JPS58122502A - 面積型ビ−ムスプリツタ− - Google Patents
面積型ビ−ムスプリツタ−Info
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- JPS58122502A JPS58122502A JP57004315A JP431582A JPS58122502A JP S58122502 A JPS58122502 A JP S58122502A JP 57004315 A JP57004315 A JP 57004315A JP 431582 A JP431582 A JP 431582A JP S58122502 A JPS58122502 A JP S58122502A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/16—Beam splitting or combining systems used as aids for focusing
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/143—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using macroscopically faceted or segmented reflective surfaces
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、CODセンチ−の如く多数個の独立した光電
変換要素が配列された受光部上又はその近傍に物体像を
形成するために結像光束の一部を分割するに適した充分
III器に関する。
変換要素が配列された受光部上又はその近傍に物体像を
形成するために結像光束の一部を分割するに適した充分
III器に関する。
本発明は、特に7オーカスインデイケーター付カメラと
かムFカメラ等の如くカメラ内の実質的な結像面又はそ
の近傍KOCDセンサー等の受光部を配設し、この受光
部から得られる物体の像情報により焦点調節状態を検出
する合焦点検出装置において、前記受光部が正確な情報
を得るように結像光束の結像性能を維持したまま結像光
束を分割する装置として有用である。
かムFカメラ等の如くカメラ内の実質的な結像面又はそ
の近傍KOCDセンサー等の受光部を配設し、この受光
部から得られる物体の像情報により焦点調節状態を検出
する合焦点検出装置において、前記受光部が正確な情報
を得るように結像光束の結像性能を維持したまま結像光
束を分割する装置として有用である。
従来、分割後の結像性能を維持する必要のあるときのビ
ームスプリッタ−としては、殆んど誘電体半透膜をガラ
ス基板に蒸着した銀幅分割タイプのビームスプリッタ−
が用いられてきた。
ームスプリッタ−としては、殆んど誘電体半透膜をガラ
ス基板に蒸着した銀幅分割タイプのビームスプリッタ−
が用いられてきた。
しかしながら、このような誘電体半透膜の場合、分割後
の光束の色特性、偏光特性が悪化する等の問題があった
。本出軌人は先に特願昭55−98524によりこのよ
うな問題を解決し、なおかつ、CCD等の一定のピップ
で配列された像検出素子を用いた像処理系に好適に利用
し得゛る面積型ビームスプリッタ−を組込んだ光分割装
置に関する提案を行った。
の光束の色特性、偏光特性が悪化する等の問題があった
。本出軌人は先に特願昭55−98524によりこのよ
うな問題を解決し、なおかつ、CCD等の一定のピップ
で配列された像検出素子を用いた像処理系に好適に利用
し得゛る面積型ビームスプリッタ−を組込んだ光分割装
置に関する提案を行った。
本発明は、上記光分割装置に用いられる面積をビームス
プリッタ−のンシーバターンに関する。
プリッタ−のンシーバターンに関する。
本発明の説明に入る前に1先願の特願昭55−9852
4の発明について図を用いて説明する。
4の発明について図を用いて説明する。
第1図は、先の提案に示された光分割装置が好適に用い
られる◇既に本出願人が提示した特開昭55−1865
2号等に開示されたカメラの合焦点検出装置の概要を説
明するための模式図で、合焦点時には結健光学系1によ
って、不図示の物体の像は予定結像面5上に形成されて
いる。このとき予定結像面の前方近傍に配置されたセン
サーアレイ2、結像面上に配置されたセンサーアレイ6
及び後方近傍に配置された七ノナーアレイ4からの出力
は、そ−れぞれ同図(a) 、 (11、(6)で模式
的に示した如く、ボケ像、鮮明像、ボケ像に対応する照
度分布の時系列電気信号が得られる。従って、この3つ
のセンナ−アレイから得られる情報を基にすれば、合焦
か、前ビンか、後ビンかの状態が検出される。
られる◇既に本出願人が提示した特開昭55−1865
2号等に開示されたカメラの合焦点検出装置の概要を説
明するための模式図で、合焦点時には結健光学系1によ
って、不図示の物体の像は予定結像面5上に形成されて
いる。このとき予定結像面の前方近傍に配置されたセン
サーアレイ2、結像面上に配置されたセンサーアレイ6
及び後方近傍に配置された七ノナーアレイ4からの出力
は、そ−れぞれ同図(a) 、 (11、(6)で模式
的に示した如く、ボケ像、鮮明像、ボケ像に対応する照
度分布の時系列電気信号が得られる。従って、この3つ
のセンナ−アレイから得られる情報を基にすれば、合焦
か、前ビンか、後ビンかの状態が検出される。
この詳しい合焦点検出の方法に関しては、前述した特開
昭55−18652号公報に詳しく述べられている。尚
、その公報にも記載されているように、センサーアレイ
は必ずしも6つ必要ではなぐ、結像面の前後の近傍に配
置された2つでも合焦点検出は可能である。
昭55−18652号公報に詳しく述べられている。尚
、その公報にも記載されているように、センサーアレイ
は必ずしも6つ必要ではなぐ、結像面の前後の近傍に配
置された2つでも合焦点検出は可能である。
第2図は、先の提案の実施例であるカメラの内部を示し
た概観図であり、第6図はその一部を拡大した図である
。又第2.5図のカメラは、見易くするため光軸を含む
平面で切断しである。
た概観図であり、第6図はその一部を拡大した図である
。又第2.5図のカメラは、見易くするため光軸を含む
平面で切断しである。
第2.5図において、結像光学系(不図示)からの結像
光束6はクイックリターン<?−12に入射し、その表
面の半透鏡で一部透過し、残りはファインダー系へ反射
される。クイックリターン建2−の裏側は、?ツー16
に向かう光以外を遮断する遮光材が設けられており、?
?−13に入射した光束は反射されて下側に設けられた
合焦点検出用の微小ビームスプリッタ一部に入射する結
像光束14となる。
光束6はクイックリターン<?−12に入射し、その表
面の半透鏡で一部透過し、残りはファインダー系へ反射
される。クイックリターン建2−の裏側は、?ツー16
に向かう光以外を遮断する遮光材が設けられており、?
?−13に入射した光束は反射されて下側に設けられた
合焦点検出用の微小ビームスプリッタ一部に入射する結
像光束14となる。
第5図においてビームスグリツタ−12により2分割さ
れた内の結像光束14は面積型ビームスプリッタ−91
に入射して更に分割され、又更にその反射光は面積型ビ
ームスグリツタ−9烏によって分割され、その中の面積
型ビームスプリッタ−9麿を透過した光は通常のR’)
9mによって反射さ肱合計5本の結像光束IDz、 1
0m、10gとなり、夫々5本のCODラインセンナ−
11z、11寓、118に入射する。
れた内の結像光束14は面積型ビームスプリッタ−91
に入射して更に分割され、又更にその反射光は面積型ビ
ームスグリツタ−9烏によって分割され、その中の面積
型ビームスプリッタ−9麿を透過した光は通常のR’)
9mによって反射さ肱合計5本の結像光束IDz、 1
0m、10gとなり、夫々5本のCODラインセンナ−
11z、11寓、118に入射する。
第4図に更に微小ビームスプリッタ一部8を拡大した図
を示しである。この微小ビームスプリッタ一部Bは屈折
率na−1,772のLASFoh−やna−4,51
6のBK7といった透明材質で形成され、その中に直積
型ビームスグリツター91,9寓と通常の72−9sが
設けられている。
を示しである。この微小ビームスプリッタ一部Bは屈折
率na−1,772のLASFoh−やna−4,51
6のBK7といった透明材質で形成され、その中に直積
型ビームスグリツター91,9寓と通常の72−9sが
設けられている。
微小ビームスプリッタ一部に用いる透明材質については
その屈折率によって各センナ−11z−sに入射する結
像光束の光路長差(d@foeus量)を調節する機能
をも有するものである。
その屈折率によって各センナ−11z−sに入射する結
像光束の光路長差(d@foeus量)を調節する機能
をも有するものである。
各センナ−が合焦点を検知するための像のボケ社として
は、焦点検知システムの冒シック及び使用交換レンズの
板類にもよるが、空気中の光路長差(実光路長/媒質の
屈折率)に換算して結像光*101と10富、10麿と
10gの間の光路長差が0.2〜1.0鵬であることが
望ましく、それに対応して各2イン噌ンテ一間の間11
i1dは0.5〜2.0 wg程度に設定されである。
は、焦点検知システムの冒シック及び使用交換レンズの
板類にもよるが、空気中の光路長差(実光路長/媒質の
屈折率)に換算して結像光*101と10富、10麿と
10gの間の光路長差が0.2〜1.0鵬であることが
望ましく、それに対応して各2イン噌ンテ一間の間11
i1dは0.5〜2.0 wg程度に設定されである。
又結像光束10λ= 10g、 10gが各ビームスプ
リッタ−91,9m、 9mの面に入射する位置から各
センデー面までの間隔Iは空気換算光路長で1〜2Mで
あり1CCD’)インセ/サー111.1111. i
lmのセグメント間のピッチPは約50pmである。
リッタ−91,9m、 9mの面に入射する位置から各
センデー面までの間隔Iは空気換算光路長で1〜2Mで
あり1CCD’)インセ/サー111.1111. i
lmのセグメント間のピッチPは約50pmである。
このような構成の微小ビームスグリツタ一部に、第4図
で示す如く、ランダムに配列した小円型透過部を有する
面積型ビームスプリッタ−(ランダムドツト”)91.
9mがセンサー面に対し45゜傾いて設けられて、いる
。2ンfムドツ)?9−9zの光透過光jdTはF5.
6〜F8相当の結像光束でミラー面をセンサー配列方向
に走査した場合、単純に光透過部と光反射部の面積比で
計算してT −55%±2%程度、ランダムドツトミラ
ー91の場合はT−50%±3≦程度に設計しである。
で示す如く、ランダムに配列した小円型透過部を有する
面積型ビームスプリッタ−(ランダムドツト”)91.
9mがセンサー面に対し45゜傾いて設けられて、いる
。2ンfムドツ)?9−9zの光透過光jdTはF5.
6〜F8相当の結像光束でミラー面をセンサー配列方向
に走査した場合、単純に光透過部と光反射部の面積比で
計算してT −55%±2%程度、ランダムドツトミラ
ー91の場合はT−50%±3≦程度に設計しである。
厳密には反射膜の吸収特性9点像の強度分布等を考慮し
て面積比を決定する。小円を2ンダムに配置する理由は
、周期的に配置すると回折によって点像のくずれが大き
くなるとか、第4図等の如く、2つの面積型? 9 9
zt 9mを通過する光束がある場合、ミラー面上のパ
ターン同志で七アレが発生し、一様な光束でセンナ−面
を照明した場合にセンナ−間での強度比に狂いが生じた
り一様性が失われるとかの事態をさけるためである。但
し、配列が余り2ンダムになるとそのためにかえってセ
ンナ1ニ ー面照度恕不一様性が発生するのでそのバランスに注意
しなければならない。
て面積比を決定する。小円を2ンダムに配置する理由は
、周期的に配置すると回折によって点像のくずれが大き
くなるとか、第4図等の如く、2つの面積型? 9 9
zt 9mを通過する光束がある場合、ミラー面上のパ
ターン同志で七アレが発生し、一様な光束でセンナ−面
を照明した場合にセンナ−間での強度比に狂いが生じた
り一様性が失われるとかの事態をさけるためである。但
し、配列が余り2ンダムになるとそのためにかえってセ
ンナ1ニ ー面照度恕不一様性が発生するのでそのバランスに注意
しなければならない。
尚、第4図の小円で示した、面積型ビームスプリッタ−
の光分割面上の光透過部又は光反射部の最小径の平均的
な大きさは、ビームスプリッタ−とセンナ−面までの空
気換算光路長をjとしたとき、IAOO以上、IAO以
下であることが望ましい。
の光分割面上の光透過部又は光反射部の最小径の平均的
な大きさは、ビームスプリッタ−とセンナ−面までの空
気換算光路長をjとしたとき、IAOO以上、IAO以
下であることが望ましい。
その理由は、//100以下であると分別光のMTFが
ひどく落ち、またl/10以上であると、F5.6とか
F8とかのレンズを使用し、一点一点を結像する光束が
細くなった場合に、像の一様性が悪化するためである。
ひどく落ち、またl/10以上であると、F5.6とか
F8とかのレンズを使用し、一点一点を結像する光束が
細くなった場合に、像の一様性が悪化するためである。
われわれの実験によればこのようなMTFの値と一様性
のバランス上最適な値は前のセンナ−の場合約!乃0で
あった。
のバランス上最適な値は前のセンナ−の場合約!乃0で
あった。
このように面積型ビームスプリッタ−9x、9s&用い
ることによって入射光束14を分割し、それぞれの分割
結像光束101.101.108をcentインセンt
−11i、 11m、 11慕に導き、その菌1図に
示した如く像のボケ量を検出することにより焦点調節状
態を知ることができる。正しい焦点調節状態を精確に知
るためにも、各ビームスプリッタ−では、6本の結像光
束101.10寓、 10gが光量比はぼ1:1:1で
、色特性及び偏光特性に差がないように光分割を行うこ
とが必要であり、面積型ビームスプリッタ−は1zt体
半透濾に比べて安価なもので、上記条件を満足すること
ができる。
ることによって入射光束14を分割し、それぞれの分割
結像光束101.101.108をcentインセンt
−11i、 11m、 11慕に導き、その菌1図に
示した如く像のボケ量を検出することにより焦点調節状
態を知ることができる。正しい焦点調節状態を精確に知
るためにも、各ビームスプリッタ−では、6本の結像光
束101.10寓、 10gが光量比はぼ1:1:1で
、色特性及び偏光特性に差がないように光分割を行うこ
とが必要であり、面積型ビームスプリッタ−は1zt体
半透濾に比べて安価なもので、上記条件を満足すること
ができる。
ところで本発明になる光分割製蓋の応用技術としての7
オーカスインデイケーターシステムの場合、焦点検出を
ボケで行う場合、夫凌のセンサー111〜11mまでの
結像光学系のMTFについてもパO\゛ ランスtとれていることが望ましし1゜というのは、前
述の特開昭55−18652においても述べられている
ように夫々のセンナ−について隣接セグメント間の出力
の差分の積分値を比較することによって合焦位置を検出
するのがボケ検知方式の好ましい方法であるからである
。
オーカスインデイケーターシステムの場合、焦点検出を
ボケで行う場合、夫凌のセンサー111〜11mまでの
結像光学系のMTFについてもパO\゛ ランスtとれていることが望ましし1゜というのは、前
述の特開昭55−18652においても述べられている
ように夫々のセンナ−について隣接セグメント間の出力
の差分の積分値を比較することによって合焦位置を検出
するのがボケ検知方式の好ましい方法であるからである
。
以上詳しく説明したが、その中でも触れたように、面積
型ビームスグリツタ−を用いた場合、透過光の強度分布
の一様性が絖電体ビームスプリッタ−に較べ必ず悪化す
ることになる。
型ビームスグリツタ−を用いた場合、透過光の強度分布
の一様性が絖電体ビームスプリッタ−に較べ必ず悪化す
ることになる。
例えば一様な明るさの被写体にカメラを向けた場合、第
1図に示したようなぎケ検出方式の合焦検出装曾ではい
かなる信号も出ないはずであるが、面積型ビームスプリ
ッタ−のパターンがセンナ−面上に投影されると何らか
の信号が出て誤った合焦動作をする可能性がある。
1図に示したようなぎケ検出方式の合焦検出装曾ではい
かなる信号も出ないはずであるが、面積型ビームスプリ
ッタ−のパターンがセンナ−面上に投影されると何らか
の信号が出て誤った合焦動作をする可能性がある。
本発明は、面積をビームスプリッタ−のパターンがセン
サーに投影され易い比較的大きなF&例えば25.6と
かF8のレンズを用いても、一様性の乱れが巾にして5
%程度に留まるような面積型ビームスプリッタ−の電ツ
ーパターンに関する〇本発明の実施例を第5図以下に説
明する。
サーに投影され易い比較的大きなF&例えば25.6と
かF8のレンズを用いても、一様性の乱れが巾にして5
%程度に留まるような面積型ビームスプリッタ−の電ツ
ーパターンに関する〇本発明の実施例を第5図以下に説
明する。
第5図において、光束14はセンナ−列111上の一点
17に結像するものとする。このとき、光束14が斜設
したビームスグリツタ−面9λと交わる断面形状は楕円
となるが、この楕円の短径をWとする。尚、光軸15が
ビームスプリッタ−面9工と交わる点を16としたとき
、点16から17重での空気換算光路長をjとする。
17に結像するものとする。このとき、光束14が斜設
したビームスグリツタ−面9λと交わる断面形状は楕円
となるが、この楕円の短径をWとする。尚、光軸15が
ビームスプリッタ−面9工と交わる点を16としたとき
、点16から17重での空気換算光路長をjとする。
面積型ビームスプリッタ−91上のイ2−パターンの一
実施例をwc6図に示す。第6図は、面91上の一部W
xWの広さを示し、斜線部が光を透過する部分、斜線部
外はAj等金属高反射膜が蒸着されている。WxWの正
方形を12行×12列に仕切ったとき、各行、各列で斜
線部が占める面積は4/12−1/?)−55,5<≦
)となっている0面91上には第6図に示したパターン
が左右、上下に相接して複数個配置され平均的透過率は
35.5%となり、入射光の内66.6≦は反射される
こととなる。実際には金属反射膜にも若干の吸収がある
ので、光分割比の精度を高めるためKはそのような現象
も考慮して面積比を決める。
実施例をwc6図に示す。第6図は、面91上の一部W
xWの広さを示し、斜線部が光を透過する部分、斜線部
外はAj等金属高反射膜が蒸着されている。WxWの正
方形を12行×12列に仕切ったとき、各行、各列で斜
線部が占める面積は4/12−1/?)−55,5<≦
)となっている0面91上には第6図に示したパターン
が左右、上下に相接して複数個配置され平均的透過率は
35.5%となり、入射光の内66.6≦は反射される
こととなる。実際には金属反射膜にも若干の吸収がある
ので、光分割比の精度を高めるためKはそのような現象
も考慮して面積比を決める。
電2−パターンの他の例を第7図に示す0本実施例の場
合も正方形WxWの中の斜線部の面積は66.5−であ
り、w&5図のWJ 9 z上には第7図のパターンが
多数敷き詰められている。
合も正方形WxWの中の斜線部の面積は66.5−であ
り、w&5図のWJ 9 z上には第7図のパターンが
多数敷き詰められている。
本発明の他の実施例を第8,9図で説明する。
第8図は光透過部の形状を円としたもので、夫々の円の
中心は第7図の夫々の光透過部である正方形の重心と一
致している。また夫々の円の面積も正方形の面積と等し
い。
中心は第7図の夫々の光透過部である正方形の重心と一
致している。また夫々の円の面積も正方形の面積と等し
い。
第8図のパターンを第5図のビームスプリッタ−面91
に密に敷き詰め25.6の光束で面91を一様照明した
ときのセンナ−面上での光量分布を第9図に示す。尚、
第9図は、センサー面上をセンナ一方向にセンサー面上
に収束する25.6の光束でスキャンしたときの光量分
布であり、基本的なン2−パターン巾Wと等しい周期性
を有することがわかる。しかしながら、その変動中は設
計どうり5≦以内に収まった。尚、F5.6の光束より
FAの小さい光束で第9図のミラーを照明した場合、こ
め光束のWより周期は実質的に小となる。この場合1光
量むらは5≦より更に低くなる。
に密に敷き詰め25.6の光束で面91を一様照明した
ときのセンナ−面上での光量分布を第9図に示す。尚、
第9図は、センサー面上をセンナ一方向にセンサー面上
に収束する25.6の光束でスキャンしたときの光量分
布であり、基本的なン2−パターン巾Wと等しい周期性
を有することがわかる。しかしながら、その変動中は設
計どうり5≦以内に収まった。尚、F5.6の光束より
FAの小さい光束で第9図のミラーを照明した場合、こ
め光束のWより周期は実質的に小となる。この場合1光
量むらは5≦より更に低くなる。
−次元的光来のとき、もともと光量むらが発生しない。
本発明の方法によれば、このようにもともともらの発生
の少ないパターンを出発点としており1第5図の光束1
4の断面形状とミラーパターンが決まれば、センナ−面
上の光量むらは計算機によって直ちに求めることができ
る。
の少ないパターンを出発点としており1第5図の光束1
4の断面形状とミラーパターンが決まれば、センナ−面
上の光量むらは計算機によって直ちに求めることができ
る。
更に本発明のミラーパターンによれば先の提案にても説
明したとおり、個々の光透過部の形状。
明したとおり、個々の光透過部の形状。
大きさをセンナ−面から面積型ビームスプリッタ−まで
の光路長Iに対応して制御し、センサー面上にできる像
のMTFを制御することができる。
の光路長Iに対応して制御し、センサー面上にできる像
のMTFを制御することができる。
尚、本発明の面積型(−ムスプリッターにおいて、平均
透過率は55.5%に限らず、又光透過部の形状は、正
方形9円等に限られるものではなく、楕円その他でも良
く、光透過部と反射部の形を入れ替えても良く、又、第
9図に示したようなむらを除くため、各光透4/反射要
素の位置をずらしても良い。
透過率は55.5%に限らず、又光透過部の形状は、正
方形9円等に限られるものではなく、楕円その他でも良
く、光透過部と反射部の形を入れ替えても良く、又、第
9図に示したようなむらを除くため、各光透4/反射要
素の位置をずらしても良い。
以上本発明の面積型ビームスプリッタ−を光分割装置に
用いた合焦検知装置においては、一様な結像光束が入射
した場合において、各波長による分光反射率の違いによ
り2光束の分割比が異なったり、又ランダムなパターン
によりセンナ−面上に光量分布のむらが生じ、あたかも
何らかの像が形成されているかのような信号が発生した
りというようなことも起こらず、かつ又、ビームスプリ
ッタ−の製造プツセスがICパターンマスクの製法と極
めて類似し生産の安定性ローコスシ化がもたらされた。
用いた合焦検知装置においては、一様な結像光束が入射
した場合において、各波長による分光反射率の違いによ
り2光束の分割比が異なったり、又ランダムなパターン
によりセンナ−面上に光量分布のむらが生じ、あたかも
何らかの像が形成されているかのような信号が発生した
りというようなことも起こらず、かつ又、ビームスプリ
ッタ−の製造プツセスがICパターンマスクの製法と極
めて類似し生産の安定性ローコスシ化がもたらされた。
尚、一様性については、結像レンズのとりうるFムの内
最大のFA例えば15.6についである限度内におさめ
れば、より小さいFAの場合には、一様性がより高まる
ことも確かめられた。
最大のFA例えば15.6についである限度内におさめ
れば、より小さいFAの場合には、一様性がより高まる
ことも確かめられた。
第4及び第3図は一眼し7カメ2に組込んだ先願の光分
割装置の暁統図、 第4図は本発明になる面積型ビームスプリッタ−が好適
に用いられる光分割装置を示す図、!5図は本発明の面
積製ビームスプリッタ−と第6、及び第7図は本発明の
面積型ビームスグリツタ−の々クーパターンを示す図、 第8図は他のz2−パターンを示す図、館9図は本発明
の面積型ビームスプリッタ−を用いたときのセンサー面
上での光分布を示す図である。
割装置の暁統図、 第4図は本発明になる面積型ビームスプリッタ−が好適
に用いられる光分割装置を示す図、!5図は本発明の面
積製ビームスプリッタ−と第6、及び第7図は本発明の
面積型ビームスグリツタ−の々クーパターンを示す図、 第8図は他のz2−パターンを示す図、館9図は本発明
の面積型ビームスプリッタ−を用いたときのセンサー面
上での光分布を示す図である。
図中、1はレンズ、2,5.4はセンサー面、5はピン
ト面、9は面積型ビームスプリッタ−11゜は1t−1
11はセンナ−アレー、である。
ト面、9は面積型ビームスプリッタ−11゜は1t−1
11はセンナ−アレー、である。
、ユ) (b)”
箔 2に
!?34− ・・ −・I?
Claims (1)
- (1)実像を形成する光束中に設置し、該光束を複数の
光束に分割する面積型ビームスグリツタ−であって点像
を形成する結像光束が前記ビームスプリッタ−面を照射
する幅をWEしたとき1前記面積型のビームスグリツタ
−のミツ−パターンは擬似フンダムパターンであり、か
つほぼWかW以下の周期性を有することを特徴とする面
積型ビームスプリッタ−0 (2、特許請求の範囲第1項記載の面積型ビームスプリ
ッタ−において、前記ビームスプリッタ−と結像面との
前記結像光束を形成する結像系の光軸に沿った距離をl
としたとき、最小巾がIAO〜//100程度の一種類
の要素バター/を分布した面積型ビームスプリッタ−〇
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57004315A JPS58122502A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 面積型ビ−ムスプリツタ− |
US06/720,475 US4586786A (en) | 1982-01-14 | 1985-04-08 | Area beam type splitter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57004315A JPS58122502A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 面積型ビ−ムスプリツタ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58122502A true JPS58122502A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11581037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57004315A Pending JPS58122502A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 面積型ビ−ムスプリツタ− |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4586786A (ja) |
JP (1) | JPS58122502A (ja) |
Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2006195362A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Pentax Corp | 測光装置 |
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US11640079B2 (en) | 2020-07-23 | 2023-05-02 | Raytheon Company | Beam splitter with switchable output beam |
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GB1035990A (en) * | 1962-06-06 | 1966-07-13 | Soc Optique Mec Haute Prec | Optical system focussing device |
-
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- 1982-01-14 JP JP57004315A patent/JPS58122502A/ja active Pending
-
1985
- 1985-04-08 US US06/720,475 patent/US4586786A/en not_active Expired - Lifetime
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US7692708B2 (en) | 2005-01-17 | 2010-04-06 | Hoya Corporation | Photometric apparatus |
Also Published As
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---|---|
US4586786A (en) | 1986-05-06 |
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