍を施した後、１２００Ｃで５時間、乾水素雰囲気中
で純化焼鈍を施した。
０５％及び８０．０２％、８ｅ ０．０１４ ’ｈ、ｓ
ｏｔ Ａ１０．０２５ ％ （ｓｏｊＭ添加材にありて
はＮＯ，００５％）を含有する溶鋼を１５００ｔｌｌ”
付近からノズルを経て回転する双ロールの、外周回転面
の接触線近傍上に射出、急冷、凝固させて約３００μ嘱
厚で３０−巾の、高１珪素鋼薄帯な得た。なお、前記ノ
ズルの先端スリットの形状は３０１１ｍ巾×１−厚の矩
形状であった。との薄帯について９８０Ｃの加熱圧延を
施し板厚を２００ ａｍから１００μｍまでの間で圧下
率を変えた。以上の薄帯に対して、２・２次再結晶焼鈍
温度を８５０．９００゜９５０、１０００Ｃ各２５時間
焼鈍を施した後、１２００Ｃで５時間、乾水素雰囲気中
で純化焼鈍を施した。
このようにして製造した薄帯につφて直流で磁束密度１
．ＯＴ迄上昇させたヒステリシス曲線を描かして保磁力
Ｈｃをもとめた。Ｈｃが磁気特性の目安になる意味は以
下によるものである。電磁鋼板等で重要な意味をもつの
は鉄損である。鉄損はヒステリシス損と渦電流損に分離
できるが、本発明の対象とする高珪素鋼薄帯にあっては
Ｓｉ量が多くて電気抵抗が高い点と板厚が極端に薄い点
とで、渦電流損は従来の珪素鋼帯に比べて小さくなって
いる。従りて鉄損の大部分はヒステリシス損であり、こ
のヒステリシス損はＨｃにほぼ比例することは周知の如
くである。従ってＨｅが低い程鉄損が低く、磁気特性は
優れ：猛素材であるということができる。
．ＯＴ迄上昇させたヒステリシス曲線を描かして保磁力
Ｈｃをもとめた。Ｈｃが磁気特性の目安になる意味は以
下によるものである。電磁鋼板等で重要な意味をもつの
は鉄損である。鉄損はヒステリシス損と渦電流損に分離
できるが、本発明の対象とする高珪素鋼薄帯にあっては
Ｓｉ量が多くて電気抵抗が高い点と板厚が極端に薄い点
とで、渦電流損は従来の珪素鋼帯に比べて小さくなって
いる。従りて鉄損の大部分はヒステリシス損であり、こ
のヒステリシス損はＨｃにほぼ比例することは周知の如
くである。従ってＨｅが低い程鉄損が低く、磁気特性は
優れ：猛素材であるということができる。
第１図は加熱圧延時の温度と圧下率を変えた場合のＨｅ
ｔｘ １例として示すものである。尚、１次再結晶粒
成長抑制剤元素としてＳを用いた場合を示し、２次再結
晶焼鈍温度として８５０Ｃで２５時間焼鈍したものであ
る。
ｔｘ １例として示すものである。尚、１次再結晶粒
成長抑制剤元素としてＳを用いた場合を示し、２次再結
晶焼鈍温度として８５０Ｃで２５時間焼鈍したものであ
る。
加熱圧電温度と圧下率を適切に選ぶことによってＨｃを
一段と優れた値にすることができる。又、抑制元素を添
加するとＨｃはきわめて優れたものになることが分る。
一段と優れた値にすることができる。又、抑制元素を添
加するとＨｃはきわめて優れたものになることが分る。
第２図は、抑制元素を変えた場合の２次再結晶焼鈍温度
とＨｃの関係として１例を示す。加熱圧延は１０２０
Ｃで行い、圧下率はほぼ６０％付近にし、また純化焼鈍
は１２００Ｃで５時間施したものである。抑制元素を溶
鋼中に添加した場合、適切な２次再結晶暁鈍処理を施す
ことＫよって優れた磁気特性を示すことが分る。
とＨｃの関係として１例を示す。加熱圧延は１０２０
Ｃで行い、圧下率はほぼ６０％付近にし、また純化焼鈍
は１２００Ｃで５時間施したものである。抑制元素を溶
鋼中に添加した場合、適切な２次再結晶暁鈍処理を施す
ことＫよって優れた磁気特性を示すことが分る。
以上に示すように、従来の方向性電磁鋼板に比べて本発
明方法によれば、優れた磁性材料を安いコストで提供す
ることができる。
明方法によれば、優れた磁性材料を安いコストで提供す
ることができる。
次に本発明の限定理由を説明する。
８１は、ｒ変態を防ぐと同時にＦｅ中に含有された場合
には電気抵抗を高める効果があり、特に、６．５％付近
においては磁歪な零にする為にこの成分付近での透磁率
を著しく向上させることが出来る。以上の理由により２
％以下では電気抵抗を高める効果が少なく、８％以上で
は圧延が困難となるので、Ｓｉは２〜８％の範囲内にす
る必要がある。
には電気抵抗を高める効果があり、特に、６．５％付近
においては磁歪な零にする為にこの成分付近での透磁率
を著しく向上させることが出来る。以上の理由により２
％以下では電気抵抗を高める効果が少なく、８％以上で
は圧延が困難となるので、Ｓｉは２〜８％の範囲内にす
る必要がある。
Ｃは、加熱圧延時の集合組織を圧延方向に尖鋭化する為
にも必要であるが、脱炭を困難にする量すなわちｏ、ｏ
ｔｓ４以上添加すると磁気特性を損うので、Ｃは０．０
０５〜０．０１５％の範囲内にする必要がある。
にも必要であるが、脱炭を困難にする量すなわちｏ、ｏ
ｔｓ４以上添加すると磁気特性を損うので、Ｃは０．０
０５〜０．０１５％の範囲内にする必要がある。
鳩は、１次再結晶粒成長抑制元素８ 、 Ｓｅ 、 Ｔ
ｅなどと化合して析出、分散することにより、２次再結
晶を十分完了させる為に役立つ成分である。
ｅなどと化合して析出、分散することにより、２次再結
晶を十分完了させる為に役立つ成分である。
Ｍｎ ０．０１ ’１以下では以上の効果が不十分とな
り、０．１５９６以上入れると、析出物が粗大化して十
分な１次再結晶粒成長抑制効果を示さなくなるので、出
はｏ、 ｏｌ−Ｑ ｏ、 ｔｓ％の範囲内が適切である
。
り、０．１５９６以上入れると、析出物が粗大化して十
分な１次再結晶粒成長抑制効果を示さなくなるので、出
はｏ、 ｏｌ−Ｑ ｏ、 ｔｓ％の範囲内が適切である
。
次に、１次再結晶粒成長抑制元素は、第３図に示すよう
に８にあっては０．００２〜０．０６０ ％％Ｓｅにあ
っては０．００２〜０．０６０ ％、↑ｅＫありては０
．００５〜０．０５０ ％ 、 Ｂｉにあっては０．０
０３〜０．０３０％、Ｂにあっては０．０００３〜０．
０１００％、Ｍｏにあっては０．０００３〜０．０１０
０係、Ｗにあっては０．０００３〜０．０１００％、可
溶性（ｓｅｔ）Ａｔに゛あっては０．００６〜０．１０
０％の範囲内で何れか１種添加することによって優れた
磁性を得ることができることが分る。
に８にあっては０．００２〜０．０６０ ％％Ｓｅにあ
っては０．００２〜０．０６０ ％、↑ｅＫありては０
．００５〜０．０５０ ％ 、 Ｂｉにあっては０．０
０３〜０．０３０％、Ｂにあっては０．０００３〜０．
０１００％、Ｍｏにあっては０．０００３〜０．０１０
０係、Ｗにあっては０．０００３〜０．０１００％、可
溶性（ｓｅｔ）Ａｔに゛あっては０．００６〜０．１０
０％の範囲内で何れか１種添加することによって優れた
磁性を得ることができることが分る。
は単独である場合には上記含有量の範囲が望ましく、複
合添加の場合にはＨａ値が１００ｍ０ｅ以下の保磁力と
なるようＫそれぞれの元素を添加することが好ましい。
合添加の場合にはＨａ値が１００ｍ０ｅ以下の保磁力と
なるようＫそれぞれの元素を添加することが好ましい。
加熱圧電は第１図に示されるように、１０５０〜８００
Ｃの範囲が望まし−といえる。
Ｃの範囲が望まし−といえる。
最終清純は抑制元素によって異なるが、第２図から分る
ように８００〜１０５０Ｃの範囲で一２次再結晶焼鈍す
ることが好ましいト純化焼鈍は、析出物が解離して焼鈍
雰囲気中に散逸する温度が必要で、通常の方向性珪素鋼
板と同等の１０５０〜１３００Ｃの範囲で十分である。
ように８００〜１０５０Ｃの範囲で一２次再結晶焼鈍す
ることが好ましいト純化焼鈍は、析出物が解離して焼鈍
雰囲気中に散逸する温度が必要で、通常の方向性珪素鋼
板と同等の１０５０〜１３００Ｃの範囲で十分である。
次に本発明を実施例につ−て説明する。
実施例Ｉ
Ｓｉ ６．５ ％、 Ｍｎ ０．０５％、ｃ ｏ、 ｏ
ｏｓ係及び（Ａ） ５Ｏ００２％、（Ｂ） Ｓｅ Ｏ，
０１４％、（Ｃ） ５ｏＬＡｌ Ｏ，０２５４ｂ及びＮ
Ｏ，００５％を含有する溶鋼を１５００１：’付近から
回転する双ロール接触線上に射出した。このときの射出
ノズルの形状は３０■巾×１■厚の矩形スリットであっ
た。このような珪素銅薄帯について加熱温度な５ｏｏＣ
１９８０Ｃ，１０５０Ｃにして同時に圧延を施した。圧
下率は４０．５０，６０，７５．８０％ とした。これ
らの薄帯について、ＭｇＯをスラリー状にして薄帯に塗
布し、約２００Ｃ付近で乾燥させて水分を蒸発させた後
、ＢＯＸ炉中で焼鈍した。２次再結晶温度は８００ 、
８５０．９００ 、９５０．１００Ｇ、 １０５０ Ｃ
で各２５時間、ｋ雰囲気中で焼鈍した。次に以トや薄帯
に対して、１２００Ｃで５時間、水素中で焼鈍して薄帯
な純化し大。そのときの薄帯について直流のヒステリシ
ス曲線を描かせ、磁束密度１．ＯＴのときのＨｃを調べ
た。その結果を第１、第２図に示す。
ｏｓ係及び（Ａ） ５Ｏ００２％、（Ｂ） Ｓｅ Ｏ，
０１４％、（Ｃ） ５ｏＬＡｌ Ｏ，０２５４ｂ及びＮ
Ｏ，００５％を含有する溶鋼を１５００１：’付近から
回転する双ロール接触線上に射出した。このときの射出
ノズルの形状は３０■巾×１■厚の矩形スリットであっ
た。このような珪素銅薄帯について加熱温度な５ｏｏＣ
１９８０Ｃ，１０５０Ｃにして同時に圧延を施した。圧
下率は４０．５０，６０，７５．８０％ とした。これ
らの薄帯について、ＭｇＯをスラリー状にして薄帯に塗
布し、約２００Ｃ付近で乾燥させて水分を蒸発させた後
、ＢＯＸ炉中で焼鈍した。２次再結晶温度は８００ 、
８５０．９００ 、９５０．１００Ｇ、 １０５０ Ｃ
で各２５時間、ｋ雰囲気中で焼鈍した。次に以トや薄帯
に対して、１２００Ｃで５時間、水素中で焼鈍して薄帯
な純化し大。そのときの薄帯について直流のヒステリシ
ス曲線を描かせ、磁束密度１．ＯＴのときのＨｃを調べ
た。その結果を第１、第２図に示す。
実施例２
Ｓｉ６．５％、ＭｎＱ、９５％、ＣＯ，００８％を含有
し、さらに抑制元素とし工８，８ｅ、Ｔｅ、入ｓ、８ｂ
、Ｂｉ、Ｂ。
し、さらに抑制元素とし工８，８ｅ、Ｔｅ、入ｓ、８ｂ
、Ｂｉ、Ｂ。
Ｍｏ、Ｗ、 ｓｏｌ ｋｌ及びＮを夫々適量の範囲で添
加した溶鋼を、１０＋ｍＸ１■り矩形状ノズルスリット
から回転する冷却双ロール接触部に注入して直接薄帯を
製造した。次にこれらの薄帯について、９８０Ｃに加熱
してただちに圧延した。所定の圧下率を得る為に、環中
、で数回９８０Ｃに再加熱を加えている。このようにし
て製造した薄帯について１．ＭｇＯをスラリー状にして
塗布し、約２００Ｃで乾燥させて、ＢＯＸ炉中で焼鈍し
た。焼鈍−関して、２次再結晶焼鈍は８５０ ＣＸ ２
５時間なｋｒ雰囲気で行い、純化清純は１２００ ＣＸ
５時間を乾水素雰囲気中で行った。結果を第３図（ム
）＊ （Ｂ）に示す。
加した溶鋼を、１０＋ｍＸ１■り矩形状ノズルスリット
から回転する冷却双ロール接触部に注入して直接薄帯を
製造した。次にこれらの薄帯について、９８０Ｃに加熱
してただちに圧延した。所定の圧下率を得る為に、環中
、で数回９８０Ｃに再加熱を加えている。このようにし
て製造した薄帯について１．ＭｇＯをスラリー状にして
塗布し、約２００Ｃで乾燥させて、ＢＯＸ炉中で焼鈍し
た。焼鈍−関して、２次再結晶焼鈍は８５０ ＣＸ ２
５時間なｋｒ雰囲気で行い、純化清純は１２００ ＣＸ
５時間を乾水素雰囲気中で行った。結果を第３図（ム
）＊ （Ｂ）に示す。
以上本発明によれば、優れた磁気特性を有する高珪素鋼
薄帯な製造することができる。
薄帯な製造することができる。
第１図は加熱圧延都度と圧下率と磁気特性Ｈｃとの関係
を示す図、第２図は２次再結晶焼鈍温度とＨａとの関係
を示す図、第３図（ム）ｄＢ）はそれぞれ抑制元素添加
量とＨ（Ｉとの関係を示す図である。 特許出願人 川崎製鉄株式金社 代理人弁珊士 村 １） 政 治７Ｂ卆 （％） 第２図 ２状再＃＆娩銑偽急（’ｃ）
を示す図、第２図は２次再結晶焼鈍温度とＨａとの関係
を示す図、第３図（ム）ｄＢ）はそれぞれ抑制元素添加
量とＨ（Ｉとの関係を示す図である。 特許出願人 川崎製鉄株式金社 代理人弁珊士 村 １） 政 治７Ｂ卆 （％） 第２図 ２状再＃＆娩銑偽急（’ｃ）
Claims (1)
- ｉ ＣＯ，００５〜０．０１５９＆、ｓｉ２〜８９６
、Ｍｎ０．０１〜０．１５９６を含有し、８，８ｅ、Ｔ
ｅ、Ｂｉ、Ｂ、Ｍｏ、Ｗ、可溶性Ｍのなかから選ばれる
何れか１１１または２棟以上を、それぞれ１種の場合に
はＳにあっては０、００２〜０．０６０９６ 、 Ｓｅ
Ｋあっては０．００２〜０．０６０係、Ｔｅにあって
は０．００５−０．０５０％、ＢｉＫあっては０．００
３〜０．０３０％、ＢＫあっては０．０００３〜ｏ、
ｏｔｏｏ ４％ＭＯＫあっては０．０００３〜０．０１
００％、ＷＫあっては０−０００３〜０．０１００％、
可溶性紅にあっては０．００６〜０．１００４を含有し
、一方２種以上の場合には上記１種の場合と同等の効果
が発揮される合計量範囲を含有し、必要によりＮｏ、０
０２０〜０．００９０ 鴫を含有し、残部ｒｅと不可避
的不純物よりなる溶−を冷却体の移動冷却面上にノズル
から連続的に射出、急冷、凝固させて薄帯となし、次に
この薄帯に１１００〜８００Ｃの温度範囲内で、かつ臣
下率４０〜９５％の範囲内で等周速または員周速圧電を
施した後、１３００〜１０５０ ｒの温度範囲内で仕上
焼鈍を施すことを特徴とする鋼薄帯の長手方向に（１１
０）（００１＞方位が集積した優れた磁気特性を有する
高珪素鋼薄帯の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP607282A JPS58123824A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 優れた磁気特性を有する高珪素鋼薄帯の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP607282A JPS58123824A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 優れた磁気特性を有する高珪素鋼薄帯の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123824A true JPS58123824A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11628366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP607282A Pending JPS58123824A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 優れた磁気特性を有する高珪素鋼薄帯の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990197A (en) * | 1986-08-01 | 1991-02-05 | Allied-Signal, Inc. | Heat treatment of rapidly quenched Fe-6.5 wt % Si ribbon |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP607282A patent/JPS58123824A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990197A (en) * | 1986-08-01 | 1991-02-05 | Allied-Signal, Inc. | Heat treatment of rapidly quenched Fe-6.5 wt % Si ribbon |
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