JPH1195405A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH1195405A JPH1195405A JP25454697A JP25454697A JPH1195405A JP H1195405 A JPH1195405 A JP H1195405A JP 25454697 A JP25454697 A JP 25454697A JP 25454697 A JP25454697 A JP 25454697A JP H1195405 A JPH1195405 A JP H1195405A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 面積の異なるパターンを備えたフォトマスク
をラスタ描画で製造するにあたり、各々最適なドーズ量
で描画を行うことができるようにすること。 【解決手段】 本発明は、マスクパターンのうち第１の
面積から成る元パターンパターンＰ−Ａ、Ｐ−Ｂの設計
データに基づき第１のドーズ量でラスタ描画を行うため
の第１のマスクデータを作成する工程と、マスクパター
ンのうち第１の面積より小さい第２の面積から成る補助
パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂの設計データに基づき第２
のドーズ量でラスタ描画を行うための第２のマスクデー
タを作成する工程と、第１のマスクデータを用い第１の
ドーズ量でラスタ描画して元パターンＰ−Ａ、Ｐ−Ｂか
ら成るマスクパターンを形成する工程と、第２のマスク
データを用い第２のドーズ量でラスタ描画して第２の面
積から成る補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂを形成する
工程とを備えている。
をラスタ描画で製造するにあたり、各々最適なドーズ量
で描画を行うことができるようにすること。 【解決手段】 本発明は、マスクパターンのうち第１の
面積から成る元パターンパターンＰ−Ａ、Ｐ−Ｂの設計
データに基づき第１のドーズ量でラスタ描画を行うため
の第１のマスクデータを作成する工程と、マスクパター
ンのうち第１の面積より小さい第２の面積から成る補助
パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂの設計データに基づき第２
のドーズ量でラスタ描画を行うための第２のマスクデー
タを作成する工程と、第１のマスクデータを用い第１の
ドーズ量でラスタ描画して元パターンＰ−Ａ、Ｐ−Ｂか
ら成るマスクパターンを形成する工程と、第２のマスク
データを用い第２のドーズ量でラスタ描画して第２の面
積から成る補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂを形成する
工程とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィーで使用するフォトマスクの製造方法に関する。
ィーで使用するフォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトリソグラフィーにおける露
光パターンの微細化に伴い、解像度の向上を図るために
種々の態様から成るフォトマスクが考えられている。例
えば、位相シフト法を適用した位相シフトマスクでは、
透過する光の位相差を有効に利用して、微細なパターン
を精度良く形成できるようにしている。
光パターンの微細化に伴い、解像度の向上を図るために
種々の態様から成るフォトマスクが考えられている。例
えば、位相シフト法を適用した位相シフトマスクでは、
透過する光の位相差を有効に利用して、微細なパターン
を精度良く形成できるようにしている。
【０００３】この位相シフトマスクを製造するには、Ｃ
ＡＤ（コンピュータ支援設計）による設計データに基づ
き位相差を利用して微細パターンを形成するためのマス
クデータを生成し、このマスクデータを用いて描画装置
でマスクに対する電子線描画を行っている。
ＡＤ（コンピュータ支援設計）による設計データに基づ
き位相差を利用して微細パターンを形成するためのマス
クデータを生成し、このマスクデータを用いて描画装置
でマスクに対する電子線描画を行っている。
【０００４】位相シフトマスクのうち、遮光膜を用いな
いハーフトーン位相シフトマスクでは、マスクパターン
内に大きな図形（パターン）が存在すると、その周囲に
小さな補助パターンを付加して描画の際のパターンエッ
ジの強調等を行っている。
いハーフトーン位相シフトマスクでは、マスクパターン
内に大きな図形（パターン）が存在すると、その周囲に
小さな補助パターンを付加して描画の際のパターンエッ
ジの強調等を行っている。
【０００５】このようなハーフトーン位相シフトマスク
を製造するにあたり、元パターンと補助パターンとで描
画のドーズ量を変えることが望ましい。つまり、面積の
小さい補助パターンに対して面積の大きい元パターンと
同じドーズ量で描画を行うと、その面積の違いから補助
パターンを正確な大きさおよび形状に製造することが困
難となる。
を製造するにあたり、元パターンと補助パターンとで描
画のドーズ量を変えることが望ましい。つまり、面積の
小さい補助パターンに対して面積の大きい元パターンと
同じドーズ量で描画を行うと、その面積の違いから補助
パターンを正確な大きさおよび形状に製造することが困
難となる。
【０００６】特にハーフトーン位相シフトマスクでは、
元パターンに対して補助パターンの大きさが非常に小さ
く（元パターンの１／１００程度）、両方のパターンを
正確に製造するには各々適切なドーズ量で描画を行う必
要がある。
元パターンに対して補助パターンの大きさが非常に小さ
く（元パターンの１／１００程度）、両方のパターンを
正確に製造するには各々適切なドーズ量で描画を行う必
要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フォトマスクの製造方法では、ＣＡＤデータにおいて元
パターンを持つセルの中に補助パターンを追加している
ため、元パターンと補助パターンとが同じセル内にでき
るようになっている。このため、フォトマスクを製造す
る描画装置において使用するマスクデータも元パターン
のデータと補助パターンのデータとが同じマスクパター
ン内に混在する状態となり、ラスタ系の描画装置では、
元パターンと補助パターンとで描画のドーズ量を変える
ことができないという問題が生じている。
フォトマスクの製造方法では、ＣＡＤデータにおいて元
パターンを持つセルの中に補助パターンを追加している
ため、元パターンと補助パターンとが同じセル内にでき
るようになっている。このため、フォトマスクを製造す
る描画装置において使用するマスクデータも元パターン
のデータと補助パターンのデータとが同じマスクパター
ン内に混在する状態となり、ラスタ系の描画装置では、
元パターンと補助パターンとで描画のドーズ量を変える
ことができないという問題が生じている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたフォトマスクの製造方法であ
る。すなわち、本発明は、所定のマスクデータを用いて
ラスタ描画を行いマスクパターンを形成するフォトマス
クの製造方法であって、マスクパターンのうち第１の面
積から成るマスクパターンの設計データに基づき第１の
ドーズ量でラスタ描画を行うための第１のマスクデータ
を作成する工程と、マスクパターンのうち第１の面積よ
り小さい第２の面積から成るマスクパターンの設計デー
タに基づき第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第
２のマスクデータを作成する工程と、第１のマスクデー
タを用い第１のドーズ量でラスタ描画して第１の面積か
ら成るマスクパターンを形成する工程と、第２のマスク
データを用い第２のドーズ量でラスタ描画して第２の面
積から成るマスクパターンを形成する工程とを備えてい
る。
を解決するために成されたフォトマスクの製造方法であ
る。すなわち、本発明は、所定のマスクデータを用いて
ラスタ描画を行いマスクパターンを形成するフォトマス
クの製造方法であって、マスクパターンのうち第１の面
積から成るマスクパターンの設計データに基づき第１の
ドーズ量でラスタ描画を行うための第１のマスクデータ
を作成する工程と、マスクパターンのうち第１の面積よ
り小さい第２の面積から成るマスクパターンの設計デー
タに基づき第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第
２のマスクデータを作成する工程と、第１のマスクデー
タを用い第１のドーズ量でラスタ描画して第１の面積か
ら成るマスクパターンを形成する工程と、第２のマスク
データを用い第２のドーズ量でラスタ描画して第２の面
積から成るマスクパターンを形成する工程とを備えてい
る。
【０００９】このような本発明では、製造するマスクパ
ターンのうち第１の面積から成るマスクパターンの設計
データに基づき第１のドーズ量でラスタ描画を行うため
の第１のマスクデータを作成し、第１の面積より小さい
第２の面積から成るマスクパターンの設計データに基づ
き第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第２のマス
クデータを作成していることから、これら第１のマスク
データ、第２のマスクデータを用いて各々異なるドーズ
量でラスタ描画を行い、フォトマスクを製造できるよう
になる。
ターンのうち第１の面積から成るマスクパターンの設計
データに基づき第１のドーズ量でラスタ描画を行うため
の第１のマスクデータを作成し、第１の面積より小さい
第２の面積から成るマスクパターンの設計データに基づ
き第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第２のマス
クデータを作成していることから、これら第１のマスク
データ、第２のマスクデータを用いて各々異なるドーズ
量でラスタ描画を行い、フォトマスクを製造できるよう
になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のフォトマスクの
製造方法における実施の形態を図に基づいて説明する。
図１は本実施形態を説明する模式図である。すなわち、
本実施形態におけるフォトマスクの製造方法は、形成し
たいパターンに応じた入力ＣＡＤデータから補助パター
ンを付加した出力ＣＡＤデータを生成し、これに基づい
て元パターンのマスクデータと、補助パターンのマスク
データとを生成して各々異なるドーズ量でラスタ描画を
行うようにしている。
製造方法における実施の形態を図に基づいて説明する。
図１は本実施形態を説明する模式図である。すなわち、
本実施形態におけるフォトマスクの製造方法は、形成し
たいパターンに応じた入力ＣＡＤデータから補助パター
ンを付加した出力ＣＡＤデータを生成し、これに基づい
て元パターンのマスクデータと、補助パターンのマスク
データとを生成して各々異なるドーズ量でラスタ描画を
行うようにしている。
【００１１】図１に示す入力ＣＡＤデータには複数の元
パターンのデータが存在している。ここでは、例えば図
中Ａ、Ｂの枠内にある元パターンＰ−Ａと元パターンＰ
−Ｂとに補助パターンが必要であるとする。
パターンのデータが存在している。ここでは、例えば図
中Ａ、Ｂの枠内にある元パターンＰ−Ａと元パターンＰ
−Ｂとに補助パターンが必要であるとする。
【００１２】元パターンに対して補助パターンが必要か
否かは、入力ＣＡＤデータにおいて元パターンに対応し
て付加されるプロパティ（パターン形状を識別するため
の文字情報）によって分かるようになっている。
否かは、入力ＣＡＤデータにおいて元パターンに対応し
て付加されるプロパティ（パターン形状を識別するため
の文字情報）によって分かるようになっている。
【００１３】すなわち、入力ＣＡＤデータを作成する
際、補助パターンが必要となる元パターンＰ−Ａ、Ｐ−
Ｂにプロパティを付加しておく。これにより、出力ＣＡ
Ｄデータとしては、このプロパティによって元パターン
Ｐ−Ａ、Ｐ−Ｂに対応する補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ
−Ｂが付加されたものが出力されるようになる。
際、補助パターンが必要となる元パターンＰ−Ａ、Ｐ−
Ｂにプロパティを付加しておく。これにより、出力ＣＡ
Ｄデータとしては、このプロパティによって元パターン
Ｐ−Ａ、Ｐ−Ｂに対応する補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ
−Ｂが付加されたものが出力されるようになる。
【００１４】また、このような補助パターンＳＰ−Ａ、
ＳＰ−Ｂの付加を行うにあたり、元パターンＰ−Ａ、Ｐ
−Ｂのセルにおける原点と、補助パターンＳＰ−Ａ、Ｓ
Ｐ−Ｂのセルにおける原点とを一致させておく。この原
点を一致させておくことによって、元パターンＰ−Ａ、
Ｐ−Ｂと補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂとの相対位置
関係が一定となり、正確な位置に補助パターンＳＰ−
Ａ、ＳＰ−Ｂを付加できるようになる。
ＳＰ−Ｂの付加を行うにあたり、元パターンＰ−Ａ、Ｐ
−Ｂのセルにおける原点と、補助パターンＳＰ−Ａ、Ｓ
Ｐ−Ｂのセルにおける原点とを一致させておく。この原
点を一致させておくことによって、元パターンＰ−Ａ、
Ｐ−Ｂと補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂとの相対位置
関係が一定となり、正確な位置に補助パターンＳＰ−
Ａ、ＳＰ−Ｂを付加できるようになる。
【００１５】次に、プロパティと補助パターンとの対応
について説明する。図２は補助パターンの付加における
対応表を説明する模式図である。すなわち、補助パター
ンを付加する元パターンＰ−１、Ｐ−２があり、それら
に各々プロパティ名ＭＡＲＫ−１、ＭＡＲＫ−２が付加
されているとする。
について説明する。図２は補助パターンの付加における
対応表を説明する模式図である。すなわち、補助パター
ンを付加する元パターンＰ−１、Ｐ−２があり、それら
に各々プロパティ名ＭＡＲＫ−１、ＭＡＲＫ−２が付加
されているとする。
【００１６】対応表とは、プロパティ名と補助パターン
のセル名との対応を示すものである。この例では、プロ
パティ名ＭＡＲＫ−１とセル名ＭＡＲＫ−１−ＳＵＢと
が対応し、プロパティ名ＭＡＲＫ−２とセル名ＭＡＲＫ
−２−ＳＵＢとが対応している。
のセル名との対応を示すものである。この例では、プロ
パティ名ＭＡＲＫ−１とセル名ＭＡＲＫ−１−ＳＵＢと
が対応し、プロパティ名ＭＡＲＫ−２とセル名ＭＡＲＫ
−２−ＳＵＢとが対応している。
【００１７】したがって、元パターンＰ−１、Ｐ−２の
ＣＡＤデータに付加されたプロパティ名ＭＡＲＫ−１、
ＭＡＲＫ−２により、この対応表からセル名ＭＡＲＫ−
１−ＳＵＢ、ＭＡＲＫ−２−ＳＵＢが導かれ、各セル名
ＭＡＲＫ−１−ＳＵＢ、ＭＡＲＫ−２−ＳＵＢに対応す
る補助パターンのセルＳＰ−１、ＳＰ−２が元パターン
Ｐ−１、Ｐ−２に付加されることになる。
ＣＡＤデータに付加されたプロパティ名ＭＡＲＫ−１、
ＭＡＲＫ−２により、この対応表からセル名ＭＡＲＫ−
１−ＳＵＢ、ＭＡＲＫ−２−ＳＵＢが導かれ、各セル名
ＭＡＲＫ−１−ＳＵＢ、ＭＡＲＫ−２−ＳＵＢに対応す
る補助パターンのセルＳＰ−１、ＳＰ−２が元パターン
Ｐ−１、Ｐ−２に付加されることになる。
【００１８】この際、先に説明したように、元パターン
Ｐ−１、Ｐ−２のセルの原点と補助パターンＳＰ−１、
ＳＰ−２のセルの原点とが一致していることから、元パ
ターンＰ−１、Ｐ−２に対して正確な位置に補助パター
ンＳＰ−１、ＳＰ−２を付加できるようになっている。
Ｐ−１、Ｐ−２のセルの原点と補助パターンＳＰ−１、
ＳＰ−２のセルの原点とが一致していることから、元パ
ターンＰ−１、Ｐ−２に対して正確な位置に補助パター
ンＳＰ−１、ＳＰ−２を付加できるようになっている。
【００１９】図３は出力ＣＡＤデータの構成を示す模式
図である。すなわち、出力ＣＡＤデータは、元パターン
のデータが入れられる入力パターン用セルと、補助パタ
ーンのデータが入れられる補助パターン付加用セルとを
下の階層に持つようなセルをトップセルとした構成とな
っている。
図である。すなわち、出力ＣＡＤデータは、元パターン
のデータが入れられる入力パターン用セルと、補助パタ
ーンのデータが入れられる補助パターン付加用セルとを
下の階層に持つようなセルをトップセルとした構成とな
っている。
【００２０】入力パターン用セルには、補助パターンの
付加が必要となる元パターンＰ−Ａ、Ｐ−Ｂのほか、補
助パターンの付加が不要な元パターンのデータが入れら
れている。
付加が必要となる元パターンＰ−Ａ、Ｐ−Ｂのほか、補
助パターンの付加が不要な元パターンのデータが入れら
れている。
【００２１】また、補助パターン付加用セルには、必要
な補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂのデータが含まれて
いる。この補助パターン付加用セルの原点はトップセル
の原点と一致しており、同じくトップセルの原点と一致
している入力パターン用セルに入れられた元パターンＰ
−Ａ、Ｐ−Ｂとの相対位置が一致するようになってい
る。
な補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂのデータが含まれて
いる。この補助パターン付加用セルの原点はトップセル
の原点と一致しており、同じくトップセルの原点と一致
している入力パターン用セルに入れられた元パターンＰ
−Ａ、Ｐ−Ｂとの相対位置が一致するようになってい
る。
【００２２】次に、このようなＣＡＤデータに基づくフ
ォトマスクの製造手順について説明する。先ず、元パタ
ーンを含む入力ＣＡＤデータを作成するとともに、補助
パターンが必要となる元パターンにプロパティを付加し
ておく。
ォトマスクの製造手順について説明する。先ず、元パタ
ーンを含む入力ＣＡＤデータを作成するとともに、補助
パターンが必要となる元パターンにプロパティを付加し
ておく。
【００２３】このＣＡＤデータにおいては、図３に示す
ようなトップセルの下の階層に入力パターン用セルと補
助パターン付加用セルとが設けられた構成としておく。
ようなトップセルの下の階層に入力パターン用セルと補
助パターン付加用セルとが設けられた構成としておく。
【００２４】次に、トップセルの下の階層にあるセルの
中で、プロパティが付加され、かつ特定レイヤにあるパ
ターンを検索する。そのようなパターンがあった場合に
は以下の処理を行う。
中で、プロパティが付加され、かつ特定レイヤにあるパ
ターンを検索する。そのようなパターンがあった場合に
は以下の処理を行う。
【００２５】トップセルの原点を基準として、検索さ
れたパターンを持つセルの座標値のオフセットを算出す
る。 検索されたパターンに付加しているプロパティに対応
した補助パターンのセル名を対応表（図２参照）より求
める。 対応表より求めたセル名で示される補助パターンのセ
ルの中にあるパターンを、補助パターン付加用セルに複
写して入れる。この補助パターンを複写する際には、特
定レイヤに変更し、上記で求めたオフセットを補助パ
ターンに加えるようにする。
れたパターンを持つセルの座標値のオフセットを算出す
る。 検索されたパターンに付加しているプロパティに対応
した補助パターンのセル名を対応表（図２参照）より求
める。 対応表より求めたセル名で示される補助パターンのセ
ルの中にあるパターンを、補助パターン付加用セルに複
写して入れる。この補助パターンを複写する際には、特
定レイヤに変更し、上記で求めたオフセットを補助パ
ターンに加えるようにする。
【００２６】これによって、図４に示すような補助パタ
ーン付き出力ＣＡＤデータが生成される。次に、この補
助パターン付き出力ＣＡＤデータに対してマスクデータ
処理を施し、元パターンのマスクデータと補助パターン
のマスクデータとを別個生成する。
ーン付き出力ＣＡＤデータが生成される。次に、この補
助パターン付き出力ＣＡＤデータに対してマスクデータ
処理を施し、元パターンのマスクデータと補助パターン
のマスクデータとを別個生成する。
【００２７】先に説明したように、補助パターン付き出
力ＣＡＤデータとして、トップセルの下の階層に入力パ
ターン用セルと補助パターン付加用セルとがあることか
ら（図３参照）、この入力パターン用セルのＣＡＤデー
タから元パターンのマスクデータを生成し、補助パター
ン付加用セルのＣＡＤデータから補助パターンのマスク
データを生成する。
力ＣＡＤデータとして、トップセルの下の階層に入力パ
ターン用セルと補助パターン付加用セルとがあることか
ら（図３参照）、この入力パターン用セルのＣＡＤデー
タから元パターンのマスクデータを生成し、補助パター
ン付加用セルのＣＡＤデータから補助パターンのマスク
データを生成する。
【００２８】これによって、図５に示すような元パター
ンのマスクデータと補助パターンのマスクデータとの２
つのマスクデータを容易で生成できるようになる。な
お、元パターンのマスクデータと補助パターンのマスク
データとが別個に生成されても、先に説明したように各
セルの原点が一致していることから、２つのマスクパタ
ーンの相対位置の整合は取れていることになる。
ンのマスクデータと補助パターンのマスクデータとの２
つのマスクデータを容易で生成できるようになる。な
お、元パターンのマスクデータと補助パターンのマスク
データとが別個に生成されても、先に説明したように各
セルの原点が一致していることから、２つのマスクパタ
ーンの相対位置の整合は取れていることになる。
【００２９】次に、この２つのマスクパターンに基づい
てラスタ系の描画装置による電子線描画を行う。すなわ
ち、先ず元パターンのマスクデータに基づいて、この元
データに適応した第１のドーズ量でラスタ描画を行う。
てラスタ系の描画装置による電子線描画を行う。すなわ
ち、先ず元パターンのマスクデータに基づいて、この元
データに適応した第１のドーズ量でラスタ描画を行う。
【００３０】フォトマスクのパターンを形成するには、
予め透明ガラス基板等の表面にパターンとなる材料を一
様に塗布しておき、その上にフォトレジストを一様に塗
布しておく。その後、元パターンのマスクデータに基づ
いて描画装置によりラスタ描画を行う。これにより、フ
ォトレジストの元パターンの部分に対応する位置に第１
のドーズ量で電子線が照射される。
予め透明ガラス基板等の表面にパターンとなる材料を一
様に塗布しておき、その上にフォトレジストを一様に塗
布しておく。その後、元パターンのマスクデータに基づ
いて描画装置によりラスタ描画を行う。これにより、フ
ォトレジストの元パターンの部分に対応する位置に第１
のドーズ量で電子線が照射される。
【００３１】次いで、補助パターンのマスクデータに基
づいて、この補助パターンに適応した第２のドーズ量で
ラスタ描画を行う。すなわち、先のフォトレジストの補
助パターンの部分に対応する位置に第２のドーズ量で電
子線が照射される。
づいて、この補助パターンに適応した第２のドーズ量で
ラスタ描画を行う。すなわち、先のフォトレジストの補
助パターンの部分に対応する位置に第２のドーズ量で電
子線が照射される。
【００３２】このように元パターンと補助パターンとで
異なるドーズ量によってラスタ描画を行った後は、フォ
トレジストの現像を行い、この現像後のフォトレジスト
をマスクとしてその下のパターンとなる材料をエッチン
グする。その後、フォトレジストを剥離する。
異なるドーズ量によってラスタ描画を行った後は、フォ
トレジストの現像を行い、この現像後のフォトレジスト
をマスクとしてその下のパターンとなる材料をエッチン
グする。その後、フォトレジストを剥離する。
【００３３】これによって、元パターンと補助パターン
とで異なるドーズ量によってラスタ描画を行い、各々最
適な形状となったフォトマスクを製造できるようにな
る。
とで異なるドーズ量によってラスタ描画を行い、各々最
適な形状となったフォトマスクを製造できるようにな
る。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトマ
スクの製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、第１の面積から成るマスクパターンの設計データに
基づき第１のマスクデータを作成し、第２の面積から成
るマスクパターンの設計データに基づきマスクデータを
作成していることから、これらのマスクデータを用いて
各々異なるドーズ量でラスタ描画を行うことができるよ
うになる。これによって、特にハーフトーン位相シフト
マスクのような大きなパターンと小さなパターンとが混
在する場合であっても、各々正確なパターン形状を持つ
フォトマスクを製造することが可能となる。
スクの製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、第１の面積から成るマスクパターンの設計データに
基づき第１のマスクデータを作成し、第２の面積から成
るマスクパターンの設計データに基づきマスクデータを
作成していることから、これらのマスクデータを用いて
各々異なるドーズ量でラスタ描画を行うことができるよ
うになる。これによって、特にハーフトーン位相シフト
マスクのような大きなパターンと小さなパターンとが混
在する場合であっても、各々正確なパターン形状を持つ
フォトマスクを製造することが可能となる。
【図１】本実施形態を説明する模式図である。
【図２】補助パターンの付加における対応表を説明する
模式図である。
模式図である。
【図３】出力ＣＡＤデータの構成を示す模式図である。
【図４】出力ＣＡＤデータのマスクデータ処理を示す模
式図である。
式図である。
【図５】元データ、補助パターン各々のマスクデータを
示す模式図である。
示す模式図である。
Ｐ−１…元パターン、Ｐ−２…元パターン、ＳＰ−１…
補助パターン、ＳＰ−２…補助パターン
補助パターン、ＳＰ−２…補助パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 所定のマスクデータを用いてラスタ描画
を行いマスクパターンを形成するフォトマスクの製造方
法であって、 前記マスクパターンのうち第１の面積から成るマスクパ
ターンの設計データに基づき第１のドーズ量でラスタ描
画を行うための第１のマスクデータを作成する工程と、 前記マスクパターンのうち前記第１の面積より小さい第
２の面積から成るマスクパターンの設計データに基づき
第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第２のマスク
データを作成する工程と、 前記第１のマスクデータを用い前記第１のドーズ量でラ
スタ描画して第１の面積から成るマスクパターンを形成
する工程と、 前記第２のマスクデータを用い前記第２のドーズ量でラ
スタ描画して第２の面積から成るマスクパターンを形成
する工程とを備えていることを特徴とするフォトマスク
の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の面積から成るマスクパターン
の設計データに、前記第２の面積から成るマスクパター
ンとの関連を示す情報を付加することを特徴とする請求
項１記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の面積から成るマスクパターン
と前記第２の面積から成るマスクパターンとによってハ
ーフトーン位相シフトマスクを構成することを特徴とす
る請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25454697A JPH1195405A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25454697A JPH1195405A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195405A true JPH1195405A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17266548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25454697A Pending JPH1195405A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195405A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006079117A (ja) * | 2001-02-27 | 2006-03-23 | Asml Netherlands Bv | サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法 |
| US8120767B2 (en) * | 2008-03-13 | 2012-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask making decision for manufacturing (DFM) on mask quality control |
| US10568839B2 (en) | 2011-01-11 | 2020-02-25 | Capsugel Belgium Nv | Hard capsules |
| US11319566B2 (en) | 2017-04-14 | 2022-05-03 | Capsugel Belgium Nv | Process for making pullulan |
| US11576870B2 (en) | 2017-04-14 | 2023-02-14 | Capsugel Belgium Nv | Pullulan capsules |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP25454697A patent/JPH1195405A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006079117A (ja) * | 2001-02-27 | 2006-03-23 | Asml Netherlands Bv | サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法 |
| JP4495663B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2010-07-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法 |
| US8120767B2 (en) * | 2008-03-13 | 2012-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask making decision for manufacturing (DFM) on mask quality control |
| US8319962B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-11-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask making decision for manufacturing (DFM) on mask quality control |
| US10568839B2 (en) | 2011-01-11 | 2020-02-25 | Capsugel Belgium Nv | Hard capsules |
| US11319566B2 (en) | 2017-04-14 | 2022-05-03 | Capsugel Belgium Nv | Process for making pullulan |
| US11576870B2 (en) | 2017-04-14 | 2023-02-14 | Capsugel Belgium Nv | Pullulan capsules |
| US11878079B2 (en) | 2017-04-14 | 2024-01-23 | Capsugel Belgium Nv | Pullulan capsules |
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