JPS58117886A - 4−置換フエニル酢酸類の製造法 - Google Patents
4−置換フエニル酢酸類の製造法Info
- Publication number
- JPS58117886A JPS58117886A JP56212976A JP21297681A JPS58117886A JP S58117886 A JPS58117886 A JP S58117886A JP 56212976 A JP56212976 A JP 56212976A JP 21297681 A JP21297681 A JP 21297681A JP S58117886 A JPS58117886 A JP S58117886A
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- JP
- Japan
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- substituted phenylacetic
- acid
- anode
- cathode
- electrolyte
- Prior art date
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、4−置換フェニル酢酸類の製造法に関する。
更に詳しくは本発明は、一般式%式%(2)
〔式中R1は水酸基又は低級アルコキシ基を、R1は水
素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。
素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。
で表わされる4−11換フエニル酢酸類の新規な製造法
に関する。
に関する。
上記一般式(2)で表わさnる4−置換フェニル酢#を
類は、反応性に富み生理活性物質の原料として有用であ
り、医薬や貴県の原料として広く使用されている。例え
ば一般式(2)で表わされる4−置換フェニル酢酸類か
ら気管支拡張作用を有する2−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−8−アミノ−1−グロパノールに容易に誘導する
ことができる(***特許公報第2621090号参照)
。
類は、反応性に富み生理活性物質の原料として有用であ
り、医薬や貴県の原料として広く使用されている。例え
ば一般式(2)で表わされる4−置換フェニル酢酸類か
ら気管支拡張作用を有する2−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−8−アミノ−1−グロパノールに容易に誘導する
ことができる(***特許公報第2621090号参照)
。
上記一般式(2)で表わされる4−置換フェニル酢酸類
のうち4−ヒドロキシフェニル酢酸の製造法としては、
例えばフェノールからフリーデル・クラフッ反応により
4−ヒドロキシアセトフェノンを生成させ、次いで4−
ヒドロキシアセトフェノンをウイルゲロット反応させて
4−ヒドロキシフェニル酢酸を得る方法(J、Sci、
Ind、Hes。
のうち4−ヒドロキシフェニル酢酸の製造法としては、
例えばフェノールからフリーデル・クラフッ反応により
4−ヒドロキシアセトフェノンを生成させ、次いで4−
ヒドロキシアセトフェノンをウイルゲロット反応させて
4−ヒドロキシフェニル酢酸を得る方法(J、Sci、
Ind、Hes。
(New Delhj)8ect、B、、21,2
84(1962)参照〕、4−ヒドロキシマンデル酸及
びそのエステルや8−ハロゲノ−4−ヒドロキシマンテ
ル酸及びそのエステルを還元して4−ヒドロキシフェニ
ル酢r!!Iを得る方法〔特開@54−1256f35
号公報、同54−148746号公@等参照〕等が知ら
れている。しかしながら、前者の方法では目的とする4
−ヒドロキシ酢酸がせいぜい801!度で得られるに過
ぎ゛ず、工業的な方法としては不充分である。まえ後者
の方法においても、還元反応を高温、高圧下の苛酷な条
件下に行なわねばならず、しかもそのような場合でも目
的化合物が低収率、低純度で得られるに過ぎない。また
上記一般式(2)で表わさnる4−置換フェニル酢酸類
のうち4−低級アルコキシフェニル酸r!Rは、上記で
得られる4−ヒドロキシフェニル酢酸からジメチル硫酸
等のアルキル化剤を用いてアルキル化して製造されてい
るに止まる。
84(1962)参照〕、4−ヒドロキシマンデル酸及
びそのエステルや8−ハロゲノ−4−ヒドロキシマンテ
ル酸及びそのエステルを還元して4−ヒドロキシフェニ
ル酢r!!Iを得る方法〔特開@54−1256f35
号公報、同54−148746号公@等参照〕等が知ら
れている。しかしながら、前者の方法では目的とする4
−ヒドロキシ酢酸がせいぜい801!度で得られるに過
ぎ゛ず、工業的な方法としては不充分である。まえ後者
の方法においても、還元反応を高温、高圧下の苛酷な条
件下に行なわねばならず、しかもそのような場合でも目
的化合物が低収率、低純度で得られるに過ぎない。また
上記一般式(2)で表わさnる4−置換フェニル酢酸類
のうち4−低級アルコキシフェニル酸r!Rは、上記で
得られる4−ヒドロキシフェニル酢酸からジメチル硫酸
等のアルキル化剤を用いてアルキル化して製造されてい
るに止まる。
本発明者らは一般式(2)で表わさnる4−fill換
7エ二ル酢酸類を工業的に有利に製造する方法を開発す
べく鋭意研究を重ねた結果、ついに本発明を完成するに
至つ九。
7エ二ル酢酸類を工業的に有利に製造する方法を開発す
べく鋭意研究を重ねた結果、ついに本発明を完成するに
至つ九。
即ち本発明は、一般式
〔式中R1は水酸基又は低級アルコキシ基を、R1は水
嵩原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。〕 で表わされる4−11換フ工ニル酢酸誘導体を電解還元
して一般式 %式%(2) 〔式中R1及びR1は前記に同じ。〕 で表わされる4−置換フェニル酢酸類を得ることを特徴
とする4−置換フェニル酢酸類の製造法に係る。
嵩原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。〕 で表わされる4−11換フ工ニル酢酸誘導体を電解還元
して一般式 %式%(2) 〔式中R1及びR1は前記に同じ。〕 で表わされる4−置換フェニル酢酸類を得ることを特徴
とする4−置換フェニル酢酸類の製造法に係る。
本発明の方法によれば、簡便な操作且つ緩和な反応条件
下で目的とする4−置換フェニル酢aIIaIt高収率
、高純度で製造し得る0 本発明の電解還元は1通常中央に隔111111に設け
た陽極室及び陰極室よりなる電解槽中にて行なわれる。
下で目的とする4−置換フェニル酢aIIaIt高収率
、高純度で製造し得る0 本発明の電解還元は1通常中央に隔111111に設け
た陽極室及び陰極室よりなる電解槽中にて行なわれる。
隔膜としては、カチオン交換膜の他アスベスト、セラミ
ック等も使用可能であるが、カチオン交換膜が好適であ
る。また陽極室は通常硫酸溶液及び陽極より構成されて
おり、陽極室は通常一般式(1)で表わされる4−置換
フェニル酢酸誘導体、有機溶媒、電解質及び陰極より構
成されている。
ック等も使用可能であるが、カチオン交換膜が好適であ
る。また陽極室は通常硫酸溶液及び陽極より構成されて
おり、陽極室は通常一般式(1)で表わされる4−置換
フェニル酢酸誘導体、有機溶媒、電解質及び陰極より構
成されている。
陽極室における4A酸溶液の濃度としては特に制限され
ず広い範囲内から適宜選択できるが、通常1〜201、
好ましくは5〜10チの硫酸水溶液又はアルコール溶液
を使用するのがよい。陽極としては硫酸溶液により溶解
されないものである限り公知のものをいずれも使用でき
、例えば鉛、鉛合金、白金、ニッケル、ニッケル合金、
亜鉛、亜鉛合金、カドミウム等を挙げることができる。
ず広い範囲内から適宜選択できるが、通常1〜201、
好ましくは5〜10チの硫酸水溶液又はアルコール溶液
を使用するのがよい。陽極としては硫酸溶液により溶解
されないものである限り公知のものをいずれも使用でき
、例えば鉛、鉛合金、白金、ニッケル、ニッケル合金、
亜鉛、亜鉛合金、カドミウム等を挙げることができる。
これらのうちでも鉛や白金を使用するのが好ましい。
陰極室における有機溶媒としては例えばメタノール、エ
タノール、プロパツール等の低級141肪族アルコール
、アセトニトリル等のニトリル類、テトラヒドロフラン
、ジオキサン等の環状エーテル等を挙げることができる
。斯かる有機溶媒の使用量としては特に制限されず広範
囲から適宜選択使用できるが、通常原料化合Wtモル当
り有機溶媒を6〜201程度、好ましくは6〜101用
いるのがよい。また電解質としては通常の第4級アンモ
ニウム塩をいずれも使用でき、具体的にはテトラメチル
アンモニウムトシレート、テトラメチルアンモニウムク
ロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テト
ラエチルアンモニウムトシレート、テトラエチルアンモ
ニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイ
ド、テトラブチルアンモニウムトシレート、テトラブチ
ルアンモニウムクロライド等を例示できる。これらのう
ちでテトラメチルアンモニウムトシレート、テトラメチ
ルアンモニウムクロライド及びテトラメチルアンモニウ
ムブロマイドが好適である。斯かる電解質の使用量とし
ては%に限定がなく広い範囲内から適宜選択ざルるが、
通常原料化1:t=1モル当り電解質を100〜800
P程度、好ましくは200〜250F使用するのがよい
。また陰極としては鉛、亜鉛等が好適である。
タノール、プロパツール等の低級141肪族アルコール
、アセトニトリル等のニトリル類、テトラヒドロフラン
、ジオキサン等の環状エーテル等を挙げることができる
。斯かる有機溶媒の使用量としては特に制限されず広範
囲から適宜選択使用できるが、通常原料化合Wtモル当
り有機溶媒を6〜201程度、好ましくは6〜101用
いるのがよい。また電解質としては通常の第4級アンモ
ニウム塩をいずれも使用でき、具体的にはテトラメチル
アンモニウムトシレート、テトラメチルアンモニウムク
ロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テト
ラエチルアンモニウムトシレート、テトラエチルアンモ
ニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイ
ド、テトラブチルアンモニウムトシレート、テトラブチ
ルアンモニウムクロライド等を例示できる。これらのう
ちでテトラメチルアンモニウムトシレート、テトラメチ
ルアンモニウムクロライド及びテトラメチルアンモニウ
ムブロマイドが好適である。斯かる電解質の使用量とし
ては%に限定がなく広い範囲内から適宜選択ざルるが、
通常原料化1:t=1モル当り電解質を100〜800
P程度、好ましくは200〜250F使用するのがよい
。また陰極としては鉛、亜鉛等が好適である。
本発明の電解還元において、電解方法としては定電圧法
及び定電tIL法のいずnでもI’J’ t4目である
が、定成流法によるのが好ましい。定It流法を採用す
る場合、電流密度としては゛通常l−toQmA/−根
皮、好ましくは80〜60mA/−である。電解反応に
必要な通罐敏としては、1ts槽の形状、電極の種類、
基質濃度、基質反応性等によIJ−yしないが、通常約
5〜6モル/F程度の遁気瀘を通電すればよい。該電解
還元は通常O〜60゛c、好ましくは80〜50℃にて
行なゎ几る。
及び定電tIL法のいずnでもI’J’ t4目である
が、定成流法によるのが好ましい。定It流法を採用す
る場合、電流密度としては゛通常l−toQmA/−根
皮、好ましくは80〜60mA/−である。電解反応に
必要な通罐敏としては、1ts槽の形状、電極の種類、
基質濃度、基質反応性等によIJ−yしないが、通常約
5〜6モル/F程度の遁気瀘を通電すればよい。該電解
還元は通常O〜60゛c、好ましくは80〜50℃にて
行なゎ几る。
以t゛に実施例會挙げる。
実施例1
4−ヒドロキシマンデル酸0.5F及びテトラメチルア
ンモニウムトシレート0.75Fkメタノール2011
9に溶解し、この溶液t−隔膜〔カチオン交換膜、セレ
ミオンCMV、旭硝子製〕で隔てられた電解槽の陽極室
へ入れ、陽極室には10慢硫酸メタノール溶液20dを
入扛る。陰極材料として亜鉛、陽極材料として白金を用
いて50℃で定電流電$(80mA/7) を行ない
、45F/mo1 通電し反応を行なった。反応終了
後陰極液のメタノールを留去し、水6dを加え、107
の酢酸エチルで6回抽出を行ない、抽出液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去した後、残渣をシリ
カゲルカラムで分離・精製すると4−ヒドロキシフェニ
ル酢酸0.40Fを得る。
ンモニウムトシレート0.75Fkメタノール2011
9に溶解し、この溶液t−隔膜〔カチオン交換膜、セレ
ミオンCMV、旭硝子製〕で隔てられた電解槽の陽極室
へ入れ、陽極室には10慢硫酸メタノール溶液20dを
入扛る。陰極材料として亜鉛、陽極材料として白金を用
いて50℃で定電流電$(80mA/7) を行ない
、45F/mo1 通電し反応を行なった。反応終了
後陰極液のメタノールを留去し、水6dを加え、107
の酢酸エチルで6回抽出を行ない、抽出液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去した後、残渣をシリ
カゲルカラムで分離・精製すると4−ヒドロキシフェニ
ル酢酸0.40Fを得る。
得られた化合物のNMRデーター(溶媒CDCI、)を
以下に示す。
以下に示す。
ff(ppm)−8,50(8,2H)−6,60〜7
.18(m、4H) −5,26(S、IH) 実施例2 4−ヒドロキシマンデル酸の代りに4−ヒドロキシマン
デル酸メチル0.5Pを用いる以外は実施例1と同様の
操作を行ない、4−ヒドロキシフェニル酢酸メチル0.
41Pf!r得る。
.18(m、4H) −5,26(S、IH) 実施例2 4−ヒドロキシマンデル酸の代りに4−ヒドロキシマン
デル酸メチル0.5Pを用いる以外は実施例1と同様の
操作を行ない、4−ヒドロキシフェニル酢酸メチル0.
41Pf!r得る。
得られた化合物のNMRデーター(溶媒CDCl、)を
以下に示す。
以下に示す。
acppm)−8,54(8,2H)
−8,68(S、8H)
−6,60〜7.20(m、4H)
−7,80(S、LH)
実施例8
4−ヒドロキシマンデル酸の代りに4−メトキシマンデ
ル酸メチル0.5Fを用いて実施例1と同様な操作を8
0℃の温度で行ない、4−メトキシフェニル酢鐵メチル
0.48jlknる。
ル酸メチル0.5Fを用いて実施例1と同様な操作を8
0℃の温度で行ない、4−メトキシフェニル酢鐵メチル
0.48jlknる。
以下にNMI(データー(m媒CDCls)ヲ示す。
’7(1)m)−8,50(g、2H)−8,60(S
、 8J −8,75(8,8)1) =6.70〜7.25(m、4H) 実施例4 硫酸メタノール溶液の代りに硫酸水溶液、白金の代りに
鉛、亜鉛の代りに鉛、テトラメチルアンモニウムドシレ
ー) 0.75 fの代りにテトラメチルアンモニウム
クロライドを用い、実施例1と同様の操作を行ない、4
−ヒドロキシフェニル酢酸0、88 Pを得る。
、 8J −8,75(8,8)1) =6.70〜7.25(m、4H) 実施例4 硫酸メタノール溶液の代りに硫酸水溶液、白金の代りに
鉛、亜鉛の代りに鉛、テトラメチルアンモニウムドシレ
ー) 0.75 fの代りにテトラメチルアンモニウム
クロライドを用い、実施例1と同様の操作を行ない、4
−ヒドロキシフェニル酢酸0、88 Pを得る。
得らnる化合物のNMRデータは実施例1のそれと一致
する。
する。
実施例6
陰極液のメタノールの代りにアセトニトリル、テトラメ
チルアンモニウムトシレート0.759の代りにテトラ
メチルアンモニウムプロマイ)”0.45Fを用い、実
施例1と同様の操作全行ない、4−ヒドロキシフェニル
酢酸0.87jFtnる。
チルアンモニウムトシレート0.759の代りにテトラ
メチルアンモニウムプロマイ)”0.45Fを用い、実
施例1と同様の操作全行ない、4−ヒドロキシフェニル
酢酸0.87jFtnる。
得られる化合物のNMI(データは実施例1のそれと一
致する。
致する。
(以 上)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中R1は水酸基又は低級アルコキシ基t、R2は水
素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。ンで表わさ
れる4−置換フェニル酢酸−導体を電解還元して 一般式 〔式中R1及びR2は前記に同じ。〕 で表わされる4−fit換フェニル酢酸類を得ることを
特徴とする4−置換フェニル酢酸類の製造法。 ■ 陰極室が一般式(1)で表わされる4−置換フェニ
ル酢#鍔導体、有機溶媒、電解質及び陰極より構成され
且つ陽極室が硫#溶液及び陽極より構成される隔膜式電
解槽を用いて電解還元を行なう特許請求の範囲第1項記
載の方法。 ■ 陽極として鉛又は白金を、陰極として亜鉛又は鉛を
用いる特許請求の範囲第1項又はts2項記載の方法。 ■ 隔膜がカチオン交換膜である特許請求の範囲第1項
乃至@8項のいずれかに記載の方法。 ■ 電解質がテトラメチルアンモニウムトシレート、テ
トラメチルアンモニウムクロライド又はテトラメチルア
ンモニウムブロマイドである特許請求の範囲第1項乃至
第4項のいずnかに記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56212976A JPS58117886A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 4−置換フエニル酢酸類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56212976A JPS58117886A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 4−置換フエニル酢酸類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58117886A true JPS58117886A (ja) | 1983-07-13 |
JPH0116916B2 JPH0116916B2 (ja) | 1989-03-28 |
Family
ID=16631407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56212976A Granted JPS58117886A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 4−置換フエニル酢酸類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58117886A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101979714A (zh) * | 2010-11-22 | 2011-02-23 | 天津市职业大学 | 一种对羟基苯乙酸的电解合成方法 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56212976A patent/JPS58117886A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101979714A (zh) * | 2010-11-22 | 2011-02-23 | 天津市职业大学 | 一种对羟基苯乙酸的电解合成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0116916B2 (ja) | 1989-03-28 |
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