JPH1197433A - Atmospheric-pressure cvd equipment - Google Patents
Atmospheric-pressure cvd equipmentInfo
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- JPH1197433A JPH1197433A JP25364197A JP25364197A JPH1197433A JP H1197433 A JPH1197433 A JP H1197433A JP 25364197 A JP25364197 A JP 25364197A JP 25364197 A JP25364197 A JP 25364197A JP H1197433 A JPH1197433 A JP H1197433A
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- head
- tray
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- gas supply
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、連続式の常圧Ｃ
ＶＤ装置に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a continuous type normal pressure C
It relates to a VD device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】連続式常圧ＣＶＤ装置は、図４に示すよ
うに、複数枚のウェーハ１を載置できる連結された複数
枚のトレー２を有し、トレー２はチェーン３によって駆
動される。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4, a continuous type normal pressure CVD apparatus has a plurality of connected trays 2 on which a plurality of wafers 1 can be mounted, and the trays 2 are driven by a chain 3. .
【０００３】４はガス供給ヘッドであり、ヒータ５によ
って加熱されたウェーハ上に反応ガス６を吹き付けるこ
とによりウェーハ１上にＣＶＤ膜が形成される。又ガス
供給ヘッド４はダクトに接続された排気カバー７で覆わ
れている。[0003] Reference numeral 4 denotes a gas supply head which forms a CVD film on the wafer 1 by blowing a reaction gas 6 onto the wafer heated by the heater 5. The gas supply head 4 is covered with an exhaust cover 7 connected to a duct.
【０００４】ウェーハ１はローダー部８からトレー２上
に供給され、トレーが左方向へ水平移動し、ガス供給ヘ
ッド４直下でウェーハにＣＶＤ膜が形成された後、アン
ローダー部９へ回収される。The wafer 1 is supplied from the loader unit 8 onto the tray 2, the tray moves horizontally to the left, a CVD film is formed on the wafer immediately below the gas supply head 4, and is collected by the unloader unit 9. .
【０００５】気相成長に於いては、ウェーハへのＣＶＤ
膜の成長と共に、ガスの吹出口１０にも生成粉が付着す
る。それをそのままにして動作を続けると、反応ガス６
の流れに乱れが生じ、ウェーハの膜特性に悪影響を及ぼ
すので、定期的にガス吹出口１０をクリーニングしなけ
ればならない。[0005] In the vapor phase growth, CVD on a wafer is performed.
As the film grows, the generated powder also adheres to the gas outlet 10. If the operation is continued while keeping it as it is, the reaction gas 6
Since the gas flow is disturbed and adversely affects the film characteristics of the wafer, the gas outlet 10 must be periodically cleaned.
【０００６】従来このクリーニング方法は、ダクトに接
続された排気カバー７を外し、図５の様に、ガス供給ヘ
ッド４を立てた状態にしてガス吹出口１０を、真空掃除
機及びブラシを使用して手作業でクリーニングしてい
た。しかし、ガス供給ヘッドは高温度である為クリーニ
ング作業が難しく、又クリーニングの為の時間消費によ
り装置の稼働率が低下したり、粉塵による人体への影響
が心配される等の問題があった。Conventionally, in this cleaning method, the exhaust cover 7 connected to the duct is removed, and as shown in FIG. 5, the gas outlet 10 is set up with the gas supply head 4 upright, and a vacuum cleaner and a brush are used. Cleaning by hand. However, since the gas supply head is at a high temperature, the cleaning operation is difficult, and there is a problem that the operation rate of the apparatus is reduced due to the consumption of time for the cleaning, and there is a concern that the dust may affect the human body.
【０００７】又、ガス吹出口のクリーニング方法として
は、特開昭６１−５０３２７号公報に記載されているよ
うに、固定されたサセプター上にガス供給ヘッドが走査
する形式の常圧ＣＶＤ装置に於いて、ガス供給ヘッドが
別置きのクリーニングユニット上に自動で移動し、クリ
ーニングユニットの真空掃除機やブラシ等で自動的にガ
ス供給ヘッドのガス吹出口をクリーニングする方法があ
る。As a method of cleaning the gas outlet, as described in JP-A-61-50327, a normal-pressure CVD apparatus of a type in which a gas supply head scans on a fixed susceptor is used. Then, there is a method in which the gas supply head is automatically moved onto a separately installed cleaning unit, and the gas outlet of the gas supply head is automatically cleaned by a vacuum cleaner or a brush of the cleaning unit.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、ガス
供給ヘッドは高温度である為、ガス吹出口のクリーニン
グ作業が難しく、又クリーニングの為の時間消費により
装置の稼働率が低下したり、粉塵による人体への影響が
心配される等の問題がある。The first problem is that the high temperature of the gas supply head makes it difficult to clean the gas outlet, and the operation rate of the apparatus is reduced due to the consumption of time for cleaning. And there is a concern that dust may affect the human body.
【０００９】ガス吹出口のクリーニングが心配な理由
は、ガスの吹出口に生成粉が付着し、それをそのままに
して動作を続けると、反応ガスの流れに乱れが生じ、ウ
ェーハの膜特性に悪影響を及ぼす為である。The reason why the cleaning of the gas outlet is concerned is that the generated powder adheres to the gas outlet, and if the operation is continued as it is, the flow of the reaction gas is disturbed and the film characteristics of the wafer are adversely affected. In order to exert.
【００１０】第２の問題点は、特開昭６１−５０３２７
号公報の方法は、連続式常圧ＣＶＤ装置では実現し難し
い点にある。The second problem is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-50327.
The method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-157572 is difficult to realize with a continuous type normal pressure CVD apparatus.
【００１１】同公報における常圧ＣＶＤ装置は、固定さ
れたサセプターに対してガス供給ヘッドが走査する形式
のものであり、ガス供給ヘッドが移動する機構が元々あ
る為、クリーニングユニットにガス供給ヘッドを移動さ
せる機構を実現することは比較的容易である。The normal pressure CVD apparatus disclosed in the publication is of a type in which a gas supply head scans a fixed susceptor. Since a mechanism for moving the gas supply head is originally provided, the gas supply head is attached to the cleaning unit. It is relatively easy to realize a mechanism for moving.
【００１２】それに対し、図４に示したような連続的常
圧ＣＶＤ装置の場合は、ガス供給ヘッドが固定された構
造になっている為、クリーニングユニットを別に設けて
ガス供給ヘッドを移動させる方法は実現し難しい。On the other hand, in the case of a continuous atmospheric pressure CVD apparatus as shown in FIG. 4, the gas supply head is fixed, so that a cleaning unit is separately provided to move the gas supply head. Is difficult to achieve.
【００１３】本発明の目的は、ガス供給ヘッドのガス吹
出口のクリーニング作業を自動で行うことにより、クリ
ーニングの為の工数を減らし、又クリーニングの為の時
間消費を減らすことにより装置の稼働率を向上させ得る
連続式の常圧ＣＶＤ装置を提供することにある。An object of the present invention is to reduce the number of steps for cleaning by automatically performing a cleaning operation of a gas outlet of a gas supply head, and to reduce the operation time of the apparatus by reducing the time consumption for cleaning. It is an object of the present invention to provide a continuous atmospheric CVD apparatus which can be improved.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明の常圧ＣＶＤ装置
は、ガス吹出口を有するガス供給ヘッドと、このガス供
給ヘッドの下方に設けられたウェーハ加熱用のヒータ
と、ウェーハを載置する連結された複数のトレーを前記
ガス供給ヘッドと前記ヒータとの間に連続的に搬送する
トレー搬送手段とを有する常圧ＣＶＤ装置において、前
記トレーの１つに前記ガス吹出口を掃除する為の真空掃
除機のヘッドを組み込んだことを特徴とするものであ
る。An atmospheric pressure CVD apparatus according to the present invention mounts a gas supply head having a gas outlet, a heater for heating a wafer provided below the gas supply head, and a wafer. In a normal-pressure CVD apparatus having a tray conveying means for continuously conveying a plurality of connected trays between the gas supply head and the heater, one of the trays for cleaning the gas outlet. It is characterized by incorporating a head of a vacuum cleaner.
【００１５】トレーは装置稼働中は絶えず移動（回転）
している為、トレーが１周する間に１回、真空掃除機の
ヘッド内蔵のトレーがガス供給ヘッドの下を通ることに
なる。この時に反応ガスの供給を一時的に停止すると共
に、真空掃除機を「オン」とし、ガス吹出口の生成粉を
除去する。これにより、トレーが１周する間に１回、装
置を止めることなくガス吹出口の生成粉を除去すること
が出来る。The tray constantly moves (rotates) while the apparatus is operating.
Therefore, the tray built in the head of the vacuum cleaner passes under the gas supply head once during one rotation of the tray. At this time, the supply of the reaction gas is temporarily stopped, and the vacuum cleaner is turned on to remove the generated powder from the gas outlet. This makes it possible to remove the generated powder from the gas outlet once without stopping the apparatus, during one rotation of the tray.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為のトレー部の斜視図である。以下図４を併用して説
明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a tray unit for explaining a first embodiment of the present invention. This will be described with reference to FIG.
【００１７】図４、図１を参照すると常圧ＣＶＤ装置
は、ガス吹出口１０を有するガス供給ヘッド４と、この
ガス供給ヘッド４の下方に設けられたウェーハ加熱用の
ヒータ５と、ウェーハ１を載置する連結された複数のト
レー２をガス供給ヘッド４とヒータ５との間に連続的に
搬送するチェーン３やモータ等からなるトレー搬送手段
とから主に構成されるが、特にトレーの１つは真空掃除
機のヘッドを組み込んだ掃除機のヘッド内蔵トレー１１
となっている。Referring to FIGS. 4 and 1, the atmospheric pressure CVD apparatus comprises a gas supply head 4 having a gas outlet 10, a heater 5 for heating a wafer provided below the gas supply head 4, and a wafer 1. Is mainly composed of a chain 3 for continuously transporting a plurality of connected trays 2 on which the trays are placed between the gas supply head 4 and the heater 5 and a tray transporting unit such as a motor. One is a tray 11 with a built-in head of a vacuum cleaner incorporating a head of a vacuum cleaner.
It has become.
【００１８】ヘッド内蔵トレー１１は図２に示すよう
に、回転及び着脱可能な接続部１４によりホース１３の
一端に接続され、ホースの他端は、例えば工場内の排気
ダクトに接続されている。ヘッド内蔵トレー１１は高温
（約４００℃）に耐える金属、例えばステンレス等から
形成され、内部は吸引口１２と一体的に形成された空洞
となっている。ヘッド内蔵トレー１１は高温となる為、
接続部１４は断熱の役目も担うような素材を用いる。As shown in FIG. 2, the head built-in tray 11 is connected to one end of a hose 13 by a rotatable and detachable connection portion 14, and the other end of the hose is connected to, for example, an exhaust duct in a factory. The head built-in tray 11 is made of a metal that can withstand high temperatures (about 400 ° C.), for example, stainless steel, and has a cavity formed integrally with the suction port 12. Since the head built-in tray 11 becomes hot,
The connecting portion 14 is made of a material that also plays a role of heat insulation.
【００１９】ヘッド内蔵トレー１１にはウェーハ１が載
置されないようにプログラムを組む。又ヘッド内蔵トレ
ー１１がガス供給ヘッド４直下に移動した時に、反応ガ
ス６の供給が一時的に停止し、それと同時に真空掃除機
が「オン」となるように構成する。この時、ヘッド内蔵
トレー１１とガス供給ヘッド４との間隔は約５ｍｍ程度
と非常に狭く、又生成粉はパウダー状である為、真空掃
除機の吸引力のみで生成粉が除去される。ヘッド内蔵ト
レー１１がガス供給ヘッド４下を通過した後、真空掃除
機が「オフ」となり、反応ガスの供給が復帰する。A program is set so that the wafer 1 is not placed on the head built-in tray 11. Further, when the head built-in tray 11 is moved directly below the gas supply head 4, the supply of the reaction gas 6 is temporarily stopped, and at the same time, the vacuum cleaner is turned on. At this time, the gap between the head built-in tray 11 and the gas supply head 4 is very narrow, about 5 mm, and the generated powder is in a powder form. After the head built-in tray 11 passes below the gas supply head 4, the vacuum cleaner is turned off, and the supply of the reaction gas is restored.
【００２０】この動作が繰り返されることにより、トレ
ーが１周する間に１回ガス供給ヘッドの吹出口１０の生
成粉の除去が自動的に行なわれる。By repeating this operation, the powder produced at the outlet 10 of the gas supply head is automatically removed once during one rotation of the tray.
【００２１】図３は本発明の第２の実施の形態を説明す
る為の掃除機のヘッド内蔵トレーの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a tray with a built-in head of a vacuum cleaner for explaining a second embodiment of the present invention.
【００２２】生成粉の除去効率を更に向上させる場合、
図２に示したヘッド内蔵トレーにブラシ１５を装備した
ものを使用する。ブラシ付のヘッド内蔵トレー１１Ａの
使用方法は第１の実施の形態と同じであるが、ブラシ１
５が直接ガス吹出口１０に接触して生成粉を除去する
為、第１の実施の形態の場合よりも除去効率の向上が必
要とされる場合に用いる。In order to further improve the efficiency of removing the produced powder,
A head-equipped tray shown in FIG. 2 equipped with a brush 15 is used. The method of using the head built-in tray 11A with a brush is the same as that of the first embodiment.
5 is used when the removal efficiency is required more than in the first embodiment because the powder 5 comes into direct contact with the gas outlet 10 to remove the generated powder.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ス供給ヘッドのガス吹出口のクリーニング作業を自動で
行うことができる為、クリーニングの為の工数、又クリ
ーニングの為の装置の時間消費を減らすことができる。
この為、常圧ＣＶＤ装置の稼働率を向上させることが出
来る。As described above, according to the present invention, since the cleaning operation of the gas outlet of the gas supply head can be performed automatically, the number of steps for cleaning and the time consumption of the apparatus for cleaning are reduced. Can be reduced.
For this reason, the operation rate of the normal pressure CVD apparatus can be improved.
【００２４】又、トレーが１周する間に１回ガス供給ヘ
ッドの吹出口の生成粉の除去を自動で行える為、ガス供
給ヘッドのガス吹出口は、常に生成粉がほとんど付着し
ていない状態になり、ウェーハの膜特性が向上する。In addition, since the generated powder at the gas supply head outlet can be automatically removed once during one rotation of the tray, the gas supply head always has almost no generated powder attached to the gas outlet. And the film properties of the wafer are improved.
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為のトレ
ー部の斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a tray unit for explaining a first embodiment of the present invention.
【図２】ヘッド内蔵トレーの斜視図。FIG. 2 is a perspective view of a head built-in tray.
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明する為のヘッ
ド内蔵トレーの斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a tray with a built-in head for describing a second embodiment of the present invention.
【図４】従来の常圧ＣＶＤ装置の一例の構成図。FIG. 4 is a configuration diagram of an example of a conventional normal pressure CVD apparatus.
【図５】ガス供給ヘッドのクリーニングを説明する為の
斜視図。FIG. 5 is a perspective view for explaining cleaning of the gas supply head.
１ ウェーハ ２ トレー ３ チェーン ４ ガス供給ヘッド ５ ヒータ ６ 反応ガス ７ 排気カバー ８ ローダー部 ９ アンローダー部 １０ ガス吹出口 １１，１１Ａ ヘッド内蔵トレー １２ 吸引口 １３ ホース １４ 接続部 １５ ブラシ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Tray 3 Chain 4 Gas supply head 5 Heater 6 Reactive gas 7 Exhaust cover 8 Loader part 9 Unloader part 10 Gas outlet 11, 11A Head built-in tray 12 Suction port 13 Hose 14 Connection part 15 Brush
Claims (3)
このガス供給ヘッドの下方に設けられたウェーハ加熱用
のヒータと、ウェーハを載置する連結された複数のトレ
ーを前記ガス供給ヘッドと前記ヒータとの間に連続的に
搬送するトレー搬送手段とを有する常圧ＣＶＤ装置にお
いて、前記トレーの１つに前記ガス吹出口を掃除する為
の真空掃除機のヘッドを組み込んだことを特徴とする常
圧ＣＶＤ装置。1. A gas supply head having a gas outlet,
A heater for heating the wafer provided below the gas supply head, and a tray transport means for continuously transporting a plurality of connected trays on which wafers are placed between the gas supply head and the heater. An atmospheric pressure CVD apparatus, comprising: a head of a vacuum cleaner for cleaning the gas outlet in one of the trays.
れている請求項１記載の常圧ＣＶＤ装置。2. The atmospheric pressure CVD apparatus according to claim 1, wherein a brush is provided on a head of the vacuum cleaner.
は着脱可能に構成されている請求項１又は請求項２記載
の常圧ＣＶＤ装置。3. The atmospheric pressure CVD apparatus according to claim 1, wherein the hose connected to the head of the vacuum cleaner is detachable.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25364197A JPH1197433A (en) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | Atmospheric-pressure cvd equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25364197A JPH1197433A (en) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | Atmospheric-pressure cvd equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197433A true JPH1197433A (en) | 1999-04-09 |
Family
ID=17254164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25364197A Pending JPH1197433A (en) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | Atmospheric-pressure cvd equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197433A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006307329A (en) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | Plasma apparatus and method for manufacturing solar cell element using the same |
| JP2007146292A (en) * | 2002-04-01 | 2007-06-14 | Ans Inc | Vapor deposition method for vapor-phase organic matter, and vapor deposition system for vapor-phase organic matter utilizing the same |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP25364197A patent/JPH1197433A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007146292A (en) * | 2002-04-01 | 2007-06-14 | Ans Inc | Vapor deposition method for vapor-phase organic matter, and vapor deposition system for vapor-phase organic matter utilizing the same |
| JP2006307329A (en) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | Plasma apparatus and method for manufacturing solar cell element using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001017 |